本發(fā)明關(guān)于一種用于硅晶圓拋光的拋光布的整理方法，以及使用拋光布拋光硅晶圓的方法。

背景技術(shù)：

一般的晶圓拋光步驟，在拋光布貼附于拋光機后當(dāng)下的拋光中，常有晶圓損傷的發(fā)生或微粒等級(particlelevel)顯著惡化的情形。并且，拋光機越大越容易引起此損傷的發(fā)生或微粒等級的惡化。此種損傷的發(fā)生或微粒等級的惡化常被認(rèn)為是貼附完成當(dāng)下的拋光布的整理不充分所導(dǎo)致的。

整理拋光布之時，一般進行的是使用專利文獻(xiàn)1所記載的表面鋪滿鉆石的修整器等來進行修整，以修整拋光布的表面粗度及厚度。然而，即便通過此種修整來進行拋光布的整理，根據(jù)在開始拋光的當(dāng)下(以下稱之為“拋光布壽命初期”)還是能發(fā)現(xiàn)微粒等級的惡化可以得知，僅憑修整來進行拋光布的整理仍舊是有所欠缺的。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本特開平11-000868號公報。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明為解決前述問題，目的在于提供一種拋光布的整理方法，能夠改善拋光布壽命初期的微粒等級。本發(fā)明另一目的在于提供一種拋光方法，能夠改善拋光布壽命初期的微粒等級。

為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種拋光布的整理方法，該拋光布用于拋光硅晶圓，該整理方法包含：將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機而進行修整后，進行假拋光；接著，通過該假拋光進行去除蓄積于該拋光布中的拋光殘渣的處理；接著，測定該拋光布中的拋光殘渣量，且基于該所測定的拋光殘渣量而判定經(jīng)該假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)。

通過此種拋光布的整理方法，由于在修整中加入透過假拋光來進行拋光布的整理，更能判定假拋光后的拋光布是否有充分整理，因此拋光布在充分整理為止能進行拋光布的整理，作為結(jié)果能改善拋光布壽命初期的微粒等級。

另外，較佳地，該判定執(zhí)行預(yù)先地使用經(jīng)單獨進行另外地修整后的聚胺酯樹脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進行硅晶圓的拋光，且通過與該假拋光后的去除處理相同的方式進行拋光殘渣的去除處理，并進行該去除處理后的拋光殘渣量的測定，先求出基準(zhǔn)用拋光布的使用時間除以預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命的值在0.05的時間點的基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘渣量予以作為基準(zhǔn)值，以在該假拋光及去除處理后所測定出的拋光殘渣量為在該基準(zhǔn)值以上時，則判定經(jīng)進行該假拋光的拋光布為經(jīng)整理。

通過此種方法，由于能更確實的判定假拋光后的拋光布是否有充分整理，因此能更確實的改善拋光布壽命初期的微粒等級。

又于此時，較佳地，自通過熒光x射線分析法所得到的熒光x射線頻譜所檢測出包含si-kα射線的訊號，而測定該拋光殘渣量。通過此種方法，能簡單的測定拋光殘渣量。

又于此時，較佳地，通過修整以及高壓噴射水洗凈來進行該拋光殘渣的去除處理。通過此種方法，能簡單地進行拋光殘渣的去除處理。

又于此時，例如能將該拋光機設(shè)為雙面拋光機。如此一來，本發(fā)明的拋光布的整理方法也能應(yīng)用于使用雙面拋光機的狀況。

并且，本發(fā)明提供一種拋光方法，使用拋光布拋光硅晶圓，該拋光方法包含：將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機而進行修整后，進行假拋光；接著，通過該假拋光進行去除蓄積于該拋光布中的拋光殘渣的處理；接著，測定該拋光布中的拋光殘渣量，且基于該所測定的拋光殘渣量而選出使用于該硅晶圓的拋光中的拋光布，并使用該選出的拋光布進行該硅晶圓的拋光。

