本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件以及發(fā)光二極管，更為具體地涉及一種改善發(fā)光元件的光效率的發(fā)光元件以及發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

近來，隨著對小型高功率發(fā)光元件的需求不斷增加，對散熱效率優(yōu)秀的大面積的倒裝芯片型發(fā)光元件的需求處于增加的趨勢。倒裝芯片型發(fā)光元件具有以下優(yōu)點，隨著電極直接接合于二次基板，不再使用用于供應(yīng)外部電源的線，因此散熱效率高于水平型發(fā)光元件。即，即使向倒裝芯片型發(fā)光元件施加高密度電流，熱量也會傳遞到二次基板側(cè)，因此可以將倒裝芯片型發(fā)光元件用作高功率發(fā)光源。

另外，對于為了發(fā)光元件的小型化而省略將發(fā)光元件另行封裝在殼體等的工序并將發(fā)光元件本身用作封裝件(package)的芯片級封裝(chipscalepackage)的需求正在不斷增加。倒裝芯片型發(fā)光元件的電極能夠發(fā)揮類似于引腳的作用，因此能夠有用地應(yīng)用于如上所述的芯片級封裝。

通過使用芯片級封裝而制造發(fā)光元件，可以使高密度的電流施加到芯片級封裝。進而，由于最近要求高功率產(chǎn)品，因此施加到芯片級封裝的驅(qū)動電流變得更高。如上所述，隨著施加到芯片級封裝的驅(qū)動電流的增加，從發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱也增加，根據(jù)增加的熱量可以產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且，發(fā)生結(jié)溫(junctiontemperature)隨著增加的熱量而變高的現(xiàn)象，因此存在使發(fā)光元件的可靠性下降的問題。

并且，通過將多個芯片級封裝形態(tài)的發(fā)光單元串聯(lián)或并聯(lián)連接而配置在基板上，可以制造發(fā)光元件。在如此地配置多個發(fā)光單元來實現(xiàn)發(fā)光元件時，在多個發(fā)光單元之間形成不發(fā)光的區(qū)域，因此存在從發(fā)光元件的中央發(fā)出的光的光效率欠佳的問題。

此外，近來，隨著要求高功率產(chǎn)品，進行著多個用于提高芯片級封裝的發(fā)光效率的研究。即使利用多個發(fā)光單元而制造發(fā)光元件，也需要能夠使發(fā)光元件的光效率最大化的技術(shù)。

在汽車的前照燈中應(yīng)用串聯(lián)的多個發(fā)光元件的情況下，在串聯(lián)的多個發(fā)光元件的兩端可以施加相對高的電壓。在串聯(lián)的發(fā)光元件不具備彼此預(yù)定的正向電壓特性時，過高的電壓可能會施加到正向電壓較低的發(fā)光元件，而導(dǎo)致發(fā)光元件的穩(wěn)定性下降，因此對可靠性帶來不利的影響。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

本發(fā)明所要解決的課題是提供如下的發(fā)光元件，其在使用多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體施加高功率時，可靠性較高且能夠提高光效率。

本發(fā)明所要解決的另一課題是提供如下的發(fā)光元件以及發(fā)光二極管，其即使通過串聯(lián)多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體來構(gòu)成發(fā)光元件，也能夠提高從發(fā)光元件的中央發(fā)出的光的發(fā)光強度(luminousintensity)。

本發(fā)明所要解決的又一課題是提供一種電流分散性能得到改善的發(fā)光元件。

技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及夾設(shè)于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；第一接觸電極以及第二接觸電極，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；絕緣層，為了所述第一接觸電極以及第二接觸電極的絕緣，覆蓋所述第一接觸電極以及第二接觸電極的一部分；第一電極焊盤以及第二電極焊盤，分別電連接于所述第一接觸電極以及第二接觸電極；以及散熱墊，形成于所述絕緣層上，使從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體產(chǎn)生的熱散熱，其中，所述散熱墊的平面形狀的至少三個面可以向外面暴露。

此時，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤中的一個以上形成于所述絕緣層上，可配置在所述絕緣層的平面上的一側(cè)。

并且，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤相隔地形成于所述絕緣層上，所述散熱墊形成于所述絕緣層上，且可以配置于所述第一電極焊盤及第二電極焊盤之間。

并且，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤分別形成兩個以上，所述兩個以上的第一電極焊盤以及第二電極焊盤分別形成于所述絕緣層上，且可以在所述絕緣層的平面上相隔地配置。

并且，所述散熱墊形成于所述絕緣層上，且可配置于所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤之間?；蛘撸錾釅|形成兩個以上，所述兩個以上的散熱墊的面中向外面暴露的面的數(shù)量可以是三個以上。此時，所述兩個以上的散熱墊可以彼此相隔地配置。

并且，所述絕緣層可以包括：第一絕緣層，在所述第一接觸電極及第二接觸電極之間形成而覆蓋所述第二接觸電極的一部分，且形成有分別使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二接觸電極部分暴露的第一開口部以及第二開口部；以及第二絕緣層，形成為覆蓋部分覆蓋所述第一絕緣層的第一接觸電極的一部分，且形成有使所述第一接觸電極與第二接觸電極部分暴露的第三開口部以及第四開口部。

在此，所述第一電極焊盤通過所述第三開口部而電連接于所述第一接觸電極，所述第二電極焊盤可以通過所述第四開口部而電連接于所述第二接觸電極。

并且，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體形成有使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層部分暴露的多個孔，所述第一接觸電極可以通過所述多個孔而電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。

此時，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤可以分別包括cu、pt、au、ti、ni、al以及ag中的一個以上，所述散熱墊可以包括cu、pt、au、ti、ni、al以及ag中的一個以上。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體，彼此電連接；第一電極焊盤，電連接于所述多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體中的一個；第二電極焊盤，電連接于所述多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體中的另一個；以及散熱墊，形成于所述多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，使從所述多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體產(chǎn)生的熱散熱，其中，所述散熱墊的平面形狀的至少三個面可以向外面暴露。

此時，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體可以包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；活性層，夾設(shè)于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間；第一接觸電極以及第二接觸電極，位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；以及絕緣層，為了所述第一接觸電極以及第二接觸電極的絕緣，覆蓋所述第一接觸電極以及第二接觸電極的一部分。

并且，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤可以分別電連接于所述第一接觸電極以及第二接觸電極，所述第一電極焊盤及第二電極焊盤與散熱墊可形成于所述絕緣層上。并且，所述多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體可以彼此串聯(lián)連接。

在此，所述散熱墊的平面形狀面積可以是所述發(fā)光元件的平面形狀面積的50％以上。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：第一發(fā)光單元；一個以上的第二發(fā)光單元，配置于與所述第一發(fā)光單元相同的平面上；第一電極焊盤，形成于所述第一發(fā)光單元或者一個以上的第二發(fā)光單元上，電連接于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元中的一個；以及第二電極焊盤，形成于所述第一發(fā)光單元或者一個以上的第二發(fā)光單元上，電連接于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元中的另一個，其中，所述第一發(fā)光單元配置于中央，所述一個以上的第二發(fā)光單元可以配置為包圍所述第一發(fā)光單元。

此時，所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元可以彼此電連接，所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元可以彼此串聯(lián)連接。

并且，所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元分別包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及夾設(shè)于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；第一接觸電極以及第二接觸電極，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；以及絕緣層，為了所述第一接觸電極以及第二接觸電極的絕緣，覆蓋所述第一接觸電極以及第二接觸電極的一部分，其中，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤可以分別電連接于所述第一接觸電極與第二接觸電極。

在此，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤中的一個以上可形成于所述絕緣層上。此時，所述絕緣層可以包括：第一絕緣層，在所述第一接觸電極及第二接觸電極之間形成而覆蓋所述第二接觸電極的一部分，且形成有分別使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二接觸電極部分暴露的第一開口部以及第二開口部；以及第二絕緣層，形成為覆蓋部分覆蓋所述第一絕緣層的第一接觸電極的一部分，且形成有使所述第一接觸電極與第二接觸電極部分暴露的第三開口部以及第四開口部。

并且，所述第一電極焊盤通過所述第三開口部電連接于所述第一接觸電極，所述第二電極焊盤通過所述第四開口部電連接于所述第二接觸電極。

并且，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體形成有使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層部分暴露的多個孔，所述第一接觸電極可以通過所述多個孔而電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。

在此，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤可以分別包括cu、pt、au、ti、ni、al以及ag中的一個以上。并且，所述第一發(fā)光單元可以是圓形或者具有四個角以上的多邊形。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光二極管包括：發(fā)光元件，包括第一發(fā)光單元、配置于與所述第一發(fā)光單元相同的平面上的一個以上的第二發(fā)光單元、分別電連接于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元中的一個以及另一個的第一電極焊盤及第二電極焊盤；以及透鏡，使從所述發(fā)光元件發(fā)射的光分散，其中，所述第一發(fā)光單元配置于中央，所述一個以上的第二發(fā)光單元可以配置為包圍所述第一發(fā)光單元。

此時，所述透鏡可以包括：下表面，定義光線入射的入光面；以及上表面，剖面具有圓形或變形的圓形的曲率，使光線射出。并且，所述透鏡可以包括：下表面，定義所述光線入射的入光面；上表面，使射入的光反射；以及側(cè)面，形成于所述下表面以及上表面之間，使從所述上表面反射的光線射出。

并且，所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元可以彼此電連接，所述第一發(fā)光單元可以是圓形或者具有四個以上的角的多邊形。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：第一發(fā)光單元；一個以上的第二發(fā)光單元，配置于與所述第一發(fā)光單元相同的平面上，電連接于所述第一發(fā)光單元；第一電極焊盤，形成于所述第一發(fā)光單元或者一個以上的第二發(fā)光單元上，電連接于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元中的一個；第二電極焊盤，形成于所述第一發(fā)光單元或者一個以上的第二發(fā)光單元上，電連接于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元中的另一個；以及散熱墊，形成于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元上，使從所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元產(chǎn)生的熱散熱，其中，所述第一發(fā)光單元配置于中央，所述一個以上的第二發(fā)光單元可以配置為包圍所述第一發(fā)光單元。

在這里，所述散熱墊的平面形狀的至少三個面可以向外面暴露。

并且，所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元分別包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及夾設(shè)于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；第一接觸電極以及第二接觸電極，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；以及絕緣層，為了所述第一接觸電極以及第二接觸電極的絕緣，覆蓋所述第一接觸電極以及第二接觸電極的一部分，其中，所述第一電極焊盤以及第二電極焊盤可以分別電連接于所述第一接觸電極與第二接觸電極。

并且，可以包括：第一絕緣層，在所述第一接觸電極及第二接觸電極之間形成而覆蓋所述第二接觸電極的一部分，且形成有分別使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二接觸電極部分暴露的第一開口部以及第二開口部；以及第二絕緣層，形成為將部分覆蓋所述第一絕緣層的第一接觸電極的一部分覆蓋，且形成有使所述第一接觸電極與第二接觸電極部分暴露的第三開口部以及第四開口部。

在此，所述第一電極焊盤、第二電極焊盤以及散熱墊中的一個以上可形成于所述第二絕緣層上，所述第一電極焊盤可以通過所述第三開口部電連接于所述第一接觸電極，所述第二電極焊盤可以通過所述第四開口部電連接于所述第二接觸電極。

并且，所述第一電極焊盤、第二電極焊盤以及散熱墊可以分別包括cu、pt、au、ti、ni、al以及ag中的一個以上。

此時，所述第一電極焊盤、第二電極焊盤以及散熱墊可以彼此相隔而配置，所述第一發(fā)光單元可以是圓形或者具有四個以上的角的多邊形。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光二極管包括：發(fā)光元件，包括第一發(fā)光單元、配置于與所述第一發(fā)光單元相同的平面上的一個以上的第二發(fā)光單元、分別電連接于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元中的一個以及另一個的第一電極焊盤及第二電極焊盤、形成于所述第一發(fā)光單元以及一個以上的第二發(fā)光單元上以使從所述一個以上的發(fā)光單元產(chǎn)生的熱散熱的散熱墊；以及印刷電路板，安裝有所述發(fā)光元件，其中，所述印刷電路板包括：基板主體，使通過所述散熱墊傳遞的熱分散；以及引線部，形成于所述基板主體上，且電連接于所述第一電極焊盤及第二電極焊盤。

此時，所述基板主體可以與所述散熱墊接觸，所述印刷電路板還可以包括形成于所述基板主體上且與所述散熱墊接觸的散熱部。

并且，所述引線部與散熱部可以彼此絕緣。

所述印刷電路板還可以包括夾設(shè)于所述基板主體與引線部之間的絕緣部。

并且，還可以包括：透鏡，位于所述發(fā)光元件的上部，使從所述發(fā)光元件發(fā)出的光分散，所述透鏡可以包括對從所述發(fā)光元件發(fā)出的光進行波長轉(zhuǎn)換的熒光體。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：第一發(fā)光單元；第二發(fā)光單元，配置于與所述第一發(fā)光單元相同的平面上，且電連接于所述第一發(fā)光單元；第三發(fā)光單元，配置于與所述第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元相同的平面上，電連接于所述第二發(fā)光單元；第一電極連接部，電連接所述第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元；以及第二電極連接部，電連接所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元，其中，所述第一電極連接部以及所述第二電極連接部分別以所述第二發(fā)光單元為基準而配置于對角方向，所述第一電極連接部以及第二電極連接部分別位于所述第二發(fā)光單元以及第三發(fā)光單元的上部，且可以覆蓋所述第二發(fā)光單元及第三發(fā)光單元的側(cè)面。

此時，所述第一電極連接部以及所述第二電極連接部可以分別以所述第二發(fā)光單元為基準而配置于彼此不同的面?zhèn)取?/p>

并且，所述第一電極連接部可位于所述第二發(fā)光單元的一面邊角側(cè)，所述第二電極連接部可位于與所述第二發(fā)光單元的一面鄰接的面的邊角側(cè)。

并且，所述第一電極連接部可配置于所述第二發(fā)光單元上，所述第二電極連接部可配置于所述第三發(fā)光單元上。

并且，所述第一至第三發(fā)光單元分別可以包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及夾設(shè)于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；第一接觸電極以及第二接觸電極，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；以及絕緣層，為了所述第一接觸電極以及第二接觸電極的絕緣，覆蓋所述第一接觸電極以及第二接觸電極的一部分。

此時，所述絕緣層可以包括：第一絕緣層，形成為覆蓋所述第二接觸電極，包括分別使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二接觸電極部分暴露的第一開口部以及第二開口部；以及第二絕緣層，形成為覆蓋第一接觸電極，所述第一接觸電極覆蓋所述第一絕緣層，并且包括分別使所述第一接觸電極與第二接觸電極部分暴露的第三開口部以及第四開口部。

并且，為使所述第一接觸電極通過所述第一開口部與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸，所述第一開口部配置有多個，所述第一電極連接及第二電極連接部分別可以形成于所述第二發(fā)光單元及第三發(fā)光單元的多個第一開口部之間。

并且，所述第一絕緣層可以包括：預(yù)絕緣層，覆蓋所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的上表面或者側(cè)面的一部分；以及主絕緣層，形成為覆蓋所述預(yù)絕緣層以及第二接觸電極。

并且，所述第一發(fā)光單元的第一接觸電極向所述第二發(fā)光單元的發(fā)光結(jié)構(gòu)體上部延伸而可以與所述第二接觸電極歐姆接觸。

并且，還可以包括：臺面，包括所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及活性層；以及第三絕緣層，覆蓋所述臺面上部的一部分。

并且，所述第二接觸電極可以在所述臺面上部與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸。

此時，還包括位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的下部的基板，所述基板可以在上表面形成有多個圖案。

并且，所述第一發(fā)光單元的第一接觸電極可以延伸至上部以覆蓋所述第二發(fā)光單元的一側(cè)，所述第二發(fā)光單元的第一接觸電極可以延伸至上部以覆蓋所述第三發(fā)光單元的一側(cè)。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：第一發(fā)光單元；第二發(fā)光單元，配置于與所述第一發(fā)光單元相同的平面上，電連接于所述第一發(fā)光單元；以及多個電極連接部，電連接所述第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元，其中，所述多個電極連接部從所述第一發(fā)光單元延伸而以覆蓋所述第二發(fā)光單元上部的一部分的方式配置于所述第二發(fā)光單元上部，且可以沿所述第二發(fā)光單元的平面形狀的一個邊而配置于一側(cè)。

此時，所述第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元可以配置成平面形狀的一個邊彼此鄰接。

并且，所述多個電極連接部可配置于與所述第一發(fā)光單元的一個邊對應(yīng)的所述第二發(fā)光單元的一邊側(cè)。

并且，所述第一發(fā)光單元以及第二發(fā)光單元配置成平面形狀的一個邊角彼此鄰接，所述多個電極連接部可以從所述第一發(fā)光單元經(jīng)過所述第二發(fā)光單元的一個邊而延伸。

并且，所述第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元可以分別包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及夾設(shè)于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；第一接觸電極以及第二接觸電極，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；以及絕緣層，為了所述第一接觸電極以及第二接觸電極的絕緣，覆蓋所述第一接觸電極以及第二接觸電極的一部分。

此時，所述絕緣層可以包括：第一絕緣層，形成為覆蓋所述第二接觸電極，包括分別使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及第二接觸電極部分暴露的第一開口部以及第二開口部；以及第二絕緣層，形成為覆蓋第一接觸電極，所述第一接觸電極覆蓋所述第一絕緣層，并且包括分別使所述第一接觸電極與第二接觸電極部分暴露的第三開口部以及第四開口部。

并且，所述第一絕緣層可以包括：預(yù)絕緣層，覆蓋所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的上表面或者側(cè)面的一部分；以及主絕緣層，形成為覆蓋所述預(yù)絕緣層以及第二接觸電極。

并且，所述第一發(fā)光單元的第一接觸電極可以向所述第二發(fā)光單元的發(fā)光結(jié)構(gòu)體上部延伸而與所述第二接觸電極歐姆接觸。

并且，包括：臺面，包括所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及活性層，所述第一絕緣層可以包括覆蓋所述臺面的上部一部分的預(yù)絕緣層。

此時，所述第二接觸電極可以在所述臺面上部與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸。

并且，還包括位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的下部的基板，所述基板可以在上表面形成有多個圖案。

在此，在形成于所述基板的多個圖案中，未被所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體覆蓋而暴露的一部分可以形成為小于被所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體覆蓋的剩余部分的大小。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：第一發(fā)光單元；第二發(fā)光單元，在與所述第一發(fā)光單元相同的平面上，沿第一方向鄰接配置；多個接觸孔，在所述第一發(fā)光單元以及第二發(fā)光單元上彼此相隔配置；以及第一電極連接部，電連接所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元，其中，所述第一電極連接部包括：第1-1電極連接部，位于所述第一發(fā)光單元上；第1-2電極連接部，位于所述第二發(fā)光單元上；以及第一中間連接部，在所述第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元之間，連接所述第1-1電極連接部與第1-2電極連接部，其中，所述第1-1電極連接部可以包括第1-1邊緣部，所述第1-1邊緣部位于與所述第二發(fā)光單元鄰接的第一發(fā)光單元的第一側(cè)面的邊緣以及與所述第一側(cè)面鄰接的所述第一發(fā)光單元的另一側(cè)面?zhèn)鹊倪吘壣稀?/p>

此時，所述第一發(fā)光單元包括：第一側(cè)面，與所述第二發(fā)光單元鄰接；第二側(cè)面，與所述第一側(cè)面相對；第三側(cè)面以及第四側(cè)面，配置于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間，且彼此相對，其中，所述第1-1邊緣部可以限定配置于所述第一側(cè)面?zhèn)纫约暗谌齻?cè)面?zhèn)冗吘壣稀?/p>

