本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管（led），尤其涉及一種應(yīng)用于平行光照明的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

微電子、微機(jī)電系統(tǒng)制造都需要應(yīng)用到曝光機(jī)，曝光機(jī)中的光學(xué)系統(tǒng)是將光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為理想平行光，然后，通過(guò)平行光將掩膜上的圖形等尺寸轉(zhuǎn)移到掩膜下面的菲林上，再通過(guò)刻蝕，將菲林上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上。在整個(gè)制造過(guò)程中，平行光的發(fā)散角決定了圖形從菲林轉(zhuǎn)移到基片的精度，發(fā)散角越小，轉(zhuǎn)移的精度越高。

傳統(tǒng)的平行光源往往采用體積較大的金屬或金屬鹵化物氣體放電燈，其譜線不純，壽命也較短，運(yùn)行成本高。近年來(lái)，隨著發(fā)光二極管技術(shù)的進(jìn)步，發(fā)光二極管燈珠在發(fā)光效率，發(fā)光壽命，譜線窄等方面的優(yōu)勢(shì)日益突出，正不斷取代曝光機(jī)中的傳統(tǒng)氣體放電燈，成為曝光機(jī)光源的主流。

伴隨著曝光機(jī)對(duì)精度要求的不斷提高，曝光機(jī)所要求平行光的發(fā)散角越來(lái)越小。例如，半發(fā)散角由過(guò)去的小于2.5°提高到小于0.5°。然而，隨著發(fā)散角的變小，曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)所出射平行光的輻射出射度迅速降低，而無(wú)法達(dá)到被曝光物所需的曝光要求。單純對(duì)曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行改進(jìn)是無(wú)法解決該問(wèn)題的，必須對(duì)光源進(jìn)行優(yōu)化。

本發(fā)明將從曝光機(jī)所采用的光源的角度去進(jìn)一步提高曝光機(jī)的性能。為了提高曝光機(jī)的光功率，用于曝光機(jī)的發(fā)光二極管燈珠一般采用大功率型。這種發(fā)光二極管往往注重的是轉(zhuǎn)換效率，即在一定的電能輸入下，如何獲得更高的輻射光功率。這樣的發(fā)光二極管并不總是有利于曝光機(jī)獲得更佳性能的平行光，特別在發(fā)散角要求極小的平行光源中。

研究表明：某一出射度為m的均勻自發(fā)輻射表面的輻射的發(fā)散角為某一值，通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)后，其發(fā)散角可以降低，但同時(shí)出射度必然遠(yuǎn)小于m。近似地，出射度m下降的速度是發(fā)散角下降速度的二次方。自發(fā)輻射體一般是余弦發(fā)射體，因此，要獲得極小發(fā)散角的輸出光，同時(shí)對(duì)經(jīng)過(guò)光學(xué)系統(tǒng)后的出射度有一定要求，則必然要求作為光源的自發(fā)輻射體具有極大的輻射出射度m。

如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的曝光機(jī)的光源往往采用led陣列，包括多個(gè)led燈珠101，然后經(jīng)過(guò)擴(kuò)散勻光板102，構(gòu)成余弦體二次光源作為其大面積光源。然而，依據(jù)以上分析，雖然該二次光源的輻射通量很大，但光源表面的輻射出射度并不高，遠(yuǎn)小于發(fā)光二極管芯片表面的輻射出射度。如前所述，這種輻射出射度低的光源，采用任何光學(xué)系統(tǒng)，都不可能獲得小的發(fā)散角。

既然發(fā)光二極管芯片表面具有最大的輻射出射度，那顯然，將芯片表面出射的光直接導(dǎo)入光學(xué)系統(tǒng)，在保證最后輻射出射度的條件下，理論上可以獲得最小的發(fā)散角。因此，獲得盡可能高輻射出射度的發(fā)光二極管是制造極小發(fā)散角平行光源的關(guān)鍵。

