本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種光刻掩膜版的制造方法。

背景技術(shù)：

在集成電路制造領(lǐng)域，光刻技術(shù)被用來(lái)將圖案從包含電路設(shè)計(jì)信息的光刻掩膜版上轉(zhuǎn)移到晶圓(wafer)上，其中的光刻掩膜版(mask)，也稱為光刻版、掩膜版或者光罩，是一種對(duì)于曝光光線具有透光性的平板，其上具有對(duì)于曝光光線具有遮光性的至少一個(gè)幾何圖形，所述幾何圖形為設(shè)計(jì)圖形，可實(shí)現(xiàn)有選擇的遮擋照射到晶片表面光刻膠上的光，并最終在晶圓表面的光刻膠上形成相應(yīng)的圖案。

隨著器件朝向小型化微型化趨勢(shì)發(fā)展，為了增加光刻掩膜版上的設(shè)計(jì)圖形的工藝窗口，增加對(duì)焦深度，通常光刻掩膜版上除具有定義設(shè)計(jì)圖形的主圖形外，還在主圖形的一側(cè)或兩側(cè)設(shè)計(jì)光學(xué)輔助線條(scatteringbar)，所述光學(xué)輔助線條為條狀圖形，并且，所述光學(xué)輔助線條不能在晶圓上成像。

然而，現(xiàn)有技術(shù)制造的光刻膠掩膜版的產(chǎn)品良率較低，光刻掩膜版重出的損耗較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種光刻掩膜版的制造方法，提高制造的光刻掩膜版的產(chǎn)品良率，減小光刻掩膜版重出的損耗。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種光刻掩膜版的制造方法，包括：提供透光基底以及位于透光基底頂部表面的掩膜版，所述掩膜版頂部表面形成有光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，形成貫穿所述光刻膠層的第一溝槽以及第二溝槽，其中，所述第一溝槽的寬度小于第二溝槽的寬度；形成填充滿所述第一溝槽的第一掩膜層；形成填充滿所述第二溝槽的第二掩膜層；去除所述光刻膠層；以所述第一掩膜層以及第二掩膜層為掩膜刻蝕所述掩膜版直至暴露出透光基底表面，在所述第一掩膜層下方形成光學(xué) 輔助線條掩膜，在所述第二掩膜層下方形成主圖形掩膜，其中，所述光學(xué)輔助線條掩膜的寬度小于主圖形掩膜的寬度；去除所述第一掩膜層和第二掩膜層。

可選的，形成所述第一掩膜層和第二掩膜層的工藝步驟包括：形成填充滿所述第一溝槽和第二溝槽的填充掩膜，所述填充掩膜還覆蓋光刻膠層頂部表面；去除高于所述光刻膠層頂部的填充掩膜，在所述第一溝槽內(nèi)形成第一掩膜層，在所述第二溝槽內(nèi)形成第二掩膜層。

可選的，采用流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積工藝或旋轉(zhuǎn)涂覆工藝形成所述填充掩膜。

可選的，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝或干法刻蝕工藝中的一種或兩種，去除高于所述光刻膠層頂部的填充掩膜。

可選的，所述第一掩膜層的材料與掩膜版的材料不同；所述第二掩膜層的材料與掩膜版的材料不同。

可選的，所述第一掩膜層的材料為氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼；所述第二掩膜層的材料為氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼。

可選的，所述第一溝槽的寬度尺寸為50納米～150納米。

可選的，所述第一溝槽與第二溝槽之間的光刻膠層的寬度尺寸為200納米～600納米。

可選的，所述第一溝槽的剖面形貌為方形；所述第一溝槽位于第二溝槽的兩側(cè)。

可選的，所述光刻膠層的厚度為100納米～300納米。

可選的，在形成所述第一溝槽和第二溝槽之后、形成所述第一掩膜層和第二掩膜層之前，還包括步驟：對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行固化處理。

可選的，所述固化處理采用的方法為熱處理或紫外照射處理。

可選的，所述光刻膠層的材料為正光阻材料。

可選的，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理以及顯影處理的工藝步驟包括：所述第一溝槽和第二溝槽所在的區(qū)域?yàn)槠毓鈪^(qū)域，對(duì)曝光區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行曝光處理；接著，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行顯影處理，去除曝光區(qū)域的光刻膠層，形成所述第一溝槽和第二溝槽。