并且，所述第1-1電極連接部包括從所述第1-1邊緣部延伸的多個第1-1分支部，所述多個第1-1分支部可以包括從配置于所述第三側(cè)面?zhèn)鹊牡?-1邊緣部向第二側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р?、從配置于所述第一?cè)面?zhèn)鹊牡?-1邊緣部向第二側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р?、以及從配置于所述第一?cè)面?zhèn)鹊牡?-1邊緣部向所述第四側(cè)面?zhèn)妊由斓牡?-1分支部。

此時，所述多個第1-1分支部可以彼此平行地配置，所述多個第1-1分支部可以配置于所述第一發(fā)光單元上的接觸孔之間。

并且，還可以包括連接配置于所述第一發(fā)光單元的接觸孔的接觸孔連接部，所述接觸孔連接部位于所述第1-1分支部之間，且可以包括與所述第1-1分支部平行的分支部。

并且，所述第二發(fā)光單元包括：第一側(cè)面，與所述第一發(fā)光單元鄰接；第二側(cè)面，與所述第一側(cè)面相對；第三側(cè)面，配置于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間，且與所述第一發(fā)光單元的第三側(cè)面鄰接；以及第四側(cè)面，與第三側(cè)面相對，其中，所述第1-2電極連接部可以包括第1-2邊緣部，其位于與所述第一發(fā)光單元鄰接的第二發(fā)光單元的第一側(cè)面?zhèn)扰c第四側(cè)面?zhèn)鹊倪吘壣稀?/p>

并且，所述第1-2電極連接部包括從所述第1-2邊緣部延伸的多個第1-2分支部，所述多個第1-2分支部可以平行于所述多個第1-1分支部。

在此，所述第1-2分支部可以分別連接所述第二發(fā)光單元上的接觸孔。

并且，還包括：第三發(fā)光單元，在與所述第二發(fā)光單元相同的平面上沿第一方向鄰接配置；多個接觸孔，在所述第三發(fā)光單元上彼此相隔配置；以及第二電極連接部，電連接所述第二發(fā)光單元與所述第三發(fā)光單元，其中，所述第二電極連接部包括：第2-1電極連接部，位于所述第二發(fā)光單元上；第2-2電極連接部，位于所述第三發(fā)光單元上；以及第二中間連接部，在所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元之間，連接所述第2-1電極連接部與第2-2電極連接部，所述第2-1電極連接部可以包括第2-1邊緣部，所述第2-1邊緣部位于與所述第三發(fā)光單元鄰接的所述第二發(fā)光單元的第二側(cè)面?zhèn)扰c所述第二發(fā)光單元的第三側(cè)面?zhèn)鹊倪吘壣稀?/p>

并且，所述第2-1電極連接部包括從所述第2-1邊緣部延伸的多個第2-1分支部，所述第2-1分支部可以分別與所述第1-2分支部平行配置。

并且，所述第三發(fā)光單元包括：第一側(cè)面，與所述第二發(fā)光單元鄰接；第二側(cè)面，與所述第一側(cè)面相對；第三側(cè)面，配置于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間，且與所述第二發(fā)光單元的第三側(cè)面相鄰；以及第四側(cè)面，與第三側(cè)面相對，其中，所述第2-2電極連接部可以包括第2-2邊緣部，其位于與所述第二發(fā)光單元鄰接的第三發(fā)光單元的第一側(cè)面?zhèn)扰c第四側(cè)面?zhèn)鹊倪吘壣稀?/p>

并且，所述第2-2電極連接部包括從所述第2-2邊緣部延伸的多個第2-2分支部，所述多個第2-2分支部可以平行于所述多個第2-1分支部。

在此，所述第2-2分支部可以分別連接所述第三發(fā)光單元上的接觸孔。

并且，還包括：第四發(fā)光單元，包括下部半導(dǎo)體層以及上部半導(dǎo)體層，在與所述第三發(fā)光單元相同的平面上，沿第一方向鄰接配置；多個接觸孔，在所述第四發(fā)光單元上彼此相隔配置；以及第三電極連接部，電連接所述第三發(fā)光單元與所述第四發(fā)光單元，其中，所述第三電極連接部包括：第3-1電極連接部，位于所述第三發(fā)光單元上；第3-2電極連接部，位于所述第四發(fā)光單元上；以及第三中間連接部，在所述第三發(fā)光單元與第四發(fā)光單元之間連接所述第3-1電極連接部與第3-2電極連接部，其中，所述第3-1電極連接部可以包括第3-1邊緣部，所述第3-1邊緣部位于與所述第四發(fā)光單元鄰接的所述第三發(fā)光單元的第二側(cè)面?zhèn)扰c所述第三發(fā)光單元的第三側(cè)面?zhèn)鹊倪吘壣稀?/p>

此時，所述第3-1電極連接部包括從所述第3-1邊緣部延伸的多個第3-1分支部，所述第3-1分支部可以分別與所述第2-2分支部平行配置，所述第3-2電極連接部連接所述第四發(fā)光單元上的接觸孔，且可以使所述開口部暴露。

并且，還包括第一電極焊盤以及第二電極焊盤，而所述第一電極焊盤電連接于所述第一發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第二電極焊盤電連接于所述第四發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第一電極焊盤配置于所述第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元上，所述第二電極焊盤可以配置于所述第三發(fā)光單元以及第四發(fā)光單元上。

另外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件包括：第一發(fā)光單元；第二發(fā)光單元，在與所述第一發(fā)光單元相同的平面上，沿第一方向鄰接配置；多個接觸孔，在所述第一發(fā)光單元以及第二發(fā)光單元上彼此相隔配置；以及第一電極連接部，電連接所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元，其中，所述第一電極連接部，包括：第1-1電極連接部，位于所述第一發(fā)光單元上；第1-2電極連接部，位于所述第二發(fā)光單元上；以及第一中間連接部，在所述第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元之間，連接所述第1-1電極連接部與第1-2電極連接部，其中，所述第1-1電極連接部具有彼此平行的多個第1-1分支部，所述第1-2電極連接部具有彼此平行的多個第1-2分支部，所述第1-1分支部與所述第1-2分支部彼此平行，所述第1-1分支部以及所述第1-2分支部可以相對于所述第一方向以及與所述第一方向垂直的方向傾斜。

并且，包括：第三發(fā)光單元，在與所述第二發(fā)光單元相同的平面上沿第一方向鄰接配置；多個接觸孔，在所述第三發(fā)光單元上彼此相隔配置；以及第二電極連接部，電連接所述第二發(fā)光單元與所述第三發(fā)光單元，其中，所述第二電極連接部包括：第2-1電極連接部，位于所述第二發(fā)光單元上；第2-2電極連接部，位于所述第三發(fā)光單元上；以及第二中間連接部，在所述第二發(fā)光單元與第三發(fā)光單元之間連接所述第2-1電極連接部與第2-2電極連接部，其中，所述第2-1電極連接部具有彼此平行的多個第2-1分支部，所述第2-2電極連接部具有彼此平行的多個第2-2分支部，所述第2-1分支部與所述第2-2分支部彼此平行，所述第2-1分支部以及所述第2-2分支部可以與所述第1-1分支部以及所述第1-2分支部平行。

并且，包括：第四發(fā)光單元，在與所述第三發(fā)光單元相同的平面上，沿第一方向鄰接配置；多個接觸孔，在所述第四發(fā)光單元上彼此相隔配置；以及第三電極連接部，電連接所述第三發(fā)光單元與所述第四發(fā)光單元，其中，所述第三電極連接部包括：第3-1電極連接部，位于所述第三發(fā)光單元上；第3-2電極連接部，位于所述第四發(fā)光單元上；以及第三中間連接部，在所述第三發(fā)光單元與第四發(fā)光單元之間，連接所述第3-1電極連接部與第3-2電極連接部，其中，所述第3-1電極連接部具有彼此平行的多個第3-1分支部，所述第3-1分支部可以與所述第2-1分支部以及所述第2-2分支部平行。

此時，還包括第一電極焊盤以及第二電極焊盤，而所述第一電極焊盤配置于所述第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元上，所述第二電極焊盤可以配置于所述第三發(fā)光單元以及第四發(fā)光單元上。

有益效果

根據(jù)本發(fā)明，除用于向發(fā)光結(jié)構(gòu)體施加外部電力的電極以外，配置有用于使在發(fā)光結(jié)構(gòu)體產(chǎn)生的熱散熱的散熱墊，因此具有能夠更加有效地使在發(fā)光元件產(chǎn)生的熱散熱的效果

并且，根據(jù)本發(fā)明，通過將發(fā)光元件所包含的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體中的一個配置在發(fā)光元件的中央，而將其他發(fā)光結(jié)構(gòu)體配置在配置于中央的發(fā)光結(jié)構(gòu)體的周圍，可以提高從發(fā)光元件的中央發(fā)出的光的發(fā)光強度的效果。

并且，根據(jù)本發(fā)明，在串聯(lián)電連接多個發(fā)光單元時，使電連接發(fā)光單元的電極連接部位于發(fā)光單元的彼此不同的面?zhèn)?，從而可以使施加到發(fā)光元件的電流均勻地分布到整個發(fā)光單元，因此可以使發(fā)光元件的光效率最大化。

并且，用于電連接發(fā)光單元的第一接觸電極向鄰接的發(fā)光單元延伸而電連接于鄰接的發(fā)光單元的第二接觸電極，從而可以使向發(fā)光單元之間發(fā)出的光反射并使其向發(fā)光元件的外部發(fā)出，因此具有可以最大化發(fā)光元件的光效率的效果。

并且，根據(jù)本發(fā)明，在電連接多個發(fā)光單元時，電連接發(fā)光單元的電極連接部包括配置于第一發(fā)光單元的兩個側(cè)面?zhèn)冗吘壣系倪吘壊?，從而可以使電流均勻地分散至第一發(fā)光單元的廣闊的區(qū)域。

并且，第一發(fā)光單元以及第二發(fā)光單元上的電極連接部的分支部彼此平行地配置，同時相對于排列有所述發(fā)光單元的方向而傾斜地配置，從而可以提高電流分散性能。

進而，通過串聯(lián)連接鄰接的發(fā)光單元，可以在一個發(fā)光元件使用發(fā)光特性類似的發(fā)光單元，因此可以維持預(yù)定的正向電壓，進而，通過采用所述邊緣部和/或所述分支部，可以使電流均勻地分散至多個發(fā)光單元，可以使發(fā)光單元的正向電壓更加穩(wěn)定，因此可以改善發(fā)光元件的可靠性。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

圖2是沿著圖1的截取線aa'以及bb'截取的剖面圖。

圖3是用于說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件的散熱墊的圖。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

圖5是沿著圖4的截取線cc'截取的剖面圖。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

圖9是沿著圖1的截取線aa'截取的剖面圖。

圖10是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件以及圓頂透鏡的發(fā)光二極管的圖。

圖11是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件與全反射透鏡的發(fā)光二極管的圖。

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

圖13是沿著圖1的截取線aa'、bb'以及cc'截取的剖面圖。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光二極管的圖。

圖15是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件以及圓頂透鏡的發(fā)光二極管的圖。

圖16是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件與凹透鏡的發(fā)光二極管的圖。

圖17是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件、印刷電路板以及透鏡的發(fā)光二極管的圖。

圖18是具體示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖19是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖20是沿著圖1的截取線aa'、bb'以及cc'截取的剖面圖。

圖21至圖23是拍攝根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的分析圖像。

圖24是示出根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖25是具體示出根據(jù)本發(fā)明的第九實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖26是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第九實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖27是沿著圖1的截取線aa'、bb'以及cc'截取的剖面圖。

圖28是示出根據(jù)本發(fā)明的第十實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖29是示出根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖30是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖31是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的發(fā)光元件的平面圖。

圖32是沿著圖1的截取線aa'截取的示意性的剖面圖。

圖33是沿著圖1的截取線bb'截取的示意性的剖面圖。

圖34是沿著圖1的截取線cc'截取的示意性的剖面圖。

圖35是沿著圖1的截取線dd'截取的示意性的剖面圖。

圖36是沿著圖1的截取線ee'截取的示意性的剖面圖。

圖37是沿著圖1的截取線ff'截取的示意性的剖面圖。

圖38是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的模塊的剖面圖。

圖39是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的模塊的平面圖。

圖40是用于說明將根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于照明裝置的示例的分解立體圖。

圖41是用于說明將根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于顯示裝置的示例的剖面圖。

圖42是用于說明將根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于顯示裝置的示例的剖面圖。

圖43是用于說明將根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于前照燈的示例的剖面圖。

符號說明

100：發(fā)光元件21：基板

21a：圖案23：發(fā)光結(jié)構(gòu)體

25：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層27：活性層

29：第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層31：第一接觸電極

33：第二接觸電極35：第一絕緣層

35a：預(yù)絕緣層35b：主絕緣層

37：第二絕緣層39：第一電極焊盤

41：第二電極焊盤43：散熱墊

h1：第一孔h2：第二孔

op1：第一開口部op2：第二開口部

c1～c11：第一至第十一發(fā)光單元d1～d10：第一至第十電極連接部

最優(yōu)實施方式

以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。為使本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員能夠充分理解本發(fā)明的宗旨，舉例說明以下實施例。因此，本發(fā)明并不限定于以下所述的實施例，也可以通過其他形態(tài)具體實現(xiàn)。并且，在附圖中，為了方便起見，構(gòu)成要素的寬度、長度以及厚度等，有時可能會被夸張地描述。并且，在記載為一個構(gòu)成要素位于另一構(gòu)成要素的“上部”或者“上方”的情況下，不僅包括各部分位于另一部分的“緊鄰的上部”或者“緊鄰的上方”的情況，而且也包括在各構(gòu)成要素與另一構(gòu)成要素之間還夾設(shè)有其他構(gòu)成要素的情況。在整個說明書中，相同的附圖符號表示相同的構(gòu)成要素。

參照附圖更加詳細地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖，圖2的(a)是沿著圖1的截取線aa'截取的剖面圖，圖2的(b)是沿著圖1的截取線bb'截取的剖面圖。

參照圖1以及圖2，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件10包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35、第二絕緣層37、第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43。

發(fā)光結(jié)構(gòu)體23包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上的活性層27、以及位于活性層27上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、活性層27以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29可以包括iii-v族系列的化合物半導(dǎo)體，作為一例，可以包括(al、ga、in)n之類的氮化物系半導(dǎo)體。

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25可以包括n型雜質(zhì)(例如，si)，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29可以包括p型雜質(zhì)(例如，mg)，也可以與其相反?；钚詫?7可以包括多量子阱結(jié)構(gòu)(mqw)，為了使其能夠發(fā)射出期望的峰值波長的光，可以據(jù)此確定其組成比。

此外，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27被部分去除而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25部分暴露的區(qū)域。即，如圖2的(a)以及(b)所示，可以形成有貫穿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25暴露的多個孔h。此時，孔h的形狀以及布置可以多樣地變形。并且，暴露部分第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的區(qū)域，也可以部分去除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27而形成包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27的臺面。

在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的下部可以配置有生長基板。生長基板只要是可以使發(fā)光結(jié)構(gòu)體23生長的基板21即可，例如，生長基板可以是藍寶石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化鎵基板以及氮化鋁基板等。此外，根據(jù)需要，生長基板可以利用公知的技術(shù)從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23分離而被去除。并且，雖然未圖示，但在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的下表面可以具有增加粗糙度的面。

第一接觸電極31以及第二接觸電極33可以分別與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸。首先對第二接觸電極33進行說明，第二接觸電極33形成于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的上部，并且可以覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的一部分或者全部。第二接觸電極33配置為單體，且形成為覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的上表面，且只在暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的區(qū)域沒有形成。據(jù)此，能夠通過形成為單體的第二接觸電極33向發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的整個區(qū)域均勻地供應(yīng)電流，因此可以提高電流分散效率。當然，本發(fā)明并不限定于此，根據(jù)需要，第二接觸電極33可以包括多個單位電極。

第二接觸電極33只要是可以與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸的物質(zhì)即可，例如，可以是包括金屬物質(zhì)以及導(dǎo)電氧化物中的一個以上的物質(zhì)。

在第二接觸電極33包括金屬物質(zhì)的情況下，第二接觸電極33可以包括反射層(未圖示)以及覆蓋反射層的覆蓋層(未圖示)。據(jù)此，從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)出的光可以在第二接觸電極33反射。為此，反射層可以包括具有較高的反射率且可以與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸的金屬。例如，反射層可以包括ni、pt、pd、rh、w、ti、al、ma、ag以及au中的一種以上，且可以形成為單層或多層。

此外，覆蓋層可以防止反射層與其他物質(zhì)之間的相互擴散，可以為了防止外部的其他物質(zhì)擴散至反射層并損壞反射層而配置。在反射層接觸于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上的狀態(tài)下，覆蓋層可以形成為覆蓋反射層的上表面以及側(cè)面。通過使覆蓋層形成為覆蓋反射層的側(cè)面，覆蓋層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29電連接，從而覆蓋層可以與反射層一起被用作接觸電極。這種覆蓋層可以包括au、ni、ti以及cr中的一種以上，可以形成為單層或多層。

并且，反射層以及覆蓋層分別可以通過電子束沉積或鍍覆的方式形成。

另外，在第二接觸電極33包括導(dǎo)電氧化物時，導(dǎo)電氧化物可以是ito、zno、azo、izo等。如果第二接觸電極33形成為包括導(dǎo)電氧化物，則與包括金屬的情況相比，可以形成為覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上表面更寬的區(qū)域。從暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的區(qū)域的邊緣到第二接觸電極33的相隔距離可以形成為，在第二接觸電極33包括導(dǎo)電氧化物的情況下比包括金屬的情況更短。據(jù)此，第二接觸電極33與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29接觸的部分以及第一接觸電極31與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25接觸的部分之間的最短距離相對變短，因此可以減少發(fā)光元件10的正向電壓vf。

如上所述，在第二接觸電極33包括金屬物質(zhì)的情況下以及包括導(dǎo)電氧化物的情況下，在能夠形成第二接觸電極33的面積上產(chǎn)生差異的理由可以由于制造方法的差異而產(chǎn)生。例如，金屬物質(zhì)通過沉積或鍍覆的方式形成，因此由于掩膜的工序余量而形成從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的外廓邊緣相隔預(yù)定距離的部分。相反，導(dǎo)電氧化物在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上整體形成后，通過使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25暴露的蝕刻工序而使導(dǎo)電氧化物與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29一同被去除。因此，導(dǎo)電性氧化物可以形成為相對地更靠近第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的外廓邊緣。

第一絕緣層35可以形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面以及第二接觸電極33的一部分。并且，第一絕緣層35可以形成為覆蓋孔h的側(cè)面，且可以形成為使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的一部分在孔h的底面暴露。此外，為使第二接觸電極33的一部分暴露，在第一絕緣層35可以形成有一個以上的開口部。

第一絕緣層35可以包括絕緣物質(zhì)，例如，可以包括sio2、sinx、mgf2等。并且，第一絕緣層35可以形成為多層，也可以包括由折射率彼此不同的物質(zhì)交替地層疊而成的分布布拉格反射器。

在第二接觸電極33包括導(dǎo)電氧化物的情況下，第一絕緣層35包括分布布拉格反射器而可以提高發(fā)光元件10的發(fā)光效率。此外，在第二接觸電極33包括導(dǎo)電氧化物的情況下，通過由透明絕緣氧化物(例如，sio2)形成第一絕緣層35可以形成通過第二接觸電極33、第一絕緣層35以及第一接觸電極31的層疊結(jié)構(gòu)而形成的全方位反射器。

第一接觸電極31可以形成為覆蓋形成有使第二接觸電極33的一部分暴露的開口部的部分以外的整個第一絕緣層35。據(jù)此，第一絕緣層35的一部分可以夾設(shè)于第一接觸電極31與第二接觸電極33之間。