通過此種拋光方法，由于在修整中加入透過假拋光來進行拋光布的整理，更能使用通過假拋光來選出充分整理的拋光布來進行拋光，因此能改善拋光布壽命初期的微粒等級。

另外，較佳地，該選出執(zhí)行：預(yù)先地使用經(jīng)單獨進行另外地修整后的聚胺酯樹脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進行硅晶圓的拋光，且通過與該假拋光后的去除處理相同的方式進行拋光殘渣的去除處理，并進行該去除處理后的拋光殘渣量的測定；先求出基準(zhǔn)用拋光布的使用時間除以預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命的值在0.05的時間點時的基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘渣量予以作為基準(zhǔn)值，以選出在該假拋光以及去除處理后所測定出的拋光殘渣量為在該基準(zhǔn)值以上的拋光布作為于該硅晶圓的拋光中使用的拋光布。

通過此種方法，由于能更確實的選出經(jīng)充分整理的拋光布，因此能更確實的改善拋光布壽命初期的微粒等級。

又于此時，較佳地，自通過熒光x射線分析法所得到的熒光x射線頻譜檢測出包含si-kα射線的訊號，而測定該拋光殘渣量。通過此種方法，能簡單地測定拋光殘渣量。

又于此時，較佳地，通過修整以及高壓噴射水洗凈來進行該拋光殘渣的去除處理。通過此種方法，能簡單地進行拋光殘渣的去除處理。

又于此時，例如能夠?qū)⒃搾伖鈾C設(shè)為雙面拋光機。如此一來，本發(fā)明的拋光方法也能應(yīng)用于使用雙面拋光機的狀況。

如以上所述，通過本發(fā)明的拋光布整理方法，由于通過在已知的修整中加上假拋光來進行拋光布的整理，更進一步地以不會看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或為有微粒惡化的情形為止而判定拋光布是否為可充分地整理的拋光布，因此能進行拋光布的整理直至拋光布充分整理為止，以此作為結(jié)果而能改善拋光布壽命初期的微粒等級。另外，由于可在判定出拋光布為整理完成的時間點時即可結(jié)束假拋光，因此不須進行非必要的長時間的假拋光，因而能有效率地進行拋光布的整理。

另外，通過本發(fā)明的拋光方法，由于在修整中加入透過假拋光來進行拋光布的整理，更進一步地通過假拋光而以不會看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或為有微粒惡化的程度為止以選出充分整理成的拋光布來用于拋光，因此能改善拋光布壽命初期的微粒等級。

附圖說明

圖1是顯示本發(fā)明的拋光布的整理方法的一例的流程圖。

圖2是顯示本發(fā)明的拋光方法的一例的流程圖。

圖3是顯示實施例1中每假拋光15μm的拋光殘渣量以及去除處理后的拋光殘渣量的圖表。

圖4是顯示實施例1與比較例1的各拋光布使用時間中的拋光殘渣量的圖表。

圖5是顯示實施例1的各拋光布使用時間中的微粒等級的圖表。

圖6是顯示比較例1(以已知方法整理后進行正式拋光的狀況)的各拋光布使用時間中的微粒等級的圖表。

圖7是顯示晶圓的拋光與拋光殘渣量的去除處理交替反復(fù)進行的狀況下的拋光殘渣量的變化的圖表。

圖8是顯示以習(xí)知方法整理后進行正式拋光的狀況的各拋光布使用時間中的拋光殘渣量的圖表。

具體實施方式

如上所述，由于通過已知的修整的整理(以下也稱之為“已知法”)對于拋光布的整理還是不充分，得知如使用以此種已知法進行整理的拋光布來進行正式拋光(產(chǎn)品晶圓的拋光)，在拋光布的壽命初期還是會使微粒等級惡化。

在此，于圖6顯示以已知法整理后進行正式拋光的狀況下的各拋光布使用時間中的微粒等級。如圖6所示，能看出以已知法進行整理的狀況下，于拋光布壽命初期，特別是在現(xiàn)在拋光布使用時間除以設(shè)定拋光布使用時間的值在0.05的時間點為止，微粒等級的惡化。

