有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包含：第一電極；第二電極；和兩種以上提供在第一電極和第二電極之間的發(fā)光單元，其中在發(fā)光單元中，電荷產(chǎn)生層形成在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間，電子傳輸層提供在發(fā)光單元和電荷產(chǎn)生層之間，該發(fā)光單元與兩個(gè)相鄰發(fā)光單元的第一電極相鄰。電子傳輸層包含：摻雜有n-型摻雜劑的第一電子傳輸層；和摻雜有金屬鹽、金屬氧化物或有機(jī)金屬鹽的第二電子傳輸層。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件。更具體而言，本發(fā)明涉及一種包含兩個(gè)以上發(fā)光 單兀的有機(jī)發(fā)光器件。
[0002] 本申請(qǐng)要求并享有2012年5月31日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第 10-2012-0058232號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全文內(nèi)容以引用的方式納入本說明書。

【背景技術(shù)】
[0003] 有機(jī)發(fā)光器件（0LED)通常由兩個(gè)電極（一個(gè)陽極和一個(gè)陰極）以及置于在這些 電極之間的一層或多層的有機(jī)材料層所形成。在具有這類結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，當(dāng)在兩 電極之間施加電壓時(shí)，來自陽極的空穴和來自陰極的電子流至該有機(jī)材料層中。該空穴和 電子結(jié)合形成激子（exciton)。該激子降至基態(tài)并發(fā)出與能量差相當(dāng)?shù)墓庾印８鶕?jù)此原理， 該有機(jī)發(fā)光器件產(chǎn)生可見光。通過使用該有機(jī)發(fā)光器件可制造信息顯示器件或照明裝置。
[0004] 為了擴(kuò)大有機(jī)發(fā)光器件的應(yīng)用范圍并將該有機(jī)發(fā)光器件商業(yè)化，已持續(xù)發(fā)展增加 該有機(jī)發(fā)光器件的效率和降低驅(qū)動(dòng)電壓的技術(shù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 技術(shù)問題
[0006] 本發(fā)明描述了一種有機(jī)發(fā)光器件，其包含兩個(gè)以上的發(fā)光單元。
[0007] 技術(shù)方案
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，有機(jī)發(fā)光器件包含第一電極、第二電極和兩個(gè)以上 的發(fā)光單元，所述發(fā)光單元提供在第一電極和第二電極之間。在本文中，在發(fā)光單元間，電 荷產(chǎn)生層提供在彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元之間，電子傳輸層提供在電荷產(chǎn)生層和發(fā)光單元 之間，所述發(fā)光單元與兩個(gè)相鄰發(fā)光單元的第一電極相鄰，且電子傳輸層包含摻雜有η-型 摻雜劑的第一電子傳輸層，和摻雜有金屬鹽、金屬氧化物或有機(jī)金屬鹽的第二電子傳輸層。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，在有機(jī)發(fā)光器件中，另外的電子傳輸層提供在第 二電極和與第二電極相鄰的發(fā)光單兀之間，且該另外的電子傳輸層包含摻雜有η-型摻雜 劑的第一電子傳輸層，和摻雜有金屬鹽、金屬氧化物或有機(jī)金屬鹽的第二電子傳輸層。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方案，在有機(jī)發(fā)光器件中，另外的電子傳輸層提供在第 二電極和與第二電極相鄰的發(fā)光單兀之間，且該另外的電子傳輸層包含摻雜有η-型摻雜 劑的第一電子傳輸層，和摻雜有金屬鹽、金屬氧化物或有機(jī)金屬鹽的第二電子傳輸層。此 夕卜，另外的電荷產(chǎn)生層提供在第二電極和另外的電子傳輸層之間。
[0011] 有益效果
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案可提供一種具有顯著地降低驅(qū)動(dòng)電壓、優(yōu)異的發(fā)光效率和 長(zhǎng)壽命的有機(jī)發(fā)光器件，以及其與常規(guī)有機(jī)發(fā)光器件相比具有改善的發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)。
