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一種太陽能電池的制作方法

文檔序號:11197223閱讀:798來源:國知局
一種太陽能電池的制造方法與工藝

本實用新型涉及一種太陽能電池。



背景技術(shù):

現(xiàn)有技術(shù)公開了一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)為:玻璃片襯底/透明導(dǎo)電膜/CdS/CdTe/背電極。其不足在于,該產(chǎn)品采用金屬材料作為背電極,金屬電極的導(dǎo)電性比較好但是金屬材料基本為帶顏色材料,使得金屬電極的透過性較差,降低了光電轉(zhuǎn)化效率。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題,本實用新型提供了一種兩面均可吸收太陽光,增加了光通量,有效提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。

本實用新型提供的一種太陽能電池,其中,包括依次層疊的透明襯底/第一透明電極層/CdS層/CdTe層/第二透明電極層或依次層疊的第一透明電極層/CdS層/CdTe層/第二透明電極層/透明襯底。

優(yōu)選的,CdTe層和CdS層形成PN結(jié)結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的,透明襯底的厚度為1-5mm。

優(yōu)選的,第一透明電極層的厚度為10-500n,第二透明電極層的厚度為10-500nm。

優(yōu)選的,CdS層的厚度為50-500nm。

優(yōu)選的,CdTe層的厚度為2-10μm。

本實用新型提供的太陽能電池的結(jié)構(gòu)中的任意一種,即將透明電極層分別作為電極、將玻璃片作為基底層進(jìn)一步采用CdS層作為窗口層、采用CdTe層作為吸收層。這樣的設(shè)計使得本申請所述太陽能電池的兩面均可吸收太陽光,增加了光通量,光通量的增加提高了CdTe層和CdS層的光學(xué)吸收率,進(jìn)一步有效提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。

應(yīng)用本實用新型所述的太陽能電池的結(jié)構(gòu)工藝簡單,成本低廉,可大規(guī)模生產(chǎn),且本發(fā)明可在柔性襯底材料上制作,成品可應(yīng)用于BIPV上,市場前景廣闊。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例1的一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實用新型實施例2的一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1-圖2所示:

1、透明襯底,2、第一透明電極層,3、CdS層,4、CdTe層,5、第二透明電極層。

具體實施方式

為了使本實用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。

下面詳細(xì)描述本實用新型的實施例,所述實施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的,旨在用于解釋本實用新型,而不能理解為對本實用新型的限制。

在本實用新型的描述中,需要理解的是,術(shù)語“橫向”、“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本實用新型的限制。

此外,術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本實用新型的描述中,“多個”的含義是至少兩個,例如兩個、三個等,除非另有明確具體的限定。

在本實用新型中,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或成一體;可以是機(jī)械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系,除非另有明確的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實用新型中的具體含義。

在本實用新型中,除非另有明確的規(guī)定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸,或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型做進(jìn)一步描述。

本實用新型提供了一種太陽能電池,其中,包括透明襯底、第一透明電極層、CdS層、CdTe層、第二透明電極層。

實施例1

本實施例中的太陽能電池結(jié)構(gòu)如圖1所示,包括依次層疊的透明襯底/第一透明電極層/CdS層/CdTe層/第二透明電極層。

本實施例采用的太陽能電池結(jié)構(gòu)中,第一透明電極層、第二透明電極層和透明襯底均為透明層結(jié)構(gòu),光可以從電池的向光面和背光面射入,使其兩面均可吸收太陽光,增加了光通量,有效提高電池的轉(zhuǎn)換效率;而CdTe的禁帶寬度一般為1.45eV,吸收太陽光產(chǎn)生載流子多,光學(xué)吸收率高,光電能量轉(zhuǎn)換率高,且CdTe容易沉積成大面積的薄膜,沉積速率高;CdS的帶隙約為2.45eV,主要是起窗口層材料作用,透過率大但是吸收少,有效的保護(hù)CdTe層從而提高轉(zhuǎn)化效率。這樣的設(shè)計使得本申請所述太陽能電池的兩面均可吸收太陽光,增加了光通量,光通量的增加提高了CdTe層和CdS層的光學(xué)吸收率,進(jìn)一步有效提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。

