一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法，所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極沉積在柔性透明基材襯底上，所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極為SrSnO3/Ag/SrSnO-3復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)，由兩層SrSnO3薄膜層夾著Ag層組成。所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的制備方法包括SrSnO3薄膜層沉積、Ag層沉積和SrSnO3薄膜層二次沉積等步驟。本發(fā)明的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法具有光學(xué)透過率高、導(dǎo)電性能優(yōu)良、工藝流程簡單和應(yīng)用前景廣闊的特點(diǎn)。
【專利說明】
一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種可以用于柔性液晶顯示器、柔性太陽能電 池、有機(jī)和無機(jī)半導(dǎo)體激光器等光電子器件的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 透明導(dǎo)電氧化物(TC0)薄膜由于具有高的可見光透射率和低的電阻率，在抗靜電 涂層、觸摸顯示屏、太陽能電池、平板顯示、發(fā)熱器、防結(jié)冰裝置、光學(xué)涂層以及透明光電子 等方面具有廣闊的發(fā)展前景，其中的代表性TC0薄膜是In 203:Sn(IT0)薄膜，其具有良好的光 電性能。然而目前的透明導(dǎo)電薄膜的載流子濃度已經(jīng)接近上限，因此通過進(jìn)一步提高載流 子濃度來降低電阻率已經(jīng)很困難，并且很高的載流子濃度會嚴(yán)重影響到透明導(dǎo)電薄膜的光 學(xué)性能。此外，但是銦有毒，價格昂貴，穩(wěn)定性差，在氫等離子體氣氛中容易被還原等問題， 人們力圖尋找一種價格低廉且性能優(yōu)異的ΙΤ0替換材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的是提供一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法，具有光學(xué)透 過率高、導(dǎo)電性能優(yōu)良、穩(wěn)定性高和應(yīng)用前景廣闊的特點(diǎn)。
[0004] 本發(fā)明可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)： 本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極沉積 在柔性透明基材襯底上，所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極為SrSn03/Ag/SrSn03復(fù)合層狀結(jié) 構(gòu)，由兩層SrSn0 3薄膜層夾著Ag層組成。SrSn03是典型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料，其具有較寬光學(xué)帶 隙，在可見光光區(qū)具有極高的光學(xué)透過率(>95%)drSnOs中所含的元素存量大，價格便宜。 但是其電阻率較大，遠(yuǎn)達(dá)不到應(yīng)用指標(biāo)。金屬具有極低的電阻率，但是不具備光學(xué)透過性。 如果SrSn0 3薄膜與金屬結(jié)合起來則可以制備出光學(xué)透過率高且導(dǎo)電性好的復(fù)合透明導(dǎo)電 薄膜。選擇Ag作為中間層，既充分發(fā)揮Ag導(dǎo)電性能優(yōu)良的優(yōu)勢，又避免了選擇Au帶來的昂貴 成本，在穩(wěn)定性上又避免了 Cu極易氧化對品質(zhì)帶來的缺陷。選擇柔性透明基材襯底，與在硬 質(zhì)襯底上淀積的TC0薄膜相比，在柔性基片上制備的透明導(dǎo)電氧化物薄膜不但保留了玻璃 基片透明導(dǎo)電膜的光電特性，而且具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，如質(zhì)量輕、可折疊、不易破碎、易于 大面積生產(chǎn)、便于運(yùn)輸?shù)?。這種薄膜可廣泛應(yīng)用于制造柔性發(fā)光器件、塑料液晶顯示器和柔 性襯底非晶硅太陽能電池，還可作為透明隔熱保溫材料用于塑料大棚、汽車玻璃和民用建 筑玻璃貼膜，柔性村底透明導(dǎo)電膜可望成為硬質(zhì)襯底材料的更新?lián)Q代產(chǎn)品，有更廣泛的應(yīng) 用。
[0005] 進(jìn)一步地，所述SrSn〇3薄膜層的厚度為10nm~lOOnnuSrSnOs薄膜層不宜過薄或 過厚，過薄會造成電阻過低不滿足導(dǎo)電性能優(yōu)良的要求，過厚的話會造成可見光透光率顯 著降低。
[0006] 進(jìn)一步地，所述Ag層的厚度為3nm~SOnnuAg不宜過薄或過厚，過薄會造成電阻 過低不滿足導(dǎo)電性能優(yōu)良的要求，過厚的話會造成可見光透光率顯著降低。
[0007] 進(jìn)一步地，所述SrSn〇3薄膜層的厚度為30nm~50nm。
[0008] 進(jìn)一步地，所述Ag層的厚度為8nm~llnm。
[0009] 進(jìn)一步地，所述SrSn03薄膜層和所述Ag層是通過磁控濺射方式沉積在柔性透明基 材襯底上，工藝成熟，可以滿足規(guī)?；a(chǎn)的工業(yè)要求。
[0010]進(jìn)一步地，所述柔性透明基材襯底為PC、PET或PEN。材料來源廣泛，可以根據(jù)實(shí)際 需要靈活選擇。
[0011] -種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的制備方法，包括以下步驟： SrSn〇3薄膜層沉積：以SrSn〇3和Ag作為革E1材裝入磁控派射腔體內(nèi)，以柔性透明基材襯 底為襯底，控制靶材與襯底的距離為80mm~120mm，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至 1.0 X 10-3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，派射功率為20~100W，進(jìn)行 沉積得到SrSn0 3薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率20~40W，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至1.0 X l(T3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為20~100W，進(jìn)行 二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn0 3薄膜層。