目前發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在如何獲得最大的總輻射通量，而不是獲得最大輻射出射度，這兩者并不總是一致的。當(dāng)發(fā)光二極管芯片每個(gè)發(fā)光區(qū)域都獲得最大的輻射出射度，總的輻射通量一定也是最大的。

另一方面，也可以通過(guò)縮小發(fā)光二極管芯片發(fā)光區(qū)域，犧牲總輻射通量，在芯片表面的部分區(qū)域產(chǎn)生極大的輻射出射度。

發(fā)光二極管芯片并不是平面光源，實(shí)際上是六面立方體，接觸熱沉的面不出光，上表面，四個(gè)側(cè)面是發(fā)光二極管的光輻射的區(qū)域。芯片的光輻射通量主要是上表面產(chǎn)生。

也有部分發(fā)光二極管芯片，例如發(fā)紫外光的algan材料體系的led發(fā)光二極管芯片，其輻射甚至很大一部分是來(lái)自于四個(gè)側(cè)面。由于芯片的厚度極小，四個(gè)側(cè)面相對(duì)于上表面的面積小，因此，雖然四個(gè)側(cè)面的總輻射通量可能小于上表面的輻射通量，但四個(gè)側(cè)面的輻射出射度是遠(yuǎn)大于上表面的輻射出射度。因此，加強(qiáng)和利用這種發(fā)光二極管的側(cè)發(fā)光將可以制造具有高輻射出射度的發(fā)光二極管。

影響發(fā)光二極管出光的因素還包括其封裝結(jié)構(gòu)，如圖3所示，封裝結(jié)構(gòu)一般包括：熱沉103、芯片104以及光學(xué)結(jié)構(gòu)105。這些封裝結(jié)構(gòu)一般以提高發(fā)光二極管總的輻射通量為目標(biāo)進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)，然而，基于上文同樣的理由，經(jīng)過(guò)封裝后的發(fā)光二極管應(yīng)該以有利于發(fā)光二極管芯片表面具有最大輻射出射度區(qū)域的光能夠最少損失的由封裝體出射。

基于以上研究，設(shè)計(jì)一種適合用于平行光照明的發(fā)光二極管包含兩部分：從發(fā)光二極管芯片的層面考慮，要在發(fā)光二極管芯片發(fā)光表面形成具有高出射度的部分區(qū)域，而不是全部芯片表面區(qū)域；從發(fā)光二極管封裝層面考慮，要有利于發(fā)光二極管芯片表面極高輻射出射度區(qū)域的光出射，而不是所有輻射表面的光出射。

基于以上研究，我們提出了一種適用于平行光照明的發(fā)光二極管。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，旨在用于解決現(xiàn)有的發(fā)光二極管輻射出射度低，不能獲得較小的發(fā)散角的問(wèn)題。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種應(yīng)用于平行光照明的發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管芯片、熱沉以及光學(xué)封裝體，所述發(fā)光二極管芯片的下表面與所述熱沉接觸，其上表面及四個(gè)側(cè)面均為發(fā)光表面，所述光學(xué)封裝體包覆于所述發(fā)光二極管芯片外，所述發(fā)光表面的部分區(qū)域覆蓋有抑制光輻射的覆蓋層。

進(jìn)一步地，所述覆蓋層覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片的四個(gè)側(cè)面及上表面中的任意一個(gè)面或多個(gè)面上，且位于任意一個(gè)面上的覆蓋層覆蓋該面的全部區(qū)域或者部分區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述覆蓋層為鍍于所述發(fā)光表面的金屬膜。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片的兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的上表面，兩電極共同覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面且在僅中央形成圓形出光孔。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片的兩電極分別位于發(fā)光二極管芯片的上表面和下表面，位于所述發(fā)光二極管芯片上表面的電極覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面且僅在中央形成圓形出光孔。