應(yīng)用本實施例所述的太陽能電池的結(jié)構(gòu)工藝簡單,成本低廉,可大規(guī)模生產(chǎn),且本發(fā)明可在玻璃片等柔性襯底材料上制作,成品可應(yīng)用于BIPV上,市場前景廣闊。

優(yōu)選的,CdTe層和CdS層形成PN結(jié)結(jié)構(gòu)。具體的,當(dāng)CdTe層為p型時,CdS層為n型,形成PN結(jié)結(jié)構(gòu),增加電池的轉(zhuǎn)換效率。

優(yōu)選的,透明襯底可替換為任何柔性材料層,例如硅樹脂層,四氟乙烯層等透明樹脂層和玻璃。

優(yōu)選的,透明襯底的厚度為1-5mm。

優(yōu)選的,第一透明電極層和第二透明電極層的材料可以分別選自ITO、FTO和AZO中的一種。

優(yōu)選的,第一透明電極層的厚度為10-500nm;第二透明電極層的厚度為10-500nm。

優(yōu)選的,CdTe層的厚度為2-10μm,具體為2um。CdTe的禁帶寬度為1.45eV,2um厚的CdTe層在其帶隙以上的光學(xué)吸收率可達(dá)到90%,允許的最高理論光電轉(zhuǎn)換效率在大氣質(zhì)量AM1.5條件下高達(dá)27%。

實施例2

本實施例中的太陽能電池結(jié)構(gòu)如圖2所示,包括依次層疊的第一透明電極層/CdS層/CdTe層/第二透明電極層/透明襯底。

本實施例采用的太陽能電池結(jié)構(gòu)中,第一透明電極層、第二透明電極層和透明襯底均為透明層結(jié)構(gòu),光可以從電池的向光面和背光面射入,使其兩面均可吸收太陽光,增加了光通量,有效提高電池的轉(zhuǎn)換效率;而CdTe的禁帶寬度一般為1.45eV,吸收太陽光產(chǎn)生載流子多,光學(xué)吸收率高,光電能量轉(zhuǎn)換率高,且CdTe容易沉積成大面積的薄膜,沉積速率高;CdS的帶隙約為2.45eV,主要是起窗口層材料作用,透過率大但是吸收少,有效的保護(hù)CdTe層從而提高轉(zhuǎn)化效率。這樣的設(shè)計使得本申請所述太陽能電池的兩面均可吸收太陽光,增加了光通量,光通量的增加提高了CdTe層和CdS層的光學(xué)吸收率,進(jìn)一步有效提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。

應(yīng)用本實施例所述的太陽能電池的結(jié)構(gòu)工藝簡單,成本低廉,可大規(guī)模生產(chǎn),且本發(fā)明可在玻璃片等柔性襯底材料上制作,成品可應(yīng)用于BIPV上,市場前景廣闊。

優(yōu)選的,CdTe層和CdS層形成PN結(jié)結(jié)構(gòu)。具體的,當(dāng)CdTe層為p型時,CdS層為n型,形成PN結(jié)結(jié)構(gòu),增加電池的轉(zhuǎn)換效率。

優(yōu)選的,透明襯底可替換為任何柔性材料層,例如硅樹脂層,四氟乙烯層等透明樹脂層和玻璃。

優(yōu)選的,透明襯底的厚度為1-5mm。

優(yōu)選的,第一透明電極層和第二透明電極層的材料可以分別選自ITO、FTO和AZO中的一種。

優(yōu)選的,第一透明電極層的厚度為10-500nm;第二透明電極層的厚度為10-500nm。

優(yōu)選的,CdTe層的厚度為2-10μm,具體為2um。CdTe的禁帶寬度為1.45eV,2um厚的CdTe層在其帶隙以上的光學(xué)吸收率可達(dá)到90%,允許的最高理論光電轉(zhuǎn)換效率在大氣質(zhì)量AM1.5條件下高達(dá)27%。

在本說明書的描述中,參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中,對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外,在不相互矛盾的情況下,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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