一種白光有機發(fā)光二極管器件及制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及有機發(fā)光材料領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種白光有機發(fā)光二極管器件及制備方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機發(fā)光二極管（OLED)主要是采用有機發(fā)光小分子W及高分子聚合物作為發(fā)光 材料，并采用蒸鍛或者旋涂的方式制備，目前OL邸照明產(chǎn)品和OL邸顯示面板已經(jīng)量產(chǎn)在手 機顯示終端、照明燈具等領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用。OL邸具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、響應(yīng)速度快、高 效率、高亮度、輕薄、可卷曲等優(yōu)點。白光技術(shù)是實現(xiàn)全彩顯示和照明的必要技術(shù)，為了取得 白光，在加工工藝上，通常采用滲雜手段，但是滲雜工藝復(fù)雜、調(diào)控時間長、不易操作且重復(fù) 性差，給批量加工和生產(chǎn)帶來很大障礙。
[0003] 因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種白光有機發(fā)光二極管器件 及制備方法，旨在解決現(xiàn)有的白光OL邸工藝復(fù)雜、不易操作且重復(fù)性差的問題。 陽0化]本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0006] 一種白光有機發(fā)光二極管器件，其中，包括自下而上設(shè)置的ITO陽極、空穴注入 層、空穴傳輸電子阻擋層、光發(fā)射功能層、電子傳輸空穴阻擋層、電子注入層及侶陰極，其 中，光發(fā)射功能層包括=層：第一層為超薄黃光巧光發(fā)光層，第二層為主體材料光色調(diào)控 層，第=層為超薄藍光巧光發(fā)光層。
[0007] 所述的白光有機發(fā)光二極管器件，其中，所述超薄黃光巧光發(fā)光層的厚度為 0. 1 ~0. 5nm。
[0008] 所述的白光有機發(fā)光二極管器件，其中，所述主體材料光色調(diào)控層的厚度為5~ 20nm。
[0009] 所述的白光有機發(fā)光二極管器件，其中，所述超薄藍光巧光發(fā)光層的厚度為 0. 1 ~0. 5nm。
[0010] 所述的白光有機發(fā)光二極管器件，其中，所述超薄黃光巧光發(fā)光層采用TB化材料 制成。
[0011] 所述的白光有機發(fā)光二極管器件，其中，所述主體材料光色調(diào)控層采用MADN材料 制成。
[0012] 所述的白光有機發(fā)光二極管器件，其中，所述超薄藍光巧光發(fā)光層采用DSA-地材 料制成。
[0013] 一種如上所述的白光有機發(fā)光二極管器件的制備方法，其中，包括步驟：
[0014] A、對ITO玻璃進行刻蝕和清洗作為ITO基底；
[0015] B、將ITO基底固定于鍛膜儀器中，抽真空，然后按照器件結(jié)構(gòu)依次在基底上鍛膜， 制得各個功能層。
[0016] 所述的制備方法，其中，所述步驟A具體包括：
[0017] AU使用清洗劑對ITO玻璃超聲清洗；
[0018] A2、使用超純水對ITO玻璃超聲清洗；
[0019] A3、使用丙酬對ITO玻璃超聲清洗；
[0020] A4、使用異丙醇對ITO玻璃超聲清洗，然后用氮氣吹干；
[0021] A5、最后采用紫外臭氧處理ITO玻璃表面。
[0022] 所述的制備方法，其中，所述步驟B之后還包括：
[0023] C、采用玻璃蓋板涂膜環(huán)氧樹脂膠后覆蓋在器件上。
[0024] 有益效果：本發(fā)明的OL邸器件性能優(yōu)良，色品質(zhì)高，光譜穩(wěn)定性好，而且制備過程 簡單，成本低廉，節(jié)約能源，容易實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明對高色品質(zhì)性能互補色白光OL邸 研究和開發(fā)具有重要推動作用，且在未來固態(tài)白光照明領(lǐng)域有著巨大的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用潛力。
