一種功率型發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種功率型發(fā)光二極管的制作方法，先于藍(lán)寶石襯底表面制作u-GaN層，并刻蝕該u-GaN層形成由多個(gè)走道隔成多個(gè)獨(dú)立的u-GaN單元；于各該u-GaN單元表面濺射周期性的介質(zhì)層，并將其刻蝕成多個(gè)六角陣列排列且具有預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)層單元；然后沉積LED結(jié)構(gòu)外延層、清理走道、制備電極、背面激光內(nèi)切、背鍍反射鏡，最后裂片完成芯片制備。采用較薄的u-GaN層進(jìn)行晶胞隔離，可以大大減小隔離時(shí)對(duì)u-GaN層及晶胞側(cè)壁的損傷，制作圖形化的介質(zhì)層可以有效的提高發(fā)光二極管的亮度，采用激光內(nèi)切，不但可以提高LED芯片的出光效率，并且可以大大降低芯片制備過程中的碎片率。
【專利說明】一種功率型發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，特別是涉及一種功率型發(fā)光二極管的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體照明作為新型高效固體光源，具有壽命長(zhǎng)、節(jié)能、環(huán)保、安全等顯著優(yōu)點(diǎn)，將成為人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一次飛躍，其應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速擴(kuò)大，正帶動(dòng)傳統(tǒng)照明、顯示等行業(yè)的升級(jí)換代，其經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益巨大。正因如此，半導(dǎo)體照明被普遍看作是21世紀(jì)最具發(fā)展前景的新興產(chǎn)業(yè)之一，也是未來幾年光電子領(lǐng)域最重要的制高點(diǎn)之一。發(fā)光二極管是由II1-1V族化合物，如GaAs (砷化鎵)、GaP (磷化鎵)、GaAsP (磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的1-N特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光。
[0003]一般的功率型發(fā)光二極管的制備方法可以采用PSS藍(lán)寶石襯底為基板采用MOCVD沉積發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，或者采用平片藍(lán)寶石襯底為基板，采用MOCVD沉積發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，然后對(duì)P-GaN層表面進(jìn)行粗化，然后進(jìn)行發(fā)光二極管芯片的制備。發(fā)光二極管芯片的制備一般包括以下步驟:外延清洗-發(fā)光二極管晶胞隔離-N面臺(tái)階刻蝕-絕緣層沉積-涂保護(hù)膠一正劃一絕緣層制備一 ITO蒸鍍一 ITO光刻一P和N焊盤及電極橋接蒸鍍一開雙孔一襯底背減薄-背鍍反射鏡-裂片。按照上述方法制備發(fā)光二極管的缺點(diǎn)是:發(fā)光二極管亮度提升有限，并且發(fā)光二極管晶胞隔離較為困難，對(duì)于PPS藍(lán)寶石襯底，由于凸PSS包的存在，使得凸包與凸包之間GaN難以完全刻蝕；另外，若將發(fā)光二極管外延層刻透(6um以上)，需要較長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕，會(huì)對(duì)刻蝕側(cè)壁及表面造成損傷，會(huì)大大降低整個(gè)發(fā)光二極管芯片的出光效率。
[0004]因此，提供一種新型的功率型發(fā)光二極管的制作方法實(shí)屬必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種功率型發(fā)光二極管的制作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中功率型發(fā)光二極管亮度提升有限，晶胞隔離比較困難容易導(dǎo)致器件失效，刻蝕較厚的發(fā)光外延層成本較高的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種功率型發(fā)光二極管的制作方法，所述制作方法至少包括以下步驟:
[0007]I)提供一藍(lán)寶石襯底，于所述藍(lán)寶石襯底上制備U-GaN層；
[0008]2)刻蝕所述U-GaN層至所述藍(lán)寶石襯底形成多個(gè)走道，以隔出多個(gè)相互獨(dú)立的U-GaN單兀；
[0009]3)于各該U-GaN單元上形成介質(zhì)層；
[0010]4)對(duì)各該介質(zhì)層進(jìn)行圖案化處理，以在各該U-GaN單元表面的形成多個(gè)周期性排列且具有預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)層單元；
[0011]5)于上述結(jié)構(gòu)表面形成發(fā)光外延層；
[0012]6)清除各該走道內(nèi)的發(fā)光外延層，并于所述發(fā)光外延層中刻蝕出N電極制備區(qū)域，然后制備P電極及N電極，形成多個(gè)發(fā)光二極管晶胞；
[0013]7)依據(jù)各該發(fā)光二極管晶胞對(duì)所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行激光內(nèi)切處理；
[0014]8 )對(duì)所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行減薄；
[0015]9)于所述藍(lán)寶石襯底背表面制作背鍍反射鏡；
[0016]10)對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行裂片以獲得多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光二極管晶胞。
[0017]在本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法中，采用化學(xué)氣相沉積法或氫化物氣相外延法制備所述U-GaN層。
