發(fā)光二極管芯片的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管芯片，其包括基板、形成在該基板上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上并相互間隔的二電極。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有二外露的半導(dǎo)體層，其中一個(gè)電極形成于一半導(dǎo)體層的上表面，另一電極形成于另一半導(dǎo)體層的上表面。兩個(gè)電極中的至少其中一個(gè)自半導(dǎo)體層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面以通過導(dǎo)電膠與外部電極電連接。本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的電極無(wú)需金線連接，因此，相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬電極墊，本發(fā)明的電極不需要具備金線焊接的面積，所以可以做的面積很小，從而減少了電極的擋光面積，增加了發(fā)光二極管芯片的發(fā)光區(qū)域，提升了出光量。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]LED (發(fā)光二極管，Light-emitting diode)產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時(shí)間快、壽命周期時(shí)間長(zhǎng)、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點(diǎn)，因此被認(rèn)為是新世代綠色節(jié)能照明的最佳光源。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)光二極管芯片上一般設(shè)置有一 P型金屬電極墊以及一 N型金屬電極墊，然后通過打金線以將發(fā)光二極管芯片的金屬電極墊與基板的焊墊電連接。但是，為了使焊線能種植于發(fā)光二極管芯片上，金屬電極墊必須具有一定的面積，例如，金屬電極墊面積通常是50umX 50um，這樣一來(lái)，金屬電極墊必定會(huì)遮擋住部分光線，從而減少了發(fā)光二極管芯片的發(fā)光區(qū)域，造成出光量低下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種能增加發(fā)光區(qū)域，提升出光量的發(fā)光二極管芯片。
[0005]一種發(fā)光二極管芯片，其包括基板、形成在該基板上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上并相互間隔的二電極。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有二外露的半導(dǎo)體層。其中一個(gè)電極形成于一半導(dǎo)體層的上表面，另一電極形成于另一半導(dǎo)體層的上表面。兩個(gè)電極中的至少其中一個(gè)自其所設(shè)的半導(dǎo)體層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面以與外部電極電連接。
[0006]上述的發(fā)光二極管芯片的兩電極中的至少其中一個(gè)自半導(dǎo)體層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面，從而通過導(dǎo)電膠或焊接等方式就能實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面的電極與外部電極的電連接，而無(wú)需金線連接，因此，相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬電極墊，本發(fā)明的電極不需要具備金線焊接的面積，所以可以做的面積很小，從而減少了電極的擋光面積，增加了發(fā)光二極管芯片的發(fā)光區(qū)域，提升了出光量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施方式中的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。
[0008]圖2為圖1中的發(fā)光二極管芯片沿I1-1I方向的截面圖。
[0009]圖3為圖1中的發(fā)光二極管芯片與外部電極連接的示意圖。
[0010]圖4為本發(fā)明第二實(shí)施方式中的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。
[0011]圖5為圖4中的發(fā)光二極管芯片沿V-V方向的截面圖。
[0012]圖6為圖4中的發(fā)光二極管芯片與外部電極連接的示意圖。
[0013]圖7為本發(fā)明第三實(shí)施方式中的發(fā)光二極管芯片與外部電極連接的示意圖。
[0014]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管芯片，其包括基板、形成在該基板上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上并相互間隔的二電極，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有二外露的半導(dǎo)體層，其中一個(gè)電極形成于一半導(dǎo)體層的上表面，另一電極形成于另一半導(dǎo)體層的上表面，其特征在于:兩個(gè)電極中的至少其中一個(gè)自其所設(shè)的半導(dǎo)體層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面以與外部電極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括依次成長(zhǎng)在基板上的緩沖層、N型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層、P型半導(dǎo)體層以及導(dǎo)電層，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一側(cè)蝕刻形成平臺(tái)并暴露出N型半導(dǎo)體層，所述二電極分別為N型電極和P型電極，N型電極形成在裸露的N型半導(dǎo)體層上，P型電極形成在導(dǎo)電層上。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述N型電極為一金屬墊，所述P型電極為一長(zhǎng)條狀的金屬電極，并自導(dǎo)電層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面以與外部電極電連接，所述N型電極通過打金線方式與外部電極電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述P型電極與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面之間還形成有絕緣層。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述P型電極為一金屬墊，所述N型電極為一長(zhǎng)條狀的金屬電極，并自導(dǎo)電層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面以與外部電極電連接，所述P型電極通過打金線方式與外部電極電連接。
6.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述P型電極、N型電極都為一長(zhǎng)條狀的金屬電極，并自導(dǎo)電層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面以與外部電極電連接。
7.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述N型電極與所述P型電極利用濺鍍或蒸鍍的物理氣相層積的方法將金屬沉積于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上而形成。
8.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述導(dǎo)電層以蒸鍍或?yàn)R鍍的物理氣相沉積法形成，材料為鎳/金、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎢或是氧化銦鎵。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:自半導(dǎo)體層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面的電極為長(zhǎng)條狀。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:自半導(dǎo)體層的上表面彎折延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面的電極通過導(dǎo)電膠或焊接方式與外部電極電連接。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK103840054SQ201210471215
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月20日
【發(fā)明者】沈佳輝, 洪梓健 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司