[0014] 圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的包含在有機(jī)發(fā)明器件中的電荷產(chǎn)生層的 結(jié)構(gòu)。
[0015] 圖3是圖1所示器件中的電荷流動(dòng)示意圖。
[0016] 圖4說明一般有機(jī)發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)。
[0017] 圖5是圖4所示器件中的電荷流動(dòng)示意圖。
[0018] 圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)。
[0019] 圖7說明根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)。
[0020] 圖8說明根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)。
[0021] 圖9說明根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明中的實(shí)施方案。在下列的說明中，參照附圖 中的特定標(biāo)號(hào)進(jìn)行說明，然而，本發(fā)明的實(shí)施方案并不限于圖示中的相應(yīng)的標(biāo)號(hào)，且相關(guān)的 說明全部應(yīng)用至相對(duì)應(yīng)的構(gòu)造。
[0023] 在本發(fā)明中，η-型是指η-型半導(dǎo)體性質(zhì)。換言之，η-型指通過注入來接受電子， 或經(jīng)最低占據(jù)分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital, LUM0)能級(jí)來傳送電子 的性質(zhì)，并可定義為電子遷移率大于空穴遷移率的材料性質(zhì)。相對(duì)地，P-型是指P-型半導(dǎo) 體性質(zhì)。換言之，p-型指通過注入來接收空穴或經(jīng)最高占據(jù)分子軌道（highest occupied molecular orbital, HOMO)能級(jí)來傳送空穴的性質(zhì)，并可定義為空穴遷移率大于電子遷移 率的材料性質(zhì)。在本發(fā)明中，具有η-型性質(zhì)的化合物或有機(jī)材料層是指η-型化合物或 η-型有機(jī)材料層。此外，具有Ρ-型性質(zhì)的化合物或有機(jī)材料層是指Ρ-型化合物或Ρ-型有 機(jī)材料層。此外，η-型摻雜是指經(jīng)摻雜而具有η-型性質(zhì)。
[0024] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)示意圖，并且圖3示 出了圖1所示的有機(jī)發(fā)光器件中的電荷流動(dòng)。
[0025] 如圖1所示，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件中，將兩個(gè)發(fā)光單元 (210、220)置于在第一電極（110)與第二電極（120)之間，并且將電荷產(chǎn)生層（510)與形成 兩層的電子傳輸層置于兩個(gè)發(fā)光單兀（210、220)之間。此時(shí)，該電荷產(chǎn)生層（510)置于在 與第二電極（120)相鄰的發(fā)光單兀（220)相鄰處，以及電子傳輸層置于在與第一電極（110) 相鄰的發(fā)光單兀（210)相鄰處。該電子傳輸層包括：摻雜有η-型摻雜劑的第一電子傳輸層 (310)，以及摻雜有金屬鹽、金屬氧化物或有機(jī)金屬鹽的第二電子傳輸層（410)，該第一電子 傳輸層（310)置于與電荷產(chǎn)生層（510)相鄰處，以及該第二電子傳輸層（410)置于在與第 一電極（110)相鄰的該發(fā)光單元（210)相鄰處。
[0026] 根據(jù)圖1，兩個(gè)發(fā)光單元（210、220)提供在第一電極（110)和第二電極（120)之 間。電荷產(chǎn)生層（510)提供在兩個(gè)發(fā)光單兀（210、220)之間。第一電子傳輸層（310)和該 第二傳輸層（410)提供在電荷產(chǎn)生層（510)和發(fā)光單元（210)之間，所述發(fā)光單元（210)置 于與發(fā)光單兀中的第一電極相鄰。圖1不出了以下結(jié)構(gòu)：發(fā)光單兀（210)、第二電子傳輸層 (410)、第一電子傳輸層（310)、電荷產(chǎn)生層（510)、發(fā)光單兀（220)和第二電極（120)層疊 在第一電極（110)上，然而，作為替代，圖1還包括以下結(jié)構(gòu)：發(fā)光單元（220)、電荷產(chǎn)生層 (510)、第一電子傳輸層（310)、第二電子傳輸層（410)、發(fā)光單兀（210)和第一電極（110) 層疊在第二電極（120)上。
