本實(shí)用新型涉及基礎(chǔ)電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多引腳貼片元件。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片的各種封裝形態(tài)的貼片保護(hù)元件功率都較小，最高也就8KW，耐電流沖擊從幾十安培到幾百安培不等，而插件元件可以達(dá)到幾十KW甚至更高，耐電流可以達(dá)到幾千安培甚至幾十千安培。

傳統(tǒng)的壓敏電阻，由于銀片的厚度與其規(guī)格對(duì)應(yīng)，而要使用傳統(tǒng)的TVS貼片框架式封裝，一種框架只能做一個(gè)規(guī)格，而開(kāi)發(fā)一個(gè)系列規(guī)格產(chǎn)品，相對(duì)開(kāi)發(fā)投入成本高。

業(yè)界知道，TVS管通流能力隨溫度升高而降低，傳統(tǒng)的大功率半導(dǎo)體元器件普遍存在散熱能力差，受到浪涌沖擊，發(fā)熱在元件內(nèi)部累積，短時(shí)間無(wú)法散熱，沖擊后器件溫度升高，以至器件耐受沖擊能力降低，無(wú)法承受短時(shí)間多次大浪涌沖擊等問(wèn)題。市場(chǎng)對(duì)高性能自動(dòng)化貼片大功率型器件需求以漸形成趨勢(shì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種適合于批量生產(chǎn)、功能強(qiáng)大、通用性強(qiáng)的多引腳貼片元件。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是：一種多引腳貼片元件，其特征在于：包括組合芯片，所述組合芯片包括兩個(gè)以上的單芯片，所述組合芯片的上、下表面分別焊接有上電極和下電極，所述上電極和下電極的個(gè)數(shù)與所述單芯片的個(gè)數(shù)相同，環(huán)氧樹(shù)脂將所述組合芯片的全部以及所述電極的部分覆蓋，使所述電極的外端位于所述環(huán)氧樹(shù)脂的外側(cè)。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述組合芯片中單芯片為連體結(jié)構(gòu)或分體結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述單芯片為硅材料或碳化硅材料制作的瞬態(tài)抑制二極管TVS、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS或?yàn)榻饘傺趸锊牧现谱鞯膲好綦娮鐼OV。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述上電極和下電極的制作材質(zhì)為銅、銅鋼、鐵或鐵鎳，

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述上電極和下電極的表面設(shè)有錫、銀、鎳或金層。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：所述貼片元件適于批量化生產(chǎn)和制造；通過(guò)搭配不同的引腳使用，可實(shí)現(xiàn)不同的功能及應(yīng)用；適合不同厚度芯片或不同結(jié)構(gòu)的芯片封裝，提高了封裝結(jié)構(gòu)及方法的兼容性。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型較佳的單個(gè)元件的部分分解結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a-2c為本實(shí)用新型較佳的焊接石墨板下模及填裝平面擺放示圖；

圖3a-3c為本實(shí)用新型較佳的焊接石墨板上模示圖；

圖4a-4c為本實(shí)用新型較佳的焊接石墨板上下模配合，進(jìn)爐前示圖；

圖5a-5b為本實(shí)用新型較佳的焊接后半成品元件的結(jié)構(gòu)示圖；

圖6a-6b為本實(shí)用新型較佳的包封環(huán)氧樹(shù)脂后半成品元件的結(jié)構(gòu)示圖；

圖7為本實(shí)用新型較佳的成品結(jié)構(gòu)透視圖;

圖8a-8c為本實(shí)用新型所述元件的三種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9a為本實(shí)用新型較佳的連體組合芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9b為本實(shí)用新型較佳的分離組合芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10a為本實(shí)用新型較佳的下框架電極和上框架電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10b-10d為本實(shí)用新型較佳的單電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中：1a、下電極1b、上電極2、焊料3、組合芯片3a、單芯片4、下模5、上模6、環(huán)氧樹(shù)脂7a、下框架電極7b、上框架電極。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。

實(shí)施例一

如圖1和圖7所示，本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種多引腳貼片元件，包括組合芯片3，所述組合芯片3包括兩個(gè)以上的單芯片3a。所述組合芯片3的上、下表面分別焊接有上電極1b和下電極1a，所述上電極1b和下電極1a的個(gè)數(shù)與所述單芯片3a的個(gè)數(shù)相同。環(huán)氧樹(shù)脂6將所述組合芯片3的全部以及所述電極的部分覆蓋，使所述電極的外端位于所述環(huán)氧樹(shù)脂6的外側(cè)。

優(yōu)選的，所述組合芯片3中單芯片3a為連體結(jié)構(gòu)或分體結(jié)構(gòu)，具體使用哪種結(jié)構(gòu)的單芯片3a，可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。優(yōu)選的，所述單芯片3a可以為雙引腳芯片，具有的，可以為硅材料或碳化硅材料制作的瞬態(tài)抑制二極管TVS、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS或?yàn)榻饘傺趸锊牧现谱鞯膲好綦娮鐼OV。此外，需要說(shuō)明的是，所述上電極1b和下電極1a的主體制作材質(zhì)為金屬導(dǎo)電材質(zhì)，比如銅、銅鋼、鐵或鐵鎳，其表面可經(jīng)錫，銀，鎳，金等表面處理。