[0018]優(yōu)選地,所述U-GaN層的厚度2~5um。
[0019]作為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法一種優(yōu)選方案，所述介質(zhì)層為SiO2層、SiO2與Ti2O5周期性濺射層或SiO2與Ta2O5周期性濺射層。
[0020]優(yōu)選地，所述介質(zhì)層的厚度為6(Tl200nm。
[0021]作為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法一種優(yōu)選方案，所述介質(zhì)層單元的形狀為正六邊形、圓形、矩形、正方形或菱形。
[0022]作為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法一種優(yōu)選方案，所述介質(zhì)層單元呈六角陣列排列。
[0023]作為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法一種優(yōu)選方案，所述步驟6)中，采用選擇性腐蝕技術(shù)或感應(yīng)耦合等離子刻蝕技術(shù)清除各該走道內(nèi)的發(fā)光外延層。
[0024]在本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法所述步驟8)中，采用激光對(duì)減薄后的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行2次內(nèi)劃處理。
[0025]在本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法所述步驟9)中，采用裂片刀的方式進(jìn)行裂片。
[0026]如上所述，本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法，具有以下有益效果:先于藍(lán)寶石襯底表面制作U-GaN層，并刻蝕該U-GaN層形成由多個(gè)走道隔成多個(gè)獨(dú)立的U-GaN單元；于各該U-GaN單元表面濺射周期性的介質(zhì)層，并將其刻蝕成多個(gè)六角陣列排列且具有預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)層單元；然后沉積LED結(jié)構(gòu)外延層、清理走道、制備電極、背面激光內(nèi)切、背鍍反射鏡，最后裂片完成芯片制備。采用較薄的U-GaN層進(jìn)行晶胞隔離，可以大大減小隔離時(shí)對(duì)U-GaN層及晶胞側(cè)壁的損傷，制作圖形化的介質(zhì)層可以有效的提高發(fā)光二極管的亮度，采用激光內(nèi)切，不但可以提高LED芯片的出光效率，并且可以大大降低芯片制備過程中的碎片率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖廣圖2顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟I)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟2)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖1-圖5顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟3)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。[0030]圖圖7顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟4)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖8顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟5)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖9~圖10顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟6)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖11顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟8)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖12顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟9)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖13顯示為本發(fā)明的功率型發(fā)光二極管的制作方法步驟10)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]元件標(biāo)號(hào)說明
[0037]101藍(lán)寶石襯底
[0038]102U-GaN 層
[0039]103U-GaN 單元
[0040]104介質(zhì)層
[0041]1041SiO2 層
[0042]1042Ta2O5 層
[0043]105介質(zhì)層單元
[0044]106發(fā)光外延層
[0045]1061N-GaN 層
[0046]1062量子阱層
[0047]1063P-GaN 層
[0048]1064透明導(dǎo)電層
[0049]107變質(zhì)腔
[0050]108背鍍反射鏡
[0051]109P 電極
[0052]110N 電極
【具體實(shí)施方式】
[0053] 以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0054]請(qǐng)參閱圖f圖13。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0055]如圖f圖13所示，本實(shí)施例提供一種功率型發(fā)光二極管的制作方法，所述制作方法至少包括以下步驟:
[0056]如圖f圖2所示，首先進(jìn)行步驟1)，提供一藍(lán)寶石襯底101，于所述藍(lán)寶石襯底101上制備U-GaN層102。