[0027] 在本發(fā)明中，相鄰是指在提到的層中最靠近的層的位置關(guān)系即為相鄰。例如，與兩 個(gè)發(fā)光單元相鄰是指在眾多發(fā)光單元中與兩個(gè)發(fā)光單元最接近的位置關(guān)系。如上所述的 相鄰可指物理連接的兩層或可置于兩層之間的其他未描述的層的情況。例如，與第二電極 相鄰的發(fā)光單元是指發(fā)光單元中最靠近第二電極放置的發(fā)光單元。此外，第二電極與發(fā)光 單元可物理連接，然而，除了發(fā)光單元以外的其他層可設(shè)置在第二電極與發(fā)光單元之間。然 而，電荷產(chǎn)生層提供在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間。
[0028] 在本發(fā)明中，第一電極和第二電極被用于施加外部電壓，并且對(duì)其無特別地限制， 只要具有導(dǎo)電性即可。例如，第一電極可為陽極，第二電極可為陰極。
[0029] 在本發(fā)明中，對(duì)發(fā)光單元（210、220)并無特別地限制，只要其為具有發(fā)光功能的 單元。例如，發(fā)光單元（210、220)可包含一層以上的發(fā)光層。當(dāng)需要時(shí)，發(fā)光單元（210、220) 可包含除了發(fā)光層之外的一層以上的有機(jī)材料層。
[0030] 在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光層可包含一種材料，其通過結(jié)合分別傳輸?shù)目昭ê碗娮佣?能夠在可見光區(qū)發(fā)光。作為發(fā)光層材料，可使用本【技術(shù)領(lǐng)域】中已知的材料。例如，可使用具 有較好的突光和磷光的量子效應(yīng)（quantum efficiency)的材料。發(fā)光層材料的具體實(shí)例包 含8-羥基-喹啉鋁復(fù)合物（Alq3)、咔唑類化合物、二聚苯乙烯基化合物、BAlq、10_羥基苯并 喹啉金屬化合物、苯并噁唑、苯并噻唑和苯并咪唑類化合物、聚（P-亞苯基乙烯）（PPV)-類 聚合物、螺環(huán)化合物、聚芴、紅螢烯等，但不限于此。
[0031] 在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光單元（210、220)可另外地提供且包含除發(fā)光層之外的一層 以上的有機(jī)材料層。另外有機(jī)材料可包含空穴傳輸層、空穴注入層、用于傳輸及注入空穴的 層、緩沖層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、用于傳輸或注入電子的層、空穴阻擋層 等。此處，空穴傳輸層、空穴注入層、用于傳輸或注入空穴的層或電子阻擋層可設(shè)置在與發(fā) 光層相比更靠近第一電極（110)處。電子傳輸層、電子注入層、用于傳輸和注入電子的層或 空穴阻擋層可設(shè)置在與發(fā)光層相比更靠近第二電極（120)處?？昭ㄗ钃鯇拥氖褂每筛鶕?jù)發(fā) 光層的性質(zhì)來決定。例如，當(dāng)發(fā)光層的性質(zhì)接近η-型性質(zhì)時(shí)，可不使用空穴阻擋層，然而， 當(dāng)發(fā)光層的性質(zhì)接近Ρ-型性質(zhì)時(shí)，可考慮使用空穴阻擋層。此外，空穴阻擋層的使用也可 考慮發(fā)光層的HOMO能級(jí)和電子傳輸層的HOMO能級(jí)之間的關(guān)系而定。當(dāng)發(fā)光層的HOMO能 級(jí)具有大于電子傳輸層的Η0Μ0能級(jí)值時(shí)，可考慮增加空穴阻擋層。然而，在此情況下，當(dāng)電 子傳輸層的Η0Μ0能級(jí)大于發(fā)光層的Η0Μ0能級(jí)時(shí)，電子傳輸層本身可作為空穴阻擋層。作 為一個(gè)實(shí)例，通過使用兩種以上的電子傳輸層材料，電子傳輸層可同時(shí)作為電子傳輸層和 空穴阻擋層。
[0032] 在本發(fā)明中，電荷產(chǎn)生層（510)為不需施加外部電壓即可產(chǎn)生電荷的層，且該電 荷產(chǎn)生層可通過在發(fā)光單元（210、220)之間產(chǎn)生電荷而使包含在有機(jī)發(fā)光器件的兩個(gè)以 上發(fā)光單兀發(fā)射光。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所述的電荷產(chǎn)生層（510)可包含η-型有機(jī)材料 層與Ρ-型有機(jī)材料層。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層（510)的η-型有機(jī)材料層（下文稱為"η-型電 荷產(chǎn)生層"）置于與電荷產(chǎn)生層（510)的ρ-型有機(jī)材料層（下文稱為"ρ-型電荷產(chǎn)生層"） 相比更接近第一電極（110)處。圖2顯示為電荷產(chǎn)生層的一個(gè)實(shí)施例。圖2顯示了電荷產(chǎn) 生層，其包含與第一電極（110)相鄰設(shè)置的η-型電荷產(chǎn)生層（512)和與第二電極相鄰設(shè)置 的p-型電荷產(chǎn)生層（511)。