可選的，所述光刻膠層的材料為負(fù)光阻材料。

可選的，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理以及顯影處理的工藝步驟包括：所述第一溝槽和第二溝槽所在的區(qū)域?yàn)榉瞧毓鈪^(qū)域，對(duì)非曝光區(qū)域之外的光刻膠層進(jìn)行曝光處理；接著，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行顯影處理，去除非曝光區(qū)域的光刻膠層，形成所述第一溝槽和第二溝槽。

可選的，采用濕法去膠或灰化工藝去除所述光刻膠層。

可選的，采用干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，去除所述第一掩膜層和第二掩膜層。

可選的，所述掩膜版的材料為鉻、硅化鉬、鉻的氮氧化物或硅化鉬的氮氧化物中的一種或多種。

可選的，所述透光基底的材料為石英材料。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的光刻掩膜版的制造方法的技術(shù)方案中，對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，形成貫穿所述光刻膠層的第一溝槽以及第二溝槽，其中，第一溝槽的寬度以及第二溝槽的寬度，第一溝槽用于定義光學(xué)輔助線條的位置和尺寸，第二溝槽用于定義主圖形的位置和尺寸；接著，形成填充滿第一溝槽的第一掩膜層，形成填充滿第二溝槽的第二掩膜層；去除光刻膠層，所述去除光刻膠層的工藝不會(huì)對(duì)第一掩膜層和第二掩膜層的位置和形貌造成影響，使得第一掩膜層和第二掩膜層的位置和形貌保持不變，因此本發(fā)明避免了定義光學(xué)輔助線條的第一掩膜層倒掉的問(wèn)題；然后，以第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜刻蝕掩膜版直至暴露出透光基底表面，在第一掩膜層下方形成光學(xué)輔助線條掩膜，在第二掩膜層下方形成主圖形掩膜，其中，光學(xué)輔助線條掩膜的寬度小于主圖形掩膜的寬度。由于第一掩膜層和第二掩膜層具有較高的位置精確度和形貌精確度，所述第一掩膜層不會(huì)發(fā)生倒掉的問(wèn)題，因 此相應(yīng)形成的光學(xué)輔助線條掩膜和主圖形掩膜也將符合工藝需求。綜上，本發(fā)明制造的光刻掩膜版的產(chǎn)品良率高，光刻掩膜版的重出損耗小。

進(jìn)一步，在形成第一溝槽和第二溝槽之后、形成第一掩膜層和第二掩膜層之前，還包括，對(duì)光刻膠層進(jìn)行固化處理，所述固化處理能夠提高光刻膠層的材料致密度和強(qiáng)度，使得后續(xù)形成第一掩膜層和第二掩膜層的工藝過(guò)程中，所述第一溝槽和第二溝槽的位置和形貌保持不變，從而進(jìn)一步提高形成的第一掩膜層和第二掩膜層的位置精確度和形貌精確度，進(jìn)一步提高制造的光刻掩膜版的產(chǎn)品良率。

附圖說(shuō)明

圖1至圖4為一實(shí)施例提供的光刻掩膜版制造過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5至圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的光刻掩膜版制造過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)制造的光刻掩膜版的良率較低，光刻掩膜版重出的損耗較大。

一實(shí)施例中，在光刻掩膜版上形成光刻輔助線條和主圖形的工藝包括以下步驟：

參考圖1，提供依次堆疊的透光基底101、掩膜版102、以及光刻膠層103，以光刻膠層的材料為負(fù)光阻(negativepr)材料為例。

參考圖2，對(duì)所述光刻膠層103進(jìn)行曝光處理104，曝光區(qū)域的光刻膠層103的材料性能發(fā)生變化，非曝光區(qū)域的光刻膠層103的材料性能不變。

參考圖3，在進(jìn)行曝光處理104(參考圖2)之后，對(duì)所述光刻膠層103(參考圖2)進(jìn)行顯影處理，去除非曝光區(qū)域的光刻膠層103，形成光學(xué)輔助線條113以及主圖形123，其中，光學(xué)輔助線條113的圖形尺寸小于主圖形123的圖形尺寸，主圖形123定義半導(dǎo)體工藝中所需的設(shè)計(jì)圖形，以主圖形123兩側(cè)分別形成有光學(xué)輔助圖形113為例。