本申請的發(fā)明人為了改善拋光布壽命初期的微粒等級進行了深入研究，并將重點放在拋光布中的拋光殘渣量與拋光布的整理上。在本申請發(fā)明人的研究中，從在經(jīng)充分整理成未能發(fā)現(xiàn)微粒等級惡化的拋光布中，拋光布中積蓄了比拋光布壽命初期還要多的拋光殘渣，發(fā)現(xiàn)了能夠根據(jù)拋光布中的拋光殘渣量來判定拋光布的整理的狀態(tài)。并且，其重復(fù)深入研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)進行假拋光以在拋光布中蓄積拋光殘渣來整理拋光布，通過假拋光后的拋光殘渣量來判定整理，使用判定為經(jīng)充分整理的拋光布來進行正式拋光，能改善拋光布壽命初期的微粒等級，從而完成本發(fā)明。

即，本發(fā)明為一種拋光布的整理方法，該拋光布用于拋光硅晶圓，該整理方法包含：將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機而進行修整后，進行假拋光，接著，通過該假拋光進行蓄積于該拋光布中的拋光殘渣的去除處理后，測定該拋光布中的拋光殘渣量，且基于該所測定的拋光殘渣量而判定經(jīng)該假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)。

以下，詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于此。

再者，本發(fā)明中，當(dāng)(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值成為1為交換拋光布的意思，另外(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0.05的值的時間點，為相對于預(yù)先設(shè)定好的拋光布的壽命的5％的使用時間的時間點的意思。

＜拋光布的整理方法＞

以下，參考圖式同時詳細(xì)說明本發(fā)明的拋光布的整理方法。

圖1是顯示本發(fā)明的拋光布的整理方法的一例的流程圖。本發(fā)明的拋光布的整理方法中，首先將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機(圖1(1a))，進行修整后(圖1(1b))，進行假拋光(圖1(1c))，接著，通過假拋光進行去除蓄積于拋光布中的拋光殘渣的處理(圖1(1d))，接著，測定拋光布中的拋光殘渣量(圖1(1e))，且基于所測定的拋光殘渣量而判定經(jīng)該假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)(圖1(1f))。

以下更詳細(xì)地說明各步驟。

首先，將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機(圖1(1a))。此時，作為拋光機并無特別限定，例如能適合使用雙面拋光機等。另外，本發(fā)明的拋光布的整理方法，能不受拋光機的大小影響皆可適用。

接著，進行修整(圖1(1b))。修整方法雖無特別限定，例如能使用一般適合被使用于拋光布的整理上的表面鋪滿鉆石的修整器等。

接著，進行假拋光(圖1(1c))。一般，于進行晶圓的拋光之時，趁著在拋光的時候，進行蓄積于拋光布中的拋光殘渣的去除處理(例如使用鋪滿鉆石的修整器進行拋光布的切削處理(修整)或是以高壓噴射水接觸拋光布進行洗凈處理(高壓噴射水洗凈)等)。進行此去除處理后，雖然得以去除大多數(shù)蓄積于拋光布中的拋光殘渣，但部分的殘渣在去除處理后仍會殘留于拋光布中，而進行拋光布的整理。因此，本發(fā)明的拋光布整理方法中，在修整后進行假拋光，意圖地使拋光殘渣蓄積于拋光布中而進行拋光布的整理。

于假拋光并無特別限制，例如能使用一般適合用于假拋光的硅晶圓。另外，作為拋光劑并無特別限制，能適合使用硅酸膠拋光劑等。

在此，于圖7顯示晶圓的拋光與拋光殘渣量的去除處理交替反復(fù)進行狀況下的拋光殘渣量的變化。再者，此時的每一次拋光的拋光余量設(shè)為15μm。如圖7所示，交互進行晶圓的拋光與拋光殘渣的去除處理后，由于大部分通過拋光而蓄積的拋光殘渣都通過當(dāng)下的去除處理予以去除，因此去除處理后的拋光殘渣量不容易增加。因此，為了有效增加去除處理后的拋光殘渣量，較佳地，進行達(dá)到一般的拋光(拋光余量：約10μm～20μm)的多次份量的拋光余量的沒有夾著去除處理的連續(xù)假拋光。更具體地來說，較佳地，例如連續(xù)進行假拋光來達(dá)到約30μm～150μm的拋光余量，更佳地是達(dá)到約50μm～100μm的拋光余量。

