形成導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法及由其制造的網(wǎng)格電極和層疊體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法、由該方法制造的網(wǎng)格電極和層疊體。
【專利說明】
形成導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法及由其制造的網(wǎng)格電極和層疊體
技術(shù)領(lǐng)域
[00011 本申請要求于2 014年0 2月13日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請?zhí)?0 -2014-0016625的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，上述申請的全部內(nèi)容通過引用的方式并入本說明書中。
[0002] 本發(fā)明涉及一種制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法、由該方法制造的網(wǎng)格電極和層疊體。
【背景技術(shù)】
[0003] 便攜式終端例如智能電話、互聯(lián)網(wǎng)裝置和便攜式游戲裝置需要更輕薄的外觀以為 使用者提尚可攜帶性。
[0004] 便攜式終端具有有限的尺寸而使使用者不便通過使用菜單鍵、數(shù)字鍵和方向鍵實(shí) 現(xiàn)所需的功能，因此便攜式終端目前配置為在使用者觀看屏幕時(shí)通過使用觸摸屏使得使用 者能夠直接選擇顯示在屏幕上的菜單項(xiàng)。
[0005] 觸摸屏使使用者能夠在觀看屏幕時(shí)觸摸顯示在屏幕上的菜單項(xiàng)以進(jìn)行所需的功 能，因此觸摸屏需要由透明材料形成，并且包括用于檢測使用者的觸摸輸入的觸摸電極。
[0006] 觸摸電極通常由在觸摸屏中具有交叉結(jié)構(gòu)的兩條電極線形成，而且所述兩條觸摸 電極線可以形成于不同的片材中，或形成于一個(gè)片材中，以測定使用者的觸摸輸入。
[0007] 具有格狀結(jié)構(gòu)的觸摸屏采用電容法，傳感器電極圖案由多個(gè)交叉第一導(dǎo)電側(cè)線和 第二導(dǎo)電側(cè)線形成。當(dāng)觸摸對象接近具有格狀結(jié)構(gòu)的觸摸屏?xí)r，互相水平和垂直連接的第 一和第二導(dǎo)電側(cè)線收集接近點(diǎn)處變化的電容，觸摸屏分析所收集的信號并檢測觸摸輸入。
[0008] 觸摸屏的電極采用透明金屬氧化物，例如電阻高于導(dǎo)電金屬但具有高的光學(xué)透過 率的銦錫氧化物（ΙΤ0)。
[0009] 透明金屬氧化物在具有小的表面積的裝置中沒有問題。由于逸出功大，導(dǎo)電性相 對不高，當(dāng)表面積增加時(shí)有產(chǎn)生電壓降的缺點(diǎn)。
[0010] 當(dāng)透明金屬氧化物形成在透明膜例如PET膜上時(shí)，與沉積時(shí)間成比例地產(chǎn)生膜的 表面損壞，并且產(chǎn)生陰離子沖擊，使得難以制造大的觸摸屏。
[0011] 為了克服上述問題，US專利公開號2010-0156840公開了一種通過使用具有網(wǎng)格結(jié) 構(gòu)的觸摸電極檢測觸摸輸入的觸摸屏傳感器。
[0012] 但是，具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的觸摸電極可以被視覺識(shí)別，或者由于網(wǎng)格圖案可以展現(xiàn)莫 爾效應(yīng)。
[0013] 當(dāng)具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的觸摸電極的線寬縮小時(shí)，視覺識(shí)別和莫爾效應(yīng)減少，但在微細(xì) 圖案的可實(shí)現(xiàn)線寬上有限制，而且實(shí)現(xiàn)具有小于?μπι的次微米級線寬的超細(xì)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的方 法需要較高的加工成本，使得在大量制造和制造大的觸摸電極上有問題。
[0014] 因此，需要有關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)具有小于Ιμπι的次微米級線寬的超細(xì)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的合理制 造方法的研究。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 技術(shù)問題
[0016]本發(fā)明提供了一種用于制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法、由該方法制造的網(wǎng)格電極和層 疊體。
[0017]技術(shù)方案
[0018] 本發(fā)明提供了一種制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法，包括:a)在包括導(dǎo)電層的基板的導(dǎo) 電層上形成第一光敏材料層;b)通過使刻有線形圖案的透明光掩模與所述第一光敏材料層 的上表面接觸而形成第一光敏材料圖案層;c)在具有所述第一光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上 形成第二光敏材料層;d)使刻有線形圖案的透明光掩模與所述第二光敏材料層的上表面接 觸，使得所述第一光敏材料圖案層的線形圖案與該透明光掩模的線形圖案交叉而在導(dǎo)電層 上形成第二光敏材料圖案層;e)蝕刻導(dǎo)電層上未形成所述第一光敏材料圖案層和所述第二 光敏材料圖案層的部分；以及f)去除所述第一光敏材料圖案層和所述第二光敏材料圖案層 以制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。
[0019] 此外，本發(fā)明提供了一種通過所述方法制造的網(wǎng)格電極，該網(wǎng)格電極包括具有 100nm以上900nm以下的線寬的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。
[0020] 此外，本發(fā)明提供了一種層疊體，該層疊體包括:基板;配置在所述基板上的導(dǎo)電 層;配置在所述導(dǎo)電層上的第一光敏材料線形圖案；以及配置在所述導(dǎo)電層上并且與所述 第一光敏材料線形圖案交叉的第二光敏材料線形圖案。
[0021] 有益效果
