本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種紅黃光發(fā)光二極管的制作方法。

背景技術(shù)：

固態(tài)照明技術(shù)是在二十一世紀(jì)具有產(chǎn)業(yè)革命意義的重大技術(shù)，在世界范圍內(nèi)引起了從政府到企業(yè)很大的關(guān)注。固態(tài)照明技術(shù)的主要內(nèi)容是半導(dǎo)體發(fā)光二極管器件在照明產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。其中，紅黃光發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)在黃綠藍(lán)(英文：Red Green Blue，簡稱：RGB)白光光源、全色顯示、交通信號燈、城市亮化工程等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

紅黃光LED由于襯底材料的特征，通常在晶元(英文：Wafer)的一側(cè)完成LED的生長之后，將晶元生長有LED的一側(cè)放置在盛有液體蠟的陶瓷盤中，待液體蠟降溫凝固之后，將晶元沒有生長LED的一側(cè)放置在盛有研磨液的研磨盤中。將研磨盤和陶瓷盤分別朝兩個相反的方向轉(zhuǎn)動，利用晶元與研磨液的摩擦實現(xiàn)晶元的減薄。晶元減薄至所需厚度后，使用清洗液去除晶元上的固體蠟。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

研磨液在研磨盤轉(zhuǎn)動的過程中不穩(wěn)定，因此會造成晶元的厚度不容易控制、厚度差別大、出現(xiàn)翹曲、容易裂片，造成生產(chǎn)效率較低，而且還存在蠟殘留的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實施例提供了一種紅黃光發(fā)光二極管的制作方法。所述技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實施例提供了一種紅黃光發(fā)光二極管的制作方法，所述制作方法包括：

在晶元上生長紅黃光LED；

采用鐵環(huán)固定在所述晶元的環(huán)狀側(cè)壁上；

將膠膜貼附在所述紅黃光LED和所述鐵環(huán)上，并去除氣泡；

將所述晶元放置在陶瓷微孔承載盤上，并將砂輪與所述晶元沒有貼附所述膠膜的表面相貼；

利用陶瓷微孔承載盤帶動所述晶元沿第一方向轉(zhuǎn)動，同時驅(qū)動所述砂輪沿與所述第一方向相反的第二方向轉(zhuǎn)動，減薄所述晶元；

去除所述晶元上的所述膠膜和所述鐵環(huán)。

可選地，所述砂輪的軸心與所述晶元的軸心平行或重合。

可選地，所述將膠膜貼附在所述紅黃光LED和所述鐵環(huán)上，并去除氣泡，包括：

利用貼膜機將膠膜貼附在所述紅黃光LED和所述鐵環(huán)上；

采用壓合機壓合所述膠膜和所述紅黃光LED，去除氣泡。

可選地，所述減薄所述晶元，包括：

逐步降低所述砂輪的高度。

優(yōu)選地，所述逐步降低所述砂輪的高度，包括：

在第一階段以第一速度降低所述砂輪的高度；

在第二階段以第二速度降低所述砂輪的高度；

在第三階段以第三速度降低所述砂輪的高度；

其中，所述第一速度＞所述第二速度＞所述第三速度。

更優(yōu)選地，所述制作方法還包括：

采用測厚儀測量所述晶元的厚度；

根據(jù)所述晶元的厚度，確定所述第一階段、所述第二階段或者所述第三階段是否結(jié)束。

可選地，所述去除所述晶元上的所述膠膜和所述鐵環(huán)，包括：

利用貼膜機撕除所述貼膜；

卸下所述鐵環(huán)；

將所述晶元放置在干凈的晶元盒中。

可選地，所述膠膜包括PVC基材和亞克力系粘著劑。

可選地，所述制作方法還包括：

對所述晶元減薄后的表面進(jìn)行清洗。

優(yōu)選地，所述對所述晶元減薄后的表面進(jìn)行清洗，包括：

利用無塵布蘸取清洗液對所述晶元減薄后的表面進(jìn)行清潔；

采用去離子水沖洗所述晶元減薄后的表面；

吹干所述晶元減薄后的表面。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過陶瓷微孔承載盤在真空情況下的吸附作用固定晶元，避免使用蠟固定，不需要加熱形成液體蠟、等蠟冷卻、去除蠟等工序，使用更為方便，而且可以避免蠟殘留的問題。同時采用砂輪代替研磨液與晶元摩擦減薄晶元，可以實現(xiàn)對晶元厚度的控制，厚度均勻、翹曲度小，減小生產(chǎn)過程中裂片損失，提高生產(chǎn)效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種紅黃光發(fā)光二極管的制作方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實施例