接著，通過假拋光進行去除蓄積于拋光布中的拋光殘渣的處理(圖1(1d))。去除拋光殘渣的處理方法并無特別限制，較佳地，例如通過修整以及高壓噴射水洗凈來進行。再者，修整中，能適合使用與上述的假拋光前的修整相同的表面鋪滿鉆石的修整器。經(jīng)由此種方法能簡單的進行去除拋光殘渣的處理。

接著，測定拋光布中的拋光殘渣量(圖1(1e))。再者，這里所測定的拋光殘渣量為上述的去除處理后殘留于拋光布中的拋光殘渣的量。拋光殘渣量的測定方法并無特別限制，較佳地，例如自通過熒光x射線分析法所得到的熒光x射線頻譜檢測出包含si-kα射線的訊號而測定。

以熒光x射線分析法測定拋光殘渣量的狀況下，具體來說能以以下的方法來測定。硅晶圓拋光后，由于蓄積在拋光布中的拋光殘渣含有si元素，因此自熒光x射線頻譜檢測出包含si-kα射線的訊號，即能測定拋光殘渣的量。更具體地來說，將所檢測出的來自熒光x射線頻譜的包含si-kα射線、1.6-1.9ev的范圍的訊號量予以微分所得到的值能作為拋光殘渣量的參考值使用(以下此參考值稱之為“si訊號量”)。

si訊號量的測定中，例如能使用堀場制作所制的mesa-630等，此時的測定項目，較佳地，例如以alloylefp設(shè)定x射線照射時間為60秒。使用此種裝置，測定經(jīng)進行假拋光的拋光布的si訊號量，以此si訊號量設(shè)為拋光殘渣量，而能簡單地測定出拋光殘渣量。

接著，基于所測定的拋光殘渣量而判定經(jīng)假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)(圖1(1f))。此時，較佳地，判定執(zhí)行：預(yù)先地使用經(jīng)單獨進行另外地修整后的聚胺酯樹脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進行硅晶圓的拋光，且通過與假拋光后的去除處理相同的方式進行去除拋光殘渣的處理，并進行去除處理后的拋光殘渣量的測定，先求出(基準(zhǔn)用拋光布的使用時間)/(預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命)的值在0.05的時間點時的基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘渣量予以作為基準(zhǔn)值，以在假拋光及去除處理后所測定出的拋光殘渣量為在基準(zhǔn)值以上時，則判定經(jīng)進行該假拋光的拋光布為整理完成。再者，判定方法當(dāng)然不限制于此。

以下，更詳細(xì)的說明上述的判定方法。

經(jīng)本申請的發(fā)明人檢討之后，如上所述，以已知法整理的拋光布進行正式拋光的狀況下，(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0.05的時間點為止，雖然微粒等級明顯惡化，但在(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間的值)在0.05以下，則能夠看出微粒等級的惡化已受到抑制(參考圖6)。由此得知，上述的判定方法中，假定(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0.05的時間點的拋光布為充分整理的拋光布，以此時間點的拋光布中的拋光殘渣量作為基準(zhǔn)，而進行整理的判定。

具體上來說，首先求得成為判定基準(zhǔn)的基準(zhǔn)值。更具體地來說，使用單獨進行修整(以已知法的整理)后的聚胺酯樹脂制的拋光布(基準(zhǔn)用拋光布)，而進行硅晶圓的拋光，持續(xù)進行去除拋光殘渣的處理后，進行拋光殘渣量的測定，而求出當(dāng)基準(zhǔn)用拋光布的(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0.05的時間點的拋光殘渣量作為基準(zhǔn)值。再者，此時以與上述的假拋光后的去除處理相同的方式來進行拋光殘渣的去除處理。

接著，進行實際的判定。更具體來說，將經(jīng)進行上述的假拋光以及去除處理后所測定出的拋光殘渣量(即，經(jīng)進行假拋光后拋光布中的拋光殘渣量)與以上述方式所求出的基準(zhǔn)值進行比較，如經(jīng)進行假拋光的拋光布中的拋光殘渣量在基準(zhǔn)值以上，則判定經(jīng)假拋光的拋光布整理完成。

在此，于圖8顯示實際地以已知法整理后進行正式拋光的狀況的各拋光布使用時間中的拋光殘渣量。再者，在此所顯示的拋光殘渣量為拋光殘渣的去除處理后所測定出的值。上述的判定方法中的基準(zhǔn)值，例如為圖8中以虛線表示的值(約4200)。