[0012]進(jìn)一步地，在所述SrSn〇3薄膜層沉積和所述SrSn〇3薄膜層二次沉積中派射總氣壓 0.5 Pa~3 Pa;在所述Ag層沉積過程中派射氣壓為0.3 Pa~1.0 Pa。
[0013]進(jìn)一步地，作為祀材的SrSn〇3是采用如下方法制備的：按SrSn〇3對應(yīng)元素的化學(xué)計 量比稱取SrC03和Sn02粉體，研磨4h充分混合后在20MPa的壓力下壓制成型，最后放入電爐中 燒制成作為靶材的SrSn0 3,所述電爐燒制的條件為逐步升溫至1300 °C保持10 h。生產(chǎn)工藝 簡單，成本十分低廉。
[0014] 進(jìn)一步地，所述柔性透明基材襯底在使用前用去離子水超聲洗滌10分鐘，并在烘 箱中烘干，可以進(jìn)一步有效避免柔性透明基材襯底表面污垢對錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極 電性能的影響。
[0015] 進(jìn)一步地，所述高純氬氣和所述氬氣混合氣所使用的氬氣純度均在99.99%以上， 進(jìn)一步保證錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極性能的穩(wěn)定性。
[0016] 本發(fā)明一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極及其制備方法，具有如下的有益效果： 第一、光學(xué)透過率高，通過采用柔性透明基材襯底，在柔性透明基材襯底上形成 SrSn03/Ag/SrSn03結(jié)構(gòu)錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，可見光的透過率高達(dá)80%以上； 第二、導(dǎo)電性能優(yōu)良，通過采用柔性透明基材襯底，在柔性透明基材襯底上形成合適厚 度的SrSn03/Ag/SrSn03結(jié)構(gòu)錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，特別是Ag層的的引入，保證了錫酸 鍶基柔性透明導(dǎo)電電極具有較好的導(dǎo)電性能； 第三、工藝過程簡單，通過采用柔性透明基材襯底，在柔性透明基材襯底上形成 SrSn03/Ag/SrSn03結(jié)構(gòu)錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其制備過程工藝步驟少，工藝可實(shí)現(xiàn)性 強(qiáng)，提高了工藝實(shí)現(xiàn)的便捷性； 第四、應(yīng)用前景廣闊，本發(fā)明提供的柔性SrSn03/Ag/SrSn03結(jié)構(gòu)透明電極制備工藝，流 程簡單、電學(xué)性能優(yōu)良，為柔性太陽能電池和透明顯示設(shè)備的開發(fā)和應(yīng)用提供了優(yōu)良的基 礎(chǔ)，具有良好的應(yīng)用前景。
【附圖說明】
[0017] 附圖1為實(shí)施例1所得的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極進(jìn)行光學(xué)透過性能（紫外-可 見光譜)圖譜。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合實(shí)施例及對本 發(fā)明產(chǎn)品作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0019] 實(shí)施例1 本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，具體是采用以下制備方法制備得到 的： SrSn〇3薄膜層沉積：以SrSn〇3和Ag作為革E1材裝入磁控派射腔體內(nèi)，以PC作為柔性透明 基材襯底，控制靶材與襯底的距離為100mm，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10- 4Pa，通入30 seem的高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，濺射功率為80W，濺射總氣壓 1.0 Pa，進(jìn)行沉積得到SrSn〇3薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率30W，濺射氣壓為0.6 Pa，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10一4Pa，通入30 seem的高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為80W，濺射 總氣壓1.0 Pa，進(jìn)行二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn03薄膜層。
[0020] 實(shí)施例2 本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，具體是采用以下制備方法制備得到 的： SrSn03薄膜層沉積：以SrSn03和Ag作為靶材裝入磁控濺射腔體內(nèi)，以PET作為柔性透明 基材襯底，控制靶材與襯底的距離為100mm，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10- 4Pa，通入20 seem的高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，濺射功率為60W，濺射總氣壓 0.5 Pa，進(jìn)行沉積得到SrSn〇3薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率20W，濺射氣壓為1.0 Pa，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10一4Pa，通入20 seem的高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為60W，濺射 總氣壓0.5 Pa，進(jìn)行二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn03薄膜層。
