此申請(qǐng)要求2015年7月28日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2015-0106770的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其公開通過(guò)引用被整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

所描述的技術(shù)總地來(lái)說(shuō)涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

背景技術(shù)：

諸如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器和液晶顯示器(LCD)設(shè)備的顯示設(shè)備包括薄膜晶體管(TFT)陣列基板，該TFT陣列基板包括諸如TFT、電容器和多條布線的精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)。顯示設(shè)備經(jīng)由這些元件之間的各種交互作用進(jìn)行操作。

由于OLED顯示器是自發(fā)光的，因此它可以由低電壓驅(qū)動(dòng)并且被配置成重量輕且纖薄的外形。OLED技術(shù)具有附加的有利特征，諸如寬視角、高對(duì)比度和快速響應(yīng)率等。OLED顯示器被用在從諸如MP3播放器或移動(dòng)電話的個(gè)人便攜式裝置到電視(TV)的一系列消費(fèi)性電子產(chǎn)品中。

隨著對(duì)于高分辨率的緊湊OLED顯示器的市場(chǎng)需求增加，需要包括在OLED顯示器中的TFT、電容器和布線的有效空間部署和它們之間的連接結(jié)構(gòu)、這種OLED顯示器的驅(qū)動(dòng)方法以及高質(zhì)量的圖像。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)發(fā)明方面涉及一種OLED顯示器。

另一方面是一種OLED顯示器，包括：包括第一子像素區(qū)域和與第一子像素區(qū)域相鄰的第二子像素區(qū)域的基板；分別設(shè)置在基板上的第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域中的第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路；包括在第一驅(qū)動(dòng)電路中并包括包含第一源區(qū)、第一溝道區(qū)和第一漏區(qū)的第一有源圖案以及與第一有源圖案絕緣的第一柵電極的第一薄膜晶體管；包括在第二驅(qū)動(dòng)電路中并包括包含第二源區(qū)、第二溝道區(qū)和第二漏區(qū)的第二有源圖案以及與第二有源圖案絕緣的第二柵電極的第二薄膜晶體管；分別與第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路電連接的第一像素電極和第二像素電極；面對(duì)第一像素電極和第二像素電極的公共電極；設(shè)置在第一像素電極和公共電極之間的第一有機(jī)發(fā)射層以及設(shè)置在第二像素電極和公共電極之間的第二有機(jī)發(fā)射層；以及遮擋入射光并設(shè)置于設(shè)置在第二子像素區(qū)域中的第二薄膜晶體管上的遮光構(gòu)件，第一像素電極的至少一部分在平面圖中與第一源區(qū)和第一漏區(qū)中的至少一個(gè)重疊，遮光構(gòu)件的至少一部分在平面圖中與第二源區(qū)和第二漏區(qū)中的至少一個(gè)重疊。

遮光構(gòu)件可以設(shè)置在其中設(shè)置有第二像素電極的層中，并與第二像素電極隔開。

遮光構(gòu)件可以從與第二子像素區(qū)域相鄰的不同像素電極的一部分延伸。

第二驅(qū)動(dòng)電路可以包括：包括第一有源圖案和第二有源圖案的半導(dǎo)體層；設(shè)置在半導(dǎo)體層上并包括第一柵電極和第二柵電極的第一導(dǎo)電層；設(shè)置在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層；設(shè)置在第二導(dǎo)電層上的第三導(dǎo)電層；并且第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層可以被分別插入在半導(dǎo)體層和第一導(dǎo)電層之間、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間以及第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層之間。

第一驅(qū)動(dòng)電路可以進(jìn)一步包括第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第一電容器，第二驅(qū)動(dòng)電路可以進(jìn)一步包括第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二電容器。

第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管可以分別使第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管二極管連接。

第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管可以包括：包括在半導(dǎo)體層中的第一驅(qū)動(dòng)有源圖案和包括在第一導(dǎo)電層中的第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，以及在平面圖中與第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O重疊、包括在第二導(dǎo)電層中并設(shè)置在第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O上的第一上電極，并且第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管可以包括：包括在半導(dǎo)體層中的第二驅(qū)動(dòng)有源圖案和包括在第一導(dǎo)電層中的第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，以及在平面圖中與第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O重疊、包括在第二導(dǎo)電層中并設(shè)置在第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O上的第二上電極。

遮光構(gòu)件可以設(shè)置在其中設(shè)置有第二上電極的層中，并和第二上電極隔開。

遮光構(gòu)件可以從第二上電極的一部分延伸。

第二驅(qū)動(dòng)有源圖案可以包括第二驅(qū)動(dòng)源區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)漏區(qū)，第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管可以包括與第二驅(qū)動(dòng)源區(qū)連接的第二驅(qū)動(dòng)源電極和與第二驅(qū)動(dòng)漏區(qū)連接的第二驅(qū)動(dòng)漏電極，遮光構(gòu)件可以設(shè)置在其中設(shè)置有第二驅(qū)動(dòng)源電極和第二驅(qū)動(dòng)漏電極的層中。

第三導(dǎo)電層可以包括連接第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和第二漏區(qū)的連接構(gòu)件，并且遮光構(gòu)件可以從連接構(gòu)件的一部分延伸。

第三導(dǎo)電層可以包括分別將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線。

遮光構(gòu)件可以設(shè)置在其中設(shè)置有數(shù)據(jù)線的層中，并與數(shù)據(jù)線隔開。

基板可以進(jìn)一步包括與第二子像素區(qū)域相鄰的第三子像素區(qū)域，并且第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域可以分別對(duì)應(yīng)于紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍(lán)色子像素區(qū)域。

基板可以進(jìn)一步包括：與第二子像素區(qū)域相鄰的第三子像素區(qū)域；設(shè)置在基板上的第三子像素區(qū)域中的第三驅(qū)動(dòng)電路；以及與第三驅(qū)動(dòng)電路電連接的第三像素電極，第二像素電極可以設(shè)置在第一行上，第一像素電極和第三像素電極可以設(shè)置在與第一行相鄰的第二行上，第二像素電極和第一像素電極可以被交替設(shè)置，第二像素電極和第三像素電極可以被交替設(shè)置。

第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)和第二漏區(qū)中的每一個(gè)可以包括Si。

OLED顯示器可以進(jìn)一步包括：設(shè)置在第一像素電極和第二像素電極與第一有機(jī)發(fā)射層和第二有機(jī)發(fā)射層之間的第一公共層；以及設(shè)置在第一有機(jī)發(fā)射層和第二有機(jī)發(fā)射層與公共電極之間的第二公共層，第一公共層可以包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)，第二公共層可以包括電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。