透過此種判定方法，由于能更確實判定假拋光后的拋光布是否有充分整理，因此能更確實的改善拋光布壽命初期的微粒等級。另外，由于能正確的判定整理，所以不須進行非必要的假拋光。因此，由于降低了進行非必要的假拋光所造成的時間或成本的浪費，而能更有效率地進行整理。

再者，根據(jù)整理的判定而判定出為整理不充分的狀況下，直到拋光布判定為整理為止，反復(fù)進行上述的假拋光(圖1(1c))、拋光殘渣的去除處理(圖1(1d))、拋光殘渣量的測定(圖1(1e))以及整理的判定(圖1(1f))即可。

如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的拋光布的整理方法，由于通過在已知的修整中加上假拋光來進行拋光布的整理，更進一步地以不會看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或為有微粒惡化的情形為止而判定拋光布是否為可充分地整理的拋光布，作為結(jié)果能進行拋光布的整理直至拋光布充分整理為止，因而能有效率地改善拋光布壽命初期的微粒等級。

＜拋光方法＞

另外，本發(fā)明為提供一種拋光方法，使用拋光布拋光硅晶圓，該拋光方法包含：將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機而進行修整后，進行假拋光；接著，通過該假拋光進行去除蓄積于該拋光布中的拋光殘渣的處理；接著，測定該拋光布中的拋光殘渣量，且基于該所測定的拋光殘渣量而選出使用于該硅晶圓的拋光中的拋光布，并使用該選出的拋光布進行該硅晶圓的拋光。

以下，參考圖式同時詳細(xì)說明本發(fā)明的拋光方法。

圖2是顯示本發(fā)明的拋光方法的一例的流程圖。本發(fā)明的拋光方法中，首先將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機(圖2(2a))，進行修整后(圖2(2b))，進行假拋光(圖2(2c))，接著，通過假拋光進行蓄積于拋光布中的拋光殘渣的去除處理(圖2(2d))，接著，測定拋光布中的拋光殘渣量(圖2(2e))，且基于該所測定的拋光殘渣量而選出使用于該硅晶圓的拋光中的拋光布(圖2(2f))，并使用選出的拋光布進行該硅晶圓的拋光(圖2(2g))。

以下更詳細(xì)地說明各步驟。

首先將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機(圖2(2a))。作為拋光機能使用與上述的本發(fā)明的拋光布整理方法所列舉出的相同的拋光機。

接著，進行修整(圖2(2b))。關(guān)于修整，進行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的修整即可。

接著，進行假拋光(圖2(2c))。關(guān)于假拋光，進行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的假拋光即可。

接著，通過假拋光進行蓄積于拋光布中的拋光殘渣的去除處理(圖2(2d))。關(guān)于去除拋光殘渣的處理，系進行與上述的本發(fā)明的拋光布整理方法中相同的拋光殘渣的去除處理即可。

接著，測定拋光布中的拋光殘渣量(圖2(2e))。關(guān)于拋光殘渣量的測定，進行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的殘渣量的測定即可。

接著，基于所測定的拋光殘渣量而選出使用于硅晶圓的拋光中的拋光布(圖2(2f))。關(guān)于拋光布的選出方法，進行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的拋光布的整理判定即可。具體來說，上述的判定中，選出判定為整理完成之物來作為使用于硅晶圓拋光的拋光布即可。

另外，未被選出的拋光布，直到被選出為止，反復(fù)進行上述的假拋光(圖2(2c))、拋光殘渣的去除處理(圖2(2d))、拋光殘渣量的測定(圖2(2e))以及選出(圖2(2f))即可。

接著，使用被選出的拋光布進行硅晶圓的拋光(圖2(2g))作為拋光劑例如能使用與上述本發(fā)明的拋光布整理方法中假拋光所列舉出的相同的拋光劑。

如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的拋光方法，通過在修整中加上假拋光來進行拋光布的整理，更進一步地通過假拋光而以不會看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或為有微粒惡化的程度為止以選出充分整理成的拋光布來用于拋光，因此能改善拋光布壽命初期的微粒等級。