[0022] 根據(jù)本發(fā)明，可以通過簡單的光學(xué)處理制造具有次微米級線寬的超細(xì)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的 電極。
[0023] 與現(xiàn)有薄膜上的金屬氧化物類透明電極相比，根據(jù)本發(fā)明制造的具有次微米級線 寬的超細(xì)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的電極可以克服氧化物層的固有表面電阻值的局限，因此很容易將電極 應(yīng)用于大面積透明電極。
[0024] 在使用塑料基板的情況下，即使當(dāng)基板由于細(xì)線的結(jié)構(gòu)而彎曲或彎折，也可以將 局部集中的應(yīng)力有效分散至基板，使得電極可以容易地應(yīng)用于柔性電子裝置。
[0025] 通過本發(fā)明的制造方法制造的網(wǎng)格電極非常容易用于電子裝置的觸摸面板的電 極結(jié)構(gòu)中。
[0026] 本發(fā)明通過使用軟相位差掩?？梢哉T導(dǎo)光敏層的均勻接觸，使得容易地在具有平 面、非平面或曲面的圓柱形模具上形成圖案，因此可以容易地將次微米級的網(wǎng)狀網(wǎng)格結(jié)構(gòu) 應(yīng)用于自動(dòng)化工藝?yán)缁趫A柱形輥模具的卷對卷工藝中。
[0027] 本發(fā)明可以通過使用透明柔性基板作為光掩模形成和重疊具有各種尺寸的大面 積圖案，或在圓柱形輥模具的圓柱形曲面上劃分或獨(dú)立地形成具有不同形狀的圖案，從而 提高工藝的自由度。
【附圖說明】
[0028]圖1和2描述了相移光刻的原理。
[0029] 圖3說明了根據(jù)光學(xué)相移光刻制造次微米級網(wǎng)格圖案的困難。
[0030] 圖4圖示地說明了根據(jù)本發(fā)明制造網(wǎng)格電極的過程。
[0031] 圖5是實(shí)施例1的具有40μπι線寬的線形圖案（重復(fù)周期為80μπι)的鉻空白掩模的掃 描電鏡(SEM)圖像。
[0032]圖6是根據(jù)實(shí)施例1制造的透明光掩模的SEM圖像。
[0033]圖7是根據(jù)實(shí)施例1制造的光敏網(wǎng)格圖案的示意圖和SEM圖像。
[0034]圖8是根據(jù)實(shí)施例1制造的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的示意圖和光學(xué)顯微鏡圖像。
[0035]圖9是根據(jù)實(shí)施例1制造的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的低倍率放大和高倍率放大的SEM圖像。 [0036]圖10是在A1蝕刻之前的光敏材料網(wǎng)格圖案的SEM圖像。
[0037]圖11是在A1蝕刻之后的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的SEM圖像。
[0038]圖12是根據(jù)本發(fā)明制造的具有200nm以下線寬的圖案的SEM圖像。
[0039] 圖13說明了根據(jù)本發(fā)明制造的具有導(dǎo)電網(wǎng)格圖案（110X 110mm2)且其中沒有莫爾 效應(yīng)的基板的透明度。
[0040] 圖14圖示地說明了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案制造加入了路由器圖案 的電極的過程。
[0041] 〈參考數(shù)字和符號的說明〉
[0042] 100:基板
[0043] 200:導(dǎo)電層
[0044] 310:第一光敏材料層
[0045] 330:第一光敏材料圖案層
[0046] 400:刻有線形圖案的透明光掩模
[0047] 510:第二光敏材料層
[0048] 530:第二光敏材料圖案層
[0049] 600:導(dǎo)電網(wǎng)格圖案
[0050] 710:第三光敏材料層 [00511 730:第三光敏材料圖案層
[0052] 800:鉻空白掩模
[0053] 900:路由器圖案
【具體實(shí)施方式】
[0054]在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明。
[0055]與現(xiàn)有的基于金屬氧化物例如氧化銦錫（ΙΤ0)的透明電極相比，具有次微米級線 寬的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的電極通過使用具有高導(dǎo)電性的金屬形成導(dǎo)電圖案具有能夠使線寬最小化 和使透明度最大化的電極結(jié)構(gòu)，而且容易應(yīng)用于大面積和柔性電子裝置。當(dāng)將具有導(dǎo)電層 的電極應(yīng)用于柔性電子裝置時(shí)，由于柔性基板和導(dǎo)電層之間機(jī)械彈性模量大的差異，導(dǎo)電 層會(huì)不可避免地?fù)p壞。當(dāng)將具有次微米級線寬的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的電極應(yīng)用于柔性電子裝置時(shí)， 即使基板由于細(xì)線的結(jié)構(gòu)而被細(xì)線的結(jié)構(gòu)彎曲或彎折，也可以將局部集中的應(yīng)力有效分散 至基板，使得電極可以非常容易地應(yīng)用于柔性電子裝置。
[0056]用于制造現(xiàn)有納米結(jié)構(gòu)的技術(shù)在制造電極上有局限性，因此已嘗試了新的技術(shù)。 代表性地使用了利用軟光刻的微/納米圖案化技術(shù)，軟光刻方法是指通過使用柔性有機(jī)材 料制造圖案或結(jié)構(gòu)而無需現(xiàn)有的光刻中使用的復(fù)雜裝置的新轉(zhuǎn)移方法。
[0057]為了通過利用相移光刻制造具有次微米級線寬的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，已經(jīng)提出了通過利用 電子束光刻將具有棋盤形狀的凹凸圖案之間的間距控制為具有次微米尺寸來制造相位差 光刻掩模的方法。
[0058] 當(dāng)由圖案形成的柔性基板用作光掩模時(shí)，如圖1所示，圖案凸出部分與圖案凹入部 分之間的邊界界面處介質(zhì)（例如玻璃n = l.45)與空氣(n=1.0)之間的折射率的差異，產(chǎn)生 入射UV光的相位差。當(dāng)鑒于圖案的高度和入射UV光的波長的相位差變?yōu)?JT的整數(shù)比時(shí)，局 部產(chǎn)生破壞性干擾，因此相移光刻利用如圖2所示的在凸出圖案邊界或凹入圖案邊界的局 部區(qū)域中形成UV光強(qiáng)度接近0的零點(diǎn)的現(xiàn)象。因此，即使使用一般的廉價(jià)的UV燈也可以容易 地獲得小于1微米的次微米級的圖案。