接著，以所述光學(xué)輔助線條113和主圖形123為掩膜刻蝕掩膜版102，將 光學(xué)輔助線條113的圖形和主圖形123的圖形傳遞至掩膜版102內(nèi)，相應(yīng)的形成光學(xué)輔助線條掩膜和主圖形掩膜；然后，去除所述光學(xué)輔助線條113和主圖形123。

然而，研究發(fā)現(xiàn)，由于光學(xué)輔助線條113的圖形傳遞至掩膜版102內(nèi)后，要求掩膜版102內(nèi)的光學(xué)輔助線條掩膜的圖形不能在晶圓上成像，因此光學(xué)輔助線條113通常具有很小的寬度尺寸，所述寬度尺寸與光學(xué)輔助線條113的高度尺寸相比小的多，使得光學(xué)輔助線條113為細(xì)條結(jié)構(gòu)，因此在進(jìn)行顯影處理105的過(guò)程中，所述光學(xué)輔助線條113容易倒掉，如圖4所示，影響制造的光刻掩膜版的質(zhì)量，造成光刻掩膜版的產(chǎn)品良率低。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種光刻掩膜版的制造方法，提供透光基底以及位于透光基底頂部表面的掩膜版，所述掩膜版頂部表面形成有光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，形成貫穿所述光刻膠層的第一溝槽以及第二溝槽，其中，所述第一溝槽的寬度小于第二溝槽的寬度；形成填充滿所述第一溝槽的第一掩膜層，所述第一掩膜層的材料與掩膜版的材料不同；形成填充滿所述第二溝槽的第二掩膜層，所述第二掩膜層的材料與掩膜版的材料不同；去除所述光刻膠層；以所述第一掩膜層以及第二掩膜層為掩膜刻蝕所述掩膜版直至暴露出透光基底表面，在所述第一掩膜層下方形成光學(xué)輔助線條掩膜，在所述第二掩膜層下方形成主圖形掩膜，其中，所述光學(xué)輔助線條掩膜的寬度小于主圖形掩膜的寬度；去除所述第一掩膜層和第二掩膜層。本發(fā)明中，第一掩膜層定義光學(xué)輔助線條的圖形，第二掩膜層定義主圖形的圖形，且所述第一掩膜層不會(huì)發(fā)生倒掉的問(wèn)題，使得形成的光刻掩膜版的產(chǎn)品良率高，減小了光刻掩膜版重出的損耗。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

圖5至圖13為本發(fā)明一實(shí)施例提供的光刻掩膜版制造過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖5，提供透光基底201、以及位于透光基底201頂部表面的掩膜版202，所述掩膜版202頂部表面形成有光刻膠層203。

所述透光基底201具有透光性，本實(shí)施例中，以所述透光基底201的材料為石英材料為例。在其他實(shí)施例中，所述透光基底還可以為其他具有透光性的基底材料。

后續(xù)會(huì)對(duì)所述掩膜版202進(jìn)行圖形化，形成主圖形掩膜以及光學(xué)輔助線條掩膜，將圖形化后的掩膜版202應(yīng)用到后續(xù)的半導(dǎo)體工藝制程中。

本實(shí)施例中，所述掩膜版202的材料為金屬掩膜版材料，例如為鉻、硅化鉬、鉻的氮氧化物或硅化鉬的氮氧化物中的一種或多種。在一具體實(shí)施例中，以所述掩膜版202的材料為鉻為例。

后續(xù)會(huì)對(duì)所述光刻膠層203進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，在光刻膠層203內(nèi)形成定義光學(xué)輔助線條的第一溝槽、以及定義主圖形的第二溝槽。

所述光刻膠層203的材料為正光阻材料或負(fù)光阻材料。本實(shí)施例中，所述光刻膠層203的厚度為100納米～300納米。在其他實(shí)施例中，還能夠根據(jù)工藝需求確定光刻膠層的厚度參數(shù)。