[0057]具體地，采用化學(xué)氣相沉積法或氫化物氣相外延法制備所述U-GaN層102，在本實(shí)施例中，采用化學(xué)氣相沉積法制備所述U-GaN層102。所述U-GaN層102的厚度2~5um，在本實(shí)施例中為3um。
[0058]如圖3所示，然后進(jìn)行步驟2)，刻蝕所述U-GaN層102至所述藍(lán)寶石襯底101形成多個(gè)走道，以隔出多個(gè)相互獨(dú)立的U-GaN單兀103。
[0059]具體地，采用ICP刻蝕法刻蝕所述U-GaN層102至所述藍(lán)寶石襯底101形成多個(gè)走道，以隔出多個(gè)相互獨(dú)立的U-GaN單元103，在本實(shí)施例中，所述U-GaN單元103的形狀為矩形或正方形，用于后續(xù)的制備過程中實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管晶胞的隔離，由于刻蝕的U-GaN層102厚度較薄，通過其進(jìn)行晶胞的隔離可以有效的降低制作時(shí)間和生產(chǎn)成本。
[0060]如圖4~圖5所示，然后進(jìn)行步驟3)，于各該U-GaN單元103上形成介質(zhì)層104。
[0061]具體地，采用濺射的方式于各該U-GaN單元103上形成介質(zhì)層104，所述介質(zhì)層104為Si02層、SiO2與Ti2O5周期性濺射層或SiO2與Ta2O5周期性濺射層，所述介質(zhì)層104的厚度為6(Tl200nm。在本實(shí)施例中，通過交替于各該U-GaN單元103表面濺射SiO2層1041與Ta2O5層1042形成周期性濺射層，周期數(shù)為3~10，周期性濺射層的厚度為150nnT300nm，如圖5所示。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，所述介質(zhì)層104可以由其它介質(zhì)材料組成，其周期數(shù)與厚度也可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行確定，并不局限于此處所提及的介質(zhì)材料。
[0062]如圖6~圖7所示，然后進(jìn)行步驟4)，對(duì)各該介質(zhì)層104進(jìn)行圖案化處理，以在各該U-GaN單元103表面的形成多個(gè)周期性排列且具有預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)層單元105。
[0063]具體地，刻蝕各該介質(zhì)層104以對(duì)各該介質(zhì)層104進(jìn)行圖案化處理，將介質(zhì)層104刻蝕成呈六角陣列排列多個(gè)介質(zhì)層單元105，所述介質(zhì)層單元105的形狀為正六邊形、圓形、矩形、正方形或菱形。本實(shí)施例以所述介質(zhì)層單元105的形狀為圓形為例進(jìn)行說明，如圖7所示，所述圓形的介質(zhì)層單元105呈六角陣列排列，此處使各該圓形的半徑等于相鄰兩介質(zhì)層單元105的距離，這樣的陣列結(jié)構(gòu)可以有效地使入射光產(chǎn)生漫反射或折射進(jìn)入下方的藍(lán)寶石襯底101中，通過折射的光線通過背鍍的反射鏡進(jìn)行反射后出光，大大地降低了發(fā)光二極管內(nèi)的全反射概率，能有效地增加發(fā)光二極管的出光率。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，所述介質(zhì)層單元105也可以是一切預(yù)期的形狀。
[0064]如圖8所示，然后進(jìn)行步驟5)，于上述結(jié)構(gòu)表面形成發(fā)光外延層。
[0065]在本實(shí)施例中，以(CH3) 3Ga、NH3> SiH4為反應(yīng)原料，采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積法在上述結(jié)構(gòu) 表面生長(zhǎng)N-GaN層；以(CH3) 3In、(CH3) 3Ga、NH3為反應(yīng)原料，采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積法在所述N-GaN層上生長(zhǎng)InGaN/GaN量子阱層；以(CH3) 3Ga、NH3>Mg(C5H5)2為反應(yīng)原料，采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積法在所述的InGaN/GaN量子阱層上生長(zhǎng)P-GaN層，最后在所述P-GaN層上形成第一透明導(dǎo)電層，以形成所述的發(fā)光外延層，所述第一透明導(dǎo)電層的的材料為ITO、ATO、FTO或ΑΖ0。在本實(shí)施例中，所述第一透明導(dǎo)電層為ITO層。當(dāng)然，生長(zhǎng)方式可采用普通的二維生長(zhǎng)法或者懸空生長(zhǎng)法，可根據(jù)需要選擇更多不同的生長(zhǎng)方式。
[0066]如圖9~圖10所示，接著進(jìn)行步驟6)，清除各該走道內(nèi)的發(fā)光外延層，并于所述發(fā)光外延層中刻蝕出N電極110制備區(qū)域，然后制備P電極109及N電極110，形成多個(gè)發(fā)光
二極管晶胞。
[0067]在本實(shí)施例中，采用選擇性腐蝕技術(shù)或感應(yīng)耦合等離子刻蝕技術(shù)清除各該走道內(nèi)的發(fā)光外延層。然后刻蝕所述透明導(dǎo)電層、P-GaN層、量子阱層形成N-GaN平臺(tái)作為N電極110制備區(qū)域，最后于各該透明導(dǎo)電層上制作P電極109，于各該N-GaN平臺(tái)制作N電極110，以形成多個(gè)發(fā)光二極管晶胞。
[0068]接著進(jìn)行步驟7)，對(duì)所述藍(lán)寶石襯底101進(jìn)行減薄。采用研磨法或化學(xué)腐蝕法對(duì)所述藍(lán)寶石襯底101進(jìn)行減薄處理，在本實(shí)施例中，采用研磨法對(duì)所述藍(lán)寶石襯底101進(jìn)行減薄。
[0069]如圖11所示，接著進(jìn)行步驟8)，依據(jù)各該發(fā)光二極管晶胞對(duì)所述藍(lán)寶石襯底101進(jìn)行激光內(nèi)切處理。