[0059] 考慮到可以使用普通空白掩模獲得的圖案的分辨率(R = kl/NA(k:工藝指數(shù)，1:光 源的波長，NA:透鏡的孔徑比）），相移光刻具有即使在不使用昂貴的極UV光源的情況下也能 夠通過使用廉價(jià)的UV燈獲得次微米級圖案的優(yōu)點(diǎn)。此外，相移光刻還具有如下優(yōu)點(diǎn)：當(dāng)相位 差光掩模由柔性材料形成時(shí)，相位差光掩模由于柔性基板而對圓柱形模具有非常高的粘合 性，因此可以在平面或非平面（曲面)基板的整個(gè)區(qū)域上形成均勻的圖案。
[0060] 通過利用相移光刻非常容易制造具有次微米規(guī)格線寬w(<lym)的線形圖案，但是 為了制造待應(yīng)用于透明電極的其中具有超細(xì)線寬的圖案彼此連接和交叉的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，必須 制造圖案基礎(chǔ)掩模使得圖案之間的間距d與線寬w相似(d~w)。這是因?yàn)樵谙嘁乒饪讨?，?過藉由在相位差光掩模的具有三維凸出和凹入形狀的圖案的角落的邊界界面處局部表現(xiàn) 出破壞性干擾的近場來誘導(dǎo)圖案的光敏作用的方法，圖案被圖案化為沿著角落封閉的結(jié) 構(gòu)。因此，為了實(shí)現(xiàn)圖案彼此連接和交叉的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，存在需要將相位差光掩模的單元圖案 之間的間距控制成具有次微米規(guī)格的技術(shù)困難。
[0061] 通過描述圖3,當(dāng)使用圖3(a)中說示的相位差光掩模來制造網(wǎng)格圖案時(shí)，在圖3(b) 中示出的四邊形圖案之間的間距d與相位差光掩模的凸出圖案之間的間距g成比例增加。為 了克服所述問題并制造網(wǎng)格圖案，當(dāng)如圖3(c)所示將相位差光掩模的凸出圖案之間的間距 g控制成具有小于Ιμπι的次微米尺寸時(shí)，可以制造如圖3(d)所示的網(wǎng)格圖案。
[0062]缺點(diǎn)在于，為了如圖3(c)中所示將相位差光掩模的凸出圖案之間的間距控制成具 有小于1Μ1的次微米尺寸，必須使用昂貴的超細(xì)圖案設(shè)備例如電子束或離子束，制造過程難 度高，而且由于基于高真空的圖案加工使得所述方法難以應(yīng)用以使電極變大。
[0063] 本發(fā)明涉及一種制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法。具體而言，本發(fā)明涉及一種制造具有 次微米規(guī)格(< lym)的線寬的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法。
[0064] 本發(fā)明提供了一種制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法，該方法包括:在包括導(dǎo)電層的基板 的導(dǎo)電層上形成第一光敏材料圖案層和具有與所述第一光敏材圖案層的線形圖案交叉的 線形圖案的第二光敏材料圖案層;蝕刻導(dǎo)電層上未形成所述第一光敏材料圖案層和所述第 二光敏材料圖案層的部分；以及去除所述第一光敏材料圖案層和第二光敏材料圖案層以制 造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。
[0065] 本發(fā)明提供了一種制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法，該方法包括:a)在包括導(dǎo)電層的基 板的導(dǎo)電層上形成第一光敏材料層;b)通過使刻有線形圖案的透明光掩模與所述第一光敏 材料層的上表面接觸而形成第一光敏材料圖案層;c)在具有所述第一光敏材料圖案層的導(dǎo) 電層上形成第二光敏材料層;d)使刻有線形圖案的透明光掩模與所述第二光敏材料層的上 表面接觸，使得所述第一光敏材料圖案層的線形圖案與該透明光掩模的線形圖案交叉而在 導(dǎo)電層上形成第二光敏材料圖案層;e)蝕刻導(dǎo)電層上未形成所述第一光敏材料圖案層和所 述第二光敏材料圖案層的部分；以及f)去除所述第一光敏材料圖案層和所述第二光敏材料 圖案層以制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案
[0066] 步驟a)是在包括導(dǎo)電層的基板的導(dǎo)電層上形成第一光敏材料層的步驟。
[0067] 基板的類型沒有特別限制，但是可以選自本領(lǐng)域中通常使用的基板。具體而言，所 述基板可以是透明基板，例如，所述透明基板可以包括石英、玻璃和塑料中的至少一種，或 由其中的至少一種形成。
[0068] 基板可以包括石英或由石英形成。石英具有優(yōu)異的UV區(qū)帶中波長的透過率，優(yōu)異 的耐磨性和優(yōu)異的機(jī)械性能。在此情況下，當(dāng)隨后復(fù)制主圖案的形狀時(shí)，可以通過使用UV固 化樹脂確保用于誘導(dǎo)固化的UV線的透過率。
[0069]基板的厚度沒有特別限制，但是當(dāng)基于卷對卷使用模具或相位差掩模制造塑料基 板時(shí)，基板的厚度可以是40μηι以上400μηι以下。
[0070] 導(dǎo)電層可以包含銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Α1)、金(Au)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Μο)、鎢(W)、 鉻(Cr)和鉑(Pt)中的至少一種金屬或其中兩種以上金屬的合金。
[0071] 導(dǎo)電層可以包括透明金屬氧化物。
[0072] 所述透明金屬氧化物的類型沒有特別限制，但是可以選自本領(lǐng)域中通常使用的透 明金屬氧化物。例如，所述透明金屬氧化物可以包含選自氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、 氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化銦鋅錫（ΙΖΤ0)、氧化鋁鋅-銀-氧化鋁鋅(AZ0-Ag-AZ0)、氧化銦鋅-銀-氧化銦鋅（IZ0-Ag-IZ0)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫（IT0-Ag-IT0)、和氧化銦鋅錫-銀-氧化銦 鋅錫（IZT0-Ag-IZT0)中的至少一種。
[0073] 導(dǎo)電層的堆疊方法沒有特別限制，但是可以是例如熱沉積、濺鍍、電子束沉積、層 壓加工法或溶液涂覆法。