遮光構(gòu)件可以包括金屬層。

遮光構(gòu)件可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一種。

第二有機(jī)發(fā)射層發(fā)射綠光。

另一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，包括：包括第一子像素區(qū)域和與第一子像素區(qū)域相鄰的第二子像素區(qū)域的基板。顯示器還包括設(shè)置在第一子像素區(qū)域中并包括第一薄膜晶體管(TFT)的第一驅(qū)動(dòng)電路，第一TFT包括：i)包括第一源區(qū)、第一溝道區(qū)和第一漏區(qū)的第一有源圖案以及ii)與第一有源圖案絕緣的第一柵電極。顯示器還包括設(shè)置在第二子像素區(qū)域中并包括第二TFT的第二驅(qū)動(dòng)電路，第二TFT包括：i)包括第二源區(qū)、第二溝道區(qū)和第二漏區(qū)的第二有源圖案以及ii)與第二有源圖案絕緣的第二柵電極。OLED顯示器進(jìn)一步包括：分別電連接到第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路的第一像素電極和第二像素電極；面對(duì)第一像素電極和第二像素電極的公共電極；被插入在第一像素電極和公共電極之間的第一有機(jī)發(fā)射層；被插入在第二像素電極和公共電極之間的第二有機(jī)發(fā)射層；以及被配置為遮擋入射光的遮光構(gòu)件，其中遮光構(gòu)件設(shè)置在第二TFT上，其中第一像素電極的至少一部分在OLED顯示器的深度維度上與第一源區(qū)和第一漏區(qū)中的至少一個(gè)重疊，并且其中遮光構(gòu)件的至少一部分在OLED顯示器的深度維度上與第二源區(qū)和第二漏區(qū)中的至少一個(gè)重疊。

在上述OLED顯示器中，遮光構(gòu)件和第二像素電極設(shè)置在同一層上，并且其中遮光構(gòu)件與第二像素電極隔開。

在上述OLED顯示器中，遮光構(gòu)件從與第一像素電極和第二像素電極不同并且與第二子像素區(qū)域相鄰的第三像素電極延伸。

在上述OLED顯示器中，第二驅(qū)動(dòng)電路包括：包括第一有源圖案和第二有源圖案的半導(dǎo)體層；設(shè)置在半導(dǎo)體層上并包括第一柵電極和第二柵電極的第一導(dǎo)電層；設(shè)置在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層；設(shè)置在第二導(dǎo)電層上的第三導(dǎo)電層；以及被分別插入在半導(dǎo)體層和第一導(dǎo)電層之間、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間以及第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層之間的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層。

在上述OLED顯示器中，第一驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括第一驅(qū)動(dòng)TFT和第一電容器，其中第二驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括第二驅(qū)動(dòng)TFT和第二電容器。

在上述OLED顯示器中，第一TFT和第二TFT被配置為分別使第一驅(qū)動(dòng)TFT和第二驅(qū)動(dòng)TFT二極管連接。

在上述OLED顯示器中，第一驅(qū)動(dòng)TFT包括：i)包括在第一驅(qū)動(dòng)電路的半導(dǎo)體層中的第一驅(qū)動(dòng)有源圖案，ii)包括在第一驅(qū)動(dòng)電路的第一導(dǎo)電層中的第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，以及iii)在OLED顯示器的深度維度上與第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O重疊、包括在第二導(dǎo)電層中并設(shè)置在第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O上的第一上電極，其中第二驅(qū)動(dòng)TFT包括：i)包括在第二驅(qū)動(dòng)電路的半導(dǎo)體層中的第二驅(qū)動(dòng)有源圖案，ii)包括在第二驅(qū)動(dòng)電路的第一導(dǎo)電層中的第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，以及iii)在OLED顯示器的深度維度上與包括在第二導(dǎo)電層中的第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O重疊并設(shè)置在第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O上的第二上電極。

在上述OLED顯示器中，遮光構(gòu)件和第二上電極設(shè)置在同一層上，其中遮光構(gòu)件和第二上電極隔開。

在上述OLED顯示器中，遮光構(gòu)件從第二上電極的一部分延伸。

在上述OLED顯示器中，第二驅(qū)動(dòng)有源圖案包括第二驅(qū)動(dòng)源區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)漏區(qū)，其中第二驅(qū)動(dòng)TFT包括電連接到第二驅(qū)動(dòng)源區(qū)的第二驅(qū)動(dòng)源電極和電連接到第二驅(qū)動(dòng)漏區(qū)的第二驅(qū)動(dòng)漏電極；其中遮光構(gòu)件、第二驅(qū)動(dòng)源電極和第二驅(qū)動(dòng)漏電極設(shè)置在同一層上。

在上述OLED顯示器中，第三導(dǎo)電層包括被插入在第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和第二漏區(qū)之間的連接器，其中遮光構(gòu)件從連接器的一部分延伸。

在上述OLED顯示器中，第三導(dǎo)電層包括被配置為分別將多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路的多條數(shù)據(jù)線。

在上述OLED顯示器中，遮光構(gòu)件和數(shù)據(jù)線設(shè)置在同一層上，其中遮光構(gòu)件與數(shù)據(jù)線隔開。

在上述OLED顯示器中，基板進(jìn)一步包括與第二子像素區(qū)域相鄰的第三子像素區(qū)域，其中第一子像素區(qū)域至第三子像素區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍(lán)色子像素區(qū)域。

在上述OLED顯示器中，基板進(jìn)一步包括：與第二子像素區(qū)域相鄰的第三子像素區(qū)域；設(shè)置在基板上的第三子像素區(qū)域中的第三驅(qū)動(dòng)電路；以及電連接到第三驅(qū)動(dòng)電路的第三像素電極，其中第二像素電極設(shè)置在第一行上，其中第一像素電極和第三像素電極設(shè)置在與第一行相鄰的第二行上，其中第一像素電極和第二像素電極被交替設(shè)置，其中第二像素電極和第三像素電極被交替設(shè)置。

在上述OLED顯示器中，第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第二源區(qū)和第二漏區(qū)中的每一個(gè)由Si形成。

上述OLED顯示器進(jìn)一步包括：被插入在第一像素電極和第二像素電極與第一有機(jī)發(fā)射層和第二有機(jī)發(fā)射層之間的第一公共層；被插入在第一有機(jī)發(fā)射層和第二有機(jī)發(fā)射層與公共電極之間的第二公共層，其中第一公共層包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)，其中第二公共層包括電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。

在上述OLED顯示器中，遮光構(gòu)件包括金屬層。

在上述OLED顯示器中，遮光構(gòu)件由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一種形成。

在上述OLED顯示器中，第二有機(jī)發(fā)射層被配置為發(fā)射綠光。

另一方面是一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，包括：包括第一子像素區(qū)域和與第一子像素區(qū)域相鄰的第二子像素區(qū)域的基板；分別設(shè)置在第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域中的第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路，其中第一驅(qū)動(dòng)電路包括第一薄膜晶體管(TFT)和第二TFT；電連接到第一驅(qū)動(dòng)電路的第一像素電極；被配置為遮擋入射光的遮光構(gòu)件，其中遮光構(gòu)件設(shè)置在第二TFT上，其中第一像素電極的至少一部分至少部分地在OLED顯示器的深度維度上與第一TFT重疊，其中遮光構(gòu)件的至少一部分至少部分地在OLED顯示器的深度維度上與第二TFT重疊。

根據(jù)所公開的實(shí)施例中的至少一個(gè)，OLED顯示器可以通過(guò)遮擋射到半導(dǎo)體層上的光而解決由于光引起的電流減少現(xiàn)象。

另外，OLED顯示器可以提高產(chǎn)生的圖像的質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED顯示器的一個(gè)子像素的等效電路圖。

圖2是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的包括在OLED顯示器中的一個(gè)像素的示意性平面圖。

圖3A、圖3B和圖3C是分別沿在圖2的第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B上示出的線截取的示意性剖視圖。

圖4是示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的包括在OLED顯示器中的一個(gè)子像素的示意性平面圖。