另外，雖然未圖示于圖2，但是第一絕緣層35可以形成為能夠覆蓋包括發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面的一部分的部分。第一絕緣層35可以根據(jù)在發(fā)光元件10的制造過程中是否進行芯片單位個體化(isolation)而不同。在發(fā)光元件10的制造過程中，在將晶圓個體化為芯片單元之后形成第一絕緣層35的情況下，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面也可以被第一絕緣層35覆蓋。

第一接觸電極31形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的一部分。第一接觸電極31形成為填埋孔h而與位于與孔h對應(yīng)的部分的第一絕緣層35沒有覆蓋的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸。在本發(fā)明的第一實施例中，第一接觸電極31可以形成為覆蓋除第一絕緣層35的一部分以外的整個第一絕緣層35。據(jù)此，由于第一接觸電極31而從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)射出的光可以被反射，第一接觸層與第二接觸層可以通過第一絕緣層35彼此電絕緣。

第一接觸電極31形成為覆蓋除部分區(qū)域之外的整個發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面，從而可以通過第一接觸電極31進一步提高電流分散效率。并且，第一接觸電極31可以覆蓋未被第二接觸電極33覆蓋的部分，因此可以更加有效地使光反射而提高發(fā)光元件10的發(fā)光效率。

第一接觸電極31與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸，并起到使光反射的作用。據(jù)此，第一接觸電極31可以包括如al層的高反射性金屬層，并且可以形成為單層或多層。此時，高反射性金屬層可形成于ti、cr或ni等接觸層上，第一接觸層可以包括ni、pt、pd、rh、w、ti、al、mg、ag以及au中的一種以上。

并且，如第一絕緣層35，第一接觸電極31可以形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面的一部分，在第一接觸電極31形成至發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面的情況下，可以通過反射從活性層27向側(cè)面發(fā)光的光，而提高發(fā)光元件10的發(fā)光效率。據(jù)此，在第一接觸電極31形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面的一部分的情況下，第一絕緣層35可以夾設(shè)于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23與第一接觸電極31之間。

第二絕緣層37形成為覆蓋第一接觸電極31的除一部分之外的整體。在第二絕緣層37可以形成使第一接觸電極31的一部分暴露的第一開口部op1以及使第二接觸電極33部分暴露的第二開口部op2。此時，第一開口部op1以及第二開口部op2可以分別形成一個以上。

第二絕緣層37可以包括絕緣物質(zhì)，例如，可以包括sio2、sinx、mgf2等，可以包括多層，也可以包括由折射率不同的物質(zhì)交替地層疊的分布布拉格反射器。在第二絕緣層37形成為多層時，第二絕緣層37的最上層可以由sinx形成。據(jù)此，如果第二絕緣層37的最上層由sinx形成，則能夠有效地防止?jié)駳饨傅桨l(fā)光結(jié)構(gòu)體23。

第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可位于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23上，且分別可以電連接于第一接觸電極31以及第二接觸電極33。第一電極焊盤39通過第一開口部op1直接與第一接觸電極31接觸而電連接，第二電極焊盤41通過第二開口部op2直接與第二接觸電極33接觸并電連接。

第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41形成為具有數(shù)十μm以上的厚度，因此發(fā)光元件10本身可以作為芯片級封裝而使用。

第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以形成為單層或者多層，且可以包括具有導(dǎo)電性的物質(zhì)。例如，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以分別包括cu、pt、au、ti、ni、al以及ag中的一個以上，或者，也可以包括燒結(jié)的形態(tài)的金屬粒子以及夾設(shè)于金屬粒子之間的非金屬物質(zhì)。在此，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以利用鍍覆、沉積、滴涂(dotting)或者絲網(wǎng)印刷方法等而形成。

在利用鍍覆形成第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41的情況下，通過濺鍍等方法在第一開口部op1以及第二開口部op2的整個面形成種子金屬(seedmetal)。種子金屬可以包括ti、cu、au、cr等，可以發(fā)揮如球下ubm層(underbumpmetalizationlayer，凸點下金屬層)的作用。例如，所述種子金屬可以具有ti/cu層疊結(jié)構(gòu)。在形成種子金屬之后，在種子金屬上形成掩膜，掩膜掩蔽與形成絕緣支撐體的區(qū)域?qū)?yīng)的部分，并開放形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的區(qū)域。然后，通過鍍覆工序在掩膜的開放區(qū)域內(nèi)形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41，然后通過蝕刻工序去除掩膜以及種子金屬，從而可以形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41。

并且，利用絲網(wǎng)印刷方法形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的情況如下。在第一開口部op1以及第二開口部op2的至少一部分上，通過濺鍍等沉積以及圖案化方式或者沉積以及剝離方法形成ubm層。ubm層可形成于要形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的區(qū)域上，并且可以包括(ti或tiw)層與(cu、ni、au單層或者組合)層。例如，ubm層可以具有ti/cu層疊結(jié)構(gòu)。接著，形成掩膜，掩膜掩蔽與形成絕緣支撐體的區(qū)域?qū)?yīng)的部分，使形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的區(qū)域開放。然后，通過絲網(wǎng)印刷工序在所述開放區(qū)域內(nèi)形成如ag漿料、au漿料、cu漿料等物質(zhì)，并使其固化。然后，通過蝕刻工序去除所述掩膜，從而可以形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41。

此時，在通過如上所述的方法形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41時，如圖1所示，在本發(fā)明的第一實施例中，可以使第一電極焊盤39及第二電極焊盤41分別形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的邊角側(cè)。此外，可以調(diào)整第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41的大小以在第一電極焊盤39及第二電極焊盤41之間形成預(yù)定以上的空間。第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41的大小可以形成為在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的邊角側(cè)具有預(yù)定以下的面積。

在本發(fā)明的第一實施例中，在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的平面上，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的邊角側(cè)分別形成為三角形形狀，在第一電極焊盤39與第二電極焊盤41之間，散熱墊43可以形成為六邊形形狀。

散熱墊43可以形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的平面上，并且可以與第二絕緣層37接觸而形成。散熱墊43的厚度可以形成為與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相同的厚度或者具有比第一電極焊盤39及第二電極焊盤41小的厚度。此外，散熱墊43的面積可以形成為具有比第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的平面上的面積大的面積，如圖1所示，至少三個面可以向外面暴露。例如，散熱墊的面積可以形成為是發(fā)光元件的平面形狀的50％以上，散熱墊的面積越大，越可以提高散熱效率。

在本發(fā)明的第一實施例中，通過使第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的邊角側(cè)形成為具有預(yù)定面積以下，而可以形成于未形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的整個部分。此時，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41與散熱墊43可以形成為相隔預(yù)定距離以上。即，散熱墊43可以由與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相同的物質(zhì)形成，散熱墊43形成為與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相隔，從而可以形成為使電流不在散熱墊43流動。在此，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的形狀以及散熱墊43的形狀并不限定于圖示的形狀，根據(jù)需要可以多樣地變形。

圖3是用于說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件10的散熱墊43的隨著面積而變化的結(jié)溫的圖。

圖3的(a)是示出以往的發(fā)光元件的圖，圖3的(b)是示出本發(fā)明的發(fā)光元件的圖，是分別示出形成有第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43的發(fā)光元件10的底面的圖。以往的發(fā)光元件是未形成散熱墊43的狀態(tài)，且僅形成第一電極焊盤及第二電極焊盤，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件中，與散熱墊一同形成有第一電極焊盤39及第二電極焊盤41，且示出第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的一個邊的長度形成為約500μm的情形。

比較以往的發(fā)光元件與根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件的電流密度以及最大可施加電流的結(jié)果，可以確認由于在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件形成散熱墊而使結(jié)溫降低。據(jù)此，在預(yù)定工作范圍內(nèi)高電流驅(qū)動時，可以確保穩(wěn)定的可靠性。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖，圖5是沿著圖4的截取線cc'截取的剖面圖。

根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光元件10包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35、第二絕緣層37、第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43。此外，在對根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光元件10進行說明的同時，省略與第一實施例相同的說明。

如圖4以及圖5所示，在本發(fā)明的第二實施例中，發(fā)光元件10由多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a、23b串聯(lián)而形成。為了便于說明，僅對第一發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a以及第二發(fā)光結(jié)構(gòu)體23b串聯(lián)的部分進行說明，第一發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)體23b在基板21上部相隔形成，且形成為由第一絕緣體與第一接觸電極31填埋第一發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)體23b的相隔的空間。此時，第一發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a及第二發(fā)光結(jié)構(gòu)體23b的結(jié)構(gòu)形成為與第一實施例相同的結(jié)構(gòu)。

如此，在多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a、23b形成為串聯(lián)連接的狀態(tài)的狀態(tài)下，形成為由第二絕緣層37覆蓋多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a、23b整體，第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43分別形成于第二絕緣體上部。此時，第一電極焊盤39與第一接觸電極31通過第一開口部op1電接觸，第二電極焊盤41與第二接觸電極33通過第二開口部op2電接觸。并且，散熱墊43以分別與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相隔的狀態(tài)形成于第二絕緣層37上。

此時，在本發(fā)明的第二實施例中，對多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a、23b串聯(lián)連接的情況進行了說明，但是可以根據(jù)需要而使多個發(fā)光結(jié)構(gòu)體23a、23b并聯(lián)連接，也可以使串聯(lián)與并聯(lián)混合而連接。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

參照圖6，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光元件10包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35、第二絕緣層37、第一電極焊盤391、39b、第二電極焊盤41a、41b以及散熱墊43。并且，在對根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光元件10進行說明的同時，省略與第一實施例相同的說明。

在本發(fā)明的第三實施例中，第一電極焊盤39a、39b以及第二電極焊盤41a、41b可以分別形成兩個，第一電極焊盤39a、39b及第二電極焊盤41a、41b可以分別在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的邊角側(cè)形成為三角形形狀。并且，在第一電極焊盤39a、39b及第二電極焊盤41a、41b之間可以形成有八邊形形狀的散熱墊43。據(jù)此，八邊形形狀的散熱墊43的四個面與第一電極焊盤39a、39b及第二電極焊盤41a、41b鄰接配置，剩余四個面形成為暴露于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的外面。

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖。

參照圖7，根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的發(fā)光元件10包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35、第二絕緣層37、第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43a、43b、43c、43d。并且，在對根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的發(fā)光元件10進行說明的同時，省略與第一實施例相同的部分的說明。

在本發(fā)明的第四實施例中，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41分別形成為三角形形狀而在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的邊角側(cè)向?qū)欠较蚺渲?。此外，在第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41之間配置有四個散熱墊43a、43b、43c、43d。在四個散熱墊43a、43b、43c、43d中的未形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的位置的兩個散熱墊43b、43d形成為四邊形形狀，剩余兩個散熱墊43a、43c形成為四邊形形狀中一個邊角被倒角(chamfering)的形狀。此時，四個散熱墊43a、43b、43c、43d配置成彼此隔開的狀態(tài)，四個散熱墊43a、43b、43c、43d與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41配置成彼此隔開的狀態(tài)。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖，圖9是沿著圖1的截取線aa'截取的剖面圖。

參照圖8以及圖9，根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件10包括：第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41。

如圖8所示，在本發(fā)明的第五實施例中，對使用四個發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的情形進行說明，發(fā)光單元的數(shù)量可以根據(jù)需要而更少或者更多。

第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4彼此串聯(lián)連接，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4中的第三發(fā)光單元c3配置于發(fā)光元件10的中央，剩余發(fā)光單元c1、c2、c4配置成包圍第三發(fā)光單元c3。并且，為使通過第一電極焊盤39及第二電極焊盤41施加的電流依次從第一發(fā)光單元c1流動至第四發(fā)光單元c4，而串聯(lián)連接第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4。

此時，以發(fā)光元件10的平面形狀為四邊形形狀、第三發(fā)光單元c3的平面形狀為圓形的例進行說明，發(fā)光元件10的形狀以及第三發(fā)光單元c3的形狀可以根據(jù)需要而變形為三角形形狀、四邊形形狀、六邊形形狀以及八邊形形狀等多種形狀。

在圓形的第三發(fā)光單元c3配置于發(fā)光元件10的四邊形形狀的中央的狀態(tài)下，第一發(fā)光單元c1、第二發(fā)光單元c2以及第四發(fā)光單元c4分別形成為不同的形狀以形成四邊形狀的發(fā)光元件10的形狀。

第一發(fā)光單元c1配置于第三發(fā)光單元c3的右上側(cè)，第二發(fā)光單元c2配置于第三發(fā)光單元c3的左上側(cè)。并且，第四發(fā)光單元c4配置于第三發(fā)光單元c3的下側(cè)。據(jù)此，第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2可以形成為彼此線對稱的形狀。

如上所述，為使電流能夠從發(fā)光單元c1依次向第四發(fā)光單元c4流動，第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2彼此電連接，第二發(fā)光單元c2電連接于第三發(fā)光單元c3，第三發(fā)光單元c3電連接于第四發(fā)光單元c4。為此，以使第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2在第三發(fā)光單元c3的上側(cè)電連接且與第三發(fā)光單元c3以及第四發(fā)光單元c4電絕緣的方式相隔預(yù)定距離以上。

并且，第二發(fā)光單元c2在第三發(fā)光單元c3的上部電連接于第一發(fā)光單元c1，并在第三發(fā)光單元c3的左上部位置電連接于第三發(fā)光單元c3。第二發(fā)光單元c2以與第四發(fā)光單元c4電絕緣的方式相隔預(yù)定距離以上。

第三發(fā)光單元c3電連接于第二發(fā)光單元c2，并在第三發(fā)光單元c3的下部位置電連接于第四發(fā)光單元c4。并且，以與第一發(fā)光單元c1電絕緣的方式相隔預(yù)定距離以上。

第四發(fā)光單元c4以與第三發(fā)光單元c3電連接且與第一發(fā)光單元c1及第二發(fā)光單元c2電絕緣的方式相隔預(yù)定距離以上。

此時，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4分別可以具有相同的面積。由于第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4彼此串聯(lián)連接，因此通過使其具有相同的面積而可以使從各個發(fā)光單元c1、c2、c3、c4發(fā)出的光均勻地發(fā)出。

并且，在本發(fā)明的第五實施例中，雖然對第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4被串聯(lián)連接的情況進行了說明，但是根據(jù)需要可以并聯(lián)連接或者串聯(lián)連接。

如上所述，在配置有第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的狀態(tài)下，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41配置于第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的上部。此時，第一電極焊盤39電連接于第四發(fā)光單元c4，第二電極焊盤41電連接于第一發(fā)光單元c1。即，第一電極焊盤39并不電連接于第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3，第二電極焊盤41并不電連接于第二至第四發(fā)光單元c2、c3、c4。

并且，可以調(diào)整第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41的大小，以使第一電極焊盤39及第二電極焊盤41配置于發(fā)光元件10的兩端，而在第一電極焊盤39及第二電極焊盤41之間形成預(yù)定以上的空間。

參照圖9對根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件10的具體構(gòu)成進行說明，發(fā)光元件10還包括發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35以及第二絕緣層37。

在對根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件10的具體構(gòu)成進行說明的同時，省略與第一實施例相同的說明。

發(fā)光結(jié)構(gòu)體23包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上的活性層27、以及位于活性層27上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29。

并且，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27被部分去除而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25部分暴露的區(qū)域。即，如圖9所示，可以形成有通過貫穿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25暴露的多個孔h。此時，孔h的形狀以及配置可以多樣地變形。并且，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25部分暴露的區(qū)域，也可以部分去除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27而形成包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27的臺面。

在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的下部可以配置有生長基板。

第一接觸電極31以及第二接觸電極33可以分別與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸。第二接觸電極33形成于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的上部，并且可以覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的一部分或者全部。

第一絕緣層35可以形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面以及第二接觸電極33的一部分。并且，第一絕緣層35可以形成為覆蓋孔h的側(cè)面，且可以形成為使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的一部分暴露于孔h的底面。并且，為使第二接觸電極33的一部分暴露，在第一絕緣層35可以形成有一個以上的開口部。

第一接觸電極31可以形成為覆蓋除了形成有使第二接觸電極33的一部分暴露的開口部的部分以外的整個第一絕緣層35。據(jù)此，第一絕緣層35的一部分可以夾設(shè)于第一接觸電極31與第二接觸電極33之間。

另外，第一絕緣層35可以形成為能夠覆蓋包括發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面的一部分的部分。

第一接觸電極31形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的一部分。第一接觸電極31形成為填埋孔h而與位于與孔h對應(yīng)的部分的第一絕緣層35沒有覆蓋的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸。在本發(fā)明的第一實施例中，第一接觸電極31可以形成為覆蓋除第一絕緣層35的一部分以外的整個第一絕緣層35。據(jù)此，從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)出的光可以被第一接觸電極31反射，第一接觸層與第二接觸層可以通過第一絕緣層35彼此電絕緣。

第二絕緣層37形成為覆蓋第一接觸電極31的除一部分之外的整體。在第二絕緣層37可以形成使第一接觸電極31部分暴露的第一開口部以及使第二接觸電極33部分暴露的第二開口部op2。此時，第一開口部以及第二開口部op2可以分別形成一個以上。

第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可位于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23上，且可以分別電連接于第一接觸電極31以及第二接觸電極33。第一電極焊盤39通過第一開口部直接與第一接觸電極31接觸而電連接，第二電極焊盤41通過第二開口部op2直接與第二接觸電極33接觸而電連接。

此時，在本發(fā)明的第五實施例中，第一電極焊盤39電連接于第四發(fā)光單元c4，因此第一開口部可以形成于第四發(fā)光單元c4。據(jù)此，如圖9所示，第一電極焊盤39并不電連接于第二發(fā)光單元c2而配置于第二絕緣層37的上部。

另外，為使第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2串聯(lián)連接，第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31與第二發(fā)光單元c2的第二接觸電極33電接觸。此時，第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31可以填埋第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2之間的相隔的空間。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41形成為具有數(shù)十μm以上的厚度，發(fā)光元件10本身可以作為芯片級封裝而被使用。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以形成為單層或者多層，并且可以包括具有導(dǎo)電性的物質(zhì)。

圖10是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件以及圓頂透鏡的發(fā)光二極管的圖。并且，圖11是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件與全反射透鏡的發(fā)光二極管的圖。

如果利用根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件10構(gòu)成發(fā)光二極管，則可以將發(fā)光元件10安裝在印刷電路板1200，并在發(fā)光元件10的上部結(jié)合圓頂透鏡1310。圓頂透鏡1310形成有，從發(fā)光元件10發(fā)出的光入射的入光面1312以及位于上表面的出光面1314。入光面1312可以形成為平面形狀，根據(jù)需要可以多樣地變形。并且，出光面1314可以形成為剖面是圓形或者具有變形的圓形的曲率的面。

并且，印刷電路板1200安裝有發(fā)光元件10，并且可以通過發(fā)光元件10的第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41而供應(yīng)從外部施加的電源。并且，在印刷電路板1200的下部可以形成用于將從發(fā)光元件10傳遞的熱散熱的散熱部。

比較并測定應(yīng)用了如上所述地構(gòu)成的根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光元件10的發(fā)光二極管與相同構(gòu)成的以往的發(fā)光二極管的光效率的結(jié)果，可以確認在以往的發(fā)光二極管的光效率顯示為100％時，根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光二極管具有100.7％的光效率。

此時，如上所述，以往的發(fā)光二極管與根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光二極管的比較應(yīng)用了色坐標ciex為0.330的相同的單一熒光體。

此外，即使在替代圓頂透鏡而應(yīng)用如圖11所示的全反射透鏡1320的情況下，從根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光二極管發(fā)出的光也能夠提高在中央的亮度，因此可以提高發(fā)光二極管的光效率。

全反射透鏡1320可以是在上表面具有全反射功能的tir透鏡。即，在全反射透鏡1320形成有，使從發(fā)光元件10發(fā)出的光入射的入光面1322、位于上表面的反射部1324以及位于側(cè)面的出光面1326。據(jù)此，從發(fā)光元件10發(fā)出的光入射至全反射透鏡1310而反射并從全反射透鏡1310的側(cè)面射出。此時，在本實施例中示出入光面1322形成為平面形狀的情形，但是根據(jù)需要可以形成為凹陷的形狀。