[0074] 當(dāng)使用溶液涂覆法作為導(dǎo)電層的堆疊方法時(shí)，導(dǎo)電層可以通過使用導(dǎo)電金屬前 體、導(dǎo)電金屬氧化物前體、納米粒子、納米線、導(dǎo)電紡織品和導(dǎo)電聚合物中的至少一種在基 板上形成。
[0075]導(dǎo)電層的厚度(高度)沒有特別限制，但是可以是5nm以上ΙΟμπι以下。
[0076]在所述導(dǎo)電層上形成的第一光敏材料層可以通過將光敏材料組合物涂布至導(dǎo)電 層上來形成。光敏材料組合物中包含的光敏材料的類型沒有特別限制，但是當(dāng)光敏材料根 據(jù)曝光而對顯影劑具有不同的溶解度并且光敏材料在圖案形成之后通過熱處理而固化時(shí)， 可以建立更穩(wěn)定的工藝條件。
[0077]所述光敏材料組合物可以是正型光敏材料組合物或負(fù)型光敏材料組合物，且沒有 特別限制。所述光敏材料組合物可以是正型光敏材料組合物。
[0078] 所述光敏材料組合物的固體含量可以根據(jù)所使用的光敏材料的粘度和固體而變 化，但是例如，基于光敏材料組合物的總重量，可以為1 〇重量％以上60重量％以下。
[0079] 第一光敏材料層的厚度可以是0. Ο?μπι以上ΙΟμπι以下。
[0080] 步驟b)是通過使刻有線形圖案的透明光掩模與所述第一光敏材料層的上表面接 觸而形成第一光敏材料圖案層的步驟。
[0081] 透明光掩?？梢允峭箍逃芯€形圖案的透明光掩模。
[0082] 透明光掩模可以是相位差軟掩模，具體而言，所述掩?？梢允怯删哂邪纪剐螤詈?次微米尺寸周期的軟材料制成的接觸掩模。
[0083] 刻有凸出線形圖案的透明光掩?？梢跃哂芯€形凹部和線形凸部。在此情況下，凸 部的線寬和凹部的線寬可以彼此相同或不同，并且凸部的線寬和凹部的線寬可以彼此相 同。
[0084] 在透明光掩模中，當(dāng)凸部的線寬和凹部的線寬彼此相同時(shí)，一個(gè)凸部的線寬和一 個(gè)凹部的線寬可以定義為凹凸部分的周期。例如，當(dāng)透明光掩模的凹凸部分的周期為80μπι 時(shí)，該周期可以指凸部具有40μπι的線寬和凹部具有40μπι的線寬。
[0085] 透明光掩模的凹凸部分的周期決定由透明光掩模形成的光敏材料圖案的間距。例 如，當(dāng)透明光掩模的凹凸部分的周期為80μπι時(shí)，由透明光掩模形成的光敏材料圖案的間距 可以是40μηι。在此情況下，光敏材料圖案的間距是指任一圖案的線寬的縱向上的中心線和 與該圖案相鄰的另一個(gè)圖案在的線寬的縱向上的中心線之間的距離。
[0086] 透明光掩模的材料沒有特別限制，只要透明光掩模的材料是具有高透過率和低楊 氏模量的柔性材料即可，但是透明光掩?？梢园ɡ缇鄱谆柩跬?PDMS)類聚合物、 聚甲基丙烯酸甲酯(ΡΜΜΑ)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇 (PVA)、環(huán)烯烴共聚物(C0P)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或其共 聚物中的至少一種。具體地，所述透明光掩模可以包括TOMS-類聚合物，但實(shí)質(zhì)上并不局限 于此。
[0087] 凸刻在透明光掩模中的線形圖案的線寬可以根據(jù)所需的最終實(shí)現(xiàn)的圖案而變化。 考慮到使用的UV光源的波長、由破壞性干擾造成的近場光學(xué)圖案的形成、以及由透明光掩 模的柔性材料造成的圖案的凹凸部分的凹陷部分的下降，凸刻在透明光掩模中的線形圖案 的線寬可以是2μπι以上500μπι以下。
[0088] 形成于透明光掩模中的凹凸部分的周期可以根據(jù)決定所制造的網(wǎng)格電極的透過 率和表面電阻值的網(wǎng)格間距通過等式1和2來設(shè)計(jì)和預(yù)測，并且具有由網(wǎng)格電極的線寬和電 極所使用的金屬的材料的特性引起的值。所述透明光掩模的凹凸部分的周期可以是20μπι以 上160μηι以下。
[0089] (等式 1)
[0090]
[0091] (等式2)
[0092] Tx〇T = TsubX(l-fF)2
[0093] 在此情況下，如和^分別表示導(dǎo)電網(wǎng)格的電阻率和厚度，ξ是由形成金屬層的工藝 導(dǎo)致的工藝的校正系數(shù)，fF表示金屬層占據(jù)基板的面積比，即填充因子。T sub表示基板的透 過率，Ττοτ表示包括導(dǎo)電網(wǎng)格的基板的最終透過率。
[0094] 所述透明光掩模的線形凸出圖案的高度即凸部高度可以是50nm以上500μπι以下。
[0095] 當(dāng)透明光掩模與第一光敏材料層的上表面接觸時(shí)，刻有線形圖案的透明光掩模的 表面可以與第一光敏材料層的上表面接觸。在此情況下，由于透明光掩模的折射率與空氣 的折射率之間的差異產(chǎn)生入射至透明光掩模中的紫外線的相位差，而且由于破壞性干擾， 會(huì)在圖案的凸部和凹部的邊界（即透明光掩模與空氣接觸的界面)處形成紫外線強(qiáng)度接近〇 的零點(diǎn)。
[0096] 步驟b)可以包括:b-Ι)在使透明光掩模與第一光敏材料層的上表面接觸之后，將 紫外線照射至透明光掩模上；
[0097] b_2)去除透明光掩模，使用顯影劑使第一光敏材料層顯影，并形成第一光敏材料 圖案層；以及
[0098] b_3)固化所形成的第一光敏材料圖案層。
[0099] 在步驟b-Ι)中，第一光敏材料層通過透明光掩模分成照射紫外線的部分和不照射 紫外線的部分，而且第一光敏材料層的照射紫外線的部分可以對顯影劑具有高溶解度。
[0100] 在步驟b-Ι)中，所照射的紫外線的強(qiáng)度沒有特別限制，但是，可以是例如lOmJ/cm2 以上200mJ/cm2以下。
[0101] 步驟b-2)中使用的顯影劑沒有特別限制，只要顯影劑是能夠使第一光敏材料層的 照射紫外線的部分熔融的溶液即可，但是所述顯影劑可以是堿性顯影劑，例如氫氧化鉀 (Κ0Η)〇
[0102] 步驟b)還可以包括在步驟b-2)之后干燥所形成的第一光敏材料圖案層。在此情況 下，可以使包含在第一光敏材料圖案層中的溶劑等氣化。
[0103] 用于干燥所述第一光敏材料圖案層的溫度沒有特別限制，只要該溫度能夠使包含 在第一光敏材料圖案層中的溶劑等氣化即可。
[0104] 在步驟b-3)中，固化的第一光敏材料圖案層可以硬化和固定。
[0105] 在步驟b-3)中，用于固化第一光敏材料圖案層的溫度可以是150°C以上250°C以 下。
[0106]步驟b)中形成的第一光敏材料圖案層可以是固化的第一光敏材料圖案層。在此情 況下，當(dāng)在具有第一光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上進(jìn)行形成第二光敏材料圖案層的過程時(shí)， 對圖案的損壞可以較少或無損壞(例如固化的第一光敏材料圖案層分離或熔融）。