圖5是沿圖4中所示的線截取的示意性剖視圖。

圖6是沿圖4中所示的線截取的另一示意性剖視圖。

圖7是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器的一個(gè)子像素的等效電路圖。

圖8是示出了圖7的OLED顯示器的一個(gè)子像素的一部分的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

由于所描述的技術(shù)允許各種變化和許多實(shí)施例，因此將在附圖中示出并且在書面描述中詳細(xì)描述示例性實(shí)施例。當(dāng)參考下面詳細(xì)描述的示例性實(shí)施例連同附圖時(shí)，所描述的技術(shù)的效果和特性及其實(shí)現(xiàn)方法將顯而易見。然而，所描述的技術(shù)不限于下面描述的示例性實(shí)施例，而可以以各種形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。

如本文所用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合。當(dāng)放在一列元素之前時(shí)，諸如“至少一個(gè)”的表述修飾的是整列元素，而不是修飾該列中的個(gè)別元素。

在下文中將參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例。當(dāng)參考附圖進(jìn)行描述時(shí)，相同的附圖標(biāo)記被用于相同或?qū)?yīng)的元件，且其重復(fù)描述被省略。

將理解的是，盡管“第一”、“第二”等在本文中被用來(lái)描述各種組件，但是這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅被用來(lái)區(qū)分一個(gè)組件與另一個(gè)組件。如本文所用，單數(shù)形式的“一”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確說(shuō)明。

將進(jìn)一步理解的是，在本文中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”表明存在所陳述的特征或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征或組件。

此外，將理解的是，當(dāng)一層、區(qū)域或組件被稱為“連接”到另一層、區(qū)域或組件時(shí)，它可以“直接連接”到另一層、區(qū)域或組件，或者可以“間接連接”到另一層、區(qū)域或組件，其它層、區(qū)域或組件被插入在其間。例如，將理解的是，當(dāng)一層、區(qū)域或組件被稱為“電連接”到另一層、區(qū)域或組件時(shí)，它可以“直接電連接”到另一層、區(qū)域或組件，或者可以“間接電連接”到另一層、區(qū)域或組件，其它層、區(qū)域或組件被插入在其間。

為了便于說(shuō)明，附圖中的元件的尺寸可能被放大了。換句話說(shuō)，由于附圖中的組件的尺寸和厚度為便于說(shuō)明被任意示出，因此如下的實(shí)施例不限于此。在此公開中，基于某些應(yīng)用情況并根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員，術(shù)語(yǔ)“基本上”包括完全、幾乎完全或任何顯著程度的含義。此外，“被形成、設(shè)置或定位在……上方”也可指“被形成、設(shè)置或定位在……上”。術(shù)語(yǔ)“連接”包括電連接。

此外，雖然在附圖中示出了具有在一個(gè)子像素中包括七個(gè)薄膜晶體管(TFT)和一個(gè)電容器的7Tr-1Cap結(jié)構(gòu)與在一個(gè)子像素中包括三個(gè)TFT和兩個(gè)電容器的3Tr-2Cap結(jié)構(gòu)的有源矩陣(AM)OLED顯示器，但示例性實(shí)施例不限于此。因此，顯示設(shè)備可在一個(gè)子像素中具有多個(gè)TFT和一個(gè)或多個(gè)電容器，且獨(dú)立的布線可被進(jìn)一步形成或現(xiàn)有的布線可被省略，使得顯示設(shè)備可以具有各種結(jié)構(gòu)。子像素可以發(fā)射不同顏色的光，且多個(gè)子像素可以形成一個(gè)像素。像素表示顯示圖像的最小單元，顯示設(shè)備經(jīng)由多個(gè)像素生成圖像。

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED顯示器1的一個(gè)子像素的等效電路圖。

OLED顯示器1可以包括發(fā)射光的多個(gè)像素，每個(gè)像素可以包括多個(gè)子像素。每個(gè)子像素包括發(fā)射光的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和從多條布線接收信號(hào)并驅(qū)動(dòng)OLED的第一驅(qū)動(dòng)電路10。

布線可以包括用于傳送掃描信號(hào)Sn的掃描線SLn、用于傳送前一掃描信號(hào)Sn-1的前一掃描線SLn-1、用于傳送數(shù)據(jù)信號(hào)Dm的數(shù)據(jù)線DLm、以及用于傳送驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線PL。然而，示例性實(shí)施例不限于此，并且可以如圖1所示進(jìn)一步包括用于傳送初始化電壓V_INT的初始化電壓線VL和用于傳送發(fā)射控制信號(hào)En的發(fā)射控制線ELn。子像素被分別設(shè)置在沿第一方向延伸的布線與沿不同于第一方向的第二方向延伸的布線交叉的點(diǎn)處。

第一驅(qū)動(dòng)電路10可包括至少兩個(gè)薄膜晶體管和至少一個(gè)電容器。然而，示例性實(shí)施例不限于此，第一驅(qū)動(dòng)電路10可以如圖1所示包括七個(gè)TFT T1至T7和一個(gè)存儲(chǔ)電容器Cst。

TFT可以包括驅(qū)動(dòng)TFT T1、數(shù)據(jù)傳送TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、發(fā)射控制TFT T6和旁路TFT T7。

驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1與存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極Cst1連接，驅(qū)動(dòng)TFT T1的源電極S1通過(guò)操作控制TFT T5與驅(qū)動(dòng)電壓線PL連接，并且驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極D1通過(guò)發(fā)射控制TFT T6與OLED的像素電極電連接。驅(qū)動(dòng)TFT T1依賴于數(shù)據(jù)傳送TFT T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)Dm并將驅(qū)動(dòng)電流I_d供給到OLED。

數(shù)據(jù)傳送TFT T2的柵電極G2與掃描線SLn連接，并且數(shù)據(jù)傳送TFT T2的源電極S2與數(shù)據(jù)線DLm連接。數(shù)據(jù)傳送TFT T2的漏電極D2與驅(qū)動(dòng)TFT T1的源電極S1連接，并且還通過(guò)操作控制TFT T5與驅(qū)動(dòng)電壓線PL連接。數(shù)據(jù)傳送TFT T2依賴于經(jīng)由掃描線SLn傳送的掃描信號(hào)Sn執(zhí)行被導(dǎo)通并將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DLm傳送的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm傳送到驅(qū)動(dòng)TFT T1的源電極S1的開關(guān)操作。

補(bǔ)償TFT T3的柵電極G3與掃描線SLn連接。補(bǔ)償TFT T3的源電極S3與驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極D1連接，并且還通過(guò)發(fā)射控制TFT T6與OLED的像素電極連接。補(bǔ)償TFT T3的漏電極D3與存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極Cst1、初始化TFT T4的漏電極D4以及驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1全部連接。補(bǔ)償TFT T3通過(guò)根據(jù)經(jīng)由掃描線SLn傳送的掃描信號(hào)Sn被導(dǎo)通并將驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1與漏電極D1連接，而使驅(qū)動(dòng)TFT T1二極管連接。

初始化TFT T4的柵電極G4與前一掃描線SLn-1連接，并且初始化TFT T4的源電極S4與初始化電壓線VL連接。初始化TFT T4的漏電極D4與存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極Cst1、補(bǔ)償TFT T3的漏電極D3以及驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1全部連接。初始化TFT T4通過(guò)根據(jù)經(jīng)由前一掃描線SLn-1傳送的前一掃描信號(hào)Sn-1被導(dǎo)通并將初始化電壓V_INT傳送到驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1來(lái)進(jìn)行初始化驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1的電壓的初始化操作。