以下將以光刻膠層203的材料為正光阻材料為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

參考圖6，對(duì)所述光刻膠層203進(jìn)行曝光處理204。

本實(shí)施例中，所述光刻膠層203的材料為正光阻材料，后續(xù)待形成的第一溝槽和第二溝槽所在的區(qū)域?yàn)槠毓鈪^(qū)域。

對(duì)所述曝光區(qū)域的光刻膠層203進(jìn)行曝光處理，使得曝光區(qū)域的光刻膠層203的材料性能發(fā)生變化，未經(jīng)歷曝光處理204的光刻膠層203的材料性能保持不變。

所述曝光處理204的曝光區(qū)域包括定義第一溝槽的第一曝光區(qū)域、以及定義第二溝槽的第二曝光區(qū)域，也就是說(shuō)，曝光區(qū)域包括定義光學(xué)輔助線條的第一曝光區(qū)域、以及定義主圖形的第二曝光區(qū)域，第一曝光區(qū)域的尺寸小于第二曝光區(qū)域的尺寸。依據(jù)待形成的光學(xué)輔助線條的位置和尺寸，能夠確定第一曝光區(qū)域的位置和尺寸；依據(jù)待形成的主圖形的位置和尺寸，能夠確定第二曝光區(qū)域的位置和尺寸。

本實(shí)施例中，以后續(xù)形成的光學(xué)輔助線條位于主圖形兩側(cè)為例，則相應(yīng) 的第一曝光區(qū)域也位于第二曝光區(qū)域兩側(cè)。

參考圖7，在進(jìn)行所述曝光處理204(參考圖6)之后，對(duì)所述光刻膠層203進(jìn)行顯影處理205，形成貫穿所述光刻膠層203的第一溝槽213以及第二溝槽223。

具體的，對(duì)所述光刻膠層203進(jìn)行顯影處理，去除曝光區(qū)域的光刻膠層203，形成所述第一溝槽213和第二溝槽223。由于光刻膠層203的材料為正光阻材料，經(jīng)歷過(guò)曝光處理的光刻膠層203材料為易溶于顯影液中的材料，而未經(jīng)歷曝光處理的光刻膠層203材料不會(huì)在顯影液中溶解，經(jīng)過(guò)顯影液的浸泡處理，曝光區(qū)域的光刻膠層203被去除。

所述第一溝槽213的剖面形貌為方形，所述第二溝槽223的剖面形貌為方形。所述第一溝槽213的寬度小于第二溝槽223的寬度。本實(shí)施例中，以所述第一溝槽213位于第二溝槽223的兩側(cè)為例。

所述第一溝槽213用于定義光學(xué)輔助線條，其位置和尺寸與光學(xué)輔助線條的位置和尺寸相同。所述第二溝槽223用于定義主圖形，其位置和尺寸與主圖形的位置和尺寸相同。所述第一溝槽213與第二溝槽223之間的光刻膠層203的寬度大于第一溝槽213的寬度。

本實(shí)施例中，所述第一溝槽213的寬度為50納米～150納米，所述第二溝槽223的寬度為200納米～600納米，所述第一溝槽213與第二溝槽223之間的光刻膠層203的寬度尺寸為200納米～600納米。

在本發(fā)明其他實(shí)施例中，所述光刻膠層的材料為負(fù)光阻材料時(shí)，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理以及顯影處理的工藝步驟包括：所述第一溝槽和第二溝槽所在的區(qū)域?yàn)榉瞧毓鈪^(qū)域，對(duì)非曝光區(qū)域之外的光刻膠層進(jìn)行曝光處理，經(jīng)歷過(guò)曝光處理的光刻膠層的材料性能發(fā)生變化，所述經(jīng)歷過(guò)曝光處理的光刻膠層的材料為難溶于顯影液的材料，非曝光區(qū)域的光刻膠層的材料為易溶液顯影液的材料；接著，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行顯影處理，采用顯影液對(duì)光刻膠層進(jìn)行浸泡處理，去除非曝光區(qū)域的光刻膠層，形成所述第一溝槽和第二溝槽。

