專利名稱:半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管。
背景技術(shù):
隨著中國航天事業(yè)的迅猛發(fā)展,航天用戶對半導(dǎo)體器件小型化、輕量化、可靠性的 要求日益突出。目前,國內(nèi)重點(diǎn)項(xiàng)目中大多數(shù)使用塑封紅外發(fā)光二極管,存在著材料易老 化、壽命短、工作溫度低、可靠性不高等缺點(diǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種可靠性高、壽命長的 半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管。為實(shí)現(xiàn)以上目的,本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管,包括負(fù)電極和正電極,其特征在于,還包括金屬玻璃管 帽,金屬玻璃管帽上設(shè)置一玻璃透光窗,金屬玻璃管帽與金屬玻璃管座密封焊接形成一空 腔,負(fù)電極穿過金屬玻璃管座,負(fù)電極一端位于空腔外,另一端位于空腔內(nèi)并與空腔內(nèi)的發(fā) 光芯片連接,正電極穿過金屬玻璃管座,正電極一端位于空腔內(nèi),另一端位于空腔外,正電 極通過鍵合絲與發(fā)光芯片連接,所述的金屬玻璃管座與負(fù)電極之間、負(fù)電極與正電極之間、 正電極與金屬玻璃管座之間設(shè)置有玻璃絕緣子。本實(shí)用新型的有益效果為本實(shí)用新型采用金屬玻璃管帽和管座,提高了發(fā)光二 極管的可靠性,延長了其使用壽命。
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述如圖1所示,半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管,包括金屬玻璃管帽1,金屬玻璃管帽1上設(shè)置玻璃透光窗11,金屬玻璃管帽1與金屬玻璃管座2密封焊接形成一空腔3,其焊接方式采用 激光焊接,負(fù)電極4穿過金屬玻璃管座2,負(fù)電極4 一端41位于空腔3外,另一端42位于 空腔3內(nèi)并與空腔3內(nèi)的發(fā)光芯片5連接,正電極6穿過金屬玻璃管座2,正電極6 —端62 位于空腔3外,另一端61位于空腔3內(nèi)并通過鍵合絲7與發(fā)光芯片5連接,金屬玻璃管座 2與負(fù)電極4之間、負(fù)電極4與正電極6之間、正電極6與金屬玻璃管座2之間設(shè)置有玻璃 絕緣子8。負(fù)電極4、發(fā)光芯片5、鍵合絲7與正電極6組成導(dǎo)電通路,接通電源后,發(fā)光芯片 5可發(fā)光,操作者可通過玻璃透光窗11觀察到發(fā)光芯片5發(fā)出的光。本實(shí)用新型中的實(shí)施例僅用于對本實(shí)用新型進(jìn)行說明,并不構(gòu)成對權(quán)利要求范圍的限制,本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實(shí)質(zhì)上等 同的替代,均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管,包括負(fù)電極和正電極,其特征在于,還包括金屬玻璃管帽,金屬玻璃管帽上設(shè)置一玻璃透光窗,金屬玻璃管帽與金屬玻璃管座密封焊接形成一空腔,負(fù)電極穿過金屬玻璃管座,負(fù)電極一端位于空腔外,另一端位于空腔內(nèi)并與空腔內(nèi)的發(fā)光芯片連接,正電極穿過金屬玻璃管座,正電極一端位于空腔內(nèi),另一端位于空腔外,正電極通過鍵合絲與發(fā)光芯片連接,所述的金屬玻璃管座與負(fù)電極之間、負(fù)電極與正電極之間、正電極與金屬玻璃管座之間設(shè)置有玻璃絕緣子。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管,包括負(fù)電極和正電極,其特征在于,還包括金屬玻璃管帽,金屬玻璃管帽上設(shè)置一玻璃透光窗,金屬玻璃管帽與金屬玻璃管座密封焊接形成一空腔,負(fù)電極穿過金屬玻璃管座,負(fù)電極一端位于空腔外,另一端位于空腔內(nèi)并與空腔內(nèi)的發(fā)光芯片連接,正電極穿過金屬玻璃管座,正電極一端位于空腔內(nèi),另一端位于空腔外,正電極通過鍵合絲與發(fā)光芯片連接,所述的金屬玻璃管座與負(fù)電極之間、負(fù)電極與正電極之間、正電極與金屬玻璃管座之間設(shè)置有玻璃絕緣子。本實(shí)用新型的有益效果為本實(shí)用新型采用金屬玻璃管帽和管座,提高了發(fā)光二極管的可靠性,延長了其使用壽命。
文檔編號H01L33/62GK201590434SQ20092027757
公開日2010年9月22日 申請日期2009年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月23日
發(fā)明者劉憲章 申請人:北京瑞普北光電子有限公司