操作控制TFT T5的柵電極G5與發(fā)射控制線ELn連接。操作控制TFT T5的源電極S5與驅(qū)動(dòng)電壓線PL連接，并且操作控制TFT T5的漏電極D5與驅(qū)動(dòng)TFT T1的源電極S1和數(shù)據(jù)傳送TFT T2的漏電極D2連接。操作控制TFT T5設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電壓線PL和驅(qū)動(dòng)TFT T1之間。操作控制TFT T5根據(jù)經(jīng)由發(fā)射控制線ELn傳送的發(fā)射控制信號(hào)En被導(dǎo)通并將驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD傳送到驅(qū)動(dòng)TFT T1。

發(fā)射控制TFT T6的柵電極G6與發(fā)射控制線ELn連接。發(fā)射控制TFT T6的源電極S6與驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極D1和補(bǔ)償TFT T3的源電極S3連接。發(fā)射控制TFT T6的漏電極D6與OLED的像素電極電連接。操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6根據(jù)經(jīng)由發(fā)射控制線ELn傳送的發(fā)射控制信號(hào)En被基本上同時(shí)(或并行)導(dǎo)通，使得驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD被施加到OLED，且發(fā)射電流I_oled流過(guò)OLED。

旁路TFT T7的柵電極G7與旁路控制線BPL連接。旁路TFT T7的源電極S7與OLED的像素電極連接。旁路TFT T7的漏電極D7與初始化電壓線VL連接。

旁路TFT T7經(jīng)由旁路控制線BPL接收旁路信號(hào)BP。旁路信號(hào)BP是可以總使旁路TFT T7截止的預(yù)定電平的電壓。當(dāng)旁路TFT T7總是由所接收的旁路信號(hào)BP截止時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流I_d的一部分作為旁路電流I_bp通過(guò)旁路TFT T7流出。在產(chǎn)生黑色圖像時(shí)，從驅(qū)動(dòng)電流I_d減去旁路電流I_bp的量的OLED的發(fā)射電流I_oled具有作為可以可靠地呈現(xiàn)黑色圖像的電平的最小電流量。如上所述，通過(guò)經(jīng)由旁路TFT T7產(chǎn)生精確的黑色亮度圖像，對(duì)比率可以得到改善。

存儲(chǔ)電容器Cst的第二電極Cst2與驅(qū)動(dòng)電壓線PL連接，并且OLED的公共電極與公共電壓ELVSS的線連接。因此，OLED通過(guò)從驅(qū)動(dòng)TFT T1接收發(fā)射電流I_oled并發(fā)射光來(lái)顯示圖像。存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極Cst1也被稱為下電極，且存儲(chǔ)電容器Cst的第二電極Cst2也被稱為上電極。

圖2是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的包括在OLED顯示器1中的一個(gè)像素的示意性平面圖。圖3A是沿圖2的第一子像素區(qū)域R的線IIIa1-III'a1和IIIa2-III'a2截取的示意性剖視圖。圖3B是沿圖2的第二子像素區(qū)域G的線IIIb1-III'b1、IIIb2-III'b2和IIIb3-III'b3截取的示意性剖視圖。圖3C是沿圖2的第三子像素區(qū)域B的線IIIc1-III'c1和IIIc2-III'c2截取的示意性剖視圖。

參考圖2、圖3A至圖3C，根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED顯示器1的一個(gè)像素可以包括第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B。第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B可以分別是紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍(lán)色子像素區(qū)域。然而，所描述技術(shù)的示例性實(shí)施例不限于此，并且第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B可以是經(jīng)由其不同組合可以發(fā)射白光的區(qū)域。

第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B的形狀不限于圖2中所示的形狀，而是可以具有各種形狀并具有不同的面積。根據(jù)示例性實(shí)施例，第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B可以沿一個(gè)方向順序布置。也就是說(shuō)，第一子像素區(qū)域R和第二子像素區(qū)域G可以彼此相鄰，且第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B可以彼此相鄰。

根據(jù)示例性實(shí)施例，電連接到設(shè)置在第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B的每一個(gè)中的驅(qū)動(dòng)電路的OLED的像素電極在平面圖中可以與包括在至少兩個(gè)子像素中的驅(qū)動(dòng)電路重疊。例如，與包括在第一子像素區(qū)域R中的驅(qū)動(dòng)電路電連接并發(fā)射紅光的OLED的第一像素電極130r在平面圖中可以與包括在紅色子像素區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路和包括在綠色子像素區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路重疊。與包括在第二子像素區(qū)域G中的驅(qū)動(dòng)電路電連接并發(fā)射綠光的OLED的第二像素電極130g在平面圖中可以與包括在綠色子像素區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路和包括在藍(lán)色子像素區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路重疊。與包括在第三子像素區(qū)域B中的驅(qū)動(dòng)電路電連接并發(fā)射藍(lán)光的OLED的第三像素電極130b在平面圖中可以與包括在藍(lán)色子像素區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路和包括在紅色子像素區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路重疊。

在圖2中，假設(shè)在其上設(shè)置第二像素電極130g的行被稱為第一行，并且在其上設(shè)置第一像素電極130r和第三像素電極130b的行被稱為第二行，則多個(gè)第二像素電極130g可以在第一行上以預(yù)定間隔彼此隔開。第一像素電極130r和第三像素電極130b可以被依次設(shè)置在與第一行相鄰的第二行上。雖然未示出，但多個(gè)第二像素電極130g可在與第二行相鄰的第三行上以預(yù)定間隔彼此隔開，并且第一像素電極130r和第三像素電極130b可以被依次設(shè)置在與第三行相鄰的第四行上。像素電極的這種設(shè)置可以重復(fù)。

在這種情況下，設(shè)置在第一行上的第二像素電極130g、以及設(shè)置在第二行上的第一像素電極130r和第三像素電極130b可以被交替設(shè)置。假設(shè)在其上設(shè)置第一像素電極130r的列被稱為第一列，并且在其上設(shè)置第二像素電極130g的列被稱為第二列，則第一像素電極130r和第三像素電極130b可以被依次設(shè)置在第一列上，并且第二像素電極130g可以在與第一列相鄰的第二列上以預(yù)定間隔彼此隔開。雖然未示出，但第三像素電極130b和第一像素電極130r可以被依次設(shè)置在與第二列相鄰的第三列上，并且第二像素電極130g可以在與第三列相鄰的第四列上以預(yù)定間隔彼此隔開。像素電極的這種設(shè)置可以重復(fù)。

被彎曲成各種形狀的半導(dǎo)體層L1設(shè)置在第一驅(qū)動(dòng)電路10的基板110上?；?10可以由諸如玻璃、金屬、或包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺等的塑料的各種材料形成。半導(dǎo)體層L1可以包括諸如多晶硅的半導(dǎo)體材料。

用于防止雜質(zhì)元素滲透到基板110中并平坦化基板110的緩沖層111可以設(shè)置在基板110和半導(dǎo)體層L1之間。

第一驅(qū)動(dòng)TFT T1r和第一補(bǔ)償TFT T3r可以設(shè)置在第一子像素區(qū)域R中。第一驅(qū)動(dòng)TFT T1r和第一補(bǔ)償TFT T3r可分別包括各自是半導(dǎo)體層L1的一個(gè)區(qū)域的第一驅(qū)動(dòng)有源圖案A1r和第一補(bǔ)償有源圖案A3r。

