顯示面板、有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高分子有機(jī)發(fā)光器件及該高分子有機(jī)發(fā) 光器件的制備方法和包括該高分子有機(jī)發(fā)光器件的顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，人們對顯示面板的要求也日趨提高，使得顯示面板向 更輕、更薄、更省電方向發(fā)展，因此產(chǎn)生了有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。與傳統(tǒng)的液晶顯示面 板相比較，有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板是自發(fā)光顯示，不需要能耗較大的背光模塊，所以能夠 更輕、更薄、更省電，因而得到了越來越廣泛的關(guān)注。
[0003] 根據(jù)所用有機(jī)發(fā)光材料的不同，有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的有機(jī)發(fā)光器件可 以分為小分子有機(jī)發(fā)光器件與高分子有機(jī)發(fā)光器件（Polymer Light-emitting Diode， PLED)。相比于而言，小分子有機(jī)發(fā)光器件的制備需要高成本的真空熱蒸鍍設(shè)備，且不便于 在大面積顯示面板中的應(yīng)用，高分子有機(jī)發(fā)光器件的制備中采用的溶液旋涂、滴涂等濕法 則更為簡便，節(jié)省設(shè)備和工藝成本，且便于在大面積顯示面板中的應(yīng)用。
[0004] 合理的器件結(jié)構(gòu)對于提高高分子有機(jī)發(fā)光器件的亮度、電流效率及穩(wěn)定性等方面 有著至關(guān)重要的作用。參考圖1中所示，為現(xiàn)有技術(shù)中一種高分子有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示 意圖，其主要包括順序疊置的空穴傳輸部1'、有機(jī)發(fā)光層2'以及電子傳輸部3'。其發(fā)光原 理是通過空穴傳輸部1注入的空穴與通過電子傳輸部3'注入的電子在有機(jī)發(fā)光層2'中復(fù) 合產(chǎn)生激子從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光。其中，空穴傳輸部1'以及電子傳輸部3'主要用于解決兩種載 流子注入的不平衡，空穴傳輸部1'可以包括陽極10'、空穴注入層（HIL) 11'以及空穴傳輸 層（HTL) 12'、電子傳輸部可以包括陰極30'以及電子傳輸層（ETL)31'，在某些高分子有機(jī) 發(fā)光器件中，電子傳輸部還可以包括電子注入層（EIL)(圖中未示出）。
[0005] 然而，一般而言，高分子有機(jī)發(fā)光材料都是偏空穴傳輸型高分子材料，且高分子有 機(jī)發(fā)光器件中空穴傳輸部的空穴傳輸能力遠(yuǎn)大于電子傳輸部的電子傳輸能力，因而當(dāng)高分 子有機(jī)發(fā)光器件啟動時，空穴與電子將靠近電子傳輸部形成激子復(fù)合區(qū)，激子將在電子傳 輸部和有機(jī)發(fā)光層的交界面或者在電子傳輸部中退激發(fā)，使得高分子有機(jī)發(fā)光器件光譜紅 移。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本公開的目的在于提供一種高分子有機(jī)發(fā)光器件及該高分子有機(jī)發(fā)光器件的制 備方法和包括該高分子有機(jī)發(fā)光器件的顯示面板，用于至少在一定程度上克服由于相關(guān)技 術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個或多個問題。
[0007] 本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過本公開 的實(shí)踐而習(xí)得。
[0008] 根據(jù)本公開的第一方面，提供一種高分子有機(jī)發(fā)光器件，包括：
[0009] 有機(jī)發(fā)光層，具有相對的第一面和第二面；
[0010] 空穴傳輸部，疊設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層第一面；
[0011] 電子傳輸部，疊設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層第二面，所述電子傳輸部包括混合納米膜層。
[0012] 根據(jù)本公開的第二方面，提供一種高分子有機(jī)發(fā)光器件制備方法，包括：
[0013] 形成一空穴傳輸部，用于提供空穴載流子；
[0014] 在所述空穴傳輸部之上形成一有機(jī)發(fā)光層；以及，
[0015] 在所述有機(jī)發(fā)光層之上形成一電子傳輸部，所述電子傳輸部包括混合納米膜層。
[0016] 根據(jù)本公開的第三方面，提供一種顯示面板，包括：
[0017] -第一基板；
[0018] -第二基板，與所述第一基板相對設(shè)置；
[0019] -上述任意一種高分子有機(jī)發(fā)光器件，設(shè)置于所述第一基板與所述第二基板之 間；
[0020] 一密封結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述第一基板與所述第二基板的周邊，用于將所述高分子有機(jī) 發(fā)光器件封裝于所述第一基板與所述第二基板之間。
[0021] 本公開的一種示例實(shí)施方式中，通過使用混合納米膜層作為電子傳輸部的材料， 增加電子在電子傳輸部的電子自由程，進(jìn)而提高了電子傳輸部的電子傳輸能力，使其與高 分子有機(jī)發(fā)光器件的空穴傳輸能力得以平衡，進(jìn)而將激子控制在有機(jī)發(fā)光層中，提高高分 子有機(jī)發(fā)光器件的電流效率。
【附圖說明】
[0022] 通過參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施方式，本公開的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得 更加明顯。