[0033] 在一個(gè)實(shí)施例中，該η-型電荷產(chǎn)生層（512)的LUM0能級(jí)等于或大于p-型電荷產(chǎn) 生層（511)的HOMO能級(jí)，這使電荷產(chǎn)生更為有效。例如，η-型電荷產(chǎn)生層（512)的LUM0能 級(jí)可為5至7eV，且ρ-型電荷產(chǎn)生層的HOMO能級(jí)可為5eV以上。
[0034] 在本發(fā)明中，能級(jí)是指能量的大小。因此，當(dāng)能級(jí)顯示為來自真空能級(jí)的（_)方 向，這表示該能級(jí)為相應(yīng)能量值的絕對(duì)值。例如，HOMO能級(jí)是指從真空能級(jí)至最高占據(jù)分 子軌道的距離。此外，LUM0能級(jí)是指從真空能級(jí)至最低占據(jù)分子軌道的距離。
[0035] 可通過在η-型電荷產(chǎn)生層（512)與ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)之間形成NP連接而 產(chǎn)生電荷。此時(shí)，η-型電荷產(chǎn)生層（512)的LUM0能級(jí)與ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)的Η0Μ0 能級(jí)可考慮相鄰的有機(jī)材料層之間的能級(jí)關(guān)系而調(diào)節(jié)。例如，在η-型電荷產(chǎn)生層（512)和 Ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)中，可將在ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)的Η0Μ0能級(jí)與η-型電荷產(chǎn)生 層（512)的LUM0能級(jí)之間的差值調(diào)整為2eV以下或leV以下。根據(jù)市售的材料的能級(jí)來 判斷，能級(jí)差值可為大于或等于-leV并小于或等于leV，和大于或等于0. OleV并小于或等 于 leV。
[0036] η-型電荷產(chǎn)生層（512)與ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)之間所產(chǎn)生的空穴快速地注入 Ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)的Η0Μ0能級(jí)。當(dāng)η-型電荷產(chǎn)生層（512)的LUM0能級(jí)大于Ρ-型電 荷產(chǎn)生層（511)的Η0Μ0能級(jí)時(shí)，因?yàn)榭焖俚匦纬搔边B接，因此可避免驅(qū)動(dòng)電壓增加。在本 發(fā)明中，不僅在η-型有機(jī)材料層（512)與ρ-型有機(jī)材料層（511)物理連接時(shí)可形成NP連 接，在滿足上述能量關(guān)系時(shí)亦可形成ΝΡ連接。
[0037] 當(dāng)形成ΝΡ連接時(shí)，通過外加電壓或光源而快速地形成空穴或電子。即通過ΝΡ連 接，在η-型電荷產(chǎn)生層（512)和ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)之間同時(shí)產(chǎn)生空穴或電子。電子 經(jīng)由η-型電荷產(chǎn)生層（512)向第一電子傳輸層（310)與第二電子傳輸層（410)傳送?？?穴向Ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)傳送。即當(dāng)η-型電荷產(chǎn)生層（512)的LUM0能級(jí)大于ρ-型電 荷產(chǎn)生層（511)的Η0Μ0能級(jí)時(shí)，快速地產(chǎn)生空穴和電子，且可避免用于空穴注入的驅(qū)動(dòng)電 壓的增加。
[0038] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)的Η0Μ0能級(jí)可為5eV以上。當(dāng) 其為5eV以上時(shí)，可有效地將空穴注入至相鄰的發(fā)光單元。
[0039] 作為用于ρ-型電荷產(chǎn)生層（511)的材料，可使用芳胺類化合物。芳胺類化合物的 一個(gè)實(shí)施例包含下述化學(xué)式1的化合物。
[0040] [化學(xué)式1]