進(jìn)一步地，所述光學(xué)封裝體的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡，所述發(fā)光二極管芯片位于所述球面準(zhǔn)直透鏡的焦平面上，所述圓形出光孔的中心與所述球面準(zhǔn)直透鏡的中心對(duì)準(zhǔn)。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的下表面，所述發(fā)光二極管芯片的襯底被減薄或者剝離，所述覆蓋層覆蓋于減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片的上表面。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片減薄后的襯底的厚度為0-80微米。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片為發(fā)紫外光的algan材料體系的led芯片，所述覆蓋層覆蓋于減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片的上表面的全部區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述光學(xué)封裝體為中空的石英體，所述光學(xué)封裝體的內(nèi)側(cè)具有與所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面間隔設(shè)置的豎直面，所述光學(xué)封裝體的外側(cè)具有與所述豎直面處于同一高度且與水平方向呈45度角的第一傾斜面，所述光學(xué)封裝體的外側(cè)還具有位于第一傾斜面上方且與第一傾斜面沿水平方向?qū)ΨQ設(shè)置的第二傾斜面，所述光學(xué)封裝體的內(nèi)側(cè)還具有與第二傾斜面處于同一高度且與第二傾斜面平行設(shè)置的第三傾斜面，所述光學(xué)封裝體的頂部具有位于第三傾斜面上方的水平面。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

（1）本發(fā)明提供的這種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，通過(guò)在發(fā)光二極管芯片的發(fā)光表面的部分區(qū)域覆蓋抑制光輻射的覆蓋層，抑制發(fā)光二極管的總輻射通量，使得其他未處理發(fā)光表面區(qū)域獲得極大輻射出射度，該光源將有利于降低平行光發(fā)散角，優(yōu)化平行光的照明設(shè)計(jì)。

（2）本發(fā)明提供的這種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，將位于發(fā)光二極管芯片頂部的襯底減薄或者至完全剝離，縮小四個(gè)側(cè)面的出光面積，降低側(cè)面的光輻射，抑制發(fā)光二極管的總輻射通量，使得其他未處理發(fā)光表面區(qū)域獲得極大輻射出射度，進(jìn)一步使得該光源利于降低平行光發(fā)散角，優(yōu)化平行光的照明設(shè)計(jì)。

（3）本發(fā)明提供的這種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，將光學(xué)封裝體設(shè)計(jì)成使得發(fā)光二極管芯片表面極大輻射出射度區(qū)域的出射光能最少損失地沿芯片上表面法線方向出射，進(jìn)一步使得該光源利于降低平行光發(fā)散角，優(yōu)化平行光的照明設(shè)計(jì)。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的曝光機(jī)光源的led燈珠陣列的正視圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的曝光機(jī)光源的led燈珠陣列以及勻光板的側(cè)視圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片與熱沉的封裝結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例1提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例2提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例3、4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片襯底減薄示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例3、4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片襯底剝離示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例3提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例1、2、3提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)主視圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)俯視圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：1-發(fā)光二極管芯片、2-熱沉、3-光學(xué)封裝體、4-覆蓋層、5-圓形出光孔、6-球面準(zhǔn)直透鏡、7-襯底、s1-豎直面、s2-第一傾斜面、s3-第二傾斜面、s4-第三傾斜面、s5-水平面。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體（未圖示），如圖4所示，所述發(fā)光二極管芯片1的下表面與所述熱沉2接觸，所述發(fā)光二極管芯片1的上表面及四個(gè)側(cè)面均為發(fā)光表面，所述光學(xué)封裝體包覆于所述發(fā)光二極管芯片1外，所述發(fā)光二極管芯片1的發(fā)光表面的部分區(qū)域被處理，使得處理區(qū)域的光輻射受到抑制，從而光輻射只能在未處理的區(qū)域出射，并在未處理的區(qū)域獲得極大輻射出射度。所述處理包括在所述發(fā)光表面的部分區(qū)域覆蓋抑制光輻射的覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面及上表面這五個(gè)面中的任意一個(gè)面或多個(gè)面上，且位于任意一個(gè)面上的覆蓋層覆蓋該面的全部區(qū)域或者覆蓋該面的部分區(qū)域，覆蓋于任意一個(gè)面的部分區(qū)域上的覆蓋層的形狀可以是任意的，作為優(yōu)選地，覆蓋于上表面部分區(qū)域上的覆蓋層為中心對(duì)稱形狀且在中央形成圓形出光孔，以此獲得更好的出光效果。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述覆蓋層為鍍于所述發(fā)光表面的金屬膜，如金、銀等，當(dāng)封裝之后的發(fā)光二極管芯片1有電極位于芯片的上表面時(shí)，所述覆蓋層可以直接由電極擴(kuò)大形成，所述覆蓋層不限于金屬膜材料。當(dāng)發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的下表面時(shí)，所述處理還包括對(duì)所述發(fā)光二極管芯片頂部的襯底減薄或者至完全剝離，并在減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片的上表面覆蓋抑制光輻射的覆蓋層，所述發(fā)光二極管芯片減薄或者剝離后的襯底的厚度優(yōu)選為0-80微米，此時(shí)可以獲得較好的出光效果。