本實(shí)施例中，第一溝槽213與第二溝槽223之間的光刻膠層203的寬度 大于第一溝槽213的寬度，在顯影處理過(guò)程中，第一溝槽213與第二溝槽223之間的光刻膠層203不會(huì)發(fā)生倒掉的問(wèn)題，因此第一溝槽213和第二溝槽223在顯影處理過(guò)程中仍能保持較高的位置精確度和形貌精確度。而現(xiàn)有技術(shù)中，第一溝槽所在區(qū)域的光刻膠層需要在顯影處理過(guò)程中保留，第二溝槽所在區(qū)域的光刻膠層需要在顯影處理過(guò)程中保留，第一溝槽與第二溝槽之間區(qū)域的光刻膠層需要在顯影處理過(guò)程中去除，由于第一溝槽所在區(qū)域的光刻膠層為細(xì)條結(jié)構(gòu)，使得第一溝槽所在區(qū)域的光刻膠層易在顯影液的浸泡處理下倒掉。

參考圖8，在形成所述第一溝槽213和第二溝槽223之后，對(duì)所述光刻膠層203進(jìn)行固化處理206。

所述固化處理206適于提高光刻膠層203的材料致密度，提高光刻膠層203的材料強(qiáng)度，使得在后續(xù)形成填充掩膜、第一掩膜層以及第二掩膜層的工藝過(guò)程中，所述具有第一溝槽213和第二溝槽223的光刻膠層203的形貌保持不變，從而保證第一溝槽213和第二溝槽223的形貌保持不變，因此后續(xù)在第一溝槽213內(nèi)形成第一掩膜層的圖形與光學(xué)輔助線條相一致，后續(xù)在第二溝槽223內(nèi)形成第二掩膜層的圖形與主圖形相一致，提高制造的光刻掩膜版的圖形精確度。

所述固化處理206采用的方法為熱處理(thermalprocess)或紫外照射處理(uvprocess)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述熱處理的工藝參數(shù)包括：處理溫度為90攝氏度至110攝氏度，例如為100攝氏度，處理時(shí)長(zhǎng)為20分鐘至40分鐘。在另一實(shí)施例中，所述紫外照射處理的工藝參數(shù)包括：采用的紫外線能量為30兆焦耳～50兆焦耳。

參考圖9，形成填充滿所述第一溝槽213(參考圖8)和第二溝槽223(參考圖8)的填充掩膜207，所述填充掩膜207還覆蓋光刻膠層203頂部表面。

所述填充掩膜207的材料與掩膜版202的材料不同，使得刻蝕工藝對(duì)填充掩膜207的材料與對(duì)掩膜版202的材料具有較高的刻蝕選擇比。

所述填充掩膜207的材料為氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼。本實(shí)施例中，所述填充掩膜207的材料為氧化硅。

由于所述第一溝槽213具有較大的深寬比，為了提高填充掩膜207對(duì)第 一溝槽213的填充能力，采用流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積工藝或者旋轉(zhuǎn)涂覆工藝形成所述填充掩膜207。本實(shí)施例中，采用流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積工藝形成所述填充掩膜207。

參考圖10，去除高于所述光刻膠層203頂部的填充掩膜207(參考圖9)，形成填充滿所述第一溝槽213(參考圖8)的第一掩膜層217，形成填充滿所述第二溝槽223(參考圖8)的第二掩膜層227。

所述第一掩膜層217的材料與掩膜版202的材料不同；所述第二掩膜層227的材料與掩膜版202的材料不同。所述第一掩膜層217的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼；所述第二掩膜層227的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或氮化硼。

本實(shí)施例中，所述第一掩膜層217的材料與第二掩膜層227的材料相同，所述第一掩膜層217和第二掩膜層227的材料為氧化硅。

在一個(gè)實(shí)施例中，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝，研磨去除高于所述光刻膠層203頂部的填充掩膜207。在另一實(shí)施例中，采用干法刻蝕工藝，刻蝕去除高于所述光刻膠層203頂部的填充掩膜207。在其他實(shí)施例中，還能夠先采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨去除部分厚度的填充掩膜，再采用干法刻蝕工藝，刻蝕去除剩余高于光刻膠層頂部的填充掩膜。

