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一種彩色透明LED發(fā)光板的制作方法

文檔序號:11619043閱讀:658來源:國知局

本實用新型涉及LED的制造領域,特別涉及一種彩色透明LED發(fā)光板。



背景技術:

目前,用于LED發(fā)光的電路基板主要以玻纖板為主;LED發(fā)光源即由單顆LED組合而成;LED發(fā)光源制造方法主要是通過點膠、固晶、打線、灌封等LED封裝工藝,將LED晶片封裝到特制的支架中;LED發(fā)光板就是將封裝好的單顆LED通過焊接工藝固定到玻纖電路板上,通過外設電路實現(xiàn)板體發(fā)光。LED倒裝封裝技術由于工藝和技術水平的不成熟,目前也僅限于專為照明的白光技術。



技術實現(xiàn)要素:

本實用新型要解決的技術問題是提供一種彩色透明LED發(fā)光板,該發(fā)光板可實現(xiàn)多種發(fā)光色彩,同時其制備過程簡單,發(fā)光效果穩(wěn)定。

為了解決上述技術問題,本實用新型的技術方案為一種彩色透明LED發(fā)光板,包括由下至上依次連接的透明基板、ITO導電線路層、LED晶片組以及PU透明膜層,LED晶片組選自紅、綠、藍倒裝LED晶片中至少一種,每三個LED晶片依次排列形成LED晶片組,LED晶片組焊接于ITO導電線路層上,LED芯片組表面覆蓋常溫固化的PU透明膜層。

優(yōu)選地,ITO導電線路層的厚度為100~200nm,ITO導電線路層的制備方法為:透明基板經(jīng)去離子水洗、超聲波清洗后,進入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導電薄膜層,再經(jīng)加熱固化退火形成ITO導電膜層,ITO導電膜層最后經(jīng)過蝕刻形成ITO導電線路層。

優(yōu)選地,磁控濺射條件為:ITO鍍膜室中磁控濺射靶材In2O3和SnO2的重量比為90%:10%,純度為99.99%,靶基距為6cm,透明基板的溫度為室溫,真空室中的真空為4.0×10-5Pa,Ar氣分壓1.0Pa,Ar氣流量為12cm3/min,濺射功率為50~200W,沉積速率約為0.7~1nm/s。

優(yōu)選地,透明基板與ITO導電線路層之間還設置有SiO2層。

優(yōu)選地,透明基板上與ITO導電線路層相對的平面上設置銀反光層。

優(yōu)選地,透明基板上與LED晶片組相對的位置呈內(nèi)凹狀。

采用上述技術方案,由于在透明基板上設置三種基礎顏色的倒裝LED晶片依次排列,從而實現(xiàn)了多種色彩發(fā)光的效果,通過簡單地焊接完成封裝,制備方法簡單,發(fā)光效果穩(wěn)定。

附圖說明

圖1為實施例中一種彩色透明LED發(fā)光板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中,1-透明基板、11-凸起、2-ITO導電線路層、3-LED晶片組、4-PU透明膜層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式作進一步說明。在此需要說明的是,對于這些實施方式的說明用于幫助理解本實用新型,但并不構(gòu)成對本實用新型的限定。此外,下面所描述的本實用新型各個實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

一種彩色透明LED發(fā)光板,包括由下至上依次連接的透明基板1、ITO導電線路層2、LED晶片組3以及PU透明膜層4,LED晶片組選自紅、綠、藍倒裝LED晶片中至少一種,每三個LED晶片依次排列形成LED晶片組,本實施例以紅、綠、藍依次排列形成一個LED晶片組為代表例,其他的排列或紅、綠、藍三色LED晶片的選擇可根據(jù)日常應用所需的顏色進行選定,LED晶片組焊接于ITO導電線路層上,LED芯片組表面覆蓋常溫固化的PU透明膜層。常溫固化有利于簡化生產(chǎn)工藝。

而為了提高發(fā)光的穩(wěn)定性,降低電阻率,ITO導電線路層的厚度設置為100~200nm,同時ITO導電線路層的制備方法為:透明基板經(jīng)去離子水洗、超聲波清洗后,進入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導電薄膜層,再經(jīng)加熱固化退火形成ITO導電膜層,ITO導電膜層最后經(jīng)過蝕刻形成ITO導電線路層。在ITO鍍膜室進行磁控濺射時,磁控濺射靶材In2O3和SnO2的重量比為90%:10%,純度為99.99%,靶基距為6cm,透明基板的溫度為室溫,真空室中的真空為4.0×10-5Pa,Ar氣分壓1.0Pa,Ar氣流量為12cm3/min,濺射功率為50~200W,沉積速率約為0.7~1nm/s。

而為了防止透明基板中的鈉離子的滲透,從而對整個電路產(chǎn)生影響,可在透明基板與ITO導電線路層之間還設置有SiO2層。而為了增強其發(fā)光效果,可在透明基板上與ITO導電線路層相對的平面上設置銀反光層,以此來增強其單面的反射效果,而將透明基板上與LED晶片組相對的位置呈內(nèi)凹狀,即設置有對著LED晶片的向內(nèi)的凸起11,同時內(nèi)凹狀也噴涂上銀反光層,內(nèi)凹狀可以呈三角形、半圓形等,該內(nèi)凹狀的部分可進一步增強其反射效果。

以上結(jié)合附圖對本實用新型的實施方式作了詳細說明,但本實用新型不限于所描述的實施方式。對于本領域的技術人員而言,在不脫離本實用新型原理和精神的情況下,對這些實施方式進行多種變化、修改、替換和變型,仍落入本實用新型的保護范圍內(nèi)。

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