為了獲得盡可能高的輻射出射度，實(shí)現(xiàn)更好的出光效果，所述光學(xué)封裝體還可以根據(jù)發(fā)光二極管芯片表面極大輻射出射度區(qū)域進(jìn)行設(shè)計(jì)，使得該區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片的上表面法線方向出射，此時(shí)會(huì)伴隨其他區(qū)域的光輻射的出射效率受損或無(wú)法有效地沿芯片上表面法線方向出射。

以下根據(jù)發(fā)光二極管芯片自身結(jié)構(gòu)及封裝形式對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例加以說(shuō)明。

實(shí)施例1：

當(dāng)發(fā)光二極管芯片的兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的上表面時(shí)，如圖5所示，覆蓋層4由兩電極形成，將兩電極設(shè)計(jì)成共同覆蓋發(fā)光二極管芯片1的上表面且僅在中央形成圓形出光孔5，所述圓形出光孔5的直徑優(yōu)選為0.1-0.5毫米。兩電極在發(fā)光二極管芯片1的上表面的面積遠(yuǎn)大于普通發(fā)光二極管兩電極的面積，由于可發(fā)光區(qū)域的面積降低，總輻射通量下降，但中央圓形出光孔5區(qū)域的輻射出射度上升，有利于降低平行光發(fā)散角。對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)如圖11所示，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體3，所述光學(xué)封裝體3的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡6，發(fā)光二極管芯片1位于球面準(zhǔn)直透鏡6的焦平面上，發(fā)光二極管芯片1的圓形出光孔5的中心對(duì)準(zhǔn)球面準(zhǔn)直透鏡6的中心，使得出光區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片1的上表面法線方向出射，從而獲得更高的輻射出射度。

實(shí)施例2：

當(dāng)發(fā)光二極管芯片的兩電極分別位于發(fā)光二極管芯片的上表面和下表面時(shí)，如圖6所示，覆蓋層4由位于發(fā)光二極管芯片1上表面的電極形成，將位于發(fā)光二極管芯片1上表面的電極面積增大，使得位于發(fā)光二極管芯片1上表面的電極覆蓋發(fā)光二極管芯片1的上表面且僅在中央形成圓形出光孔5，所述圓形出光孔5的直徑優(yōu)選為0.1-0.5毫米。由于可發(fā)光區(qū)域的面積降低，總輻射通量下降，但中央圓形出光孔5區(qū)域的輻射出射度上升，有利于降低平行光發(fā)散角。對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)如圖11所示，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體3，所述光學(xué)封裝體3的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡6，發(fā)光二極管芯片1位于球面準(zhǔn)直透鏡6的焦平面上，發(fā)光二極管芯片1的圓形出光孔5的中心對(duì)準(zhǔn)球面準(zhǔn)直透鏡6的中心，使得出光區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片1的上表面法線方向出射，從而獲得更高的輻射出射度。