[0021] 實(shí)施例3 本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，具體是采用以下制備方法制備得到 的： SrSn03薄膜層沉積：以SrSn03和Ag作為靶材裝入磁控濺射腔體內(nèi)，以PEN作為柔性透明 基材襯底，控制靶材與襯底的距離為120mm，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10- 4Pa，通入20 seem的高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，濺射功率為20W，濺射總氣壓 0.5 Pa，進(jìn)行沉積得到SrSn〇3薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率20W，濺射氣壓為0.5Pa，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10一4Pa，通入2- seem的高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為20W，濺射 總氣壓0.5 Pa，進(jìn)行二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn03薄膜層。
[0022] 實(shí)施例4 本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，具體是采用以下制備方法制備得到 的： SrSn〇3薄膜層沉積：以SrSn〇3和Ag作為革E1材裝入磁控派射腔體內(nèi)，以PC作為柔性透明 基材襯底，控制靶材與襯底的距離為100mm，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10- 4Pa，通入30 seem的高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，濺射功率為100W，濺射總氣壓 1.5Pa，進(jìn)行沉積得到SrSn〇3薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率30W，濺射氣壓為0.8 Pa，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至5.0 X 10一4Pa，通入30 seem的高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為100W，濺 射總氣壓1.5 Pa，進(jìn)行二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn03薄膜層。
[0023] 實(shí)施例5 本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，具體是采用以下制備方法制備得到 的： SrSn03薄膜層沉積：以SrSn03和Ag作為靶材裝入磁控濺射腔體內(nèi)，以PET作為柔性透明 基材襯底，控制靶材與襯底的距離為80mm~120mm，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至 1.0 X l(T3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，派射功率為60W，濺射總氣 壓3 Pa，進(jìn)行沉積得到SrSn03薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率40W，濺射氣壓為0.3 Pa，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至1.0 X l(T3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為60W，濺射總氣壓 3 Pa，進(jìn)行二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn03薄膜層。
[0024]在本實(shí)施例中，作為靶材的SrSn03是采用如下方法制備的：按SrSn03對應(yīng)元素的化 學(xué)計量比稱取SrC03和Sn02粉體，研磨4h充分混合后在20MPa的壓力下壓制成型，最后放入電 爐中燒制成作為革E材的SrSn〇3，所述電爐燒制的條件為逐步升溫至1300 °C保持10 h，所述 SrC03和Sn02的純度均在99.9%以上。
[0025] 實(shí)施例6 本發(fā)明公開了一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，具體是采用以下制備方法制備得到 的： SrSn03薄膜層沉積：以SrSn03和Ag作為靶材裝入磁控濺射腔體內(nèi)，以PEN作為柔性透明 基材襯底，控制靶材與襯底的距離為110mm，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至1.0 Xl(T3Pa 以下，使用高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，濺射功率為30W，濺射總氣壓3 Pa，進(jìn)行 沉積得到SrSn03薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率25W，濺射氣壓為1.0 Pa，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至1.0 X l(T3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為30W，濺射總氣壓 3 Pa，進(jìn)行二次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn03薄膜層。
[0026] 在本實(shí)施例中，所述柔性透明基材襯底在使用前用去離子水超聲洗滌10分鐘，并 在烘箱中烘干。作為靶材的Ag為市售或者自制靶材，純度為99.99%。