[0023] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種高分子有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024] 圖2是本公開示例實(shí)施方式中一種高分子有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 圖3是圖2中混合納米膜層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026] 圖4是圖2中高分子有機(jī)發(fā)光器件的制備流程示意圖。
[0027] 圖5是圖2中混合納米膜層的的制備流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形 式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將 全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附 圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細(xì)描述。
[0029] 此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實(shí)施 例中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對本公開的實(shí)施例的充分理解。然而， 本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而沒有所述特定細(xì)節(jié)中的一個或更 多，或者可以采用其它的結(jié)構(gòu)、材料或者方法等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié) 構(gòu)、方法或者操作以避免模糊本公開的各方面。
[0030] 本不例實(shí)施方式中首先提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，尤其是一種高分子有機(jī)發(fā)光器 件。根據(jù)光的出射方向，高分子有機(jī)發(fā)光器件分為底發(fā)射型和頂發(fā)射型。以底發(fā)射型為例， 參考圖2中的所示，該高分子有機(jī)發(fā)光器件主要包括空穴傳輸部1、有機(jī)發(fā)光層2以及電子 傳輸部3。其中，有機(jī)發(fā)光層2具有相對的第一面和第二面（例如圖中的上側(cè)面和下側(cè)面）， 空穴傳輸部1疊設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層2下側(cè)面，包括依次層疊設(shè)置的陽極10、空穴注入層 11以及空穴傳輸層12。電子傳輸部3疊設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層2上側(cè)面，其包括混合納米膜 層32以及陰極30。陽極10可以由具有高功函數(shù)與可透光性的材料制成，比如透明導(dǎo)電氧 化物材料，例如ITO透明導(dǎo)電膜。陰極30可以由透明導(dǎo)電材料制成，例如鋁、鈣、陰或鎂鋁 合金透明導(dǎo)電膜等。
[0031] 無論是窄寬帶或?qū)拰拵У膶?dǎo)電體系，其電荷躍迀（Hopping)過程時分子間間距等 效于電子平均自由程。根據(jù)電子迀移率u= {ea2/KBT}KET(其中，e表示電子電荷，a表示分 子間間距，K B表示玻爾茲曼常數(shù)，T表示熱力學(xué)溫度，電導(dǎo)率KET表示單位時間內(nèi)電子躍迀 的概率），可以得知電子迀移率的大小與物質(zhì)本身傳導(dǎo)電荷時的電子自由平均程有關(guān)，電子 自由程越大，其迀移率越大，電子自由程越小，其迀移率越小。本示例實(shí)施方式中通過使用 混合納米膜層32作為電子傳輸部3的材料，增加電子在電子傳輸部3的電子自由程，進(jìn)而 提高了電子傳輸部3的電子傳輸能力，使其與高分子有機(jī)發(fā)光器件的空穴傳輸能力得以平 衡，進(jìn)而將激子控制在有機(jī)發(fā)光層2中，提高高分子有機(jī)發(fā)光器件的電流效率。
[0032] 本示例實(shí)施方式中還提供了一種上述混合納米膜層32的實(shí)現(xiàn)方式，參考圖3中所 示，所述混合納米膜層32包括：富電子載體321以及過渡金屬氧化物（以下可能會簡稱為 TM0)納米顆粒薄膜322或類金屬氧化物納米顆粒薄膜322,所述過渡金屬氧化物納米顆粒 薄膜322或類金屬氧化物納米顆粒薄膜322錨定于所述富電子載體321上。舉例而言，所 述富電子載體321可以包括石墨烯（RG0)或碳納米管（CNT)等富31電子的平面體系薄膜， 所述過渡金屬氧化物和類金屬氧化物中的過渡金屬或類金屬可以選自IIIB、IVB、VB、VIB、 VIIB、IB、IIB、IIIA、IVA、VA或者VIA族，例如，所述過渡金屬氧化物可以包括Ti0 2(形成的 混合納米膜層32能級約為7. 6ev)或ZnO (形成的混合納米膜層32能級約為7. 6ev)等，所 述類金屬氧化物包括Ge205 (形成的混合納米膜層32能級約為7. 2ev)或As205 (形成的混合 納米膜層32能級約為7. 3ev)等。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，在本公開的其他示 例性實(shí)施例中，也可能采用其他材質(zhì)實(shí)現(xiàn)上述功能的混合納米膜層32,并不以本示例實(shí)施 方式中為限。
[0033] 以TM0納米顆粒薄膜322和RG0載體為例，TM0納米顆粒具有高的比表面積和電 子自由程，因此可以具有更高的電子傳輸能力，能夠?qū)㈦娮涌焖俚膫鲗?dǎo)出去，從而可以提高 電子傳輸部3的電子迀移率，同時，由于RG0載體321本身是富31電子的平面體系薄膜，其 電子傳遞率尤其良好，因此可以進(jìn)一步提升電子傳輸部3的電子迀移率。
[0034] 此外，由于TM0納米顆粒間存在較大的串聯(lián)電阻，當(dāng)高分子有機(jī)發(fā)光器件通電后， 在TM0納米顆粒薄膜322的界面處有可能會形成焦耳熱（Joule Heat)，進(jìn)而嚴(yán)重影響到高 分子有機(jī)發(fā)光器件的使用壽命。為了解決這一問題，本示例實(shí)施方式中將TM0納米顆