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件的底面的仰視圖，圖13的(a)、圖13的(b)以及圖13的(c)是分別沿著圖12的截取線aa'、bb'以及cc'截取的剖面圖。

參照圖12以及圖13，根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件10包括：第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43。

如圖12所示，對在本發(fā)明的第六實施例中使用四個發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的情形進行說明，但發(fā)光單元的數(shù)量可以根據(jù)需要而更少或者更多。

第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4彼此串聯(lián)連接，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4中的第三發(fā)光單元c3配置于發(fā)光元件10的中央，剩余發(fā)光單元c1、c2、c4配置成包圍第三發(fā)光單元c3。并且，為使通過第一電極焊盤39及第二電極焊盤41施加的電流依次從第一發(fā)光單元c1流動至第四發(fā)光單元c4，而串聯(lián)連接第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4。

此時，以發(fā)光元件10的平面形狀為四邊形形狀、第三發(fā)光單元c3的平面形狀為圓形的例進行說明，發(fā)光元件10的形狀以及第三發(fā)光單元c3的形狀可以根據(jù)需要而變形為三角形形狀、四邊形形狀、六邊形形狀以及八邊形形狀等多種形狀。

在圓形的第三發(fā)光單元c3配置于發(fā)光元件10的四邊形形狀的中央的狀態(tài)下，第一發(fā)光單元c1、第二發(fā)光單元c2以及第四發(fā)光單元c4分別形成為不同的形狀以形成四邊形狀的發(fā)光元件10的形狀。

在本發(fā)明的第六實施例中，對于第一至第四發(fā)光單元的配置，如圖12所示的圖，對于配置于相同平面上的情況進行說明。此時，為了便于說明，以圖12所示的圖為基準限定上下左右而進行說明

第一發(fā)光單元c1配置于第三發(fā)光單元c3的右上側(cè)，第二發(fā)光單元c2配置于第三發(fā)光單元c3的左上側(cè)。此外，第四發(fā)光單元c4配置于第三發(fā)光單元c3的下側(cè)。據(jù)此，第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2可以形成為彼此線對稱的形狀。

此外，第二發(fā)光單元c2電連接于第一發(fā)光單元c1，并在第三發(fā)光單元c3的上部電連接，在第三發(fā)光單元c3的左上部位置電連接于第三發(fā)光單元c3。第二發(fā)光單元c2與第四發(fā)光單元c4相隔預(yù)定距離以上而電絕緣。

第四發(fā)光單元c4與第三發(fā)光單元c3電連接，且與第一發(fā)光單元c1及第二發(fā)光單元c2相隔預(yù)定距離以上而電絕緣。

另外，在本發(fā)明的第六實施例中，雖然對第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4被串聯(lián)連接的情況進行了說明，但是根據(jù)需要可以并聯(lián)連接或者串聯(lián)連接。

如上所述，在配置有第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的狀態(tài)下，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41分別配置于第四發(fā)光單元c4以及第一發(fā)光單元c1的上部。并且，第一電極焊盤39電連接于第四發(fā)光單元c4，第二電極焊盤41電連接于第一發(fā)光單元c1。

并且，在本實施例中，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41在多個發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的上部邊角側(cè)分別形成為三角形形狀，在第一電極焊盤39與第二電極焊盤41之間，散熱墊43可以形成為六邊形形狀。此時，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的形狀以及散熱墊43的形狀并不限定于圖示的形狀，根據(jù)需要可以多樣地變形。并且，第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43可以彼此相隔預(yù)定距離以上而配置。

如上所述，在第三發(fā)光單元c3配置于發(fā)光元件10的中央，第一發(fā)光單元c1、第二發(fā)光單元c2以及第四發(fā)光單元c4配置成包圍第三發(fā)光單元c3的狀態(tài)下，通過提高配置于中央的第三發(fā)光單元c3的電流密度可以提高發(fā)光元件10的中央的光效率。例如，第三發(fā)光單元c3的電流密度可以通過使第三發(fā)光單元c3的面積相對其余發(fā)光單元c1、c2、c4小而提高。

如果如此提高第三發(fā)光單元c3的電流密度，據(jù)此可以在第三發(fā)光單元c3集中產(chǎn)生熱量。據(jù)此，為了使從第三發(fā)光單元c3產(chǎn)生的熱散熱而具備散熱墊43，在本發(fā)明的第六實施例中，如圖12所示，散熱墊43可以配置成能夠覆蓋整個第三發(fā)光單元c3。

參照圖13對根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件10的具體構(gòu)成進行說明，發(fā)光元件10還包括基板21、發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35以及第二絕緣層37。

基板21只要是可以使發(fā)光結(jié)構(gòu)體23生長的基板則不受限定，例如，可以是藍寶石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化鎵基板以及氮化鋁基板等。這種基板21可以利用公知的技術(shù)從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23分離而被去除。另外，雖然未圖示，但發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的下表面可以具有粗糙度增加的面。

發(fā)光結(jié)構(gòu)體23包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上的活性層27、以及位于活性層27上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29。

此外，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27被部分去除而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25部分暴露的區(qū)域。即，如圖13所示，可以形成有通過貫穿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27而暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的多個孔h。此時，孔h的形狀以及配置可以多樣地變形。

第一接觸電極31以及第二接觸電極33可以分別與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸。首先對第二接觸電極33進行說明，第二接觸電極33形成于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的上部，并且可以覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的一部分或者全部。

第二接觸電極33只要是可以與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸的物質(zhì)即可，例如，可以是包括金屬物質(zhì)以及導(dǎo)電氧化物中的一種以上的物質(zhì)。

第一絕緣層35形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面，可以形成為覆蓋除用于暴露第二接觸電極33的一部分以外的全部。并且，第一絕緣層35形成為覆蓋通過形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的孔h暴露的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29與活性層28。并且，為了第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25與第一接觸電極31的歐姆接觸，第一絕緣層可以以第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25部分暴露于孔h的底面的方式形成于孔h的底面。并且，第一絕緣層35可以以使第二接觸電極33部分暴露的方式形成于第二接觸電極33上部。

第一絕緣層35可以包括絕緣物質(zhì)，例如，可以包括sio2、sinx、mgf2等。并且，第一絕緣層35可以形成為多層，也可以包括由折射率彼此不同的物質(zhì)交替地層疊而成的分布布拉格反射器。

另外，雖然未示出于圖14，但是第一絕緣層35可以形成為能夠覆蓋包括基板21的一部分的部分。第一絕緣層35可以根據(jù)在發(fā)光元件10的制造過程中是否進行芯片單位個體化(isolation)而不同。在發(fā)光元件10的制造過程中，在將晶圓以芯片單位個體化之后形成第一絕緣層35的情況下，基板21的一部分可以被第一絕緣層35覆蓋。

第一接觸電極31形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上部，可以形成為覆蓋除第一接觸電極35的一部分以外的整個第一絕緣層35。此時，第一接觸電極31形成為填埋形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的孔h，從而與暴露于孔h的底面的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸。如上所述，第一接觸電極31形成為覆蓋第一絕緣層35的大部分，因此從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)出的光可以在第一接觸電極31反射。

并且，第一接觸電極31與第二接觸電極33可以被第一絕緣層35彼此電絕緣。

第二絕緣層37形成為覆蓋第一接觸電極31的除一部分之外的全部。在第二絕緣層37，如圖13的(c)所示，可以形成有使第一接觸電極31部分暴露的第一開口部op1，如圖13的(a)所示，可以形成有使第二接觸電極33部分暴露的第二開口部op2。此時，第二開口部op2可形成于第一絕緣層35、第一接觸電極31以及第二絕緣層37。并且，第一開口部op1以及第二開口部op2可以分別形成一個以上。

第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41位于第二絕緣層37上，且可以分別電連接于第一接觸電極31以及第二接觸電極33。第一電極焊盤39通過第一開口部op1與第一接觸電極31接觸并電連接，第二電極焊盤41通過第二開口部op2與第二接觸電極33接觸并電連接。

此時，在本發(fā)明的第六實施例中，如圖13的(c)所示，第一電極焊盤39電連接于第四發(fā)光單元c4，因此第一開口部op1可以形成于第四發(fā)光單元c4。

并且，如圖13的(b)所示，第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2可以形成于相同的基板21上，在第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2之間形成相隔的空間。此時，第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2之間的相隔的空間的側(cè)面以及底面可以被第一發(fā)光單元c1的第一絕緣層35覆蓋。

為使第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2串聯(lián)連接，第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31與第二發(fā)光單元c2的第二接觸電極33電接觸。此時，第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31可以填埋第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2之間的相隔的空間。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41形成為具有數(shù)十μm以上的厚度，因此發(fā)光元件10本身可以作為芯片級封裝而使用。

散熱墊43可以形成于第二絕緣層37的平面上，可以與第二絕緣層37接觸而形成。散熱墊43的厚度也可以形成為與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相同的厚度或者具有比第一電極焊盤39及第二電極焊盤41小的厚度。并且，散熱墊43的面積可以形成為具有比第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的平面上的面積大的面積，如圖12所示，至少三個面可以向外部暴露。例如，散熱墊的面積可以形成為是發(fā)光元件的平面形狀的50％以上，散熱墊的面積越大，越可以提高散熱效率。

在本發(fā)明的第六實施例中，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的邊角側(cè)形成為具有預(yù)定面積以下，從而可以形成于未形成第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的整個部分。此時，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41與散熱墊43可以形成為相隔預(yù)定距離以上以彼此電絕緣。即，散熱墊43可以由與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相同的物質(zhì)形成，散熱墊43形成為與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相隔，從而可以形成為電流不在散熱墊43流動。在這里，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41的形狀以及散熱墊43的形狀并不限定于圖示的形狀，可以根據(jù)需要而多樣地變形。

圖14的(a)是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件與印刷電路板結(jié)合的一例的剖面圖。

根據(jù)本發(fā)明的一例的發(fā)光二極管包括發(fā)光元件10與印刷電路板1200。發(fā)光元件10與以上所述說明相同，而印刷電路板1200包括基板本體1201、絕緣部1203以及引線部1205。

在本發(fā)明的一例中，基板本體1201由金屬形成，且為使從發(fā)光元件10產(chǎn)生的熱通過散熱墊43傳遞到基板本體1201而直接與散熱墊43接觸。如圖所示，引線部1205形成兩個以上，在發(fā)光元件10安裝于印刷電路板1200時，與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41接觸而電連接。絕緣部1203夾設(shè)于基板本體1201與引線部1205之間，使引線部1205與基板本體1201絕緣。

此時，為使基板本體1201與散熱墊43接觸，未形成引線部1205的位置突出形成，突出形成的部分的高度與引線部1205的高度相同地突出。并且，為使基板本體1201與引線部1205電絕緣，基板本體1201的突出形成的部分與引線部1205可以形成為彼此相隔預(yù)定距離以上。

圖14的(b)是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件與印刷電路板結(jié)合的另一例的剖面圖。

根據(jù)本發(fā)明的另一例的發(fā)光二極管包括發(fā)光元件10與印刷電路板1200，在對本發(fā)明的另一例進行說明時，省略對與本發(fā)明的一例相同的構(gòu)成的說明。

在本發(fā)明的另一例中，基板本體1201的未形成引線部1205的位置突出形成，但突出形成的位置的高度相當于絕緣部1203的高度。并且，為使基板本體1201與引線部1205電性絕緣，基板本體1201的突出形成的部分與引線部1205可以形成為彼此相隔預(yù)定距離以上。

并且，在基板本體1201的突出形成的部分的上部形成有散熱部1207。如圖所示，散熱部1207與引線部1205相隔預(yù)定距離以上而形成，并具有與引線部1205相同的高度。據(jù)此，在發(fā)光元件10安裝于印刷電路板1200時，散熱部1207與散熱墊43接觸。并且，散熱部127可以由與引線部1205相同的金屬形成，但并不限定于此。

圖14的(c)是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件與印刷電路板結(jié)合的又一例的剖面圖。

根據(jù)本發(fā)明的又一例的發(fā)光二極管包括發(fā)光元件10與印刷電路板1200，在對本發(fā)明的又一例進行說明時，省略對與本發(fā)明的一例相同的構(gòu)成的說明。

在本發(fā)明的又一例中，基板本體1201由有機硅或陶瓷等絕緣物質(zhì)形成，引線部1205可以從基板本體1201的一面貫穿至作為相反面的另一面而形成。并且，散熱部1207可以分別形成于一面以及另一面。據(jù)此，在發(fā)光元件10安裝于印刷電路板1200時，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41可以直接與引線部1205接觸，而散熱墊43可以直接與散熱部1207接觸。此時，引線部1205與散熱部1207可以彼此相隔地形成。

圖15是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件以及圓頂透鏡的發(fā)光二極管的圖。

如果利用根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件10構(gòu)成發(fā)光二極管，則可以將發(fā)光元件10安裝在印刷電路板1200，并在發(fā)光元件10的上部結(jié)合圓頂透鏡1310。圓頂透鏡1310形成有從發(fā)光元件10發(fā)出的光入射的入光面1312以及位于上表面的出光面1314。入光面1312可以形成為平面形狀，可以根據(jù)需要多樣地變形。并且，出光面1314可以形成為剖面是圓形或者具有變形的圓形的曲率的面。

并且，印刷電路板1200安裝有發(fā)光元件10，并且可以通過發(fā)光元件10的第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41而供應(yīng)從外部施加的電源。并且，在印刷電路板1200的下部可以形成用于將從發(fā)光元件10傳遞的熱散熱的散熱部。

比較并測定應(yīng)用了如此構(gòu)成的根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件10的發(fā)光二極管與相同構(gòu)成的以往的發(fā)光二極管的光效率的結(jié)果，可以確認在以往的發(fā)光二極管的光效率顯示為100％時，根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光二極管具有100.7％的光效率。

此時，如上所述，以往的發(fā)光二極管與根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光二極管的比較中應(yīng)用了色坐標ciex為0.330的相同的單一熒光體。

圖16是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件與凹透鏡的發(fā)光二極管的圖。

即使在替代圓頂透鏡而應(yīng)用如圖16所示的凹透鏡1320的情況下，從根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光二極管發(fā)出的光也能夠提高在中央的亮度，因此可以提高發(fā)光二極管的光效率。

凹透鏡1320可以是tir透鏡。即，在凹透鏡1320形成有，從發(fā)光元件10發(fā)出的光入射的入光面1322、位于上表面的反射部1324以及位于側(cè)面的出光面1326。據(jù)此，從發(fā)光元件10發(fā)出的光入射到凹透鏡1320而從凹透鏡1320的側(cè)面反射而射出。此時，在本發(fā)明的第六實施例中示出入光面1322為平面形狀的情形，但是可以根據(jù)需要而形成為凸出的形狀。

圖17是示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件、印刷電路板以及透鏡的發(fā)光二極管的圖。

圖17的(a)至(c)示出在根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光元件10安裝于圖14所示的印刷電路板1200的狀態(tài)下，圓頂透鏡1310形成于發(fā)光元件10的上部的情形。如圖17的(a)至(c)所示，可以形成為覆蓋安裝有發(fā)光元件10的整個印刷電路板1200，發(fā)光元件10的第一電極焊盤39及第二電極焊盤41可以直接與引線部1205接觸而電連接。并且，散熱墊43在直接與印刷電路板1200的散熱部1207接觸或者在印刷電路板1200由金屬形成的情況下，可以直接與印刷電路板1200接觸。

此時，在本發(fā)明的第六實施例說明的圓頂透鏡1310或者凹透鏡1320可以包括使從發(fā)光元件10發(fā)出的光波長轉(zhuǎn)換的熒光體。熒光體可以將從發(fā)光元件10發(fā)出的光體現(xiàn)為多樣的顏色，尤其，也可以體現(xiàn)為如白色光的混合光。

圖18是具體示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的平面圖，圖19是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的平面圖。圖20a是沿著圖18的截取線aa'截取的剖面圖，圖20b是沿著圖18的bb'截取的剖面圖，圖20c是沿著圖18的截取線cc'截取的剖面圖。圖21是拍攝根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的第一接觸電極與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸的位置的分析圖片，圖22是拍攝根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的邊緣剖面的分析圖片。圖23是拍攝根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件的第一接觸電極與第二接觸電極歐姆接觸的位置的分析圖片。

如圖18至圖20所示，根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件10包括：第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3、第一電極連接部d1、第二電極連接部d2、第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41。

如圖18以及圖19所示，在本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件10中，第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3串聯(lián)電連接，第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3形成為具有大致相同的面積。據(jù)此，第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3以并排地彼此鄰接的狀態(tài)配置。

此外，第一發(fā)光單元c1通過第一電極連接部d1電連接于第二發(fā)光單元c2，第二發(fā)光單元c2通過第二電極連接部d2電連接于第三發(fā)光單元c3。即，第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3通過第一電極連接部d1及第二電極連接部d2串聯(lián)電連接。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41形成為分別覆蓋第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3的一部分，且以彼此相隔預(yù)定距離以上的狀態(tài)配置。第一電極焊盤及第二電極焊盤41與外部電源連接，而向發(fā)光元件10施加電源。

并且，第二電極焊盤41電連接于第一發(fā)光單元c1，第二電極焊盤41電連接于第三發(fā)光單元c3。即，如圖19所示，電流從外部電源通過第二電極焊盤41并通過第一發(fā)光單元c1、第二發(fā)光單元c2以及第三發(fā)光單元c3流向第一電極焊盤39。此時，為使從第二電極焊盤41施加的電流均勻地分散到第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3的整個區(qū)域，可以將第一電極連接部d1以及第二電極連接部d2配置于相隔最遠的位置。

即，通過使第一電極連接部d1形成于第二發(fā)光單元c2的上部，第二電極連接部d2形成于第三發(fā)光單元c3的上部，第一電極連接部d1電連接第一發(fā)光單元c1及第二發(fā)光單元c2，第二電極連接部d2電連接第二發(fā)光單元c2及第三發(fā)光單元c3。此時，為了將第一電極連接部d1與第二電極連接部d2彼此相隔最遠地配置，以第二發(fā)光單元為基準進行的說明如下。以第二發(fā)光單元c2為基準，第一電極連接部d1形成于第二發(fā)光單元c2的一側(cè)，第二電極連接部d2形成于作為第二發(fā)光單元c2的一側(cè)的相反側(cè)的另一側(cè)。并且，為使第一電極連接部d1與第二電極連接部d2以第二發(fā)光單元c2為基準而相隔最遠，以第二發(fā)光單元c2為基準配置于對角方向。

如圖18所示，根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的發(fā)光元件10中，三個發(fā)光單元c1、c2、c3在一列并排配置。并且，由于第一發(fā)光單元c1的一部分電連接于第二電極焊盤41，因此可以使第一電極連接部d1形成于不與第二電極焊盤41電連接的位置。并且，為使第二電極連接部d2與第一電極連接部d1相隔最遠距離，第二電極連接部d2以第二發(fā)光單元c2為基準而可以配置于第一電極連接部d1的對角方向。據(jù)此，可以在第三發(fā)光單元c3的一部分形成第二電極連接部d2，并在不形成第二電極連接部d2的位置使第三發(fā)光單元c3電連接于第一電極焊盤39。

據(jù)此，如圖19所示，電流可以在第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3的整個區(qū)域流動。

在這里，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41分別配置于第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3，因此可以更加有效地將通過從第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3由于施加的電流而產(chǎn)生的熱散熱至外部。

參照圖20對第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3的具體構(gòu)成進行說明。

如圖20a所示，第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3分別包括：基板21、發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35、第二絕緣層37、第三絕緣層、第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41。

