一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法，先于半導(dǎo)體襯底表面制作多個(gè)發(fā)光單元，且由相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元組成并聯(lián)單元；然后制作掩膜版并依據(jù)并各該聯(lián)單元進(jìn)行正劃形成裂片走道；然后依據(jù)掩膜版進(jìn)行ICP刻蝕，以在并聯(lián)單元內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元交接處形成隔離走道，同時(shí)在所述裂片走道及隔離走道側(cè)壁形成波浪形的粗化結(jié)構(gòu)；最后制作電極、背鍍反射鏡以及裂片以獲得相互隔離的并聯(lián)單元。本發(fā)明可以提高芯片的穩(wěn)定性；將傳統(tǒng)的單顆功率型LED芯片改成兩顆并聯(lián)，通過優(yōu)化芯片電流密度的方式提高芯片的發(fā)光效率，并通過電流分流降低芯片的工作電壓；側(cè)壁的波浪形粗化結(jié)構(gòu)有利于提高芯片的出光效率。
【專利說(shuō)明】一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，特別是涉及一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體照明作為新型高效固體光源，具有壽命長(zhǎng)、節(jié)能、環(huán)保、安全等顯著優(yōu)點(diǎn)，將成為人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一次飛躍，其應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速擴(kuò)大，正帶動(dòng)傳統(tǒng)照明、顯示等行業(yè)的升級(jí)換代，其經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益巨大。正因如此，半導(dǎo)體照明被普遍看作是21世紀(jì)最具發(fā)展前景的新興產(chǎn)業(yè)之一，也是未來(lái)幾年光電子領(lǐng)域最重要的制高點(diǎn)之一。發(fā)光二極管是由II1-1V族化合物，如GaAs (砷化鎵)、GaP (磷化鎵)、GaAsP (磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的1-N特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光。
[0003]現(xiàn)有的功率型發(fā)光二極管多為單個(gè)的發(fā)光二極管單元組成的，這種單個(gè)的發(fā)光二極管難以承受較高的電壓而嚴(yán)重影響其功率的提高，因而往往難以達(dá)到所期待的性能要求。
[0004]進(jìn)一步地，根據(jù)斯涅耳定律，現(xiàn)有GaN基LED的光抽取效率受制于GaN與空氣之間巨大的折射率差，光從GaN (n?2.5)到空氣(n=1.0)的臨界角約為23°，只有在入射角在臨界角以內(nèi)的光可以出射到空氣中，而臨界角以外的光只能在GaN內(nèi)部來(lái)回反射，直至被自吸收，嚴(yán)重降低了發(fā)光二極管的出光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中功率型發(fā)光二極管電壓承受能力差、且出光效率難以提高的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，所述制造方法至少包括以下步驟:
[0007]I)提供一半導(dǎo)體襯底，于所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成包括N型層、量子阱層及P型層的發(fā)光元件，并于所述發(fā)光元件中定義多個(gè)發(fā)光單元，且每相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元組成
一并聯(lián)單元；
[0008]2)于各該發(fā)光單元制作N電極制備區(qū)域；
[0009]3)于上述結(jié)構(gòu)表面制作掩膜版，所述掩膜版在各該并聯(lián)單元內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元交接處具有預(yù)設(shè)寬度的窗口 ；
[0010]4)對(duì)所述發(fā)光元件進(jìn)行正劃，于各該并聯(lián)單元的交接處形成延伸至所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)且具有預(yù)設(shè)深度的裂片走道；[0011]5)依據(jù)所述掩膜版采用感應(yīng)耦合等離子ICP刻蝕法對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以在各該并聯(lián)單元內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元交接處形成直至所述半導(dǎo)體襯底的隔離走道，同時(shí)于各該裂片走道及隔離走道側(cè)壁形成粗化結(jié)構(gòu)；
[0012]6)去除所述掩膜版；
[0013]7)于各該發(fā)光單元的P型層上表面制作透明導(dǎo)電層，于各該透明導(dǎo)電層表面制作P電極，并于各該N電極制備區(qū)域制備N電極；
[0014]8)從背面減薄所述半導(dǎo)體襯底，并于所述半導(dǎo)體襯底背面制作反射鏡；
[0015]9)依據(jù)各該并聯(lián)單元進(jìn)行裂片，獲得獨(dú)立的并聯(lián)單元。
[0016]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法中，所述半導(dǎo)體襯底為藍(lán)寶石襯底，所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN層，所述P型層為P-GaN層。
[0017]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法步驟2)中，先制作光刻掩膜版，然后采用ICP刻蝕法刻蝕所述P型層及量子阱層形成一 N型層平臺(tái)，以形成N電極制備區(qū)域。