[0107]第一光敏材料圖案層的線形圖案的線寬可以是100nm以上900nm以下。
[0108] 步驟c)是在具有第一光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上形成第二光敏材料層的步驟。
[0109] 第二光敏材料層的厚度可以與所述第一光敏材料圖案層的厚度(高度)相同或接 近。第二光敏材料層的厚度可以根據(jù)第一光敏材料圖案層的厚度(高度)改變，但是可以是 例如Ο.ΟΙμηι以上ΙΟμπι以下。
[0110] 第二光敏材料層可以通過將光敏材料組合物涂布在具有第一光敏材料圖案層的 導(dǎo)電層上來形成。
[0111] 形成第二光敏材料層的光敏材料組合物可以與形成第一光敏材料層的光敏材料 組合物相同或不同。
[0112]步驟d)是使刻有線形圖案的透明光掩模與第二光敏材料層的上表面接觸，使得第 一光敏材料圖案層的線形圖案與該透明光掩模的線形圖案交叉而在導(dǎo)電層上形成第二光 敏材料圖案層的步驟。
[0113] 在步驟d)中，刻有線形圖案的透明光掩模與第二光敏材料層的上表面接觸，使得 第一光敏材料圖案層的線形圖案與該透明光掩模的線形圖案交叉，此處，"交叉"是指刻有 線形圖案的透明光掩模與第二光敏材料層的上表面接觸使得第一光敏材料圖案層的線形 圖案與相位差軟掩模的線形圖案正交或具有預(yù)定的角度。
[0114] 步驟d)可以包括:d-Ι)在使透明光掩模與第二光敏材料層的上表面接觸之后，將 紫外線照射至透明光掩模上；
[0115] d-2)去除透明光掩模，使用顯影劑使第二光敏材料層顯影，并形成第二光敏材料 圖案層；以及
[0116] d-3)固化所形成的第二光敏材料圖案層。
[0117] 步驟d)還可以包括在步驟d-2)之后干燥所形成的第二光敏材料圖案層。
[0118] 步驟d_l)、d_2)和d_3)以及干燥步驟可以引用步驟b_l)、b_2)和b_3)以及b)的干 燥步驟的描述，而且該各步驟可以分別在與步驟b-l)、b-2)和b-3)以及b)的干燥步驟相同 或不同的條件下獨(dú)立地進(jìn)行。
[0119] 步驟d)中形成的第二光敏材料圖案層可以是固化的第二光敏材料圖案層。
[0120] 步驟d)中的透明光掩?？梢砸们懊嫣峒暗耐该鞴庋谀５拿枋?。
[0121] 步驟d)中的透明光掩?？梢耘c步驟b)中的透明光掩模相同或不同。
[0122] 第二光敏材料圖案層的線形圖案的線寬可以是100nm以上900nm以下。
[0123] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例，可以通過在導(dǎo)電層上三次或更多次地圖案化光 敏材料來制造另外的次微米圖案或微米圖案。
[0124] 在步驟d)之后，所述方法還可以包括:在其上形成有第一光敏材料圖案層和第二 光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上形成第三光敏材料層；以及在導(dǎo)電層上形成第三光敏材料圖案 層。
[0125] 第三光敏材料層的厚度可以與第一光敏材料圖案層和第二光敏材料圖案層的厚 度(高度)相同或接近。第三光敏材料層的厚度可以根據(jù)第一光敏材料圖案層和第二光敏材 料圖案層的厚度(高度)改變，但是可以是例如ο.ο?μπι以上10M1以下。
[0126] 第三光敏材料層可以通過將光敏材料組合物涂布在具有第一光敏材料圖案層和 第二光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上來形成。
[0127] 形成第三光敏材料層的光敏材料組合物可以與形成第一光敏材料層和第二光敏 材料層中的至少一個(gè)的光敏材料組合物相同或不同。
[0128] 在本發(fā)明的示例性實(shí)施方案中，形成第三光敏材料圖案層的步驟可以是在通過將 具有透光部分和不透光部分的光掩模配置在第三光敏材料層上，同時(shí)與第三光敏材料層間 隔開，而在導(dǎo)電層上形成第三光敏材料圖案層的步驟。
[0129] 光掩模根據(jù)所刻的圖案包括透光部分和不透光部分，而且所刻的圖案可以是透光 部分或不透光部分。光掩模的圖案沒有特別限制。例如，當(dāng)導(dǎo)電層具有用于觸摸面板的網(wǎng)格 圖案時(shí)，刻在光掩模中的圖案可以是路由器圖案。路由器圖案是可以與用于觸摸面板的網(wǎng) 格圖案連接并且可以與外部柔性印刷電路板連接的構(gòu)造。
[0130] 在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，形成第三光敏材料圖案層的步驟可以是使 刻有線形圖案的透明光掩模與第三光敏材料層的上表面接觸，使得第一光敏材料圖案層的 線形圖案和第二光敏材料圖案層的線形圖案中的至少一者與透明光掩模的線形圖案交叉 或平行，以在導(dǎo)電層上形成第三光敏材料圖案層的步驟。
[0131] 通過增加該步驟，可以通過重疊或連接次微米圖案或微米圖案來制造形成具有三 角形、矩形、正方形或多邊形排列的圖案形狀的網(wǎng)格電極。
[0132] 步驟e)是蝕刻導(dǎo)電層上未形成第一光敏材料圖案層和第二光敏材料圖案層的部 分的步驟。
[0133] 步驟e)中的蝕刻過程可以通過使用普通干式蝕刻或濕式蝕刻方法進(jìn)行，但是考慮 到具有微米線寬的導(dǎo)電圖案的可靠性和產(chǎn)品的缺陷，蝕刻過程可以通過干式蝕刻方法進(jìn) 行。
[0134] 當(dāng)在步驟d)之后形成另外的光敏材料圖案層時(shí)，步驟e)可以是蝕刻導(dǎo)電層的未形 成第一光敏材料圖案層、第二光敏材料圖案層和另外的光敏材料圖案層的部分的步驟。
[0135] 當(dāng)在步驟d)之后形成第三光敏材料圖案層時(shí)，步驟e)可以是蝕刻導(dǎo)電層的未形成 第一光敏材料圖案層、第二光敏材料圖案層和第三光敏材料圖案層的部分的步驟。
[0136] 步驟f)是去除第一光敏材料圖案層和第二光敏材料圖案層以制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案 的步驟。
[0137] 去除第一和第二光敏材料圖案層的方法沒有特別限制，并且可以采用本領(lǐng)域中通 常使用的方法。
[0138] 當(dāng)在步驟d)之后形成另外的光敏材料圖案層時(shí)，可以在步驟f)中去除第一光敏材 料圖案層、第二光敏材料圖案層和另外的光敏材料圖案層。
[0139] 當(dāng)在步驟d)之后形成第三光敏材料圖案層時(shí)，可以在步驟f)中去除第一光敏材料 圖案層、第二光敏材料圖案層和第三光敏材料圖案層。