基板21只要是可以使發(fā)光結(jié)構(gòu)體23生長的基板則不受限定，例如，可以是藍寶石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化鎵基板以及氮化鋁基板等。并且，在本發(fā)明的第七實施例中，在基板21的上表面可以形成多個圖案21a。如圖20a所示，形成于基板21上表面的多個圖案21a可以在基板21的上表面形成為多個突起形狀，各圖案21a形狀的上表面可以形成有頂點(peak)，也可以形成為平坦的面。在這里，如圖20a以及圖22所示，形成于基板21的上表面的多個圖案21a可以在上表面沒有形成發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的位置具有較小的大小。

并且，基板21可以利用公知的技術(shù)從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23分離，據(jù)此，在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的下表面可以具有粗糙度增加的面。

發(fā)光結(jié)構(gòu)體23包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上的活性層27、以及位于活性層27上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29。

并且，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27被部分去除而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25部分暴露的區(qū)域。即，如圖20a所示，可以形成有通過貫穿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25暴露的第一孔h1。此時，第一孔h1的形狀以及配置可以多樣地變形。

并且，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括臺面，所述臺面包括活性層27與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29，而臺面還可以包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的一部分。并且，第一孔h1可以形成于臺面而暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25，第一孔h1可以形成多個。

第一接觸電極31以及第二接觸電極33可以分別與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸。首先，對第二接觸電極33進行說明，第二接觸電極33形成為覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的上部，第二接觸電極33可形成于臺面的上部。

第二接觸電極33由可以與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸的物質(zhì)構(gòu)成，例如，可以是包括金屬物質(zhì)或?qū)щ娧趸锏奈镔|(zhì)。在第二接觸電極33包括金屬物質(zhì)的情況下，第二接觸電極33可以包括與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸的反射層(未圖示)以及為了保護反射層而覆蓋反射層的覆蓋層(未圖示)。在這里，反射層可以包括金屬，可以形成為單層或多層。在第二接觸電極33形成為多層時，第二接觸電極33可以包括ti、ni以及au，可以是在ti以及ni交替層疊的結(jié)構(gòu)上依次層疊有au以及ti的結(jié)構(gòu)。

第一絕緣層35形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面，可以形成為覆蓋第二接觸電極33。第一絕緣層35可以形成為覆蓋形成于臺面的第一孔h1的側(cè)面。并且，如圖20b以及圖20c所示，在第一絕緣層35可以形成有用于使第二接觸電極33部分暴露的第二孔h2。據(jù)此，可以通過第二孔h2而使與第二接觸電極33鄰接的發(fā)光單元的第一接觸電極31歐姆接觸。

第一絕緣層35包括絕緣物質(zhì)，例如，可以包括sio2、sinx、mgf2等，可以形成為多層，也可以包括由折射率不同的物質(zhì)交替地層疊而成的分布布拉格反射器。

另外，如圖20a至圖20c所示，第一絕緣層35可以形成為覆蓋基板21的一部分。這可以根據(jù)在發(fā)光元件10的制造過程中是否進行芯片單位個體化(isolation)而不同，在發(fā)光元件10的制造過程中以芯片單位對晶圓進行個體化之后，形成第一絕緣層35，從而可以形成為第一絕緣層35覆蓋基板21的一部分。據(jù)此，第一絕緣層35可以形成為覆蓋從基板21的側(cè)面暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面，可以形成為覆蓋基板21至發(fā)光元件10的兩側(cè)末端。

此時，當?shù)谝唤^緣層35形成為覆蓋基板21的一部分時，可以形成為不完全覆蓋形成于基板21的多個圖案21a而僅覆蓋一部分。據(jù)此，在相應(yīng)的位置，基板21的多個圖案21a可以向第一絕緣層35的上部暴露。

并且，如圖20c所示，在發(fā)光單元與發(fā)光單元之間的相隔的空間也可以形成為覆蓋基板21的一部分。

另外，第一絕緣層35可以包括預(yù)絕緣層(pre-insulationlayer)35a以及主絕緣層(maininsulationlayer)35b。預(yù)絕緣層35a可以在主絕緣層35b之前形成，據(jù)此，預(yù)絕緣層35a可以位于主絕緣層35b的下部。

預(yù)絕緣層35a可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的一部分，且可以形成為覆蓋第二接觸電極33的上表面的一部分或者第二接觸電極33的側(cè)面。在預(yù)絕緣層35a形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面之后，通過蝕刻可以使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的一部分暴露。在據(jù)此暴露的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上可以形成第二接觸電極33。據(jù)此，預(yù)絕緣層35a可以與第二接觸電極33連接。

另外，預(yù)絕緣層35a可以在第二接觸電極33的形成過程中形成。例如，在第二接觸電極33包括導(dǎo)電氧化物層(未示出)與反射電極層(未示出)時，可以在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上形成導(dǎo)電氧化物層，而在形成反射電極層之前形成預(yù)絕緣層35a。在形成反射電極層之后，形成覆蓋反射電極層的主絕緣層35b，從而可以形成第一絕緣層35。在本實施例中，預(yù)絕緣層35a的厚度大約可以是第二接觸電極33的厚度大約可以是

在本發(fā)明的第七實施例中，預(yù)絕緣層35a可以由與主絕緣層35b彼此相同的物質(zhì)形成，例如，可以包括sio2。

在此，在形成主絕緣層35b之前為了發(fā)光元件10的芯片單位個體化(isolation)可以對發(fā)光元件10的邊緣進行蝕刻(etching)，但在這過程中，暴露于基板21的邊緣側(cè)的多個圖案21a可能會同時被蝕刻。因此，如圖20a所示，暴露的多個圖案21a可以形成為大小小于被發(fā)光結(jié)構(gòu)體23覆蓋的多個圖案21a的大小。

第一接觸電極31形成于第一絕緣層35的上部，形成為覆蓋第一絕緣層35的除一部分以外的整體。據(jù)此，可以填充形成于臺面的第一孔h1以及形成于第一絕緣層35的第二孔h2。如圖20a所示，第一接觸電極31通過形成于臺面的第一孔h1而與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸。并且，如圖20b以及圖20c所示，第一接觸電極31可以使形成于第一絕緣層35的第二孔h2與相鄰的其他發(fā)光單元的第二接觸電極33歐姆接觸。

在此，為了形成第一孔h1以及第二孔h2而蝕刻第一絕緣層35，在這過程中，通過第一孔h1暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的一部分表面可能同時被蝕刻，通過第二孔h2暴露的第二接觸電極33的一部分可能同時被蝕刻。

如此，在為了形成第一孔h1而蝕刻第一絕緣層35的過程中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的一部分表面可能會與第一絕緣層35一起被蝕刻。據(jù)此，如圖21所示，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25可以在形成有第一孔h1的位置形成臺階。

并且，如上所述，如果第二接觸電極33是在交替層疊ti以及ni的結(jié)構(gòu)上依次層疊au以及ti的結(jié)構(gòu)，則在第一絕緣層35被蝕刻的過程中，在第二接觸電極33的最上層層疊的ti也可能會一起被蝕刻。據(jù)此，第一絕緣層35與第二接觸電極33接觸的位置的第二接觸電極33的最上層是ti，通過第二孔h2暴露的第二接觸電極33的最上層可以是au。因此，第一接觸電極31可以通過第二孔h2與最上層為au的第二接觸電極33歐姆接觸。在這里，在第一接觸電極31被蝕刻的同時，現(xiàn)有最上層的ti被蝕刻，其下一層的au的一部分也可以同時被蝕刻。據(jù)此，如圖23所示，第一接觸電極31可以在形成有第二孔h2的位置形成臺階。此時，第一絕緣層35可以通過干式蝕刻(dryetching)的方式被蝕刻。

并且，第一接觸電極31形成為覆蓋第一絕緣層35的除一部分以外的全部，因此，從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)出的光可以在第一接觸電極31被反射。如圖20a至20c所示，第一接觸電極31形成為覆蓋基板21的側(cè)面，且形成為也覆蓋在發(fā)光單元之間相隔的空間的側(cè)面，因此從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)出的光可以在第一接觸電極31反射而向外部發(fā)出。據(jù)此，可以最大化發(fā)光元件10的光效率。

在此，第一接觸電極31可以發(fā)揮在圖18以及圖19中的第一電極連接部d1及第二電極連接部d2的作用。即，參照圖20c，第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31經(jīng)過第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2的相隔的空間而延伸形成至第二發(fā)光單元c2的第二接觸電極33的上部。第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31形成為覆蓋第二發(fā)光單元c2的臺面、第一絕緣層35以及第二接觸電極33的一部分，通過形成于第二發(fā)光單元c2的第一絕緣層35的第二孔h2而與第二發(fā)光單元c2的第二接觸電極33歐姆接觸。并且，第二發(fā)光單元c2的第一接觸電極31形成為以與第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31相隔預(yù)定距離的狀態(tài)覆蓋第二發(fā)光單元c2的第一絕緣層35。

據(jù)此，如圖20c所示，第一接觸電極31可以形成為覆蓋相鄰的發(fā)光單元的側(cè)面。即，第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31可以形成為從第一發(fā)光單元c1的上部延伸而與第二發(fā)光單元c2的側(cè)面一起覆蓋第二發(fā)光單元c2的上部一部分。

另外，如上所述，第一接觸電極31可以通過多個第一孔h1與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸，此時，如圖19以及圖20b所示，在多個第一孔h1之間可以配置有第一電極連接部d1或者第二電極連接部d2。即，如果使用圖20b進行說明，則第一接觸電極31在第三發(fā)光單元c3中形成為覆蓋多個臺面，并形成為通過第一孔h1與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸。此時，第二發(fā)光單元c2的第一接觸電極31延伸并通過配置于第一孔h1之間的第二孔h2而與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸，從而可以形成第二電極連接部d2。換言之，第二電極連接部d2可以配置于第一孔h1之間。

如上所述，第一接觸電極31與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸，并起到反射光的作用。據(jù)此，第一接觸電極31可以包括如al層的高反射性金屬層，且可以形成為單層或多層。此時，高反射性金屬層可形成于ti、cr或ni等接觸層上，第一接觸電極31可以包括ni、pt、pd、rh、w、ti、al、mg、ag以及au中的一種以上。

第二絕緣層37可以形成為覆蓋第一接觸電極31的除一部分之外的全部。在第二絕緣層37可以形成有用于使第一接觸電極31部分暴露的第一開口部op1以及用于使第二接觸電極33部分暴露的第二開口部op2。此時，第二開口部op2可形成于第一絕緣層35、第一接觸電極31以及第二絕緣層37，第一開口部op1以及第二開口部op2可以分別形成一個以上。

通過形成于第二絕緣層37的第一開口部op1，第一電極焊盤39可以與第一接觸電極31歐姆接觸，第二電極焊盤41可以通過第二開口部op2與第二接觸電極33歐姆接觸。

第二絕緣層37可以包括絕緣物質(zhì)，例如，可以包括sio2、sinx、mgf2等，可以包括多層，也可以包括由折射率不同的物質(zhì)交替地層疊而成的分布布拉格反射器。在第二絕緣層37形成為多層時，第二絕緣層37的最上部層可以由sinx形成。據(jù)此，如果第二絕緣層37的最上部層由sinx形成，則能夠有效地防止?jié)駳饨傅桨l(fā)光結(jié)構(gòu)體23。

第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41位于第二絕緣層37上，第一電極焊盤39可以電連接于第一接觸電極31，第二電極焊盤41可以電連接于第二接觸電極33。如圖20a所示，第一電極焊盤39可以通過第一開口部op1與第一接觸電極31歐姆接觸。并且，第二電極焊盤41可以通過第二開口部op2與第二接觸電極33歐姆接觸。

第一電極焊盤39形成于第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3，第一開口部op1形成于第三發(fā)光單元c3。據(jù)此，第一電極焊盤39與第三發(fā)光單元c3的第一接觸電極31歐姆接觸。并且，第二電極焊盤41以與第一電極焊盤39相隔預(yù)定距離以上的狀態(tài)形成于第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3，第二開口部op2形成于第一發(fā)光單元c1。據(jù)此，第二電極焊盤41與第一發(fā)光單元c1的第二接觸電極33歐姆接觸。

此時，第一開口部op1以及第二開口部op2可以通過第二絕緣層37的蝕刻而形成。在蝕刻第二絕緣層37的過程中，通過第一開口部op1及第二開口部op2暴露的第一接觸電極31以及第二接觸電極33的一部分可以被蝕刻。即，在第一接觸電極31及第二接觸電極33形成為包括ti、ni以及au的多層時，可以在ti以及ni交替層疊的結(jié)構(gòu)上依次層疊au以及ti而形成。此時，第一接觸電極31及第二接觸電極33，分別在形成第一開口部op1及第二開口部op2的過程中，層疊于最上層的ti與第二絕緣層37同時被蝕刻，因此通過第一開口部op1及第二開口部op2暴露的第一接觸電極31及第二接觸電極33的最上層可以成為au。據(jù)此，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41可以通過第一開口部op1及第二開口部op2與最上層為au的第一接觸電極31及第二接觸電極33歐姆接觸。此時，第二絕緣層37可以通過干式蝕刻(dryetching)而被蝕刻。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以分別形成為填埋第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3之間的相隔的空間，且形成為具有數(shù)十μm以上的厚度，因此發(fā)光元件10本身可以作為芯片級封裝而被使用。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以分別形成為單層或者多層，且可以包括具有導(dǎo)電性的物質(zhì)。例如，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以分別包括cu、pt、au、ti、cr、ni、al以及ag中的一個以上，或者，也可以包括燒結(jié)的形狀的金屬粒子以及夾設(shè)于金屬粒子之間的非金屬物質(zhì)。在此，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以利用鍍覆、沉積、滴涂(dotting)或者絲網(wǎng)印刷方法等而形成。

雖然未示出，但是在本發(fā)明的第七實施例中，還可以包括散熱墊。在發(fā)光元件10的平面形狀中，散熱墊可以在第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41之間與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相隔配置。散熱墊配置在第二絕緣層37上而配置成與其他構(gòu)成絕緣的狀態(tài)。據(jù)此，從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23產(chǎn)生的熱可以通過第二絕緣層37而傳遞到散熱墊。

散熱墊可以包括與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相同的材質(zhì)，可以通過相同的方法形成。此外，在本發(fā)明的第七實施例中，第一電極焊盤39及第二電極焊盤41與全部散熱墊可以形成為覆蓋發(fā)光元件10的大部分，例如，可以形成為覆蓋發(fā)光元件10的平面形狀的50％以上。

以上所述的發(fā)光元件10可以通過如下所述的方法進行制造。在基板21上部使發(fā)光結(jié)構(gòu)體23生長，蝕刻生長的發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的一部分而形成臺面。據(jù)此，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括一個以上的臺面，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、活性層27以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29可以暴露于臺面的側(cè)面。如上所述，如果在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23形成臺面，則以覆蓋臺面的上部以及側(cè)面的方式形成預(yù)絕緣層35a。

然后，蝕刻所形成的預(yù)絕緣層35a中臺面上部的一部分，在通過蝕刻而暴露的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上部形成第二接觸電極33。這樣，在形成有第二接觸電極33的狀態(tài)下，通過發(fā)光元件10的芯片單位個體化工序?qū)l(fā)光元件10形成為芯片單元，通過該過程將發(fā)光元件10分離為多個發(fā)光單元。

在這里，通過芯片單位個體化工序，發(fā)光元件10的邊緣位置的基板21的一部分與發(fā)光單元之間的基板21的一部分可能會暴露，并且形成于基板21上部的多個圖案21a的一部分的大小可以通過蝕刻而變小。

如上所述，以覆蓋分離為多個發(fā)光單元的發(fā)光元件10的整個上部與從臺面?zhèn)让姹┞兜陌l(fā)光結(jié)構(gòu)體23的方式形成第一絕緣層35(此時，第一絕緣層即為主絕緣層35b)。此時，第一絕緣層35形成為覆蓋至從臺面暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的開口部，并蝕刻在相應(yīng)開口部形成的第一絕緣層35而形成第一孔h1，以使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25暴露。另外，為了將與發(fā)光單元鄰接的發(fā)光單元電連接，覆蓋第二接觸電極33上部的第一絕緣層35的一部分也同時被蝕刻，從而以暴露第二接觸電極33的一部分的方式形成第二孔h2。

如上所述，以覆蓋形成有第一孔h1以及第二孔h2的第一絕緣層35的上部的方式形成第一接觸電極31。第一接觸電極31可以形成于發(fā)光元件10的整個區(qū)域，也可以形成于發(fā)光單元之間的空間而使從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)射的光可以被第一接觸電極31反射。并且，多個發(fā)光單元中的一個第一接觸電極31可以形成為覆蓋至鄰接的發(fā)光單元的上部一部分以使鄰接的發(fā)光單元能夠電連接。在此，在多個發(fā)光單元分別形成的第一接觸電極31形成為彼此絕緣。

據(jù)此，可以以覆蓋形成有第一接觸電極31的上部的方式形成第二絕緣層37。第二絕緣層37可以形成為覆蓋包括第一接觸電極31的整個發(fā)光元件10。為了在形成有第二絕緣層37的狀態(tài)下在發(fā)光元件10形成第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41，而以使第一接觸電極31暴露于發(fā)光元件10所包含的多個發(fā)光單元中的一個第二絕緣層37的方式進行蝕刻而形成第一開口部op1。并且，以使第二接觸電極33暴露于多個發(fā)光單元中的另一個的方式進行蝕刻，從而形成第二開口部op2。在此，第一開口部op1以及第二開口部op2可以形成多個。

以填埋如此形成的第一開口部op1的同時與暴露的第一接觸電極31歐姆接觸的方式，在第二絕緣層37的上部形成第一電極焊盤39，以填埋第二開口部op2的同時與暴露的第二接觸電極33歐姆接觸的方式，在第二絕緣層33的上部形成第二電極焊盤41。

此外，根據(jù)需要可以在第二絕緣層37上部的第一電極焊盤39及第二電極焊盤41之間形成散熱墊。

圖24是示出根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的發(fā)光元件的平面圖。

參照圖24，根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的發(fā)光元件10包括：第一至第七發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、第一至第六電極連接部d1、d2、d3、d4、d5、d6、第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41。

如圖所示，第一至第七發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7配置于相同的平面上而串聯(lián)電連接，第一至第七發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7形成為具有大致相同的面積。并且，為使第一至第七發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7串聯(lián)連接，各發(fā)光單元通過第一至第六電極連接部d1、d2、d3、d4、d5、d6而電連接。

據(jù)此，第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2通過第一電極連接部d1電連接，第二發(fā)光單元c2配置于第一發(fā)光單元c1的下方，第一電極連接部d1配置于第二發(fā)光單元c2的上方右側(cè)。第二發(fā)光單元c2與第三發(fā)光單元c3通過第二電極連接部d2電連接，第三發(fā)光單元c3配置于第二發(fā)光單元c2的右側(cè)，第二電極連接部d2配置于第三發(fā)光單元c3的下方左側(cè)。

并且，第三發(fā)光單元c3與第四發(fā)光單元c4通過第三電極連接部d3電連接，第四發(fā)光單元c4配置于第三發(fā)光單元c3的上方，第三電極連接部d3配置于第四發(fā)光單元c4的下方右側(cè)。如上所述，隨著配置第四發(fā)光單元c4，第四發(fā)光單元c4處于配置于第一發(fā)光單元c1的右側(cè)的狀態(tài)。

第四發(fā)光單元c4與第五發(fā)光單元c5通過第四電極連接部d4電連接，第五發(fā)光單元c5配置于第四發(fā)光單元c4的右側(cè)，第四電極連接部d4配置于第五發(fā)光單元c5的上方左側(cè)。第五發(fā)光單元c5可以形成為寬度比第四發(fā)光單元c4窄而長度比第四發(fā)光單元c4長。

第五發(fā)光單元c5與第六發(fā)光單元c6通過第五電極連接部d5電連接，第六發(fā)光單元c6配置于第五發(fā)光單元c5的右側(cè)，第五電極連接部d5配置于第六發(fā)光單元c6的下方左側(cè)。