[0018]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法中，步驟3)所述的掩膜版為圖形化的SiO2層，其中，所述SiO2層于各該并聯(lián)單元中的兩個(gè)發(fā)光單元交接處具有預(yù)設(shè)寬度的窗口。
[0019]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法中，步驟4)中采用激光劃片的方式對(duì)所述發(fā)光元件進(jìn)行正劃。
[0020]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法中，所述粗化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的波浪形微結(jié)構(gòu)。
[0021]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法中，所述預(yù)設(shè)深度為20?30微米。
[0022]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法中，步驟8)中采用研磨或濕法腐蝕法減薄所述半導(dǎo)體襯底。
[0023]在本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法中，步驟9)中采用刀片裂片的方式對(duì)各該并聯(lián)單元進(jìn)行裂片，獲得獨(dú)立的并聯(lián)單元。
[0024]本發(fā)明還提供一種依據(jù)權(quán)上述任意一方案所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法所制造的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管。
[0025]如上所述，本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法，具有以下有益效果:于半導(dǎo)體襯底表面制作多個(gè)發(fā)光單元，且由相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元組成并聯(lián)單元；然后制作掩膜版并依據(jù)并各該聯(lián)單元進(jìn)行正劃形成裂片走道；然后依據(jù)掩膜版進(jìn)行ICP刻蝕，以在并聯(lián)單元內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元交接處形成隔離走道，同時(shí)在所述裂片走道及隔離走道側(cè)壁形成波浪形的粗化結(jié)構(gòu)；最后制作電極、背鍍反射鏡以及裂片以獲得相互隔離的并聯(lián)單元。本發(fā)明可以提高芯片的穩(wěn)定性；將傳統(tǒng)的單顆功率型LED芯片改成兩顆并聯(lián)，通過優(yōu)化芯片電流密度的方式提高芯片的發(fā)光效率，并通過電流分流降低芯片的工作電壓；側(cè)壁的波浪形粗化結(jié)構(gòu)有利于提高芯片的出光效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0026]圖廣圖2b顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟I)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖3a~圖3b顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟2)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖4顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟3)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖5a~圖5b顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟4)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖6顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟5)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖7顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟6)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖8~圖9顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟
7)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖10顯示為本發(fā)明大電流密度、 低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟8)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖1la~圖1lb顯示為本發(fā)明大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法步驟9)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0036]I并聯(lián)單元
[0037]10發(fā)光單元
[0038]101半導(dǎo)體襯底
[0039]102N 型層
[0040]103量子阱層
[0041]104 P 型層
[0042]105N電極制備區(qū)域
[0043]106掩膜版
[0044]107窗口
[0045]108裂片走道
[0046]109粗化結(jié)構(gòu)
[0047]110隔離走道
[0048]111透明導(dǎo)電層
[0049]112P 電極
[0050]113N 電極
[0051]114 反射鏡
【具體實(shí)施方式】
[0052]以下通過特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0053]請(qǐng)參閱圖f圖lib。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0054]如圖f圖1lb所示，本實(shí)施例提供一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法，所述制造方法至少包括以下步驟:
[0055]如圖f圖2b所示，首先進(jìn)行步驟1)，提供一半導(dǎo)體襯底101，于所述半導(dǎo)體襯底101表面依次形成包括N型層102、量子阱層103及P型層104的發(fā)光元件，并于所述發(fā)光元件中定義多個(gè)發(fā)光單元10，且每相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元10組成一并聯(lián)單元I。
[0056]所述半導(dǎo)體襯底101為Si襯底、SiC襯底、AsGa襯底、藍(lán)寶石襯底等，在本實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體襯底101為藍(lán)寶石襯底。所述N型層102為N-GaN層、N-GaP層等，所述量子阱層103為InGaN層、AlInGaP層等，所述P型層104為P-GaN層、P-GaP層等。在本實(shí)施例中，所述N型層102為N-GaN層，所述量子阱層103為InGaN層，所述P型層104為P-GaN層，制備方法為化學(xué)氣相沉積法。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，可以選用其它的發(fā)光外延層，其制備方法也可以選用一切預(yù)期的外延手段。所述并聯(lián)單元I由兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元10組成。
[0057]如圖3a?圖3b所示，然后進(jìn)行步驟2)，于各該發(fā)光單元10制作N電極制備區(qū)域105。
[0058]具體地，先制作光刻掩膜版，然后采用ICP刻蝕法刻蝕所述P型層104及量子阱層103形成一 N型層102平臺(tái)，該裸露的N型層102平臺(tái)即為N電極制備區(qū)域105。
[0059]如圖4所示，然后進(jìn)行步驟3)，于上述結(jié)構(gòu)表面制作掩膜版106，所述掩膜版106在各該并聯(lián)單元I內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元10交接處具有預(yù)設(shè)寬度的窗口 107 ；
[0060]在本實(shí)施例中，采用化學(xué)氣相沉積法或蒸鍍法于上述結(jié)構(gòu)表面形成掩膜版106，然后在在各該并聯(lián)單元I內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元10交接處對(duì)應(yīng)的掩膜版106中刻蝕出具有預(yù)設(shè)寬度的窗口 107。在一具體的實(shí)施過程中，所述掩膜版106為SiO2層，當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，所述掩膜版106可以為其它材料。
[0061]如圖5a?圖5b所示，接著進(jìn)行步驟4)，對(duì)所述發(fā)光元件進(jìn)行正劃，于各該并聯(lián)單元I的交接處形成延伸至所述半導(dǎo)體襯底101內(nèi)且具有預(yù)設(shè)深度的裂片走道108。
[0062]所述裂片走道108用于后續(xù)裂片工藝，為了保證裂片的良率，其必須延伸至所述半導(dǎo)體襯底101內(nèi)。在本實(shí)施例中，采用激光劃片的方式依據(jù)各該并聯(lián)單元I對(duì)所述發(fā)光元件進(jìn)行正劃形成具有預(yù)設(shè)深度的裂片走道108，所述預(yù)設(shè)深度為2(T30微米。在一具體的實(shí)施過程中，所述預(yù)設(shè)深度為22微米。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，該預(yù)設(shè)深度可以依據(jù)需求進(jìn)行改變。
[0063]如圖6所示，接著進(jìn)行步驟5)，依據(jù)所述掩膜版106采用感應(yīng)耦合等離子ICP刻蝕法對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以在各該并聯(lián)單元I內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元10交接處形成直至所述半導(dǎo)體襯底101的隔離走道110，同時(shí)于各該裂片走道108及隔離走道110側(cè)壁形成粗化結(jié)構(gòu)109。[0064]由于所述掩膜版106在各該并聯(lián)單元I交接處及各該并聯(lián)單元I內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元10交接處具有窗口 107 (其中，各該并聯(lián)單元I交接處的窗口是通過步驟4)中的正劃形成的)，采用ICP刻蝕以去除各該并聯(lián)單元I內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元10交接處的外延層形成隔離走道110，并使發(fā)光單元10之間絕緣，可以避免芯片短路。同時(shí)ICP刻蝕在隔離走道110及所述裂片走道108的側(cè)壁形成規(guī)則的波浪形粗化微結(jié)構(gòu)，可以大大地增加了芯片側(cè)壁的出光幾率。
[0065]如圖7所示，然后進(jìn)行步驟6)，去除所述掩膜版106。
[0066]在本實(shí)施例中，采用HF溶液去除所述掩膜版106 (SiO2層)。
[0067]如圖8?圖9所示，接著進(jìn)行步驟7)，于各該發(fā)光單元10的P型層104上表面制作透明導(dǎo)電層111，于各該透明導(dǎo)電層111表面制作P電極112，并于各該N電極制備區(qū)域105制備N電極113。
[0068]需要說(shuō)明的是，制作透明導(dǎo)電層111時(shí)，需要繼續(xù)保持所述保證并聯(lián)單元I間及并聯(lián)單元I內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元10間的絕緣。在本實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電層111為ITO層。
[0069]如圖10所示，然后進(jìn)行步驟8)，從背面減薄所述半導(dǎo)體襯底101，并于所述半導(dǎo)體襯底101背面制作反射鏡114。
[0070]在本實(shí)施例中，采用研磨或濕法腐蝕法減薄所述半導(dǎo)體襯底101。所述反射鏡114可以為金屬層、介質(zhì)層、或金屬層與介質(zhì)層的疊層。