[0041]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光器件，包括： 第一電極； 第二電極；以及 兩個(gè)以上的發(fā)光單元，其提供在第一電極與第二電極之間， 其中，在這些發(fā)光單元中，電荷產(chǎn)生層提供在彼此相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元之間；電子傳輸 層提供在電荷產(chǎn)生層和發(fā)光單元之間，所述發(fā)光單元置于與兩個(gè)相鄰發(fā)光單元的第一電極 相鄰，且該電子傳輸層包括第一電子傳輸層以及第二電子傳輸層，其中該第一電子傳輸層 摻雜有η-型摻雜劑，第二電子傳輸層摻雜有金屬鹽、金屬氧化物或有機(jī)金屬鹽。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層提供在第二電子傳輸層 與電荷產(chǎn)生層之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中另外的電子傳輸層提供在第二電極和與 第二電極相鄰的發(fā)光單兀之間，且另外的電子傳輸層包括第一電子傳輸層和第二電子傳輸 層，其中第一電子傳輸層摻雜有η-型摻雜劑，第二電子傳輸層摻雜有金屬鹽、金屬氧化物 或有機(jī)金屬鹽。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中另外的電荷產(chǎn)生層提供在第二電極與該 另外的電子傳輸層之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中另外的電荷產(chǎn)生層提供在第二電極和與 第二電極相鄰的發(fā)光單元之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中電荷產(chǎn)生層包括η-型有機(jī)材料層和 P-型有機(jī)材料層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中電荷產(chǎn)生層的η-型有機(jī)材料層的LUMO 能級(jí)等于或大于電荷產(chǎn)生層的P-型有機(jī)材料層的HOMO能級(jí)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中電荷產(chǎn)生層的p-型有機(jī)材料層的HOMO 能級(jí)與電荷產(chǎn)生層的η-型有機(jī)材料層的LUMO能級(jí)的差值為2eV以下。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中電荷產(chǎn)生層的η-型有機(jī)材料層的LUMO 能級(jí)為5eV至7eV。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中電荷產(chǎn)生層的p-型有機(jī)材料層的HOMO 能級(jí)為5eV以上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中電荷產(chǎn)生層的η-型有機(jī)材料層包含一 種下述化學(xué)式2的化合物： [化學(xué)式2]
在化學(xué)式2中，A1至A6各自為氫、鹵素原子、氰基（-CN)、硝基（-NO2)、磺?；?SO2R)、 亞砜基（-S0R)、磺酰胺基（-SO2NR)、硫酸酯基（-SO3R)、三氟甲基（-CF3)、酯基（-C00R)、酰胺 基（-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直鏈或支鏈C1-C12烷氧基、取代或未取代的直鏈或 支鏈C1-C12烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈C2-C12烯基、取代或未取代的芳族或非芳族雜 環(huán)、取代或未取代的芳基、取代或未取代的單或二芳基胺、取代或未取代的芳烷基胺，以及 R與R'各自為取代或未取代的C1-C6tl烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的5 至7元雜環(huán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中上述化學(xué)式2的化合物由下述化學(xué)式 2-1至2-6中的任一項(xiàng)來表示： [化學(xué)式2-1]
[化學(xué)式2-2]

13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層的η-型摻雜劑包含一 種以上選自以下類型的物質(zhì)：堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和金屬化合物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層的η-型摻雜劑包含一 個(gè)或多選自Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、La、Ce、Pr、NcUSm、Eu、Tb、Th、Dy、 Ho、Er、Em、Gd、Yb、Lu、Y、Mn的金屬和包括一種或多種選自上述金屬的金屬的金屬化合物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層中的η-型摻雜劑含量 為1至50重量％，基于第一電子傳輸層的總重量計(jì)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層的厚度范圍為50埃至 100 埃。