第二驅(qū)動(dòng)TFT T1g、第二補(bǔ)償TFT T3g和第二發(fā)射控制TFT T6g可以設(shè)置在第二子像素區(qū)域G中。第二驅(qū)動(dòng)TFT T1g、第二補(bǔ)償TFT T3g和第二發(fā)射控制TFT T6g可分別包括各自是半導(dǎo)體層L1的一個(gè)區(qū)域的第二驅(qū)動(dòng)有源圖案A1g、第二補(bǔ)償有源圖案A3g和第二發(fā)射控制有源圖案A6g。

第三驅(qū)動(dòng)TFT T1b和第三補(bǔ)償TFT T3b可以設(shè)置在第三子像素區(qū)域B中。第三驅(qū)動(dòng)TFT T1b和第三補(bǔ)償TFT T3b可以分別包括各自是半導(dǎo)體層L1的一個(gè)區(qū)域的第三驅(qū)動(dòng)有源圖案A1b和第三補(bǔ)償有源圖案A3b。

第一驅(qū)動(dòng)有源圖案A1r、第二驅(qū)動(dòng)有源圖案A1g和第三驅(qū)動(dòng)有源圖案A1b可以包括沒(méi)有摻雜雜質(zhì)的對(duì)應(yīng)溝道區(qū)C1r、C1g、C1b、摻雜有雜質(zhì)并具有導(dǎo)電性的對(duì)應(yīng)源區(qū)S1r、S1g、S1b和對(duì)應(yīng)漏區(qū)D1r、D1g和D1b。溝道區(qū)C1r、C1g、C1b可以是彎曲形狀，以最大化狹窄空間內(nèi)的長(zhǎng)度。

第一補(bǔ)償有源圖案A3r、第二補(bǔ)償有源圖案A3g和第三補(bǔ)償有源圖案A3b可以包括沒(méi)有摻雜雜質(zhì)的對(duì)應(yīng)溝道區(qū)C3r、C3g、C3b、摻雜有雜質(zhì)并具有導(dǎo)電性的對(duì)應(yīng)源區(qū)S3r、S3g、S3b和對(duì)應(yīng)漏區(qū)D3r、D3g、D3b。溝道區(qū)C3r、C3g、C3b可以是彎曲形狀。

第二發(fā)射控制有源圖案A6g可以包括沒(méi)有摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)C6g、摻雜有雜質(zhì)并具有導(dǎo)電性的源區(qū)S6g和漏區(qū)D6g。

下柵極絕緣層113可以設(shè)置在緩沖層111上并覆蓋第一驅(qū)動(dòng)有源圖案A1r、第二驅(qū)動(dòng)有源圖案A1g、第三驅(qū)動(dòng)有源圖案A1b、第一補(bǔ)償有源圖案A3r、第二補(bǔ)償有源圖案A3g、第三補(bǔ)償有源圖案A3b、以及第二發(fā)射控制有源圖案A6g。下柵極絕緣層113可包括由無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料形成的單層或多層的薄膜。

包括單層薄膜的下柵極絕緣層113可以設(shè)置在第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)有源圖案A1r、A1g、A1b與第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b之間，以及第一、第二、第三補(bǔ)償有源圖案A3r、A3g、A3b與第一、第二、第三補(bǔ)償柵電極G3r、G3g、G3b之間，以及第二發(fā)射控制有源圖案A6g與第二發(fā)射控制柵電極G6g之間，并且可包括氧化硅或氮化硅。

盡管未示出，但包括多層薄膜的下柵極絕緣層可以設(shè)置在有源圖案與柵電極之間。例如，第一下柵極絕緣層設(shè)置在有源圖案和柵電極之間，并由氧化硅形成。第二下柵極絕緣層可以設(shè)置在第一下柵極絕緣層和柵電極之間，并且可以由氮化硅形成。由于氮化硅相比氧化硅具有相對(duì)更強(qiáng)的抗蝕刻溶液的特性，因此通過(guò)在第一下柵極絕緣層上設(shè)置包括氮化硅的第二下柵極絕緣層，在柵電極被圖案化時(shí)對(duì)下柵極絕緣層的損壞可以減小。

第一導(dǎo)電層L2可以設(shè)置在下柵極絕緣層113上。第一導(dǎo)電層L2可以包括前一掃描線SLn-1、掃描線SLn、發(fā)射控制線En、旁路控制線BPL、第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b、第一、第二、第三補(bǔ)償柵電極G3r、G3g、G3b和第二發(fā)射控制柵電極G6g。第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b可用作第一、第二、第三存儲(chǔ)電容器Cstr、Cstg和Cstb的第一電極Cst1r、Cst1g和Cst1b。根據(jù)示例性實(shí)施例，第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b由Al形成。由于Al相比其它金屬具有優(yōu)良的工藝裕度，因此在使用包括Al的第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b的情況下，包括在高分辨率OLED顯示器中的TFT陣列基板可以容易地制造。

覆蓋第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b、第一、第二、第三補(bǔ)償柵電極G3r、G3g、G3b和第二發(fā)射控制柵電極G6g的上柵極絕緣層115可以設(shè)置在下柵極絕緣層113上。上柵極絕緣層115可以是設(shè)置在第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b與第一、第二、第三存儲(chǔ)電容器Cstr、Cstg和Cstb的第二電極Cst2r、Cst2g和Cst2b之間的介電層。

第二導(dǎo)電層L3可設(shè)置在上柵極絕緣層115上，并且可包括第一、第二、第三存儲(chǔ)電容器Cstr、Cstg和Cstb的第二電極Cst2r、Cst2g和Cst2b。第一、第二、第三存儲(chǔ)電容器Cstr、Cstg和Cstb的第二電極Cst2r、Cst2g和Cst2b可以在平面圖中分別與第一、第二、第三驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1r、G1g、G1b重疊。

覆蓋第二導(dǎo)電層L3的第一絕緣層117可以設(shè)置在上柵極絕緣層115上。第一絕緣層117可包括包含氧化硅和/或氮化硅等的單層或多層。

第一絕緣層117可包括用于將第二發(fā)射控制TFT T6g與OLED的第二像素電極130g電連接的第一接觸孔CH1。

第三導(dǎo)電層L4可以設(shè)置在第一絕緣層117上。第三導(dǎo)電層L4可以包括數(shù)據(jù)線DLm、驅(qū)動(dòng)電壓線PL、連接構(gòu)件(或連接器)、以及第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g。

覆蓋第三導(dǎo)電層L4的第二絕緣層120可以設(shè)置在第一絕緣層117上。根據(jù)示例性實(shí)施例，第二絕緣層120由丙烯酸類有機(jī)材料和諸如聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)的有機(jī)絕緣材料形成。第二絕緣層120可以保護(hù)設(shè)置在第二絕緣層120下的諸如TFT之類的器件，并平坦化設(shè)置在第二絕緣層120下的TFT的上表面。