一種TVS的制作方法，所述方法包括如下步驟：

第一步，在石墨板的下模4（如圖2a-2c所示）上擺放下框架電極7a（如圖10a所示）；第二步，通過(guò)焊料片篩盤(pán)填裝焊料片2；第三步，通過(guò)芯片篩盤(pán)填裝連體的單芯片3a（如圖7和9a所示）；第四步，通過(guò)焊料片篩盤(pán)填裝焊料片2；第五步，擺放上框架電極7b（如圖10a所示）；第六步，將少量助焊劑涂于石墨板的上模5（如圖3a-3c所示）后，把石墨板上模5蓋在下模4上，完成進(jìn)爐前的填裝（如圖4a-4c所示）；第七步，將完成填裝的石墨板，通過(guò)設(shè)定好溫度曲線的隧道爐，焊接成電連接的半成品A（如圖5a-5b所示）；第八步，將焊接后的半成品A，擺放到熱壓成型模具中，包封環(huán)氧樹(shù)脂外層 ，得到半成品B（如圖6a-6b所示）；第九步，將半成品B通過(guò)自動(dòng)化機(jī)器切筋、彎腳得到產(chǎn)品為彎腳成品C（如圖7、8a-8c所示）。圖10b-10d為本實(shí)用新型實(shí)施例中單電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

效益，第一，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，框架電極、單芯片及焊料均可使用自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)；第二，根據(jù)如圖7和8a-8c的成品連接到電路中，其中a腳和c腳、b腳和d腳可分別連接到獨(dú)立的需用到TVS產(chǎn)品的電路中，這樣即可實(shí)現(xiàn)僅一顆TVS產(chǎn)品支持兩條電路的保護(hù)，可優(yōu)于傳統(tǒng)的單顆TVS產(chǎn)品對(duì)應(yīng)支持一條電路保護(hù)，該產(chǎn)品可以大大節(jié)省相鄰電路的空間，當(dāng)只需一個(gè)TVS起作用時(shí)，只把相應(yīng)的一對(duì)引腳連接即可。達(dá)到同樣效益的引腳配對(duì)還有：a腳和d腳，b腳和c腳；第三，根據(jù)如圖的成品連接到電路中，當(dāng)TVS產(chǎn)品為單向產(chǎn)品，產(chǎn)品陰極線一邊的兩個(gè)引腳a腳和b腳被短接時(shí)，電路回路分別連接另一邊引腳c腳和d腳，即可使該單向TVS產(chǎn)品充當(dāng)雙向TVS產(chǎn)品；第四，當(dāng)該成品同一邊的引腳短接時(shí)，即a腳和b腳、c腳和d腳分別短接后連接到一個(gè)電路中，即可增強(qiáng)該芯片本來(lái)的通流能力。

一種TVS的制作方法，所述方法包括如下步驟：第一步，在石墨板的下模4上擺放下框架電極7a（如圖10a所示）；第二步，通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)在下框架電極7a和上框架電極7b上點(diǎn)焊料錫膏（如圖10a所示）；第三步，通過(guò)自動(dòng)化固晶設(shè)備把分離的單芯片3a固定到有錫膏的下框架電極7a上；第四步，把有錫膏的上框架電極7b翻轉(zhuǎn)蓋到第三步填裝后的石墨板下模4上；第五步，把石墨板上模5蓋在下模4上，完成進(jìn)爐前的填裝，如圖4a-4c所示；第六步，將完成填裝的石墨板，通過(guò)設(shè)定好溫度曲線的隧道爐，焊接成電連接的半成品A；第七步，將焊接后的半成品A，擺放到熱壓成型模具中，包封環(huán)氧樹(shù)脂外層 ，得到半成品B；第八步，將半成品B通過(guò)剪切模具切筋、彎腳得到產(chǎn)品為彎腳成品C。

效益，第一，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，框架電極、單芯片及焊料均可使用自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)；第二，根據(jù)如圖7和8a-8c的成品連接到電路中，其中a腳和c腳、b腳和d腳可分別連接到獨(dú)立的需用到TVS產(chǎn)品的電路中，這樣即可實(shí)現(xiàn)僅一顆TVS產(chǎn)品支持兩條電路的保護(hù)，可優(yōu)于傳統(tǒng)的單顆TVS產(chǎn)品對(duì)應(yīng)支持一條電路保護(hù)，該產(chǎn)品可以大大節(jié)省相鄰電路的空間，當(dāng)只需一個(gè)TVS起作用時(shí)，只把相應(yīng)的一對(duì)引腳連接即可。達(dá)到同樣效益的引腳配對(duì)還有：a腳和d腳，b腳和c腳；第三，根據(jù)如圖的成品連接到電路中，當(dāng)TVS產(chǎn)品為單向產(chǎn)品，產(chǎn)品陰極線一邊的兩個(gè)引腳a腳和b腳被短接時(shí)，電路回路分別連接另一邊引腳c腳和d腳，即可使該單向TVS產(chǎn)品充當(dāng)雙向TVS產(chǎn)品；第四，當(dāng)該成品同一邊的引腳短接時(shí)，即a腳和b腳、c腳和d腳分別短接后連接到一個(gè)電路中，即可增強(qiáng)該芯片本來(lái)的通流能力。

需要說(shuō)明的是，實(shí)施例二和實(shí)施例三種，所述下框架電極7a和上框架電極7b包括與所述組合芯片3個(gè)數(shù)相同的電極組，每組電極對(duì)應(yīng)一個(gè)組合芯片，每組電極中單電極的個(gè)數(shù)與組合芯片中單芯片3a的個(gè)數(shù)相同。所述組合芯片3中單芯片3a左右排列設(shè)置或上下排列設(shè)置，左右排列時(shí)，單芯片3a為連體或分體形式；上下排列時(shí)，單芯片3a與單芯片3a之間通過(guò)焊料進(jìn)行連接。