實施例

以下，使用實施例及比較例而具體的說明本發(fā)明，但本發(fā)明并未被限定于此。

再者，實施例及比較例中，拋光殘渣量的測定所使用的是堀場制作所制的mesa-630，測定項目以alloylefp設(shè)定x射線照射時間為60秒。

＜比較例1＞

將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機，使用表面鋪滿鉆石的修整器進行拋光布的修整后，不進行假拋光而以下述的正式拋光條件進行晶圓的拋光(正式拋光)，且測定各拋光布使用時間中的拋光殘渣量與微粒等級。圖4是顯示各拋光布使用時間中的拋光殘渣量。另外，圖6是顯示各拋光布使用時間中的微粒等級。另外此時，求出(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0.05的時間點時的拋光殘渣量作為基準(zhǔn)值。

＜正式拋光條件＞

所使用拋光機：30b雙面拋光機

樣品晶圓：cz、p型、晶體方位＜100＞、直徑300mm硅晶圓

拋光布：聚胺酯樹脂制

拋光劑：硅酸膠拋光劑

拋光負(fù)載：180g/cm²

拋光余量：15μm

＜實施例1＞

將由聚胺酯樹脂所制的拋光布貼附于拋光機，使用表面鋪滿鉆石的修整器進行拋光布的修整后，以拋光負(fù)載200g/cm²、拋光余量15μm的條件(下述的假拋光條件)連續(xù)進行5次的假拋光，以每進行15μm的假拋光來測定拋光殘渣量。重復(fù)5次假拋光與拋光殘渣量的測定后，作為去除拋光殘渣的處理，使用表面鋪滿鉆石的修整器進行拋光布的修整，并以高壓噴射水接觸拋光布來進行洗凈。之后，測定去除處理后的拋光殘渣量。圖3是顯示每假拋光15μm的拋光殘渣量以及去除處理后的拋光殘渣量。

＜假拋光條件＞

所使用拋光機：30b雙面拋光機

樣品晶圓：cz、p型、晶體方位＜100＞、直徑300mm硅晶圓

拋光布：聚胺酯樹脂制

拋光劑：硅酸膠拋光劑

拋光負(fù)載：200g/cm²

拋光余量：15μm

將在上述比較例1所預(yù)先求出的基準(zhǔn)值與以上述實施例1所測定的去除處理后的拋光殘渣量相比較，由于去除處理后的拋光殘渣量為基準(zhǔn)值以上，因此判定實施例1的拋光布為整理完成，選出作為用于后述的正式拋光的拋光布。

接著，使用所選出的拋光布，以與比較例1為相同的上述的正式拋光條件進行晶圓的拋光(正式拋光)，測定各拋光布使用時間中的拋光殘渣量與微粒等級。圖4是顯示各拋光布使用時間中的拋光殘渣量。另外，圖5是顯示各拋光布使用時間中的微粒等級。

如圖4所示，當(dāng)(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0的時間點時，實施例1已具有與比較例1中(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0.05的時間點時的拋光殘渣量相同程度的拋光殘渣量，即，當(dāng)具有與比較例1中(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0.05的時間點時相同的狀態(tài)，得知拋光布已充分整理。

如圖6所示，在使用整理不確實的拋光布來進行正式拋光的比較例1中，(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0～0.05的時間點為止，粒子的個數(shù)多，0.05之后則漸漸減少。相對于此，如圖5所示，在使用充分整理的拋光布來進行正式拋光的實施例1中，(現(xiàn)在拋光布使用時間)/(設(shè)定拋光布使用時間)的值在0～0.05的時間點為止，其微粒等級已獲得改善。

從以上的說明可以清楚地了解到，通過本發(fā)明的拋光布的整理方法及拋光方法，能改善拋光布壽命初期的微粒等級。另外，由于能以拋光殘渣量此一明確的基準(zhǔn)來判定拋光布的整理，因此能防止進行多余的假拋光、以及時間或成本的浪費的發(fā)生。

此外，本發(fā)明并不被限定于上述實施例，上述實施例為例示，凡具有與本發(fā)明的申請專利范圍所記載的技術(shù)思想實質(zhì)上相同的構(gòu)成，能得到同樣的作用效果者，皆被包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。