[0140] 如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方案的制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法可以 包括:a)在包括導(dǎo)電層200的基板100的導(dǎo)電層200上形成第一光敏材料層310;b)通過使刻 有線形圖案的透明光掩模400與第一光敏材料層310的上表面接觸而形成第一光敏材料圖 案層330;c)在具有第一光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上形成第二光敏材料層510;d)使刻有線 形圖案的透明光掩模400與第二光敏材料層510的上表面接觸，使得第一光敏材料圖案層 330的線形圖案與透明光掩模的線形圖案交叉而在導(dǎo)電層上形成第二光敏材料圖案層530; e)蝕刻導(dǎo)電層200上未形成第一光敏材料圖案層330和第二光敏材料圖案層530的部分；以 及f)去除第一光敏材料圖案層和第二光敏材料圖案層以制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案600。
[0141] 如圖4和14所示，根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方案的制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法 可以包括:在包括導(dǎo)電層200的基板100的導(dǎo)電層200上形成第一光敏材料層310;通過使刻 有線形圖案的透明光掩模400與第一光敏材料層310的上表面接觸而形成第一光敏材料圖 案層330;在具有第一光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上形成第二光敏材料層510;使刻有線形圖 案的透明光掩模400與第二光敏材料層510的上表面接觸，使得第一光敏材料圖案層330的 線形圖案與透明光掩模的線形圖案交叉以在導(dǎo)電層上形成第二光敏材料圖案層530;在其 上形成有第一光敏材料圖案層330和第二光敏材料圖案層530的導(dǎo)電層200上形成第三光敏 材料層710;通過在將鉻空白掩模800配置在第三光敏材料層710上，同時(shí)與第三光敏材料層 710間隔開，而在導(dǎo)電層上形成第三光敏材料圖案層730;蝕刻導(dǎo)電層200上未形成第一光敏 材料圖案層330、第二光敏材料圖案層530和第三光敏材料圖案層730的部分；以及去除第一 光敏材料圖案層330、第二光敏材料圖案層530和第三光敏材料圖案層730以制造路由器圖 案900和導(dǎo)電網(wǎng)格圖案600。
[0142] 本發(fā)明的制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法可以應(yīng)用于卷對卷工藝。
[0143] 當(dāng)將本發(fā)明的制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法應(yīng)用于卷對卷工藝時(shí)，刻有線形圖案的透 明光掩?？梢园ㄅ渲迷谥锌請A柱形基板的外周面上且刻有線形圖案的覆蓋層，以及配置 在圓柱形基板內(nèi)部的紫外燈。
[0144] 在此情況下，中空圓柱形基板的材料沒有特別限制，只要該中空圓柱形基板的材 料能夠使紫外線穿過并且具有能夠抵抗透明光掩模旋轉(zhuǎn)時(shí)施加的沖擊的機(jī)械性能即可，但 是中空圓柱形基板的材料可以是例如石英或玻璃。
[0145] 當(dāng)將所述方法應(yīng)用于卷對卷工藝時(shí)，具有導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的基板可以是柔性膜。例 如，所述基板可以是塑料膜，該塑料膜的材料沒有特別限制，并且可以采用本領(lǐng)域中通常使 用的材料。
[0146] 本發(fā)明提供了 一種網(wǎng)格電極，包括由前述方法制造的具有1 OOnm以上900nm以下的 線寬的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。
[0147] 網(wǎng)格電極的描述可以引用上述制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法的描述。
[0148] 導(dǎo)電網(wǎng)格圖案可以包含銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(A1)、金(Au)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、 鎢(W)、鉻(Cr)和鉑(Pt)中的至少一種金屬或其中兩種以上金屬的合金。
[0149] 例如，導(dǎo)電網(wǎng)格圖案可以包含透明金屬氧化物，具體而言，導(dǎo)電網(wǎng)格圖案可以包含 氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化銦鋅錫（ΙΖΤ0)、氧化鋁鋅-銀-氧化鋁 鋅(AZ0-Ag-AZ0)、氧化銦鋅-銀-氧化銦鋅（IZ0-Ag-IZ0)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫（IT〇-Ag-ΙΤ0)、和氧化銦鋅錫-銀-氧化銦鋅錫（IZT0-Ag-IZT0)中的至少一種。
[0150] 在本發(fā)明中，"網(wǎng)格"是指網(wǎng)形，并且可以包括兩條或更多條線交叉的形狀和正交 網(wǎng)格圖案。
[0151] 導(dǎo)電網(wǎng)格圖案可以是兩組線彼此正交的網(wǎng)格圖案。水平方向的第一組線形圖案的 間距可以與垂直方向的第二組線形圖案的間距相同或不同。具體而言，第一組線形圖案的 間距可以與第二組線形圖案的間距相同。
[0152] 第一組線形圖案的線寬和第二組線形圖案的線寬各自可以是100nm以上900nm以 下。
[0153] 第一和第二組線形圖案的間距各自可以是2μπι以上500μπι以下。具體而言，第一和 第二組線形圖案的間距各自可以是1〇μπι以上80μπι以下。
[0154] 網(wǎng)格電極還可以包括通過另外的光敏材料圖案層形成的次微米圖案或微米圖案。 具體而言，網(wǎng)格電極還可以包括路由器圖案層。
[0155] 網(wǎng)格電極可以用作用于觸摸面板的網(wǎng)格電極、用于有機(jī)發(fā)光裝置的輔助電極、用 于有機(jī)發(fā)光裝置的金屬電極以及用于有機(jī)太陽能電池的網(wǎng)格電極中的至少一種。具體而 言，網(wǎng)格電極可以是用于觸摸面板的網(wǎng)格電極。