[0070]具體地，依據(jù)各該發(fā)光二極管晶胞的位置對(duì)所述藍(lán)寶石襯底101發(fā)射激光脈沖，以在藍(lán)寶石襯底101的預(yù)設(shè)位置形成變質(zhì)結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，對(duì)同一位置可以發(fā)射一次激光脈沖形成一個(gè)變質(zhì)腔107，也可以發(fā)射兩次或以上的激光脈沖形成兩個(gè)或兩個(gè)以上的變質(zhì)腔107，即采用激光對(duì)減薄后的藍(lán)寶石襯底101進(jìn)行2次或2次以上的內(nèi)劃處理。
[0071]如圖12所示，接著進(jìn)行步驟9)，于所述藍(lán)寶石襯底101背表面制作背鍍反射鏡108。
[0072]所述背鍍發(fā)射鏡為金屬層或介電層與金屬層的復(fù)合層。所述介電層可為Si02、Si02和Ti02周期性交替、Si3N4等，所述金屬層可為Au、Pt、Ag、Al等。
[0073]如圖13所示，最后進(jìn)行步驟10)，對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行裂片以獲得多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光二極管晶胞。
[0074]具體地，采用裂片刀對(duì)準(zhǔn)各該通過激光內(nèi)切形成的變質(zhì)腔107，然后采用壓迫的方式對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行裂片，獲得多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光二極管晶胞，以完成制作。
[0075]綜上所述，本發(fā)明提供一種功率型發(fā)光二極管的制作方法，先于藍(lán)寶石襯底表面制作U-GaN層，并刻蝕該U-GaN層形成由多個(gè)走道隔成多個(gè)獨(dú)立的U-GaN單元；于各該U-GaN單元表面濺射周期性的介質(zhì)層，并將其刻蝕成多個(gè)六角陣列排列且具有預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)層單元；然后沉積LED結(jié)構(gòu)外延層、清理走道、制備電極、背面激光內(nèi)切、背鍍反射鏡，最后裂片完成芯片制備。采用較薄的U-GaN層進(jìn)行晶胞隔離，可以大大減小隔離時(shí)對(duì)U-GaN層及晶胞側(cè)壁的損傷，制作圖形化的介質(zhì)層可以有效的提高發(fā)光二極管的亮度，采用激光內(nèi)切，不但可以提高LED芯片的出光效率，并且可以大大降低芯片制備過程中的碎片率。。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0076]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步驟: 1)提供一藍(lán)寶石襯底，于所述藍(lán)寶石襯底上制備U-GaN層； 2)刻蝕所述U-GaN層至所述藍(lán)寶石襯底形成多個(gè)走道，以隔出多個(gè)相互獨(dú)立的U-GaN單元； 3)于各該U-GaN單元上形成介質(zhì)層； 4)對(duì)各該介質(zhì)層進(jìn)行圖案化處理，以在各該U-GaN單元表面的形成多個(gè)周期性排列且具有預(yù)設(shè)圖案的介質(zhì)層單元； 5)于上述結(jié)構(gòu)表面形成發(fā)光外延層； 6)清除各該走道內(nèi)的發(fā)光外延層，并于所述發(fā)光外延層中刻蝕出N電極制備區(qū)域，然后制備P電極及N電極，形成多個(gè)發(fā)光二極管晶胞； 7)對(duì)所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行減薄； 8)依據(jù)各該發(fā)光二極管晶胞對(duì)所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行激光內(nèi)切處理； 9)于所述藍(lán)寶石襯底背表面制作背鍍反射鏡； 10)對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行裂片以獲得多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光二極管晶胞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:采用化學(xué)氣相沉積法或氫化物氣相外延法制備所述U-GaN層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述U-GaN層的厚度2?5um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述介質(zhì)層為SiO2層、SiO2與Ti2O5周期性濺射層或SiO2與Ta2O5周期性濺射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述介質(zhì)層的厚度為 6(Tl200nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述介質(zhì)層單元的形狀為正六邊形、圓形、矩形、正方形或菱形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述介質(zhì)層單元呈六角陣列排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述步驟6)中，采用選擇性腐蝕技術(shù)或感應(yīng)耦合等離子刻蝕技術(shù)清除各該走道內(nèi)的發(fā)光外延層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述步驟8)中，采用激光對(duì)減薄后的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行2次內(nèi)切處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述步驟9)中，采用裂片刀的方式進(jìn)行裂片。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK103681981SQ201210361848
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月25日
【發(fā)明者】朱廣敏, 郝茂盛, 齊勝利, 陶淳, 潘堯波, 張楠, 陳誠, 陳耀, 袁根如, 李士濤 申請(qǐng)人:上海藍(lán)光科技有限公司