第一絕緣層117和第二絕緣層120可以包括不同的材料。例如，第一絕緣層117由無(wú)機(jī)絕緣材料形成，并且第二絕緣層120由有機(jī)絕緣材料形成。

第二絕緣層120可包括暴露第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g的通孔VIA。

第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g被埋在包括在第一絕緣層117中的第一接觸孔CH1中。此外，漏電極DE6g可以經(jīng)由通孔VIA與OLED的第二像素電極130g電連接。也就是說(shuō)，第二像素電極130g可以經(jīng)由第一接觸孔CH1和通孔VIA與第二發(fā)射控制TFT T6g電連接，因此與和第二發(fā)射控制TFT T6g電連接的第二驅(qū)動(dòng)TFT T1g電連接。雖然未示出，但第一像素電極130r和第三像素電極130b可以分別經(jīng)由第一發(fā)射控制TFT T6r和第三發(fā)射控制TFT與第一驅(qū)動(dòng)TFT T1r和第三驅(qū)動(dòng)TFT T1b電連接。

OLED的第一、第二、第三像素電極130r、130g、130b、第一遮光構(gòu)件170、以及初始化電壓線VL可以設(shè)置在第二絕緣層120上。

第一、第二、第三像素電極130r、130g、130b可以包括由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的具有高功函數(shù)的材料形成的金屬反射層。

根據(jù)示例性實(shí)施例，第一像素電極130r的至少一部分可與第一補(bǔ)償有源圖案A3r的源區(qū)S3r和漏區(qū)D3r中的至少一個(gè)重疊，并且第三像素電極130b的至少一部分可與第三補(bǔ)償有源圖案A3b的源區(qū)S3b和漏區(qū)D3b中的至少一個(gè)重疊，但第二像素電極130g不會(huì)與第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g重疊。

第一遮光構(gòu)件170可以設(shè)置在其中設(shè)置有第一、第二、第三像素電極130r、130g、130b的層中，并與第一、第二、第三像素電極130r、130g、130b隔開。第一遮光構(gòu)件170可以從設(shè)置在其中設(shè)置有第二像素電極130g的行中的不同像素電極的一部分延伸，但不限于此。

第一遮光構(gòu)件170可包括包含單層或多層的金屬層。第一遮光構(gòu)件170可以包括由諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的材料形成的金屬反射層。第一遮光構(gòu)件170可設(shè)置于設(shè)置在第二子像素區(qū)域G中的第二補(bǔ)償TFT T3g上。第一遮光構(gòu)件170的至少一部分可與包括在第二補(bǔ)償TFT T3g中的第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g中的至少一個(gè)重疊，并可以遮擋射到第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g中的至少一個(gè)上的光。

分割子像素的像素限定層121可設(shè)置在第二絕緣層120上。像素限定層121可覆蓋第一、第二、第三像素電極130r、130g、130b的周邊，使得像素限定層121暴露第一、第二、第三像素電極130r、130g、130b的上表面。像素限定層121可覆蓋第一遮光構(gòu)件170。

第一公共層141、第一、第二、第三有機(jī)發(fā)射層142r、142g、142b、第二公共層143和公共電極150可以設(shè)置在第一、第二、第三像素電極130r、130g、130b的由像素限定層121暴露的部分上。第一公共層141可包括空穴注入層和/或空穴傳輸層。第二公共層143可以包括電子傳輸層和/或電子注入層。依賴于實(shí)施例，可以在像素電極130和公共電極150之間進(jìn)一步設(shè)置其它各種功能層。

第一、第二、第三有機(jī)發(fā)射層142r、142g和142b可分別發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光。

公共電極150可以被設(shè)置為使得公共電極150對(duì)于第一、第二、第三子像素區(qū)域R、G、B是公共的。公共電極150可以面對(duì)第一像素電極130r、第二像素電極130g和第三像素電極130b。

雖然未示出，但封裝基板(未示出)或封裝層(未示出)可設(shè)置在公共電極150上。

圖2中所示的附圖標(biāo)記T3r、T3g、T3b分別表示設(shè)置在第一子像素區(qū)域R、第二子像素區(qū)域G和第三子像素區(qū)域B中的圖1的補(bǔ)償TFT T3。圖2中所示的附圖標(biāo)記T7r表示設(shè)置在第一子像素區(qū)域R中的圖1的旁路TFT T7。

圖4是示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的包括在OLED顯示器1中的一個(gè)子像素的示意性平面圖。圖5是沿圖4的線V1-V'1和V2-V'2截取的示意性剖視圖。圖6是沿圖4的線V1-V'1和V2-V'2截取的另一示意性剖視圖。

參考圖4和圖5，根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器1的一個(gè)像素包括第二子像素區(qū)域G，并且第二子像素區(qū)域G可以是綠色子像素區(qū)域。

被彎曲成各種形狀的半導(dǎo)體層L1設(shè)置在基板210上。

用于防止雜質(zhì)元素滲透到基板210中并平坦化基板210的緩沖層211可以設(shè)置在基板210和半導(dǎo)體層L1之間。

第二補(bǔ)償TFT T3g和第二發(fā)射控制TFT T6g可以設(shè)置在第二子像素區(qū)域G中。第二補(bǔ)償TFT T3g和第二發(fā)射控制TFT T6g可以分別包括各自是半導(dǎo)體層L1的一個(gè)區(qū)域的第二補(bǔ)償有源圖案A3g和第二發(fā)射控制有源圖案A6g。

第二補(bǔ)償有源圖案A3g可以包括沒(méi)有摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)C3g和摻雜有雜質(zhì)并具有導(dǎo)電性的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g。溝道區(qū)C3g可以是彎曲形狀。

第二發(fā)射控制有源圖案A6g可以包括沒(méi)有摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)C6g和摻雜有雜質(zhì)并具有導(dǎo)電性的源區(qū)S6g和漏區(qū)D6g。溝道區(qū)C6g可以是彎曲形狀。

下柵極絕緣層213可以設(shè)置在緩沖層211上，以覆蓋第二補(bǔ)償有源圖案A3g和第二發(fā)射控制有源圖案A6g。

第一導(dǎo)電層L2可以設(shè)置在下柵極絕緣層213上。第一導(dǎo)電層L2可以包括前一掃描線SLn-1、掃描線SLn、發(fā)射控制線ELn、旁路控制線BPL、第二補(bǔ)償柵電極G3g和第二發(fā)射控制柵電極G6g。

覆蓋第二補(bǔ)償柵電極G3g和第二發(fā)射控制柵電極G6g的上柵極絕緣層215以及第一絕緣層217可以設(shè)置在下柵極絕緣層213上。

第一絕緣層217可以包括用于將第二發(fā)射控制TFT T6g與OLED的第二像素電極230g電連接的接觸孔。

第三導(dǎo)電層L4可以設(shè)置在第一絕緣層217上，并且可以包括數(shù)據(jù)線DLm、驅(qū)動(dòng)電壓線PL、第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g和第二遮光構(gòu)件270。

第二遮光構(gòu)件270可設(shè)置在其中設(shè)置有第二子像素區(qū)域G的數(shù)據(jù)線DLm的層中，并且與第二子像素區(qū)域G的數(shù)據(jù)線DLm隔開。如圖4所示，第二遮光構(gòu)件270可以從將第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1g與第二補(bǔ)償漏電極連接的連接構(gòu)件延伸，但不限于此。

第二遮光構(gòu)件270可包括單層或多層的金屬層，并包括由諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的材料形成的金屬反射層。第二遮光構(gòu)件270可以與包括在第二補(bǔ)償TFT T3g中的第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g中的至少一個(gè)重疊，并遮擋射到第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g中的至少一個(gè)上的光。