[0027] 為了有效評估本發(fā)明所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極制備方法制備的錫酸鍶基 柔性透明導(dǎo)電電極的性能，采用本發(fā)明的制備方法分別制備得到實(shí)施例7~13不同SrSn0 3 薄膜層厚度和Ag層厚度的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，分別進(jìn)行方塊電阻測試和平均光學(xué) 透過率測試，具體測試結(jié)果如表1和圖1所示： 表1錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極性能測試結(jié)果
從表1的測試結(jié)果可以看到，采用柔性透明基材襯底的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的 方塊導(dǎo)電性能優(yōu)良，具有較好的應(yīng)用前景;本發(fā)明所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的可見 光范圍內(nèi)平均光學(xué)透過率達(dá)80%以上。
[0028] 與此同時，為了進(jìn)一步測試本發(fā)明所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的光學(xué)性能， 對實(shí)施例1所得的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極進(jìn)行光學(xué)透過性能（紫外-可見光譜）圖譜測 試，具體測試結(jié)果如圖1所示，從圖1可以進(jìn)一步看到，本發(fā)明所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電 極的可見光范圍內(nèi)平均光學(xué)透過率達(dá)80%以上。
[0029] 以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制;凡 本行業(yè)的普通技術(shù)人員均可按說明書所示和以上所述而順暢地實(shí)施本發(fā)明；但是，凡熟悉 本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，可利用以上所揭示的技術(shù)內(nèi)容而作出 的些許更動、修飾與演變的等同變化，均為本發(fā)明的等效實(shí)施例；同時，凡依據(jù)本發(fā)明的實(shí) 質(zhì)技術(shù)對以上實(shí)施例所作的任何等同變化的更動、修飾與演變等，均仍屬于本發(fā)明的技術(shù) 方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其特征在于:所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極沉 積在柔性透明基材襯底上，所述錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極為SrSn0 3/Ag/SrSn〇3復(fù)合層狀 結(jié)構(gòu)，由兩層SrSn03薄膜層夾著Ag層組成。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其特征在于:所述SrSn03薄膜層 的厚度為l〇nm~100nm 〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其特征在于:所述Ag層的厚度為 3nm ~20nm〇4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其特征在于:所述SrSn03薄膜層 的厚度為30nm~50nm〇5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其特征在于:所述Ag層的厚度為 8nm ~llnm〇6. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其特征在于:所述SrSn03薄膜 層和所述Ag層是通過磁控濺射方式沉積在柔性透明基材襯底上。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極，其特征在于:所述柔性透明基材 襯底為PC、PET或PEN。8. -種錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的制備方法，其特征在于包括以下步驟： SrSn〇3薄膜層沉積：以SrSn〇3和Ag作為革E1材裝入磁控派射腔體內(nèi)，以柔性透明基材襯底 為襯底，控制祀材與襯底的距離為80mm~120mm，將磁控派射系統(tǒng)的本底真空度抽至1.0 X10_3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體濺射SrSn03靶材，濺射功率為20~100W，進(jìn)行沉 積得到SrSn0 3薄膜層； Ag層沉積:SrSn03薄膜層沉積完成后，用氬氣混合氣作為濺射氣體濺射Ag靶材，開始濺 射Ag層，濺射功率20~40W，在SrSn03薄膜層沉積得到Ag層； SrSn03薄膜層二次沉積:Ag層沉積完成后，將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空度抽至1.0X10 一3Pa以下，使用高純氬氣作為濺射氣體二次濺射SrSn03靶材，濺射功率為20~100W，進(jìn)行二 次沉積在Ag層表面沉積得到SrSn0 3薄膜層。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的制備方法，其特征在于:在所述 SrSn〇3薄膜層沉積和所述SrSn〇3薄膜層二次沉積中派射總氣壓0.5 Pa~3 Pa;在所述Ag層 沉積過程中濺射氣壓為0.3 Pa~1.0 Pa。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的錫酸鍶基柔性透明導(dǎo)電電極的制備方法，其特征在于:作為 靶材的SrSn03是采用如下方法制備的：按SrSn0 3對應(yīng)元素的化學(xué)計量比稱取SrC03和Sn02粉 體，研磨4h充分混合后在20MPa的壓力下壓制成型，最后放入電爐中燒制成作為靶材的 SrSn03,所述電爐燒制的條件為逐步升溫至1300 °C保持10 h。
【文檔編號】H01B5/14GK106024110SQ201610365591
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月29日
【發(fā)明人】吳木營, 楊雷, 何林, 凌東雄
【申請人】東莞理工學(xué)院