[0156] 本發(fā)明提供了一種層疊體，該層疊體包括:基板;配置在所述基板上的導(dǎo)電層;配 置在所述導(dǎo)電層上的第一光敏材料線形圖案；以及配置在所述導(dǎo)電層上并且與所述第一光 敏材料線形圖案交叉的第二光敏材料線形圖案。
[0157] 對所述層疊體的描述可以引用上面對制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法的描述。
[0158] 第一和第二光敏材料線形圖案的高度沒有特別限制，只要第一和第二光敏材料線 形圖案的高度彼此相同或接近即可，但是可以是例如O.OUm以上10Μ1以下。
[0159] 第一和第二光敏材料線形圖案的線寬可以是100nm以上900nm以下。
[0160]第一和第二光敏材料線形圖案的間距各自可以是2μπι以上500μπι以下。具體而言， 第一和第二光敏材料線形圖案的間距各自可以是ΙΟμπι以上80μπι以下。
[0161] 層疊體還可以包括配置在導(dǎo)電層上的另外的次微米圖案或另外的微米圖案。
[0162] 層疊體還可以包括配置在導(dǎo)電層上的第三光敏材料圖案。第三光敏材料圖案根據(jù) 用途可以是線形圖案或與第一和第二光敏材料線形圖案連接的第三圖案，例如，第三光敏 材料圖案可以是與第一和第二光敏材料線形圖案連接的路由器圖案。
[0163] 第三光敏材料圖案的厚度可以與第一和第二光敏材料線形圖案的厚度（高度)相 同或接近。第三光敏材料圖案的厚度根據(jù)第一和第二光敏材料線形圖案的厚度（高度）改 變，但是可以是例如O.Olwn以上l〇Mi以下。
[0164] 第一和第二光敏材料線形圖案的材料可以彼此相同或不同。也就是說，第一和第 二光敏材料線形圖案的光敏材料組合物可以彼此相同或不同。
[0165] 第三光敏材料圖案的材料可以與第一和第二光敏材料線形圖案的材料中的至少 一個(gè)相同或不同。形成第三光敏材料圖案的光敏材料組合物可以與形成第一光敏材料線形 圖案和第二光敏材料線形圖案中的至少一個(gè)光敏材料組合物相同或不同。
[0166] 導(dǎo)電層可以包含銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(A1)、金(Au)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、 鉻(Cr)和鉑(Pt)中的至少一種金屬或其中兩種以上金屬的合金。
[0167] 導(dǎo)電層可以包括透明金屬氧化物。例如，導(dǎo)電層可以包含氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦 鋅（ΙΖ0)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化銦鋅錫（ΙΖΤ0)、氧化鋁鋅-銀-氧化鋁鋅(AZ0-Ag-AZ0)、氧化 銦鋅-銀-氧化銦鋅（IZ0-Ag-IZ0)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫（IT0-Ag-IT0)、和氧化銦鋅錫-銀-氧化銦鋅錫（IZT0-Ag-IZT0)中的至少一種。
[0168] 在下文中，將參照下面實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。但是，列出的下列實(shí)施例是為 了說明本發(fā)明，而并是用于限制本發(fā)明。
[0169] 〈實(shí)施例1>
[0170] 制造軟接觸掩模
[0171]如圖5所示，使用具有大約40μπι線寬的線形圖案（大約80μπι的重復(fù)周期）的鉻(Cr) 空白掩模并且使用光敏材料AZ1512(未稀釋溶液)或SU8 25(稀釋300%，丙二醇單甲醚醋酸 酯(PGMEA))通過利用現(xiàn)有的光刻工藝制造圖案，將聚二甲基硅氧烷(PDMS)預(yù)聚物和硬化劑 以9:1的比例混合，將混合物倒至圖案上，通過熱固化使混合物凝固，將混合物與光敏材料 圖案分離以制造刻有線形圖案的TOMS透明光掩模。所制造的透明光掩模的SEM圖像顯示在 圖6中。
[0172] 制造光敏材料圖案
[0173] 通過真空濺鍍工藝使鋁(A1)以50nm的厚度沉積在石英上，然后通過在鋁(A1)上涂 覆和干燥光敏材料來形成第一光敏材料層。在此情況下，將第一光敏材料層的厚度調(diào)整至 大約100nm至400nm。在透明光掩模與第一光敏材料層接觸后，形成經(jīng)過曝光（Karl Suss MA8掩模對準(zhǔn)器）、顯影（顯影儀CPD18)和干燥的第一光敏材料圖案層。在此情況下，將曝光 量調(diào)整至lOmJ/cm 2至200mJ/cm2的范圍。然后，將經(jīng)干燥的第一光敏材料圖案層在150°C至 250°C的溫度下熱處理大約10分鐘并固化。接著，以與第一光敏材料圖案層相同的順序在具 有第一光敏材料圖案層的鋁上另外形成第二光敏材料層，然后通過將相同的透明光掩模旋 轉(zhuǎn)90°并使透明光掩模與第二光敏材料層接觸，然后將第二光敏材料層曝光、顯影、干燥和 固化而形成第二光敏材料圖案層。結(jié)果，在鋁上制得具有l(wèi)〇〇nm至900nm的線寬和40μπι間距 的光敏材料網(wǎng)格圖案。所形成的光敏材料網(wǎng)格圖案的示意圖和SEM圖像顯示在圖7中。
[0174] 制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案
[0175] 通過通過利用在鋁上制得的網(wǎng)格光敏圖案作為蝕刻掩模來干式蝕刻厚度為50nm 的A1層，制得導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。所制得的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的示意圖和光學(xué)顯微鏡圖像顯示在圖8 中，其SEM圖像顯示在圖9中。
[0176] 在此情況下，干式蝕刻的工藝條件顯示如下。
[0177] 工藝壓力：5m托
[0178] 氣體種類和流速:BCl3:Cl2 = 35:15sccm
[0179] 蝕刻施加功率：ICP: RF = 300:30W