覆蓋第三導(dǎo)電層L4的第二絕緣層220可以設(shè)置在第一絕緣層217上。也就是說(shuō)，第二絕緣層220可以覆蓋第二遮光構(gòu)件270。第一絕緣層217和第二絕緣層220可分別包括不同的材料。例如，第一絕緣層217由無(wú)機(jī)絕緣材料形成，并且第二絕緣層220由有機(jī)絕緣材料形成。

第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g被埋在包括在第一絕緣層217中的接觸孔中。第二絕緣層220包括暴露第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g的通孔VIA。漏電極DE6g可以經(jīng)由通孔VIA與OLED的第二像素電極230g電連接。也就是說(shuō)，第二像素電極230g可以經(jīng)由接觸孔和通孔VIA與第二發(fā)射控制TFT T6g電連接，并因此與和第二發(fā)射控制TFT T6g電連接的第二驅(qū)動(dòng)TFT T1g電連接。

OLED的第二像素電極230g和初始化電壓線VL可以設(shè)置在第二絕緣層220上。

第二像素電極230g可以包括由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的具有高功函數(shù)的材料形成的金屬反射層。根據(jù)示例性實(shí)施例，第二像素電極230g不與包括在第二補(bǔ)償TFT T3g中的第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g重疊。

分割子像素的像素限定層221可以設(shè)置在第二絕緣層220上。像素限定層221可以覆蓋第二像素電極230g的周邊，使得像素限定層221暴露第二像素電極230g的上表面。

第一公共層241、第二有機(jī)發(fā)射層242g、第二公共層243和公共電極250可以設(shè)置在第二像素電極230g的由像素限定層221暴露的部分上。

第一公共層241可以包括空穴注入層和空穴傳輸層。第二公共層243可以包括電子傳輸層和電子注入層。

第二有機(jī)發(fā)射層242g可以發(fā)射綠光。

雖然未示出，但封裝基板(未示出)或封裝層(未示出)可設(shè)置在公共電極250上。

在下文中，對(duì)與上面描述的部分相同的部分的描述將被省略或簡(jiǎn)要描述。

參考圖4和圖6，根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器1的一個(gè)像素包括第二子像素區(qū)域G，并且第二子像素區(qū)域G可以是綠色子像素區(qū)域。

半導(dǎo)體層L1設(shè)置在基板210上，且緩沖層211可以設(shè)置在基板210和半導(dǎo)體層L1之間。

分別包括各自是半導(dǎo)體層L1的一個(gè)區(qū)域的第二補(bǔ)償有源圖案A3g和第二發(fā)射控制有源圖案A6g的第二補(bǔ)償TFT T3g和第二發(fā)射控制TFT T6g可以設(shè)置在第二子像素區(qū)域G中。

下柵極絕緣層213可以設(shè)置在緩沖層211上，以覆蓋第二補(bǔ)償有源圖案A3g和第二發(fā)射控制有源圖案A6g。

第一導(dǎo)電層L2可以設(shè)置在下柵極絕緣層213上。第一導(dǎo)電層L2可以包括第二補(bǔ)償柵電極G3g和第二發(fā)射控制柵電極G6g。

覆蓋第二補(bǔ)償柵電極G3g和第二發(fā)射控制柵電極G6g的上柵極絕緣層215可以設(shè)置在下柵極絕緣層213上。

第二導(dǎo)電層L3可以設(shè)置在上柵極絕緣層215上，并且可包括第二存儲(chǔ)電容器Cstg的第二電極Cst2g和第三遮光構(gòu)件270'。

第三遮光構(gòu)件270'可設(shè)置在其中設(shè)置有第二存儲(chǔ)電容器Cstg的第二電極Cst2g的層中，并與第二存儲(chǔ)電容器Cstg的第二電極Cst2g隔開?？商娲?，第三遮光構(gòu)件270'可以從第二存儲(chǔ)電容器Cstg的第二電極Cst2g的一部分延伸，并且不限于此。

第三遮光構(gòu)件270'可以包括單層或多層的金屬層，并且可以包括由諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的材料形成的金屬反射層。第三遮光構(gòu)件270'可與包括在第二補(bǔ)償TFT T3g中的第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g中的至少一個(gè)重疊，并且遮擋射到第二補(bǔ)償有源圖案A3g的源區(qū)S3g和漏區(qū)D3g中的至少一個(gè)上的光。

第三導(dǎo)電層L4可以設(shè)置在第一絕緣層217上，并且可包括第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g。

第二發(fā)射控制TFT T6g的漏電極DE6g被埋在包括在第一絕緣層217中的接觸孔中。

覆蓋第三導(dǎo)電層L4的第二絕緣層220可以設(shè)置在第一絕緣層217上。

OLED的第二像素電極230g和像素限定層221可以設(shè)置在第二絕緣層220上。像素限定層221可以覆蓋第二像素電極230g的周邊，使得像素限定層221暴露第二像素電極230g的上表面。

第一公共層241、第二有機(jī)發(fā)射層242g、第二公共層243和公共電極250可以設(shè)置在第二像素電極230g的由像素限定層221暴露的部分上。

第一公共層241可以包括空穴注入層和空穴傳輸層。第二公共層243可以包括電子傳輸層和電子注入層。

第二有機(jī)發(fā)射層242g可以發(fā)射綠光。

雖然未示出，但封裝基板(未示出)或封裝層(未示出)可設(shè)置在公共電極250上。

圖7是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器1'的一個(gè)子像素的等效電路圖。圖8是示出了圖7的OLED顯示器1'的一個(gè)子像素的一部分的示意性剖視圖。

根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器1'可包括圖7和圖8中所示的子像素，并且圖7和圖8中所示的子像素可以包括發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光中的至少一種的OLED。

參考圖7，根據(jù)另一示例性實(shí)施例的OLED顯示器1'包括各自包括多個(gè)子像素的多個(gè)像素。每個(gè)子像素包括發(fā)射光的OLED'、以及從多條布線接收信號(hào)并驅(qū)動(dòng)OLED'的第二驅(qū)動(dòng)電路10'。

布線可以包括傳送掃描信號(hào)Sn的掃描線SLn、傳送數(shù)據(jù)信號(hào)Dm的數(shù)據(jù)線DLm、傳送驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線PL、以及傳送補(bǔ)償控制信號(hào)Gc的補(bǔ)償控制線GcL。子像素被分別設(shè)置在沿第一方向延伸的布線與沿不同于第一方向的第二方向延伸的布線交叉的點(diǎn)處。

第二驅(qū)動(dòng)電路10'可以包括至少兩個(gè)TFT和至少一個(gè)電容器。然而，所描述技術(shù)的示例性實(shí)施例不限于此，并且第二驅(qū)動(dòng)電路10'可以如圖7所示包括三個(gè)TFT T1至T3和兩個(gè)電容器Cst和Cth。

TFT可以包括驅(qū)動(dòng)TFT T1、數(shù)據(jù)傳送TFT T2和補(bǔ)償TFT T3。

驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1與補(bǔ)償電容器Cth的第二電極Cth2連接，驅(qū)動(dòng)TFT T1的源電極S1與供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線PL連接，并且驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極D1與OLED'的像素電極電連接。驅(qū)動(dòng)TFT T1依賴于數(shù)據(jù)傳送TFT T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)Dm并將驅(qū)動(dòng)電流I_d供給到OLED'。

