技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種具有嵌入式透明擴(kuò)展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制備方法，在GaAs襯底的上面依次設(shè)置的緩沖層、布拉格反射層、n?AlGaInP限制層、MQW多量子阱有源層、p?AlGaInP限制層、p?GaP窗口層、ITO電流擴(kuò)展層和AlGaInP粗化層，在圖案化的AlGaInP粗化層上設(shè)有金屬電極層，在GaAs襯底的下面設(shè)有背電極層，所述金屬電極層包括主電極和擴(kuò)展電極，其中：主電極連接在圖案化的AlGaInP粗化層上，擴(kuò)展電極嵌入在圖案化的AlGaInP粗化層中，并且與ITO電流擴(kuò)展層保持連接。擴(kuò)展電極自身因為其嵌入式結(jié)構(gòu)的特點，因而穩(wěn)定性好，從而提高了整個金屬電極層的附著性和完整性，確保了發(fā)光二極管的工作電壓穩(wěn)定，提高了產(chǎn)品的焊線可靠性和發(fā)光效率，極大地提升了產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。

技術(shù)研發(fā)人員：張銀橋;潘彬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南昌凱迅光電有限公司
文檔號碼：201610709305
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.24
技術(shù)公布日：2016.11.16