本實(shí)用新型涉及面板發(fā)光裝飾材料的制作，特別涉及一種發(fā)光透明裝飾板。

背景技術(shù)：

目前的玻璃墻面裝飾材料一般是不會(huì)發(fā)光的，并且價(jià)格高，應(yīng)用于商業(yè)領(lǐng)域，如廣告，而普通的家居裝飾因?yàn)閮r(jià)格高，產(chǎn)品功能單一，很少使用。裝飾材料的光源化是未來(lái)的一種發(fā)展趨勢(shì)，將會(huì)改變傳統(tǒng)的照明產(chǎn)品概念，照明產(chǎn)品不再是燈泡或燈管，而是以LDG(英文全稱(chēng)Led decorative glass，以透明導(dǎo)電板材作為基礎(chǔ)的面板發(fā)光裝飾材料)的形式出現(xiàn)，即LDG一方面可以作為樓宇以及家居裝修裝飾墻面，同時(shí)也可以作為照明之用，但是LDG目前的工藝尚不成熟，無(wú)法大規(guī)模的推廣應(yīng)用。

因此，亟需一種能夠結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、并且制造工藝簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的發(fā)光透明裝飾板。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種發(fā)光透明裝飾板，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造工藝簡(jiǎn)單、穩(wěn)定。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種發(fā)光透明裝飾板，包括由上至下的透明蓋板、透明散熱膠層、發(fā)光芯片、透明導(dǎo)電基板，透明導(dǎo)電基板由透明基板以及位于透明基板上的ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層組成，發(fā)光芯片封裝于ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層上，透明蓋板、透明散熱膠層、發(fā)光芯片由上至下依次粘接。

優(yōu)選地，ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層的厚度為100～200nm，ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層的制備方法為：透明基板經(jīng)去離子水洗、超聲波清洗后，進(jìn)入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導(dǎo)電薄膜層，再經(jīng)加熱固化退火形成ITO導(dǎo)電膜層，ITO導(dǎo)電膜層最后經(jīng)過(guò)蝕刻形成ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層。

優(yōu)選地，磁控濺射條件為：ITO鍍膜室中磁控濺射靶材In₂O₃和SnO₂的重量比為90％：10％，純度為99.99％，靶基距為6cm，透明基板的溫度為室溫，真空室中的真空為4.0×10^-5Pa，Ar氣分壓1.0Pa，Ar氣流量為12cm³/min，濺射功率為50～200W，沉積速率約為0.7～1nm/s。

優(yōu)選地，退火溫度為300℃，退火時(shí)間分別為0.5h～2h。

優(yōu)選地，透明基板與ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層之間還設(shè)置有SiO₂層。

優(yōu)選地，透明蓋板與透明散熱膠層通過(guò)PO環(huán)氧丙烷粘膠層粘接，透明散熱膠層為透明散熱硅脂層。

優(yōu)選地，發(fā)光芯片為L(zhǎng)ED芯片，ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層上設(shè)置有固晶區(qū)，LED芯片固定于固晶區(qū)上，LED芯片的電極與ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層電路連接，透明散熱硅脂層覆蓋整個(gè)LED芯片。

優(yōu)選地，透明基板、透明導(dǎo)電基板中至少一個(gè)的表面通過(guò)噴涂形成圖案。

優(yōu)選地，透明基板、透明導(dǎo)電基板中至少一個(gè)的內(nèi)部通過(guò)激光內(nèi)雕機(jī)雕刻圖案。

采用上述技術(shù)方案，由于采用透明基板作為基材，中間設(shè)置有LED芯片，并以另一透明蓋板覆蓋，并增加透明透明散熱膠層，從而形成結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、并且制造工藝簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的發(fā)光透明裝飾板。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例中一種發(fā)光透明裝飾板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1-透明導(dǎo)電基板、11-透明基板、12-ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層、2-LED芯片、3-透明散熱膠層、4-PO環(huán)氧丙烷粘膠層、5-透明蓋板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明。在此需要說(shuō)明的是，對(duì)于這些實(shí)施方式的說(shuō)明用于幫助理解本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限定。此外，下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

如圖所示，一種發(fā)光透明裝飾板，包括由上至下的透明蓋板5、透明散熱膠層3、發(fā)光芯片、透明導(dǎo)電基板1，透明導(dǎo)電基板1由透明基板11以及位于透明基板11上的ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12組成，發(fā)光芯片封裝于ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12上，透明蓋板5、透明散熱膠層3、發(fā)光芯片由上至下依次粘接。其中，ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12的制備方法為：透明基板11經(jīng)去離子水洗、超聲波清洗后，進(jìn)入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導(dǎo)電薄膜層，磁控濺射條件為：ITO鍍膜室中磁控濺射靶材In₂O₃和SnO₂的重量比為90％：10％，純度為99.99％，靶基距為6cm，透明基板11的溫度為室溫，真空室中的真空為4.0×10^-5Pa，Ar氣分壓1.0Pa，Ar氣流量為12cm³/min，濺射功率為50～200W，沉積速率約為0.7～1nm/s。濺射完成后再經(jīng)加熱固化、退火形成ITO導(dǎo)電膜層，其中，退火溫度為300℃，退火時(shí)間分別為0.5h～2h，而ITO導(dǎo)電膜層最后經(jīng)過(guò)蝕刻形成ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12，ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12的厚度為100～200nm。而為了防止透明基板11中的鈉離子的滲透，從而對(duì)整個(gè)電路產(chǎn)生影響，可以在透明基板11與ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12之間設(shè)置一層SiO₂層。ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12上設(shè)置有固晶區(qū)，而本實(shí)施例中發(fā)光芯片可采用LED芯片2，其固定于固晶區(qū)上，LED芯片2的電極與ITO導(dǎo)電線(xiàn)路層12電路連接，透明散熱硅脂層覆蓋整個(gè)LED芯片2。而在透明散熱硅脂層上覆蓋透明蓋板5時(shí)，可通過(guò)PO環(huán)氧丙烷粘膠層4粘接。透明蓋板5、透明導(dǎo)電基板1中至少一個(gè)的表面通過(guò)噴涂形成圖案，也可以在透明蓋板5、透明導(dǎo)電基板1中至少一個(gè)的內(nèi)部通過(guò)激光內(nèi)雕機(jī)雕刻圖案，該方法可以形成多種形狀的發(fā)光效果。

本實(shí)用新型采用透明基板11作為基材，中間設(shè)置有LED芯片2，并以另一透明蓋板5覆蓋，并增加透明透明散熱膠層，從而形成結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、并且制造工藝簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的發(fā)光透明裝飾板。

以上結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明，但本實(shí)用新型不限于所描述的實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型原理和精神的情況下，對(duì)這些實(shí)施方式進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，仍落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。