第六發(fā)光單元c6與第七發(fā)光單元c7通過第六電極連接部d6電連接，第七發(fā)光單元c7配置于第五發(fā)光單元以及第六發(fā)光單元c6的下側(cè)，第六電極連接部d6配置于第七發(fā)光單元c7的上方右側(cè)。第七發(fā)光單元c7形成為將第五發(fā)光單元c5及第六發(fā)光單元c6的寬度加在一起的寬度，長度形成為比其他發(fā)光單元最短的長度。

如上所述，隨著第一至第七發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7的形成，各發(fā)光單元可以以彼此串聯(lián)電連接的狀態(tài)構(gòu)成一個發(fā)光元件10。

并且，第一至第六電極連接部d1、d2、d3、d4、d5、d6分別配置于第二至第七發(fā)光單元c2、c3、c4、c5、c6、c7上，為此，第一接觸電極31延伸至鄰接的發(fā)光單元的上部而形成，即使在發(fā)光單元之間形成相隔的空間，也可以最小化在發(fā)光元件10的內(nèi)部被吸收的光。

并且，第一至第六電極連接部d1、d2、d3、d4、d5、d6配置成鄰接的電極連接部之間的距離能夠最大限度地相隔。例如，如果以第二發(fā)光單元c2為基準進行說明，則第一電極連接部d1配置于第二發(fā)光單元c2的上方右側(cè)，第二電極連接部d2配置于第二發(fā)光單元c2的下方右側(cè)。據(jù)此，通過第一電極連接部d1施加至第二發(fā)光單元c2的電流可以經(jīng)過整個第二發(fā)光單元c2流向第二電極連接部d2。即，第一電極連接部d1配置于第二發(fā)光單元c2的一面邊角側(cè)，第二電極連接部d2配置于與配置有第一電極連接部d1的面鄰接的另一面的邊角側(cè)。

并且，在以第三發(fā)光單元c3為基準觀察時，第二電極連接部d2配置于第三發(fā)光單元c3的下方左側(cè)，第三電極連接部d3配置于第三發(fā)光單元c3的上方右側(cè)。據(jù)此，以第三發(fā)光單元c3為基準，第二電極連接部d2與第三電極連接部d3配置于對角線方向，通過第二電極連接部d2施加至第三發(fā)光單元c3的電流可以經(jīng)過整個第三發(fā)光單元c3而流向第三電極連接部d3。

圖25是具體示出根據(jù)本發(fā)明的第九實施例的發(fā)光元件的平面圖，圖26是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第九實施例的發(fā)光元件的平面圖。圖27a是沿著圖1的截取線aa'截取的剖面圖，圖27b是沿著圖1的bb'截取的剖面圖，圖27c是沿著圖1的截取線cc'截取的剖面圖。

如圖25至圖27所示，根據(jù)本發(fā)明的第九實施例的發(fā)光元件10包括：第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、第一至第三電極連接部d1、d2、d3、第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43。

如圖25以及圖26所示，在本發(fā)明的第九實施例中，發(fā)光元件10形成為，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4串聯(lián)電連接，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4具有大致相同的面積。據(jù)此，在本發(fā)明的第九實施例中，四個發(fā)光單元c1、c2、c3、c4彼此鄰接地配置而配置成類似于正方形的形狀。

在這里，四個發(fā)光單元c1、c2、c3、c4中，第一發(fā)光單元c1在圖25以及圖26所示的平面形狀上配置于右上方，第二發(fā)光單元c2配置于右下方。并且，第三發(fā)光單元c3配置于左上方，第四發(fā)光單元c4可以配置于左下方。

并且，第一發(fā)光單元c1通過第一電極連接部d1電連接于第二發(fā)光單元c2，第二發(fā)光單元c2通過第二電極連接部d2電連接于第三發(fā)光單元c3，第三發(fā)光單元c3通過第三電極連接部d3電連接于第四發(fā)光單元c4。即，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4通過第一至第三電極連接部d1、d2、d3串聯(lián)電連接。

此時，如上所述，隨著第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的配置，第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2配置成一個邊相對應(yīng)，第三發(fā)光單元c3與第四發(fā)光單元c4也配置成一個邊相對應(yīng)。但是，第二發(fā)光單元c2與第三發(fā)光單元c3并不配置成彼此的一個邊相對應(yīng)。據(jù)此，電連接第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2的第一電極連接部d1配置于第二發(fā)光單元c2的上部，形成為從第一發(fā)光單元c1的一個邊向第二發(fā)光單元c2側(cè)延伸的狀態(tài)。電連接第三發(fā)光單元c3與第四發(fā)光單元c4的第三電極連接部d3以配置于第四發(fā)光單元c4的上部的狀態(tài)連接。

但是，第二發(fā)光單元c2與第三發(fā)光單元c3并不鄰接配置成一個邊相對應(yīng)。第二電極連接部d2配置于第三發(fā)光單元c3的上部，為使第二電極連接部d2形成于第三發(fā)光單元c3的上部，第二發(fā)光單元c2的第一接觸電極31從第二發(fā)光單元c2延伸至配置于第三發(fā)光單元c3的第二電極連接部d2而形成。

參照圖25以及圖26，第二電極連接部d2形成于第三發(fā)光單元c3的右側(cè)一個邊側(cè)，第二發(fā)光單元c2的第一接觸電極31所延伸的延伸部31a向第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31與第三發(fā)光單元c3的第一接觸電極31之間延伸而電連接于第二電極連接部d2。顯然，延伸部31a分別與第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31以及第三發(fā)光單元c3的第一接觸電極31彼此相隔而被絕緣。此時，在以下詳細說明各發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的第一接觸電極31。

如上所述，第一至第三電極連接部d1、d2、d3分別形成于第二至第四發(fā)光單元c2、c3、c4的上部，但可以形成于與第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3鄰接的各第二至第四發(fā)光單元c2、c3、c4的一個邊。并且，如果第一至第三電極連接部d1、d2、d3分別為多個，則可以配置為沿著第二至第四發(fā)光單元c2、c3、c4的一個邊彼此相隔的狀態(tài)。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41形成為分別覆蓋第四發(fā)光單元c4以及第一發(fā)光單元c1的一部分。并且，第一電極焊盤39配置于第四發(fā)光單元c4的邊角側(cè)而電連接于第四發(fā)光單元c4，第二電極焊盤41配置于第一發(fā)光單元c1的邊角側(cè)而電連接于第一發(fā)光單元c1。

在本發(fā)明的第九實施例中，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41分別形成為三角形狀，第一電極焊盤39與第二電極焊盤41的配置位置處于從發(fā)光元件10的平面形狀最大限度地相隔的狀態(tài)。并且，在第一電極焊盤39與第二電極焊盤41之間，散熱墊43可以形成為六角形狀。此時，第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43的形狀并不限定于圖示的形狀，根據(jù)需要可以多樣地變形，但可以分別彼此相隔預(yù)定距離以上而配置。

在本發(fā)明的第九實施例中，散熱墊43形成為覆蓋第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的大部分，而未設(shè)置第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41的第二發(fā)光單元c2以及第三發(fā)光單元c3形成為由散熱墊43覆蓋全部。據(jù)此，散熱墊43形成為，至少三個面在發(fā)光元件10的平面形狀上向外部暴露，其一例就是六角形狀。如上所述，散熱墊43形成于第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的整個區(qū)域，從而可以更加有效地使由施加到第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的電流而產(chǎn)生的熱散熱。

參照圖27對第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的具體構(gòu)成進行說明。

如圖27a所示，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4分別包括：基板21、發(fā)光結(jié)構(gòu)體23、第一接觸電極31、第二接觸電極33、第一絕緣層35、第二絕緣層37、第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43。在對第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4的具體構(gòu)成進行說明時，省略與所述實施例相同部分的說明。

基板21只要是可以使發(fā)光結(jié)構(gòu)體23生長的基板則不受限定，例如，可以是藍寶石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化鎵基板以及氮化鋁基板等。此外，在本發(fā)明的第九實施例中，在基板21的上表面可以形成多個圖案21a。如圖27a所示，形成于基板21上表面的多個圖案21a可以在基板21的上表面形成為多個突起形狀，各圖案21a形狀的上表面可以形成有頂點(peak)，也可以形成為平坦的面。在這里，形成于基板21的上表面的多個圖案21a可以在上表面沒有形成發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的位置具有較小的大小。

并且，基板21可以利用公知的技術(shù)從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23分離，據(jù)此，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的下表面具有粗糙度增加的面。

發(fā)光結(jié)構(gòu)體23包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上的活性層27、以及位于活性層27上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29。

并且，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27被部分去除而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25部分暴露的區(qū)域。即，如圖27a所示，可以形成有貫穿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29以及活性層27而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25暴露的第一孔h1。此時，第一孔h1的形狀以及配置可以多樣地變形。

并且，發(fā)光結(jié)構(gòu)體23可以包括臺面，所述臺面包括活性層27與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29，而臺面還可以包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的一部分。并且，第一孔h1可以形成于臺面而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25暴露，第一孔h1可以形成多個。

第一接觸電極31以及第二接觸電極33可以分別與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸。首先，對第二接觸電極33進行說明，第二接觸電極33形成為覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的上部，第二接觸電極33可形成于臺面的上部。

第二接觸電極33由可以與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸的物質(zhì)構(gòu)成，例如，可以是包括金屬物質(zhì)或?qū)щ娧趸锏奈镔|(zhì)。

第一絕緣層35形成于發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面，可以形成為覆蓋第二接觸電極33。第一絕緣層35可以形成為覆蓋形成于臺面的第一孔h1的側(cè)面。并且，如圖27b以及圖27c所示，在第一絕緣層35可以形成有用于使第二接觸電極33部分暴露的第二孔h2。據(jù)此，可以通過第二孔h2使與第二接觸電極33鄰接的發(fā)光單元的第一接觸電極31歐姆接觸。

第一絕緣層35包括絕緣物質(zhì)，例如，可以包括sio2、sinx、mgf2等，可以形成為多層，也可以包括由折射率不同的物質(zhì)交替地層疊而成的分布布拉格反射器。

并且，如圖27a至圖27c所示，第一絕緣層35可以形成為覆蓋基板21的一部分。這可以根據(jù)在發(fā)光元件10的制造過程中是否進行芯片單位個體化(isolation)而不同，在發(fā)光元件10的制造過程中，在以芯片單位對晶圓進行個體化之后，形成第一絕緣層35，從而可以形成為第一絕緣層35覆蓋基板21的一部分。據(jù)此，第一絕緣層35可以形成為覆蓋從基板21的側(cè)面暴露的發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的側(cè)面，可以形成為覆蓋基板21至發(fā)光元件10的兩側(cè)末端，可以形成為覆蓋基板21至發(fā)光元件10的兩側(cè)末端。

此時，第一絕緣層35可以形成為覆蓋基板21的一部分，可以根據(jù)需要形成為不完全覆蓋形成于基板21的多個圖案21a而僅覆蓋一部分。據(jù)此，在相應(yīng)的位置，基板21的多個圖案21a可以向第一絕緣層35的上部暴露。

并且，如圖27c所示，第一絕緣層35在發(fā)光單元與發(fā)光單元之間相隔的空間也可以形成為覆蓋基板21的一部分或者全部。

另外，第一絕緣層35可以包括預(yù)絕緣層(pre-insulationlayer)35a以及主絕緣層(maininsulationlayer)35b。預(yù)絕緣層35a可以在主絕緣層35b之前形成，據(jù)此，預(yù)絕緣層35a可以位于主絕緣層35b的下部。

預(yù)絕緣層35a可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的一部分，且可以形成為覆蓋第二接觸電極33上表面的一部分或者第二接觸電極33的側(cè)面。在預(yù)絕緣層35a形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體23的上表面之后，通過蝕刻可以使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的一部分暴露。在這樣暴露的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上可以形成第二接觸電極33。據(jù)此，預(yù)絕緣層35a可以與第二接觸電極33連接。

并且，預(yù)絕緣層35a可以在第二接觸電極33的形成過程中形成。例如，在第二接觸電極33包括導(dǎo)電氧化物層(未示出)與反射電極層(未示出)時，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上可以形成導(dǎo)電氧化物層，而在形成反射電極層之前可以形成預(yù)絕緣層35a。在形成反射電極層之后，形成覆蓋反射電極層的主絕緣層35b，從而可以形成第一絕緣層35。

在本發(fā)明的第九實施例中，預(yù)絕緣層35a可以由與主絕緣層35b彼此相同的物質(zhì)形成，例如，可以包括sio2。

在這里，在形成主絕緣層35b之前，為了發(fā)光元件10的芯片單位個體化(isolation)，可以對發(fā)光元件10的邊緣進行蝕刻(etching)，但在這過程中，暴露于基板21的邊緣側(cè)的多個圖案21a可能會同時被蝕刻。據(jù)此，如圖27a所示，暴露的多個圖案21a可以形成為小于被發(fā)光結(jié)構(gòu)體23覆蓋的多個圖案21a的大小。

第一接觸電極31形成于第一絕緣層35的上部，形成為覆蓋第一絕緣層35的除一部分以外的整體。據(jù)此，可以填充形成于臺面的第一孔h1以及形成于第一絕緣層35的第二孔h2。如圖27a所示，第一接觸電極31通過形成于臺面的第一孔h1而與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸。并且，如圖27b以及圖27c所示，第一接觸電極31可以使形成于第一絕緣層35的第二孔h2與相鄰的其他發(fā)光單元的第二接觸電極33歐姆接觸。

并且，第一接觸電極31形成為覆蓋除第一絕緣層35的一部分以外的全部，因此，從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)出的光可以在第一接觸電極31反射。如圖27a至27c所示，第一接觸電極31形成為覆蓋基板21的側(cè)面，且形成為也覆蓋在發(fā)光單元之間相隔的空間的側(cè)面，因此從發(fā)光結(jié)構(gòu)體23發(fā)射的光在第一接觸電極31反射而可以向外部發(fā)出。據(jù)此，可以最大化發(fā)光元件10的光效率。

在這里，如圖25以及圖26所示，第一接觸電極31可以發(fā)揮從第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3分別延伸的第一至第三電極連接部d1、d2、d3的作用。即，第一電極連接部d1，在圖27b中，隨著第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31向第二發(fā)光單元c2的上部延伸而形成于第二發(fā)光單元c2的上部。并且，從第一發(fā)光單元c1延伸的第一接觸電極31在第二發(fā)光單元c2的上部與第二接觸電極33歐姆接觸。

并且，參照圖27c，第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31形成于第一發(fā)光單元c1的上部，從第二發(fā)光單元c2延伸的第一接觸電極31的延伸部31填埋第一發(fā)光單元c1與第三發(fā)光單元c3之間的相隔空間并延伸而延伸形成至第三發(fā)光單元c3的上部。據(jù)此，第二發(fā)光單元c2的延伸部31a在第三發(fā)光單元c3的上部通過第二孔h2與第三發(fā)光單元c3的第二接觸電極33歐姆接觸，在第三發(fā)光單元c3的上部可以形成第二電極連接部d2。此時，第二發(fā)光單元c2的延伸部31a可以與第三發(fā)光單元c3的第一接觸電極31相隔而絕緣，并且，可以向第一發(fā)光單元c1的上部延伸，但可以與第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31相隔而絕緣。

如上所述，第一接觸電極31與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25歐姆接觸，并起到使光反射的作用。據(jù)此，第一至第三發(fā)光單元c1、c2、c3的第一接觸電極向用于電連接的第二至第四發(fā)光單元c2、c3、c4延伸形成，從而可以通過覆蓋發(fā)光元件的大部分來提高發(fā)光元件10的發(fā)光效率。

第一接觸電極31可以包括如al層的高反射金屬層，可以形成為單層或多層。此時，高反射性金屬層可形成于ti、cr或ni等接觸層上，第一接觸電極31可以包括ni、pt、pd、rh、w、ti、al、mg、ag以及au中的一種以上。

第二絕緣層37可以形成為覆蓋第一接觸電極31的除一部分之外的全部。在第二絕緣層37可以形成用于使第一接觸電極31部分暴露的第一開口部op1以及用于使第二接觸電極33部分暴露的第二開口部op2。此時，第二開口部op2可形成于第一絕緣層35、第一接觸電極31以及第二絕緣層37，第一開口部op1以及第二開口部op2可以分別形成一個以上。

可以通過形成于第二絕緣層37的第一開口部op1而使第一電極焊盤39與第一接觸電極31歐姆接觸，可以通過第二開口部op2而使第二電極焊盤41與第二接觸電極33歐姆接觸。

第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43位于第二絕緣層37上，第一電極焊盤39可以電連接于第四發(fā)光單元c4的第一接觸電極31，第二電極焊盤41可以電連接于第一發(fā)光單元c1的第二接觸電極33。如圖27a所示，第一電極焊盤39可以通過第一開口部op1與第一接觸電極31歐姆接觸。并且，第二電極焊盤41可以通過第二開口部op2而與第二接觸電極33歐姆接觸。散熱墊43可以在第二絕緣層的上部配置成與第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41絕緣。

第一電極焊盤39形成于第四發(fā)光單元c4上，第一開口部op1形成于第四發(fā)光單元c4。據(jù)此，第一電極焊盤39與第四發(fā)光單元c4的第一接觸電極31歐姆接觸。并且，第二電極焊盤41以與散熱墊43相隔預(yù)定距離以上的狀態(tài)形成于第一發(fā)光單元c1上，第二開口部op2形成于第一發(fā)光單元c1。據(jù)此，第二電極焊盤41與第一發(fā)光單元c1的第二接觸電極33歐姆接觸。

并且，散熱墊43可以形成為分別填埋第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4之間的空間，可以形成為具有數(shù)十μm以上的厚度。并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41也形成為具有與散熱墊43相同的厚度，因此發(fā)光元件10本身可以作為芯片級封裝而被使用。

并且，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以分別形成為單層或者多層，可以包括具有導(dǎo)電性的物質(zhì)。例如，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以分別包括cu、pt、au、ti、cr、ni、al以及ag中的一種以上，或者，也可以包括燒結(jié)的形狀的金屬粒子以及夾設(shè)于金屬粒子之間的非金屬物質(zhì)。在此，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以利用鍍覆、沉積、滴涂(dotting)或者絲網(wǎng)印刷方法等而形成。并且，散熱墊43可以包括與第一電極焊盤39及第二電極焊盤41相同的素材。

以上所述的發(fā)光元件10可以通過與第七實施例中相同的方法進行制造。

圖28是示出根據(jù)本發(fā)明的第十實施例的發(fā)光元件的平面圖。

參照圖28，根據(jù)本發(fā)明的第十實施例的發(fā)光元件10包括：第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4、第一至第三電極連接部d1、d2、d3、第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41。在對本發(fā)明的第十實施例進行說明時，對與本發(fā)明的第九實施例相同的構(gòu)成省略說明。

如圖所示，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4配置于相同的平面上而串聯(lián)電連接，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4形成為具有大致相同的面積。并且，為使第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4串聯(lián)連接，各發(fā)光單元c1、c2、c3、c4通過第一至第三電極連接部d1、d2、d3而電連接。

在本發(fā)明的第十實施例中，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4可以形成為向一方向并排配置的狀態(tài)。

據(jù)此，在圖28的平面形狀上，第二發(fā)光單元c2配置于第一發(fā)光單元c1的右側(cè)，并通過第一電極連接部d1電連接于第一發(fā)光單元c1。并且，第三發(fā)光單元c3配置于第二發(fā)光單元c2的右側(cè)，并通過第二電極連接部d2電連接于第二發(fā)光單元c2。第四發(fā)光單元c4配置于第三發(fā)光單元c3的右側(cè)，并通過第三電極連接部d3電連接于第三發(fā)光單元c3。