本發(fā)明實施例提供了一種紅黃光發(fā)光二極管的制作方法，參見圖1，該制作方法包括：

步驟101：在晶元上生長紅黃光LED。

具體地，紅黃光LED可以包括層疊在晶元上的GaP電流擴展層、P型AlInP限制層、AlGaInP多量子阱層、N型AlInP限制層、電極。

可選地，晶元可以為Si襯底、GaAs襯底或者藍(lán)寶石襯底。

步驟102：采用鐵環(huán)固定在晶元的環(huán)狀側(cè)壁上。

步驟103：將膠膜貼附在紅黃光LED和鐵環(huán)上，并去除氣泡。

可選地，膠膜可以包括聚氯乙烯(Polyvinyl chloride，簡稱PVC)基材和亞克力系粘著劑，不易殘膠，厚度差小于2μm。

可選地，該步驟103可以包括：

利用貼膜機將膠膜貼附在紅黃光LED和鐵環(huán)上；

采用壓合機壓合膠膜和紅黃光LED，去除氣泡。

優(yōu)選地，可以采用貼膜機同時對6～10片4寸的晶元進(jìn)行貼膜，提高生產(chǎn)效率。

具體地，壓合的溫度可以為80℃，壓合的時間可以為5min，壓合的壓力可以為500Kg。

步驟104：將晶元放置在陶瓷微孔承載盤上，并將砂輪與晶元沒有貼附膠膜的表面相貼。

具體地，陶瓷微孔承載盤的真空度可以達(dá)到-0.6MPa。

步驟105：利用陶瓷微孔承載盤帶動晶元沿第一方向轉(zhuǎn)動，同時驅(qū)動砂輪沿與第一方向相反的第二方向轉(zhuǎn)動，減薄晶元。

可選地，承載盤可以以200～800rpm的速度沿順時針方向轉(zhuǎn)動，砂輪可以以1000～3000rpm的速度沿逆時針方向轉(zhuǎn)動。

優(yōu)選地，承載盤可以以400rpm的速度沿順時針方向轉(zhuǎn)動，砂輪可以以2000rpm的速度沿逆時針方向轉(zhuǎn)動。

在具體實現(xiàn)中，利用承載盤上的陶瓷微孔抽取真空后的吸附能力，使晶元緊緊貼在承載盤上，可以隨著承載盤的轉(zhuǎn)動而轉(zhuǎn)動。

可選地，砂輪可以為樹脂砂輪。

可選地，該步驟105可以包括：

逐步降低砂輪的高度。

優(yōu)選地，逐步降低砂輪的高度，可以包括：

在第一階段以第一速度降低砂輪的高度；

在第二階段以第二速度降低砂輪的高度；

在第三階段以第三速度降低砂輪的高度；

其中，第一速度＞第二速度＞第三速度。

容易知道，在第一階段快速減薄晶元，提高生產(chǎn)效率；在第二階段減緩速度減薄晶元，避免速度變化太快；在第三階段慢速減薄晶元，對晶元進(jìn)行修整。

例如，第一速度為1μm/s，第二速度為0.3μm/s，第三速度為0.1μm/s。

更優(yōu)選地，該制作方法還可以包括：

采用測厚儀測量晶元的厚度；

根據(jù)晶元的厚度，確定第一階段、第二階段或者第三階段是否結(jié)束。

例如，第一階段結(jié)束的晶元厚度為目標(biāo)值+80μm，第二階段結(jié)束的晶元厚度為目標(biāo)值+20μm，第三階段結(jié)束的晶元厚度為目標(biāo)值。

可選地，砂輪的軸心可以與晶元的軸心平行或重合。

步驟106：對晶元減薄后的表面進(jìn)行清洗。該步驟106為可選步驟。

可選地，該步驟106可以包括：

利用無塵布蘸取清洗液對晶元減薄后的表面進(jìn)行清潔；

采用去離子水沖洗晶元減薄后的表面；

吹干晶元減薄后的表面。

例如，去離子水的流量為10L/min，壓力為0.3MPa。

優(yōu)選地，清洗液可以為水溶性的液體。

相應(yīng)地，該制作方法還可以包括：

采用去離子水對砂輪進(jìn)行冷卻和清潔。

步驟107：去除晶元上的膠膜和鐵環(huán)。

可選地，該步驟107可以包括：

利用貼膜機撕除貼膜；

卸下鐵環(huán)；

將晶元放置在潔凈的晶元盒中。

在具體實現(xiàn)中，撕除貼膜時，將晶元放置在貼膜機承載臺上，啟動真空，利用大氣壓力將晶元固定在承載臺上，手動緩慢撕掉貼膜，再解除真空，即可進(jìn)行后續(xù)處理。

下表一為本實施例的制作方法與傳統(tǒng)的制作方法的對比情況：

表一

由此可知，本實施例在厚度均勻性、裂片率、損失率、翹曲度、生產(chǎn)效率上均有明顯改善。

本發(fā)明實施例通過陶瓷微孔承載盤在真空情況下的吸附作用固定晶元，避免使用蠟固定，不需要加熱形成液體蠟、等蠟冷卻、去除蠟等工序，使用更為方便，而且可以避免蠟殘留的問題。同時采用砂輪代替研磨液與晶元摩擦減薄晶元，可以實現(xiàn)對晶元厚度的控制，厚度均勻、翹曲度小，減小生產(chǎn)過程中裂片損失，提高生產(chǎn)效率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。