實(shí)施例3：

當(dāng)發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片與熱沉接觸的下表面時(shí)，此時(shí)發(fā)光二極管芯片1的襯底位于發(fā)光二極管芯片1的頂部，如圖7所示，所述發(fā)光二極管芯片1頂部的襯底7被減薄，使得剩余襯底7厚度為0-80微米，或者如圖8所示，所述發(fā)光二極管芯片1的襯底7完全剝離，通過(guò)減薄或者剝離襯底從而縮小發(fā)光二極管芯片1四個(gè)側(cè)面的出光面積，降低側(cè)面的光輻射，并且，如圖9所示，在減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片1的上表面覆蓋抑制光輻射的覆蓋層4，所述覆蓋層4為鍍于所述發(fā)光二極管芯片1上表面的金屬膜，例如金，銀等，并在中央留出較小的出光區(qū)域，該出光區(qū)域形狀任意，本優(yōu)選實(shí)施例中，所述出光區(qū)域?yàn)槲挥诟采w層4中央的圓形出光孔5，所述圓形出光孔5的直徑優(yōu)選為0.1-0.5毫米。對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)如圖11所示，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體3，所述光學(xué)封裝體3的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡6，發(fā)光二極管芯片1位于球面準(zhǔn)直透鏡6的焦平面上，發(fā)光二極管芯片1的圓形出光孔5的中心對(duì)準(zhǔn)球面準(zhǔn)直透鏡6的中心，使得出光區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片1的上表面法線方向出射，從而獲得更高的輻射出射度。

實(shí)施例4：

當(dāng)發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片與熱沉接觸的下表面，并且發(fā)光二極管芯片為發(fā)紫外光的algan材料體系的led芯片時(shí)，此時(shí)發(fā)光二極管的四個(gè)側(cè)面的光輻射通量占發(fā)光二極管總光輻射通量比例較大，通常會(huì)超過(guò)50%，如圖7所示，所述發(fā)光二極管芯片1上表面的襯底7被減薄，使得剩余襯底7厚度為0-80微米，或者如圖8所示，所述發(fā)光二極管芯片1的襯底7完全剝離，通過(guò)減薄或者剝離襯底從而縮小發(fā)光二極管芯片1四個(gè)側(cè)面的出光面積，降低側(cè)面的光輻射，并且，如圖10所示，在減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片1上表面的全部區(qū)域覆蓋抑制光輻射的覆蓋層4，所述覆蓋層4為鍍于發(fā)光二極管芯片1上表面全部區(qū)域的金屬膜，例如金，銀等，最終在發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面獲得極大輻射出射度。該發(fā)光二極管芯片1的發(fā)光區(qū)域全部位于側(cè)面，對(duì)應(yīng)的光學(xué)封裝體3結(jié)構(gòu)如圖12-14所示，所述光學(xué)封裝體1為中空的石英體，所述光學(xué)封裝體3的內(nèi)側(cè)具有與所述發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面均間隔設(shè)置的豎直面s1，所述光學(xué)封裝體3的外側(cè)具有與所述豎直面s1處于同一高度且與水平方向呈45度角的第一傾斜面s2，所述光學(xué)封裝體3的外側(cè)還具有位于第一傾斜面s2上方與第一傾斜面s2沿水平方向?qū)ΨQ設(shè)置的第二傾斜面s3，所述光學(xué)封裝體3的內(nèi)側(cè)還具有與第二傾斜面s3處于同一高度且與第二傾斜面s3平行設(shè)置的第三傾斜面s4，所述光學(xué)封裝體3的頂部具有位于第三傾斜面s4上方的水平面s5。該光學(xué)封裝體3使得所述發(fā)光二極管芯片1側(cè)面出射的光先經(jīng)過(guò)所述豎直面s1透射，經(jīng)過(guò)所述豎直面s1透射后依次經(jīng)過(guò)所述第一傾斜面s2、所述第二傾斜面s3、所述第三傾斜面s4進(jìn)行內(nèi)全反射，最后垂直于所述水平面s5出射，所述發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面的光經(jīng)過(guò)這個(gè)光學(xué)封裝體1后，將在水平面s5中心區(qū)域形成一個(gè)具有高出射度的光斑，從而獲得較高的輻射出射度。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。