如上所述，隨著形成第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4，各發(fā)光單元c1、c2、c3、c4可以以彼此串聯(lián)電連接的狀態(tài)構(gòu)成一個發(fā)光元件10。

并且，第一至第三電極連接部d1、d2、d3分別配置于第二至第四發(fā)光單元c2、c3、c4上，為此，第一接觸電極31延伸至鄰接的發(fā)光單元的上部而形成，從而即使在發(fā)光單元之間形成相隔的空間，也可以最小化在發(fā)光元件10的內(nèi)部被吸收的光。

并且，在本發(fā)明的第十實施例中，第一至第四發(fā)光單元c1、c2、c3、c4形成為在一方向上具有方向性，因此第一至第三電極連接部d1、d2、d3可以形成于鄰接的發(fā)光單元的一側(cè)整體。例如，第一電極連接部d1形成于第二發(fā)光單元c2的上部，且形成于與第一發(fā)光單元c1鄰接的一個邊側(cè)上部，多個第一電極連接部d1可以沿著第二發(fā)光單元c2的一個邊側(cè)而相隔配置。據(jù)此，電流可以在第一發(fā)光單元c1與第二發(fā)光單元c2之間通過一個邊整體而流動。

第一電極焊盤39形成為覆蓋第三發(fā)光單元c3以及第四發(fā)光單元c4的整個上部或者一部分，第二電極焊盤41可以形成為覆蓋第一發(fā)光單元c1以及第二發(fā)光單元c2的整個上部或者一部分。并且，第一電極焊盤39電連接于第四發(fā)光單元c4，第二電極焊盤41可以電連接于第一發(fā)光單元c1。此時，第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41可以以彼此相隔預(yù)定距離以上的狀態(tài)配置。

或者，雖然未示出于圖28，但根據(jù)需要可以在第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41之間配置散熱墊，此時，第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊可以配置為彼此相隔的狀態(tài)。

圖29是示出根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例的發(fā)光元件的平面圖。

參照圖29，根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例的發(fā)光元件包括：第一至第十一發(fā)光單元c1～c11、第一至第十電極連接部d1～d10、第一電極焊盤39、第二電極焊盤41以及散熱墊43。在對本發(fā)明的第十一實施例進行說明時，對與本發(fā)明的第九實施例相同的構(gòu)成省略說明。

本發(fā)明的第十一實施例使用11個發(fā)光單元c1～c11，各發(fā)光單元c1～c11彼此串聯(lián)連接。如圖29所示，第一至第十一發(fā)光單元c1～c11可以形成為彼此類似的面積，但考慮配置，第一至第五發(fā)光單元c1～c5可以形成為相同形狀的矩形形狀，第六至第十一發(fā)光單元c6～c11能夠以與第一至第五發(fā)光單元c1～c5不同的矩形形狀相同地形成。

觀察第一至第十一發(fā)光單元c1～c11的配置，在圖29所示的平面形狀上，第一發(fā)光單元c1配置于右側(cè)最上上，第二至第五發(fā)光單元c2～c5依次在第一發(fā)光單元c1的下側(cè)并排配置。并且，第六發(fā)光單元c6配置于第五發(fā)光單元c5的左側(cè)，第七發(fā)光單元c7以及第八發(fā)光單元c8在第六發(fā)光單元c6的上側(cè)依次并排配置。第九發(fā)光單元c9配置于第八發(fā)光單元c8的左側(cè)，第十發(fā)光單元c10以及第十一發(fā)光單元c11在第九發(fā)光單元c9的下側(cè)依次并排配置。

如上所述，在第一至第十一發(fā)光單元c1～c11依次配置的狀態(tài)下，第一至第十電極連接部d1～d10彼此電連接各個發(fā)光單元c1～c11。據(jù)此，第一至第十一發(fā)光單元c1～c11彼此被電連接，在本發(fā)明的又一實施例中可以串聯(lián)連接。

并且，在本發(fā)明的第十一實施例中，第一至第十電極連接部d1～d10分別形成于第二至第十一發(fā)光單元c2～c11上部，切可以分別形成多個。即，在本發(fā)明的第十一實施例中，第一至第十一發(fā)光單元c1～c11以一個邊彼此對應(yīng)地鄰接的方式配置，從而各個第一至第十電極連接部d1～d10可以沿著一個邊分別配置于各個第二至第十一發(fā)光單元c2～c11。

此時，觀察第五發(fā)光單元c5與第六發(fā)光單元c6的配置，第五發(fā)光單元c5的一個邊與第六發(fā)光單元c6的一個邊的一部分對應(yīng)地配置，因此第五電極連接部d5并不形成于第六發(fā)光單元c6的一個邊側(cè)整體，而形成于與第五發(fā)光單元c5對應(yīng)的第六發(fā)光單元c6的一個邊的一部分。

第一電極焊盤39形成于第十一發(fā)光單元c11的上部，并電連接于第十一發(fā)光單元c11的第一接觸電極31。并且，第二電極焊盤41形成于第一發(fā)光單元c1的上部，且電連接于第一發(fā)光單元c1的第一接觸電極31。第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41與第十一發(fā)光單元c11以及第一發(fā)光單元c1各自的電連接與本發(fā)明的第九實施例相同，因此省略詳細的說明。

散熱墊43以與第一電極焊盤39以及第二電極焊盤41相隔的狀態(tài)配置于第一電極焊盤39及第二電極焊盤41之間。據(jù)此，散熱墊43可以形成為覆蓋第一發(fā)光單元c1以及第十一發(fā)光單元c11的一部分以及第二至第十發(fā)光單元c2～c10的一部分或者全部。

圖30至圖31是用于說明根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的發(fā)光元件的平面圖。

參照圖30，發(fā)光元件包括第一至第四發(fā)光單元100、200、300、400，所述第一至第四發(fā)光單元100、200、300、400可以沿著第一方向1鄰接配置。并且，所述發(fā)光元件包括：電連接所述第一發(fā)光單元100與所述第二發(fā)光單元200的第一電極連接部150、電連接所述第二發(fā)光單元200與所述第三發(fā)光單元300的第二電極連接部250、電連接所述第三發(fā)光單元300與所述第四發(fā)光單元400的第三電極連接部350。并且，發(fā)光元件可以包括基板110、第一電極焊盤500以及第二電極焊盤600。

基板110只要是可以使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111、活性層112以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113生長的基板就不受限定，例如，可以是藍寶石基板、碳化硅基板、氮化鎵基板、氮化鋁基板、硅基板等。

在本實施例中，基板110可以是被圖案化的藍寶石基板pss?；?10的上表面可以包括凹凸圖案r1、r2。凹凸圖案r1、r2有效地反射從半導(dǎo)體層生成的光，從而可以改善發(fā)光二極管的光提取效率。凹凸圖案r1、r2可以具有三角錐、四角錐、梯形或者半球形，但并不限定于此。第一凹凸圖案r1與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111、211、311、411相接，且可位于發(fā)光單元的下部，具體地說，可位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111、211、311、411的下部。第二凹凸圖案r2不與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111、211、311、411相接，且可位于發(fā)光單元之間的區(qū)域。

第一凹凸圖案r1的高度與第二凹凸圖案r2的高度可以不同。第二凹凸圖案r2的高度可小于第一凹凸圖案r1的高度。例如，第一凹凸圖案r1的高度可以是1.5μm至2μm，第二凹凸圖案r2的高度可小于此。并且，第一凹凸圖案r1的高度維持得比較大，因此能夠更加有效地反射從發(fā)光單元生成的光。

所述第一電極連接部150包括：第1-1電極連接部140，位于所述第一發(fā)光單元上；第1-2電極連接部160，位于所述第二發(fā)光單元上；以及第一中間連接部106，在所述第一發(fā)光單元100與第二發(fā)光單元200之間連接所述第1-1電極連接部140與第1-2電極連接部160。所述第1-1電極連接部140可以包括第1-1邊緣部102以及第1-1分支部103。并且，所述第1-2電極連接部160可以包括第2-1邊緣部201以及第2-1分支部202。

所述第二電極連接部250包括：第2-1電極連接部240，位于所述第二發(fā)光單元上；第3-2電極連接部260，位于所述第三發(fā)光單元上；以及第二中間連接部205，在所述第二發(fā)光單元200與第三發(fā)光單元300之間連接所述第2-1電極連接部240與第2-2電極連接部260，所述第2-1電極連接部可以包括第2-1邊緣部203以及第2-1分支部204。并且，所述第2-2電極連接部10可以包括第2-1邊緣部201以及第2-1分支部202。

所述第三電極連接部350包括：第3-1電極連接部340，位于所述第三發(fā)光單元上；第3-2電極連接部401，位于所述第四發(fā)光單元上；以及第三中間連接部305，在所述第三發(fā)光單元300與第四發(fā)光單元400之間連接所述第3-1電極連接部340與第3-2電極連接部401，所述第3-1電極連接部可以包括第3-1邊緣部303以及第3-1分支部304。

所述第一發(fā)光單元100包括：第一側(cè)面，與所述第二發(fā)光單元200鄰接；第二側(cè)面，與所述第一側(cè)面相對；第三側(cè)面以及第四側(cè)面，配置于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間，且彼此相對。所述第二發(fā)光單元200包括：第一側(cè)面，與第一發(fā)光單元100鄰接；第二側(cè)面，與所述第一側(cè)面相對；第三側(cè)面，配置于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間，且與所述第一發(fā)光單元100的第三側(cè)面相鄰；以及第四側(cè)面，與第三側(cè)面相對。所述第三發(fā)光單元300包括：第一側(cè)面，與所述第二發(fā)光單元200鄰接；第二側(cè)面，與所述第一側(cè)面相對；第三側(cè)面，配置于所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面之間，且與所述第二發(fā)光單元200的第三側(cè)面相鄰；以及第四側(cè)面，與第三側(cè)面相對。

參照圖30、圖32、圖33，第一發(fā)光單元100包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111上的活性層112、以及位于活性層112上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113。并且，第一發(fā)光單元100包括以下所述的預(yù)絕緣層114、接觸電極115、第一絕緣層116以及第二絕緣層117。

所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111、活性層112以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113可以包括-v系列化合物半導(dǎo)體，例如，可以包括(al、ga、in)n之類的氮化物系半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111可以包括n型雜質(zhì)(例如，si)，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113可以包括p型雜質(zhì)(例如，mg)。并且，也可以與其相反。活性層112可以包括多量子阱結(jié)構(gòu)(mqw)，其組成比可以以能夠發(fā)射出期望的峰值波長的光的方式確定。

并且，第一發(fā)光單元100包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113以及活性層112被部分去除而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111部分暴露的區(qū)域。例如，如圖30以及32所示，第一發(fā)光單元100可以包括多個接觸孔104，所述多個接觸孔104貫穿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113以及活性層112而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111暴露。如圖30所示，接觸孔104可以使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111以圓形暴露，接觸孔104可以與第1-1分支部并排排列為一列，但接觸孔的形狀以及配置并不限定于圖示的情形。并且，暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111部分的區(qū)域，也可以部分去除第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113以及活性層112而形成包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113以及活性層112的臺面而被提供。配置于接觸孔104周圍的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的側(cè)面以及活性層112的側(cè)面可以包括傾斜的側(cè)面。接觸孔104的傾斜的側(cè)面提高在活性層112生成的光的提取效率。雖然未圖示，在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111與基板100之間可以形成緩沖層，緩沖層可以是由氮化物等形成的無摻雜半導(dǎo)體層，因此可以緩解第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的晶格缺陷。由于所述多個接觸孔104，接觸孔連接部101與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111相接的區(qū)域的面積與數(shù)量增加，因此可以有效地實現(xiàn)電流分散。

參照圖32以及圖33，預(yù)絕緣層114可以覆蓋配置于接觸孔104周圍的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的一部分以及通過接觸孔104暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111的一部分。預(yù)絕緣層114可以包括開口部，通過所述開口部可以限定以下說明的配置第一至第三電極連接部150、250、350的區(qū)域。預(yù)絕緣層114在形成第一至第三電極連接部150、250、350時，可以防止第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113因緩沖氧化蝕刻劑(boe：bufferedoxideetchant)等蝕刻溶劑受損。

預(yù)絕緣層114可以包括絕緣性的物質(zhì)，例如，可以包括sio2、sinx、mgf2等。預(yù)絕緣層114也可以發(fā)揮相對于形成于預(yù)絕緣層114上的其他層的基底層(basallayer)的作用。例如，在以下說明的第一絕緣層116包括分布布拉格反射器時，預(yù)絕緣層114可以發(fā)揮使所述分布布拉格反射器能夠穩(wěn)定地形成的基底層的作用，因此可以將分布布拉格反射器的裂紋(crack)最小化，可以改善對靜電放電(esd：electrostaticdischarge)的耐受性。在所述分布布拉格反射器具有交替地層疊的tio2層/sio2層的結(jié)構(gòu)時，預(yù)絕緣層114可以形成為具有預(yù)定厚度以上的厚度的sio2層。例如，所述預(yù)定厚度可以是約0.2μm至1.0μm。若要形成品質(zhì)優(yōu)良的分布布拉格反射器，沉積分布布拉格反射器的基底層的膜質(zhì)以及表面特性優(yōu)選優(yōu)良。因此，通過以預(yù)定厚度以上的厚度形成預(yù)絕緣層114，可以在預(yù)絕緣層114上穩(wěn)定地制造所述分布布拉格反射器。

參照圖32以及圖33，接觸電極115鄰接配置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113上，且可以在接觸孔104周圍覆蓋除預(yù)絕緣層114覆蓋第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的區(qū)域以外的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的大部分區(qū)域。接觸電極115在與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113歐姆接觸的同時，可以發(fā)揮使光反射的作用。因此，接觸電極115可以包括具有較高的反射率且可以與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113歐姆接觸的金屬。例如，可以包括ni、pt、pd、rh、w、ti、al、ag、au以及ito/zno氧化物中的至少一種。并且，可以包括單層或者多層。

第一絕緣層116可配置于接觸電極115以及接觸孔104區(qū)域的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111、活性層112以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的上表面。在發(fā)光元件包括預(yù)絕緣層114的情況下，第一絕緣層116配置于預(yù)絕緣層114上，且可以覆蓋接觸電極115的至少一部分。第一絕緣層116發(fā)揮使接觸電極115從接觸孔連接部101絕緣且從濕氣等外部污染物質(zhì)保護第一半導(dǎo)體層111及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的作用。并且，參照圖30的放大的部分，第一絕緣層116包括在第1-1電極連接部140區(qū)域電連接第1-1電極連接部140與接觸電極115的開口部116a。所述開口部116a的寬度可以形成為比第1-1分支部103窄。進而，在第二發(fā)光單元200的第2-1電極連接部240的下表面以及第三發(fā)光單元300的第3-1電極連接部340的下表面也形成有與所述開口部116a對應(yīng)的第一絕緣層216、316的開口部。第一絕緣層116可以包括sio2等氧化膜、sinx等氮化膜或者mgf2的絕緣膜。進而，第一絕緣層116可以包括低折射物質(zhì)層與高折射物質(zhì)層交替地層疊的分布布拉格反射器(dbr)。例如，通過層疊sio2/tio2或sio2/nb2o5等層，可以形成反射率較高的絕緣反射層。

如圖30所示，接觸孔連接部101包括：接觸孔連接邊緣部130，位于第一發(fā)光單元100的第三側(cè)面的一部分、第二側(cè)面、第四側(cè)面的一部分的邊緣部上；接觸孔連接分支部131，為了從所述接觸孔連接邊緣部130連接接觸孔104，以分支形狀延伸。參照圖30，接觸孔連接分支部131包括：從配置于第一發(fā)光單元100的第二側(cè)面?zhèn)鹊慕佑|孔連接邊緣部130向第一側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р?；從配置于第二?cè)面?zhèn)鹊慕佑|孔連接邊緣部130向第三側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р?；以及從配置于第四?cè)面?zhèn)鹊慕佑|孔連接邊緣部130向第一側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р?。所述接觸孔連接分支部131可以彼此平行。

接觸孔連接部101可以配置于第一絕緣層116上以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111上，且通過配置于第一發(fā)光單元100的接觸孔104電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111。并且，接觸孔連接部101可以通過以下說明的第二絕緣層117的第一開口部105與第一電極焊盤500相接觸。即，接觸孔連接部101可以形成為使第一電極焊盤500與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111電連接。并且，所述第一開口部105交替地排列于接觸孔104之間，在第一發(fā)光單元100的整個區(qū)域配置有開口部105、接觸孔104以及接觸孔連接部101，因此在第一電極焊盤500與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111的電連接方面，可以發(fā)揮有效地實現(xiàn)電流分散的作用。

接觸孔連接部101與以下說明的第一至第三電極連接部150、250、350可以包括如al層等高反射金屬層，高反射金屬層可形成于ti、cr或者ni等粘合層上。并且，在高反射金屬層上可以形成有ni、cr、au等單層或者復(fù)合層結(jié)構(gòu)的保護層。接觸孔連接部101可以具有例如ti/al/ti/ni/au的多層結(jié)構(gòu)。接觸孔連接部101可以通過沉積金屬物質(zhì)并將其圖案化而形成。但是，不一定限定于此。并且，可以通過與第一至第三電極連接部相同的工序而形成。

如圖32以及圖33所示，第二絕緣層117可以配置于接觸孔連接部101、第一絕緣層116、第1-1電極連接部140上。第二絕緣層117可以起到防止從第一電極焊盤500到接觸電極115、接觸孔連接部101、第1-1電極連接部140的短路并從外部污染物質(zhì)或者沖擊保護發(fā)光結(jié)構(gòu)體的作用。第二絕緣層117可以包括sio2等氧化膜、sinx等氮化膜、mgf2的絕緣膜、聚酰亞胺、聚四氟乙烯(teflon)、聚對二甲苯(parylene)等聚合物。進而，第一絕緣層116可以包括交替地層疊低折射物質(zhì)層與高折射物質(zhì)層的分布布拉格反射器(dbr)。例如，通過層疊sio2/tio2或sio2/nb2o5等層，可以形成反射率較高的第二絕緣層117。

第二絕緣層117可以包括：開口部105，用于容許從第一電極焊盤以及第二電極焊盤電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111；開口部402，用于容許電連接于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113。所述開口部105可以形成于第一發(fā)光單元100的接觸孔104之間的區(qū)域上，而所述開口部402可以形成于第四發(fā)光單元的接觸孔之間的區(qū)域上。

如圖30所示，第1-1電極連接部140包括第1-1邊緣部102與第1-1分支部103。第1-1電極連接部140發(fā)揮電連接第一中間連接部106與第一發(fā)光單元100的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的作用。第1-1邊緣部102可以包括位于第一發(fā)光單元100的第三側(cè)面的一部分的邊緣部與位于第一側(cè)面?zhèn)鹊倪吘壍倪吘壊俊５?-1分支部103包括：從配置于所述第三側(cè)面?zhèn)鹊牡?-1邊緣部102向第二側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р?、從配置于所述第一?cè)面?zhèn)鹊牡?-1邊緣部102向第二側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р俊⒁约皬呐渲糜谒龅谝粋?cè)面?zhèn)鹊牡?-1邊緣部102向所述第四側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р俊Ｒ虼?，?-1電極連接部140與第一發(fā)光單元的接觸電極115接觸的面積變大，接觸的區(qū)域整體分散于第一發(fā)光單元100。其結(jié)果，在串聯(lián)連接第一發(fā)光單元100與第二發(fā)光單元200、以下說明的第三發(fā)光單元300及第四發(fā)光單元400的過程中，串聯(lián)連接的發(fā)光元件彼此具有預(yù)定的正向電壓特性，且發(fā)光元件的可靠性得到提高。

所述多個第1-1分支部103可以彼此平行地配置，也可配置于第一發(fā)光單元100的接觸孔104之間。雖然所述接觸孔連接部101與所述第1-1電極連接部140彼此不接觸，但各個分支部可以彼此交替地相鄰而配置。

