本發(fā)明涉及LED芯片領域，具體涉及一種紫外LED倒裝芯片。

背景技術：

現(xiàn)有的LED芯片上都設置有ITO作為透明電極層，進行均勻導電，但是ITO對紫外光具有較強的吸收作用，影響紫外LED芯片發(fā)揮作用。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術問題，本發(fā)明的目的在于提供一種紫外LED倒裝芯片。

本發(fā)明所采用的技術方案是：

一種紫外LED倒裝芯片，包括襯底，所述襯底上依次設置有N型GaN層、量子阱有源區(qū)、P型GaN層，所述P型GaN層上設置有透明電極層，所述透明電極層為ITO，所述透明電極層上開設有多個微孔。

進一步，所述襯底為藍寶石。

本發(fā)明的有益效果是：

與現(xiàn)有的LED芯片相比，本發(fā)明提供的紫外LED倒裝芯片在ITO層上開設有多個微孔，紫外光可通過微孔透射出去，減少ITO對紫外光的吸收，使利用紫外光的LED芯片能有效發(fā)揮作用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單說明。顯然，所描述的附圖只是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部實施例，本領域的技術人員在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得的其他設計方案和附圖：

圖1是本發(fā)明的LED芯片的結構示意圖。

圖2是ITO層的俯視圖。

具體實施方式

以下將結合實施例和附圖對本發(fā)明的構思、具體結構及產生的技術效果進行清楚、完整地描述，以充分地理解本發(fā)明的目的、特征和效果。顯然，所描述的實施例只是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部實施例，基于本發(fā)明的實施例，本領域的技術人員在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的其他實施例，均屬于本發(fā)明保護的范圍。

參照圖1，本發(fā)明提供了一種紫外LED倒裝芯片，包括藍寶石襯底1，所述襯底1上依次設置有N型GaN層2、量子阱有源區(qū)3、P型GaN層4，所述P型GaN層4上設置有透明電極層5，所述透明電極層5為ITO。參照圖2，所述透明電極層5上開設有多個微孔6，優(yōu)選地，微孔6均勻設置在電極層5的四周靠近邊緣側；另一種方案，微孔6均勻布置在整個電極層5上，進一步提高紫外光的透光效果。

以上具體結構和尺寸數(shù)據(jù)是對本發(fā)明的較佳實施例進行了具體說明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本發(fā)明精神的前提下還可做出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內。