數(shù)據(jù)傳送TFT T2的柵電極G2與掃描線SLn連接，數(shù)據(jù)傳送TFT T2的源電極S2與數(shù)據(jù)線DLm連接，并且數(shù)據(jù)傳送TFT T2的漏電極D2經(jīng)由補(bǔ)償電容器Cth與驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1連接。數(shù)據(jù)傳送TFT T2依賴于經(jīng)由掃描線SLn傳送的掃描信號(hào)Sn執(zhí)行被導(dǎo)通并將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DLm傳送的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm傳送到驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1的開關(guān)操作。

補(bǔ)償TFT T3的柵電極G3與補(bǔ)償控制線GcL連接，補(bǔ)償TFT T3的源電極S3與補(bǔ)償電容器Cth的第二電極Cth2以及驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1全部連接，并且補(bǔ)償TFT T3的漏電極D3與OLED'的像素電極電連接。補(bǔ)償TFT T3依賴于經(jīng)由補(bǔ)償控制線GcL傳送的補(bǔ)償控制信號(hào)Gc被導(dǎo)通，并通過(guò)將驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1與漏電極D1連接而使驅(qū)動(dòng)TFT T1二極管連接。

存儲(chǔ)電容器Cst的第二電極Cst2與驅(qū)動(dòng)電壓線PL連接，并且存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極Cst1與數(shù)據(jù)傳送TFT T2的漏電極D2和補(bǔ)償電容器Cth的第一電極Cth1連接在一起。

補(bǔ)償電容器Cth的第一電極Cth1與數(shù)據(jù)傳送TFT T2的漏電極D2和存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極Cst1連接在一起，并且補(bǔ)償電容器Cth的第二電極Cth2與驅(qū)動(dòng)TFT T1的柵電極G1和補(bǔ)償TFT T3的源電極S3連接在一起。

OLED'的像素電極與第二驅(qū)動(dòng)電路10'連接，并且OLED'的公共電極與公共電壓ELVSS的線連接。因此，OLED'通過(guò)從驅(qū)動(dòng)TFT T1接收驅(qū)動(dòng)電流I_d并發(fā)射光來(lái)顯示圖像。

參考圖8，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，被彎曲成各種形狀的半導(dǎo)體層設(shè)置在第二驅(qū)動(dòng)電路10'的基板310上。基板310可以包括各種材料，諸如玻璃、金屬或包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺等的塑料。半導(dǎo)體層可以包括諸如多晶硅的半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體層可以包括驅(qū)動(dòng)有源圖案A1和補(bǔ)償有源圖案A3。驅(qū)動(dòng)有源圖案A1和補(bǔ)償有源圖案A3分別包括沒(méi)有摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)3122和3125以及摻雜有雜質(zhì)并具有導(dǎo)電性的源區(qū)3123和3126及漏區(qū)3121和3124。

防止雜質(zhì)元素滲透到基板310并平坦化基板310的緩沖層311可以設(shè)置在基板310上。

下柵極絕緣層313可以設(shè)置在緩沖層311上，以覆蓋驅(qū)動(dòng)有源圖案A1和補(bǔ)償有源圖案A3。下柵極絕緣層313可包括包含無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料的單層或多層的薄膜。

下柵極絕緣層313可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)有源圖案A1和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1之間以及補(bǔ)償有源圖案A3和補(bǔ)償柵電極G3之間，并且可包括氧化硅或氮化硅。

盡管未示出，但包括多層薄膜的下柵極絕緣層可以設(shè)置在有源圖案和柵電極之間。例如，第一下柵極絕緣層設(shè)置在有源圖案和柵電極之間，并由氧化硅形成。第二下柵極絕緣層可設(shè)置在第一下柵極絕緣層和柵電極之間，并由氮化硅形成。

第一導(dǎo)電層可以設(shè)置在下柵極絕緣層313上。第一導(dǎo)電層可以包括掃描線SLn、補(bǔ)償控制線GcL、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1和補(bǔ)償柵電極G3。

覆蓋驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1和補(bǔ)償柵電極G3的上柵極絕緣層315可以設(shè)置在下柵極絕緣層313上。

第二導(dǎo)電層可以設(shè)置在上柵極絕緣層315上。第二導(dǎo)電層可以包括數(shù)據(jù)線DLm、驅(qū)動(dòng)電壓線PL、驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極3161和驅(qū)動(dòng)TFT T 1的源電極3162。

驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極3161和源電極3162分別與驅(qū)動(dòng)有源圖案A1的漏區(qū)3121和源區(qū)3123連接。

覆蓋第二導(dǎo)電層的第一絕緣層320可以設(shè)置在上柵極絕緣層315上。第一絕緣層320可以由丙烯酸類有機(jī)材料和諸如聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)的有機(jī)絕緣材料形成。第一絕緣層320可以保護(hù)設(shè)置在第一絕緣層320下的諸如TFT的器件，并平坦化設(shè)置在第一絕緣層320下的TFT的上表面。

第一絕緣層320可包括暴露驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極3161的通孔VIA。驅(qū)動(dòng)TFT T1的漏電極3161可以通過(guò)通孔VIA與OLED'的像素電極330電連接。

OLED'的像素電極330和第四遮光構(gòu)件370可設(shè)置在第一絕緣層320上。

像素電極330可以包括由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的具有高功函數(shù)的材料形成的金屬反射層。

根據(jù)示例性實(shí)施例，像素電極330與驅(qū)動(dòng)有源圖案A1的源區(qū)3213和漏區(qū)3121中的至少一個(gè)重疊，但不與補(bǔ)償有源圖案A3的源區(qū)3126和漏區(qū)3124重疊。

第四遮光構(gòu)件370可設(shè)置在其中設(shè)置有像素電極330的層中，并與像素電極330隔開。第四遮光構(gòu)件370可以包括單層或多層的金屬層。第四遮光構(gòu)件370可以包括包含諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的材料的金屬反射層。第四遮光構(gòu)件370可以與補(bǔ)償有源圖案A3的源區(qū)3126和漏區(qū)3124中的至少一個(gè)重疊，并遮擋射到補(bǔ)償有源圖案A3的源區(qū)3126和漏區(qū)3124中的至少一個(gè)上的光。

盡管未示出，但第四遮光構(gòu)件370可設(shè)置在其中設(shè)置有漏電極3161和源電極3162的層中，并與漏電極3161和源電極3162隔開。

分割各個(gè)子像素的像素限定層321可以設(shè)置在第一絕緣層320上。像素限定層321可以覆蓋像素電極330的周邊，使得像素限定層321暴露像素電極330的上表面。像素限定層321可以覆蓋第四遮光構(gòu)件370。

第一公共層341、有機(jī)發(fā)射層342、第二公共層343和公共電極350可設(shè)置在像素電極330的由像素限定層321暴露的部分上。第一公共層341可以包括空穴注入層和空穴傳輸層。第二公共層343可以包括電子傳輸層和電子注入層。依賴于實(shí)施例，可以在像素電極330和公共電極350之間被進(jìn)一步設(shè)置其它各種功能層。

有機(jī)發(fā)射層342可發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光中的至少一種。

公共電極350可以被設(shè)置為使得公共電極350對(duì)OLED顯示器1'的所有子像素區(qū)域是公共的。

雖然未示出，但封裝基板(未示出)或封裝層(未示出)可設(shè)置在公共電極350上。

盡管已經(jīng)參考各圖描述了發(fā)明技術(shù)，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在不背離所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下對(duì)本文進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種修改。