【附圖說明】
[00巧]圖1為本發(fā)明的白光有機發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)示意圖。
[00%] 圖2為本發(fā)明器件中超薄黃光巧光發(fā)光層所使用的黃發(fā)光材料TB化的分子結(jié)構(gòu) 式。
[0027] 圖3為本發(fā)明器件中超薄藍光巧光發(fā)光層所使用的天藍光發(fā)光材料DSA-Ph的分 子結(jié)構(gòu)式。
[0028] 圖4為本發(fā)明制備的白光有機發(fā)光二極管器件的發(fā)光光譜圖。
[0029] 圖5為本發(fā)明制備的白光有機發(fā)光二極管器件的CIE色坐標(biāo)圖。
[0030] 圖6為本發(fā)明制備的白光有機發(fā)光二極管器件的電流密度-電壓-亮度曲線。
[0031] 圖7為本發(fā)明制備的白光有機發(fā)光二極管器件的電流效率-亮度-功率效率特性 曲線。
【具體實施方式】
[0032] 本發(fā)明提供一種白光有機發(fā)光二極管器件及制備方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù) 方案及效果更加清楚、明確，W下對本發(fā)明進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體 實施例僅僅用W解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0033] 請參閱圖1，圖1為本發(fā)明一種白光有機發(fā)光二極管（白光OL?。┢骷^佳實施例 的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括自下而上設(shè)置的ITO陽極1、空穴注入層2、空穴傳輸電子阻擋層3、光 發(fā)射功能層4、電子傳輸空穴阻擋層5、電子注入層6及侶陰極7,其中，光發(fā)射功能層4包括 自下而上的=層：第一層為超薄黃光巧光發(fā)光層8,第二層為主體材料光色調(diào)控層9,第= 層為超薄藍光巧光發(fā)光層10。
[0034] 所述超薄黃光巧光發(fā)光層8的厚度為0. 1~0. 5nm。所述超薄黃光巧光發(fā)光層8 優(yōu)選采用TB化材料制成。TB化材料的分子結(jié)構(gòu)式如圖2所示。
[0035] 所述主體材料光色調(diào)控層9的厚度為5~20皿。所述主體材料光色調(diào)控層9優(yōu) 選采用MADN材料巧，10-二（2-糞基）-2-甲基蔥；2-甲基-9, 10-雙（糞-2-基）蔥）制 成。
[0036] 所述超薄藍光巧光發(fā)光層10的厚度為0.1 ~0. 5nm。所述超薄藍光巧光發(fā)光層 10優(yōu)選采用DSA-ph材料制成。DSA-ph材料的分子結(jié)構(gòu)式如圖3所示。
[0037] 此外，其中的空穴注入層2其可采用=氧化鋼材料，厚度優(yōu)選為1~3nm。
[0038] 空穴傳輸電子阻擋層3可采用WB材料（N，N'-二苯基-N，N'-(1-糞基）-1，1'-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺），厚度優(yōu)選為40~70nm。電子傳輸空穴阻擋層5可采用TPBI材料 (1，3, 5- S (1-苯基-IH-苯并咪挫-2-基）苯），厚度優(yōu)選為30~50皿。
[0039] 電子注入層6可采用氣化裡材料，厚度優(yōu)選為0. 5~3皿。 W40] 侶陰極7的厚度優(yōu)選為120皿。
[0041] 本發(fā)明還提供一種如上所述的白光有機發(fā)光二極管器件的制備方法，其包括步 驟：
[0042] Sl、對ITO玻璃進行刻蝕和清洗作為ITO基底；ITO玻璃放阻10-15歐姆/□。
[0043] S2、將ITO基底固定于鍛膜儀器中，抽真空（4X 10 6Torr.)，然后按照器件結(jié)構(gòu)依 次在基底上鍛膜（蒸鍛或旋涂），制得各個功能層。
[0044] 具體地，先在ITO基底上沉積第一層空穴注入層材料Mo〇3,沉積速率控制在 0.1 A/S，厚度為 1 ~3n