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的方法，包括： a) 在包括導(dǎo)電層的基板的導(dǎo)電層上形成第一光敏材料層； b) 通過使刻有線形圖案的透明光掩模與所述第一光敏材料層的上表面接觸而形成第 一光敏材料圖案層； c) 在具有所述第一光敏材料圖案層的導(dǎo)電層上形成第二光敏材料層； d) 使刻有線形圖案的透明光掩模與所述第二光敏材料層的上表面接觸，使得所述第一 光敏材料圖案層的線形圖案與該透明光掩模的線形圖案交叉而在導(dǎo)電層上形成第二光敏 材料圖案層； e) 蝕刻導(dǎo)電層上未形成所述第一光敏材料圖案層和所述第二光敏材料圖案層的部分； 以及 f) 去除所述第一光敏材料圖案層和所述第二光敏材料圖案層以制造導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括： 在步驟d)之后，在其上形成有所述第一光敏材料圖案層和所述第二光敏材料圖案層的 導(dǎo)電層上形成第三光敏材料層；以及 在所述導(dǎo)電層上形成第三光敏材料圖案層。3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述透明光掩模的線形圖案的線寬是2μπι以上500μπι 以下。4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電網(wǎng)格圖案的線寬是1 OOnm以上900nm以下。5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層包含銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(A1)、金(Au)、鎳 (Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)和鉑(Pt)中的至少一種金屬或其中兩種以上金屬的合 金。6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層包括透明金屬氧化物。7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層包含氧化銦錫（IT0)、氧化銦鋅（IZ0)、氧 化鋁鋅(AZ0)、氧化銦鋅錫（IZT0)、氧化鋁鋅-銀-氧化鋁鋅(AZO-Ag-AZO)、氧化銦鋅-銀-氧 化銦鋅（IZO-Ag-IZO)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫（IT0-Ag-IT0)、和氧化銦鋅錫-銀-氧化銦鋅 錫（IZTO-Ag-IZTO)中的至少一種。8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)類聚合 物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙 烯醇(PVA)、環(huán)烯烴共聚物(COP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或 其共聚物中的至少一種。9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層的厚度是5nm以上ΙΟμπι以下。10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一光敏材料層和所述第二光敏材料層的厚 度分別是O.Olym以上ΙΟμπι以下。11. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟b)和d)分別包括在使透明光掩模與所述 第一光敏材料層或所述第二光敏材料層的上表面接觸之后，將強(qiáng)度為10mJ/cm 2以上200mJ/ cm2以下的紫外線照射至該透明光掩模上。12. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟a)中，形成所述導(dǎo)電層的方法包括熱沉積、 濺鍍、電子束沉積、層壓加工法或溶液涂覆法。13. -種通過權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的方法制造的網(wǎng)格電極，該網(wǎng)格電極包括 線寬為lOOnm以上900nm以下的導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。14. 如權(quán)利要求13所述的網(wǎng)格電極，其中，所述導(dǎo)電網(wǎng)格圖案包含銀(Ag)、銅（Cu)、鋁 (八1)、金以11)、鎳(附）、鈦(11)、鉬(1〇)、鎢(￥)、鉻(0)和鉑(？〇中的至少一種金屬或其中兩 種以上金屬的合金。15. 如權(quán)利要求11所述的網(wǎng)格電極，其中，所述導(dǎo)電網(wǎng)格圖案包含氧化銦錫（ITO)、氧化 銦鋅（IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銦鋅錫（IZTO)、氧化鋁鋅-銀-氧化鋁鋅(AZO-Ag-AZO)、氧 化銦鋅-銀-氧化銦鋅（IZ0-Ag-IZ0)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫（IT0-Ag-IT0)、和氧化銦鋅錫-銀-氧化銦鋅錫（IZTO-Ag-IZTO)中的至少一種。16. -種層疊體，包括： 基板； 配置在所述基板上的導(dǎo)電層； 配置在所述導(dǎo)電層上的第一光敏材料線形圖案；以及 配置在所述導(dǎo)電層上并且與所述第一光敏材料線形圖案交叉的第二光敏材料線形圖 案。17. 如權(quán)利要求16所述的層疊體，還包括： 配置在所述導(dǎo)電層上的第三光敏材料線形圖案。18. 如權(quán)利要求16所述的層疊體，其中， 所述第一光敏材料線形圖案和所述第二光敏材料線形圖案的線寬分別是lOOnm以上 900nm以下。19. 如權(quán)利要求16所述的層疊體，其中，所述導(dǎo)電層包含銀(Ag)、銅（Cu)、鋁(A1)、金 (八11)、鎳(附）、鈦(11)、鉬(1〇)、鎢(1)、鉻(0)和鉑(？〇中的至少一種金屬或其中兩種以上 金屬的合金。20. 如權(quán)利要求16所述的層疊體，其中，所述導(dǎo)電層包含透明金屬氧化物。21. 如權(quán)利要求16所述的層疊體，其中，所述導(dǎo)電層包含氧化銦錫（IT0)、氧化銦鋅 (IZ0)、氧化鋁鋅(AZ0)、氧化銦鋅錫（IZT0)、氧化鋁鋅-銀-氧化鋁鋅(AZO-Ag-AZO)、氧化銦 鋅-銀-氧化銦鋅（IZ0-Ag-IZ0)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫（IT0-Ag-IT0)、和氧化銦鋅錫_銀_ 氧化銦鋅錫（IZTO-Ag-IZTO)中的至少一種。
【文檔編號】G03F7/26GK105980935SQ201580008057
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2015年2月13日
【發(fā)明人】樸正岵, 辛富建, 金在鎮(zhèn), 李鐘炳, 鄭鎮(zhèn)美, 鄭有珍
【申請人】株式會(huì)社Lg化學(xué)