所述第一掩膜層217定義光學(xué)輔助線條的位置和尺寸，所述第二掩膜層227定義主圖形的位置和尺寸。

參考圖11，去除所述光刻膠層203(參考圖10)。

采用濕法去膠工藝或灰化工藝，去除所述光刻膠層203。

所述第一掩膜層217的材料致密度和強(qiáng)度大于光刻膠層203的材料致密度和強(qiáng)度；所述第一掩膜層217與掩膜版202之間的結(jié)合力大于光刻膠層203與掩膜版202之間的結(jié)合力。所述第二掩膜層227的材料致密度大于光刻膠層203的材料致密度和強(qiáng)度；所述第二掩膜層227與掩膜版202之間的結(jié)合力大于光刻膠層203與掩膜版202之間的結(jié)合力。因此，在去除所述光刻膠層203的工藝過(guò)程中，所述第一掩膜層217和第二掩膜層227不會(huì)受到去除 光刻膠層203的工藝造成的不良影響。

本實(shí)施例中，所述第一掩膜層217定義光學(xué)輔助線條的位置和尺寸，所述第二掩膜層227定義主圖形的位置和尺寸，在形成所述第一掩膜層217和第二掩膜層227的過(guò)程中，不會(huì)發(fā)生第一掩膜層217倒掉的問(wèn)題，后續(xù)能夠很好的將第一掩膜層217的圖形傳遞至掩膜版202內(nèi)，從而提高制造的光刻掩膜版的質(zhì)量，減小光刻掩膜版重出的損耗，提高制造的光刻掩膜版的良率。

現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，在光刻膠層內(nèi)形成光學(xué)輔助線條和主圖形，所述顯影處理為在顯影液的浸泡處理下進(jìn)行。由于光學(xué)輔助線條的寬度較小，所述光學(xué)輔助線條在顯影液的浸泡處理過(guò)程中容易發(fā)生倒掉的問(wèn)題，造成光刻掩膜版的產(chǎn)品良率低。

參考圖12，以所述第一掩膜層217以及第二掩膜層227為掩膜刻蝕所述掩膜版202(參考圖11)直至暴露出透光基底201表面，在所述第一掩膜層217下方形成光學(xué)輔助線條掩膜212，在所述第二掩膜層227下方形成主圖形掩膜222。

將所述第一掩膜層217的圖形傳遞至掩膜版202內(nèi)，在掩膜版202內(nèi)形成定義光學(xué)輔助線條的光學(xué)輔助線條掩膜212；將所述第二掩膜層227的圖形傳遞至掩膜版202內(nèi)，在掩膜版202內(nèi)形成定義主圖形的主圖形掩膜222。其中，所述光學(xué)輔助線條掩膜212的寬度小于主圖形掩膜222的寬度。

采用干法刻蝕工藝刻蝕所述掩膜版202，所述干法刻蝕工藝為反應(yīng)離子刻蝕工藝或等離子體刻蝕工藝。

參考圖13，去除所述第一掩膜層217(參考圖12)和第二掩膜層227(參考圖12)。

采用濕法刻蝕工藝刻蝕去除所述第一掩膜層217和第二掩膜層227，所述濕法刻蝕工藝對(duì)第一掩膜層217和第二掩膜層227的刻蝕速率大，而對(duì)光學(xué)輔助線條掩膜212和主圖形掩膜222的刻蝕速率小。本實(shí)施例中，所述第一掩膜層217的材料為氧化硅，所述第二掩膜層227的材料為氧化硅，濕法刻蝕工藝采用的刻蝕液體為氫氟酸溶液。

在其他實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝谎谀雍偷诙谀拥牟牧蠟槠渌牧蠒r(shí)，還 能夠采用合適的刻蝕液體刻蝕去除第一掩膜層和第二掩膜層。

所述光學(xué)輔助線條掩膜212、主圖形掩膜222以及透光基底201構(gòu)成半導(dǎo)體工藝制程中所需的光刻掩膜版。由前述分析可知，本實(shí)施例中形成的第一掩膜層217以及第二掩膜層227不會(huì)發(fā)生倒掉的問(wèn)題，因此相應(yīng)形成的光學(xué)輔助線條掩膜212以及主圖形掩膜222具有較高的圖形質(zhì)量，特別是光學(xué)輔助線條掩膜212具有良好的形貌以及較高的位置精確度，從而使得形成的光刻掩膜版符合工藝需求，減小了光刻掩膜版重出的損耗，提高了光刻掩膜版的產(chǎn)品的良率。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。