第一中間連接部106是位于第一發(fā)光單元100與第二發(fā)光單元200之間的區(qū)域的第一電極連接部150的一部分，可以起到連接第1-1電極連接部140與第1-2電極連接部160的作用。

如圖30以及圖34所示，第1-2電極連接部160可以配置于第二發(fā)光單元200的第一絕緣層216上以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層211上，且包括第1-2邊緣部201以及第1-2分支部202。第1-2邊緣部201位于第二發(fā)光單元200的第一側(cè)面的一部分與第四側(cè)面?zhèn)鹊倪吘壣?。?-2分支部202包括：從配置于第一側(cè)面?zhèn)鹊牡?-2邊緣部201向第三側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р俊呐渲糜诘谝粋?cè)面?zhèn)鹊牡?-2邊緣部201向第二側(cè)面?zhèn)妊由斓姆种Р?、以及從配置于第四?cè)面?zhèn)鹊牡?-2邊緣部201向所述第二側(cè)面?zhèn)妊由斓牡?-2分支部202。

所述多個第1-2分支部202可以彼此平行地配置，且連接第二發(fā)光單元200的接觸孔104。并且，雖然所述第1-2分支部202與所述第2-1分支部204彼此不接觸，但各個分支部可以彼此交替地相鄰而配置。

所述多個第1-2分支部202可以配置成與所述多個第1-1分支部103平行，多個第1-2分支部202與所述多個第1-1分支部103對于所述第一方向1以及與所述第一方向1垂直的方向可以傾斜。

第1-2電極連接部160起到連接第二發(fā)光單元200的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層211與第一中間連接部106的作用。即，構(gòu)成第一電極連接部150的第1-1電極連接部140、第一中間連接部106、第1-2電極連接部160起到電連接第二發(fā)光單元200的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層211與第一發(fā)光單元100的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層113的作用，分支部具有向彼此的單元區(qū)域較深地延伸的形狀，因此可以提高電流分散。

另外，第二發(fā)光單元200與第三發(fā)光單元300的各自的接觸孔104、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層211、311、活性層212、312、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層213、313、接觸電極215、315、第一絕緣層216、316以及第二絕緣層217、317，除了第二絕緣層217、317不具有開口部105的這一點上與第一發(fā)光單元100有差異之外，具有與第一發(fā)光單元100的各個構(gòu)成相同的構(gòu)成以及作用。并且，電連接第二發(fā)光單元200與第三發(fā)光單元300的第二電極連接部250也包括與第一電極連接部150對應(yīng)的第2-1電極連接部240、第二中間連接部205以及第2-2電極連接部260，各自的構(gòu)成以及作用與第1-1電極連接部140、第一中間連接部105以及第1-2電極連接部160相同。

如圖30、圖36以及圖37所示，第三電極連接部350電連接第三發(fā)光單元300與第四發(fā)光單元400。第3-1電極連接部340以及第三中間連接部305的構(gòu)成以及作用與第1-1電極連接部140以及第一中間連接部105相同。但是，第3-2電極連接部401形成于第四發(fā)光單元400的整個區(qū)域，在這一點上與第1-2電極連接部160以及第2-2電極連接部260相比存在構(gòu)成上的差異。

參照圖36以及圖37，第四發(fā)光單元400包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層411、位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層411上的活性層412、以及位于活性層412上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層413。并且，第四發(fā)光單元400包括預(yù)絕緣層414、接觸電極415、第一絕緣層416、第二絕緣層417，且包括部分暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層411的多個接觸孔104以能夠連接到第3-2電極連接部401，。第四發(fā)光單元400的接觸孔104的構(gòu)成與第一至第三發(fā)光單元100、200、300的接觸孔104相同。

并且，第四發(fā)光單元400包括部分去除第一絕緣層416、第3-2電極連接部401以及第二絕緣層417而使接觸電極415部分暴露的區(qū)域。例如，如圖30以及圖37所示，在第四發(fā)光單元400的上部可以配置有暴露接觸電極415的多個開口部402以使第二電極焊盤600與接觸電極415電連接。第二電極焊盤600可以通過接觸電極415電連接于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層413。如圖30所示，開口部402可以使接觸電極415以圓形暴露，且可以在形成于第四發(fā)光單元400的接觸孔104之間排列而形成，但開口部的形狀以及配置并不限定于圖示的情形。

如圖31所示，第一電極焊盤500位于第一發(fā)光單元100及第二發(fā)光單元200上，第二電極焊盤600位于第三發(fā)光單元300以及第四發(fā)光單元400上。第一電極焊盤500可以通過第一發(fā)光單元100上部的開口部105電連接于接觸孔連接部101，且可以通過接觸孔連接部101電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111。第二電極焊盤600可以通過第四發(fā)光單元400上部的開口部402電連接于接觸電極415，且可以通過接觸電極415電連接于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層413。

并且，第一電極焊盤500以及第二電極焊盤600可以分別形成為單層或者多層，且可以包括具有導(dǎo)電性的物質(zhì)。例如，第一電極焊盤500以及第二電極焊盤600可以分別包括cu、pt、au、ti、cr、ni、al以及ag中的一個以上，或者，也可以包括燒結(jié)的形狀的金屬粒子以及夾設(shè)于金屬粒子之間的非金屬物質(zhì)。在此，第一電極焊盤500以及第二電極焊盤600可以利用鍍覆、沉積、滴涂(dotting)或者絲網(wǎng)印刷方法等而形成。

第一電極焊盤500以及第二電極焊盤600的間隔可以是80μm以下。在第一電極焊盤500以及第二電極焊盤600分別覆蓋第一發(fā)光單元100及第二發(fā)光單元200、第三發(fā)光單元300及第四發(fā)光單元400的大部分區(qū)域時，可以期待粘合力得到提高且散熱特性變優(yōu)的效果。

圖38以及圖39是利用根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的發(fā)光元件的模塊的剖面圖以及平面圖。所述模塊可使用于汽車前照燈。所述模塊可以包括前述的發(fā)光元件1000、第一電極焊盤500及第二電極焊盤600、下部的第一導(dǎo)電圖案1001a及第二導(dǎo)電圖案1001b、第一散熱部1002a及第二散熱部1002b、下部底座1003、上部底座1004、空洞1006、鍵合線1005a、1005b、1005c、1005d。

第一導(dǎo)電圖案1001a以及第二導(dǎo)電圖案1001b在下部底座1003上彼此相隔配置。第一導(dǎo)電圖案1001a以及第二導(dǎo)電圖案1001b的一部分暴露于通過上部底座1004定義的空洞1006的外側(cè)而可以與外部自由地連接。上部底座1004配置于下部底座1003上，且為使第一導(dǎo)電圖案1001a及第二導(dǎo)電圖案1001b的一部分暴露于外部而可形成于第一導(dǎo)電圖案1001a及第二導(dǎo)電圖案1001b上。上部底座1004的內(nèi)壁，即空洞1006側(cè)的壁可以傾斜地形成。據(jù)此，可以通過使從發(fā)光元件1000發(fā)出的光在上部底座1004的內(nèi)壁反射而提高模塊的發(fā)光效率。

另外，在所述空洞1004的下部配置有第一散熱器1002a及第二散熱器1002b。第一散熱器1002a及第二散熱器1002b貫穿下部底座1003而向下部底座1003的下方暴露。第一電極焊盤500及第二電極焊盤600分別連接于所述第一散熱器1002a及第二散熱器1002b。

鍵合線1005a、1005b分別連接第一散熱器1002a及第二散熱器1002b與第一導(dǎo)電圖案1001a及第二導(dǎo)電圖案1001b。因此，第一電極焊盤500及第二電極焊盤600通過第一散熱器1002a及第二散熱器1002b以及鍵合線1005a、1005b電連接于第一導(dǎo)電圖案1001a及第二導(dǎo)電圖案1001b。散熱器1002a、1002b可以包括金屬或者金屬合金，尤其，可以包括導(dǎo)熱性較高的金屬或者金屬合金。例如，可以包括cu、al以及cu與al的合金。外部電壓通過鍵合線1005c、1005d施加到第一導(dǎo)電圖案1001a及第二導(dǎo)電圖案1001b，接著，通過鍵合線1005a、1005b施加到第一散熱器1002a及第二散熱器1002b。

空洞1006例如可以由有機硅等灌封材料(pottingmaterial)填充，并且可以從外部的影響保護發(fā)光元件1000。進而，熒光體可以配置于空洞1006內(nèi)或者以預(yù)定的形狀配置于發(fā)光元件的上部。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件可應(yīng)用于如本實施例的模塊，尤其可應(yīng)用于車輛用前照燈，由此可以提高前照燈的可靠性。

圖40是用于說明將根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于照明裝置的示例的分解立體圖。

參照圖40，根據(jù)本實施例的照明裝置包括擴散罩1010、發(fā)光元件模塊1020以及主體部1030。主體部1030可以收容發(fā)光元件模塊1020，擴散罩1010可以以覆蓋發(fā)光元件模塊1020的上部的方式配置于主體部1030上。

只要主體部1030是收容以及支撐發(fā)光元件模塊1020且能夠向發(fā)光元件模塊1020供應(yīng)電源的形式，則不受限制。例如，如圖所示，主體部1030可以包括主體外殼1031、電源供應(yīng)裝置1033、電源外殼1035以及電源連接部1037。

電源供應(yīng)裝置1033被收容于電源外殼1035內(nèi)而電連接于發(fā)光元件模塊1020，且可以包括至少一個ic芯片。所述ic芯片可以調(diào)整、轉(zhuǎn)換或者控制供應(yīng)至發(fā)光元件模塊1020的電源的特性。電源外殼1035可以收容并支撐電源供應(yīng)裝置1033，在內(nèi)部固定有電源供應(yīng)裝置1033的電源外殼1035可以位于主體外殼1031的內(nèi)部。電源連接部115配置于電源外殼1035的下端而聯(lián)結(jié)在電源外殼1035。據(jù)此，電源連接部115電連接于電源外殼1035內(nèi)部的電源供應(yīng)裝置1033而可以發(fā)揮外部電源可以供應(yīng)至電源供應(yīng)裝置1033的通道作用。

發(fā)光元件模塊1020包括基板1023以及配置于基板1023上的發(fā)光元件1021。發(fā)光元件模塊1020配置于主體外殼1031的上部而可以電連接于電源供應(yīng)裝置1033。

基板1023只要是可以支撐發(fā)光元件1021的基板就不受限制，例如，可以是包括布線的印刷電路板。為使基板1023能夠穩(wěn)定地固定于主體外殼1031，基板1023可以具有與主體外殼1031上部的固定部對應(yīng)的形狀。發(fā)光元件1021可以包括以上所述的根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件中的至少一個。

擴散罩1010配置于發(fā)光元件1021上，且可以固定于主體外殼1031而覆蓋發(fā)光元件1021。擴散罩1010可以具有透光性材質(zhì)，通過調(diào)整擴散罩1010的形狀以及透光性可以調(diào)整照明裝置的取向特性。因此，擴散罩1010可以根據(jù)照明裝置的使用目的以及應(yīng)用狀態(tài)變形為各種形式。

圖41是用于說明將根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于顯示裝置的示例的剖面圖。

本實施例的顯示裝置包括顯示面板2110、向顯示面板2110提供光的背光單元blu1以及支撐所述顯示面板2110的下部邊緣的面板引導(dǎo)件2100。

顯示面板2110并不受特殊限定，例如，可以是包括液晶層的液晶顯示面板。在顯示面板2110的邊緣還可以配置有向所述柵極線供應(yīng)驅(qū)動信號的柵極驅(qū)動pcb。在這里，柵極驅(qū)動pcb2112、2113也可以不構(gòu)成于其他pcb而可以形成于薄膜晶體管基板上。

背光單元blu1包括光源模塊，該光源模塊包括至少一個基板2150以及多個發(fā)光元件2160。進而，背光單元blu1還可以包括底蓋2180、反射板2170、擴散板2131以及光學(xué)板2130。

底蓋2180向上部開口，且可以收納基板2150、發(fā)光元件2160、反射板2170、擴散板2131以及光學(xué)板2130。并且，底蓋2180可以結(jié)合于面板引導(dǎo)件2100?；?150位于反射板2170的下部而可以配置成被反射板2170包圍的形狀。但是，并不限定于此，在表面涂布有反射物質(zhì)的情況下，也可以位于反射板2170上。并且，基板2150形成為多個，從而可以配置為多個基板2150并排配置的形狀，但并不限定于此，也可以形成為單一的基板2150。

發(fā)光元件2160可以包括以上所述的根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件中的至少一個。發(fā)光元件2160可以在基板2150上以預(yù)定的圖案有規(guī)則地排列。并且，在各個發(fā)光元件2160上配置有透鏡2210，從而可以提高從多個發(fā)光元件2160發(fā)出的光的均勻性。

擴散板2131以及光學(xué)板2130位于發(fā)光元件2160上。從發(fā)光元件2160發(fā)射的光通過擴散板2131以及光學(xué)板2130而能夠以面光源形式供應(yīng)至顯示面板2110。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件可以應(yīng)用于如本實施例的直下式顯示裝置。

圖42是用于說明將根據(jù)一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于顯示裝置的示例的剖面圖。

根據(jù)本實施例的配置有背光單元的顯示裝置包括顯示影像的顯示面板3210、配置于顯示面板3210的背面而照射光的背光單元blu2。進而，所述顯示裝置包括支撐顯示面板3210并收納背光單元blu2的框架240以及包圍所述顯示面板3210的蓋板3240、3280。

顯示面板3210并不受特殊限定，例如，可以是包括液晶層的液晶顯示面板。在顯示面板3210的邊緣還可以配置有向所述柵極線供應(yīng)驅(qū)動信號的柵極驅(qū)動pcb。在這里，柵極驅(qū)動pcb也可以不構(gòu)成于其他pcb而形成于薄膜晶體管基板上。顯示面板3210通過位于其上下部的蓋板3240、3280而得到固定，位于下部的蓋板3280可以聯(lián)結(jié)于背光單元blu2。

向顯示面板3210提供光的背光單元blu2包括：下部蓋板3270，上表面的一部分開口；光源模塊，配置于下部蓋板3270的內(nèi)部一側(cè)；以及導(dǎo)光板3250，與所述光源模塊并排配置而將點光轉(zhuǎn)換為面光。并且，本實施例的背光單元blu2還可以包括：光學(xué)板3230，位于導(dǎo)光板3250上而使光擴散以及集光；反射板3260，配置于導(dǎo)光板3250的下部，將向?qū)Ч獍?250的下部方向前進的光反射至顯示面板3210方向。

光源模塊包括：基板3220；以及多個發(fā)光元件3110，以預(yù)定的間隔與所述基板3220的一面相隔而配置。基板3220只要是支撐發(fā)光元件3110并電連接于發(fā)光元件3110的形式則不受限制，例如，可以是印刷電路板。發(fā)光元件3110可以包括至少一個以上說明的根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件。從光源模塊發(fā)出的光射入導(dǎo)光板3250而通過光學(xué)板3230供應(yīng)至顯示面板3210。通過導(dǎo)光板3250以及光學(xué)板3230，從發(fā)光元件3110發(fā)出的點光源可以變形為面光源。

據(jù)此，根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件可以應(yīng)用于如本實施例的邊緣式顯示裝置。

圖43是用于說明將根據(jù)本發(fā)明的一實施例的發(fā)光元件應(yīng)用于前照燈的示例的剖面圖。

參照圖43，所述前照燈包括燈體4070、基板4020、發(fā)光元件4010以及蓋板玻璃4050。進而，所述前照燈還可以包括散熱部4030、支撐架4060以及連接部件4040。

基板4020通過支撐架4060固定而相隔配置于燈體4070上。基板4020只要是可以支撐發(fā)光元件4010的基板就不受限制，例如，可以是如印刷電路板等具有導(dǎo)電圖案的基板。發(fā)光元件4010位于基板4020上，可以通過基板4020得到支撐以及固定。并且，發(fā)光元件4010可通過基板4020的導(dǎo)電圖案而電連接于外部的電源。并且，發(fā)光元件4010可以包括至少一個以上說明的根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件。

蓋板玻璃4050位于從發(fā)光元件4010發(fā)出的光移動的路徑上。例如，如圖所示，蓋板玻璃4050可以通過連接部件4040從發(fā)光元件4010相隔而配置，且可以配置于要提供從發(fā)光元件4010發(fā)出的光的方向。通過蓋板玻璃4050可以調(diào)整從前照燈向外部發(fā)出的光的取向角和/或者顏色。另外，連接部件4040將蓋板玻璃4050固定于基板4020，同時配置成包圍發(fā)光元件4010，從而還可以發(fā)揮提供發(fā)光路徑4045的導(dǎo)光作用。此時，連接部件4040可以由反光物質(zhì)形成或者涂布有反光物質(zhì)。另外，散熱部4030可以包括散熱翅片4031和/或者散熱風(fēng)扇4033，可以將在驅(qū)動發(fā)光元件4010時產(chǎn)生的熱量散熱至外部。

據(jù)此，根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光元件可以應(yīng)用于如本實施例的前照燈，尤其是車輛用前照燈。

如上所述，對本發(fā)明的具體說明通過參照附圖的實施例而進行，但所述實施例僅以本發(fā)明的優(yōu)選實施例為例進行了說明，不應(yīng)該理解為本發(fā)明僅限定于所述實施例，應(yīng)該將本發(fā)明的權(quán)利范圍理解為權(quán)利要求范圍及其等價概念。

權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)

1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括：

第一發(fā)光單元；

第二發(fā)光單元，配置于與所述第一發(fā)光單元相同的平面上，電連接于所述第一發(fā)光單元；以及

多個電極連接部，電連接所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元，

所述多個電極連接部以從所述第一發(fā)光單元延伸而覆蓋所述第二發(fā)光單元上部的一部分的方式配置于所述第二發(fā)光單元的上部，且沿著所述第二發(fā)光單元的平面形狀的一個邊而配置于一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元配置成平面形狀的一個邊彼此鄰接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述多個電極連接部配置于與所述第一發(fā)光單元的一個邊對應(yīng)的所述第二發(fā)光單元的一個邊側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述第一發(fā)光單元以及所述第二發(fā)光單元配置成平面形狀的一個邊角彼此鄰接，

所述多個電極連接部從所述第一發(fā)光單元經(jīng)過所述第二發(fā)光單元的一個邊而延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元分別包括：

發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及夾設(shè)于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；

第一接觸電極以及第二接觸電極，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；以及

絕緣層，覆蓋所述第一接觸電極以及所述第二接觸電極的一部分，以使述第一接觸電極以及所述第二接觸電極絕緣。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述絕緣層包括：

第一絕緣層，形成為覆蓋所述第二接觸電極，且包括分別部分地暴露所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及所述第二接觸的第一開口部以及第二開口部；以及

第二絕緣層，形成為覆蓋第一接觸電極，所述第一接觸電極覆蓋所述第一絕緣層，且所述第二絕緣層包括分別部分地暴露所述第一接觸電極與所述第二接觸電極的第三開口部以及第四開口部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述第一絕緣層包括：

預(yù)絕緣層，覆蓋所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的上表面或者側(cè)面的一部分；以及

主絕緣層，形成為覆蓋所述預(yù)絕緣層以及所述第二接觸電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述第一發(fā)光單元的第一接觸電極向所述第二發(fā)光單元的發(fā)光結(jié)構(gòu)體上部延伸而與所述第二接觸電極歐姆接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，

包括：臺面，包括所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及活性層，

所述第一絕緣層包括覆蓋所述臺面的上部一部分的預(yù)絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件，其特征在于，

所述第二接觸電極在所述臺面上部與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，

還包括位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的下部的基板，

所述基板在上表面形成有多個圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件，其特征在于，

在形成于所述基板的多個圖案中，未被所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體覆蓋而暴露的一部分以小于被所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體覆蓋的剩余部分的大小形成。