[0071 ] 如圖1 Ia?圖1 Ib所示，最后進(jìn)行步驟9 )，依據(jù)各該并聯(lián)單元I進(jìn)行裂片，獲得獨(dú)立的并聯(lián)單元I。
[0072]在本實(shí)施例中，采用刀片裂片的方式對(duì)各該并聯(lián)單元I進(jìn)行裂片，獲得獨(dú)立的并聯(lián)單元I。
[0073]本實(shí)施例還提供一種依據(jù)上述大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法的實(shí)施方式所制造的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管。
[0074]綜上所述，本發(fā)明的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法，先于半導(dǎo)體襯底表面制作多個(gè)發(fā)光單元，且由相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元組成并聯(lián)單元；然后制作掩膜版并依據(jù)并各該聯(lián)單元進(jìn)行正劃形成裂片走道；然后依據(jù)掩膜版進(jìn)行ICP刻蝕，以在并聯(lián)單元內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元交接處形成隔離走道，同時(shí)在所述裂片走道及隔離走道側(cè)壁形成波浪形的粗化結(jié)構(gòu)；最后制作電極、背鍍反射鏡以及裂片以獲得相互隔離的并聯(lián)單元。本發(fā)明可以提高芯片的穩(wěn)定性；將傳統(tǒng)的單顆功率型LED芯片改成兩顆并聯(lián)，通過優(yōu)化芯片電流密度的方式提高芯片的發(fā)光效率，并通過電流分流降低芯片的工作電壓；側(cè)壁的波浪形粗化結(jié)構(gòu)有利于提高芯片的出光效率。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0075]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步驟: 1)提供一半導(dǎo)體襯底，于所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成包括N型層、量子阱層及P型層的發(fā)光元件，并于所述發(fā)光元件中定義多個(gè)發(fā)光單元，且每相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元組成一并聯(lián)單元； 2)于各該發(fā)光單元制作N電極制備區(qū)域； 3)于上述結(jié)構(gòu)表面制作掩膜版，所述掩膜版在各該并聯(lián)單元內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元交接處具有預(yù)設(shè)寬度的窗口； 4)對(duì)所述發(fā)光元件進(jìn)行正劃，于各該并聯(lián)單元的交接處形成延伸至所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)且具有預(yù)設(shè)深度的裂片走道； 5)依據(jù)所述掩膜版采用感應(yīng)耦合等離子ICP刻蝕法對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以在各該并聯(lián)單元內(nèi)的兩個(gè)發(fā)光單元交接處形成直至所述半導(dǎo)體襯底的隔離走道，同時(shí)于各該裂片走道及隔離走道側(cè)壁形成粗化結(jié)構(gòu)； 6)去除所述掩膜版； 7)于各該發(fā)光單元的P型層上表面制作透明導(dǎo)電層，于各該透明導(dǎo)電層表面制作P電極，并于各該N電極制備區(qū)域制備N電極； 8)從背面減薄所述半導(dǎo)體襯底，并于所述半導(dǎo)體襯底背面制作反射鏡； 9)依據(jù)各該并聯(lián)單元進(jìn)行裂片，獲得獨(dú)立的并聯(lián)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述半導(dǎo)體襯底為藍(lán)寶石襯底，所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN層，所述P型層為P-GaN層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟2)中，先制作光刻掩膜版，然后采用ICP刻蝕法刻蝕所述P型層及量子阱層形成一 N型層平臺(tái)，以形成N電極制備區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟3)所述的掩膜版為圖形化的SiO2層，且所述SiO2層于各該并聯(lián)單元中的兩個(gè)發(fā)光單元交接處具有預(yù)設(shè)寬度的窗口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟4)中采用激光劃片的方式對(duì)所述發(fā)光元件進(jìn)行正劃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管及其制造方法，其特征在于:所述粗化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的波浪形微結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述預(yù)設(shè)深度為2(T30微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟8)中采用研磨或濕法腐蝕法減薄所述半導(dǎo)體襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟9)中采用刀片裂片的方式對(duì)各該并聯(lián)單元進(jìn)行裂片，獲得獨(dú)立的并聯(lián)單元。
10.一種依據(jù)權(quán)利要求1、任意一項(xiàng)所述的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管的制造方法所制造的大電流密度、低電壓功率型發(fā)光二極管。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK103715311SQ201210375852
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】張楠, 郝茂盛 申請(qǐng)人:上海藍(lán)光科技有限公司