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第二電子傳輸層摻雜有堿金屬或堿土 金屬的齒化物或氧化物或摻雜有機(jī)金屬?gòu)?fù)合物。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第二電子傳輸層摻雜有一種或多種選 自以下的化合物：LiF、NaF、KF、RbF、CsF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、 MgCl2'CaCl2、SrCl2、BaCl2'Li02、Na02、Br02、Cs20、MgO、CaO、Liq、Naq和Kq。
19. 根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中在第二電子傳輸層中的金屬鹽、金屬氧 化物或有機(jī)金屬鹽的含量范圍為10至50重量％，基于第二電子傳輸層的總重量計(jì)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第二電子傳輸層的厚度范圍為50埃至 500 埃。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光單兀包含一層或多層發(fā)光層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光單兀還包含一層或多層的空穴傳 輸層、空穴注入層、用于傳輸與注入空穴的層、緩沖層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入 層、用以傳輸或注入電子的層和空穴阻擋層。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層和第二 電子傳輸層各自獨(dú)立地包含：在蒽核心中具有η-型取代基的電子傳輸層材料，在二蒽核心 中具有η-型取代基的電子傳輸材料，或有機(jī)金屬?gòu)?fù)合物。
24. 根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層和第二 電子傳輸層各自獨(dú)立地包含一種或多種類型的具有選自以下的官能團(tuán)的化合物：咪唑基、 噁唑基、噻唑基、喹啉基和菲咯啉基；以及包含堿土金屬離子和稀土金屬離子至少一種類型 的有機(jī)金屬?gòu)?fù)合化合物。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中有機(jī)金屬?gòu)?fù)合物的配體選自喹啉醇、 苯并喹啉醇、吖啶醇、菲啶醇、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基二芳基噁二唑、羥基二芳 基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯并三唑、羥基氟硼烷、聯(lián)吡啶、菲咯啉、 酞菁、嚇啉、環(huán)戊二烯、β-二酮和偶氮甲堿。
26. 根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層和第二 電子傳輸層各自獨(dú)立地包含一種或多種選自具有下述結(jié)構(gòu)式的化合物：
在上式中， Ar為芳基、 X選自下列結(jié)構(gòu)式，
Z為連接至核心的部分， Rl至R5各自為包含烷基或吸電子原子的基團(tuán)，以及R1'至R5'各自為包含吸電子原子的基團(tuán)。
27.根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層各自獨(dú) 立地包含一種或多種選自具有下列結(jié)構(gòu)式的化合物：

在上式中， R和R'各自為C1-C2tl烷基或C6-C2tl芳基，以及Y為亞芳基。
28.根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第一電子傳輸層各自獨(dú) 立地包含一種或多種類型的選自具有下組1的結(jié)構(gòu)式的化合物，以及一種或多種類型的選 自具有下組2的結(jié)構(gòu)式的化合物： [組1]

Z為連接至上述核心結(jié)構(gòu)的部分，以及 Rl至R5各自為包含烷基或吸電子原子的基團(tuán)。
29.根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，第二電子傳輸層各自獨(dú) 立包含一種或多種類型的選自具有下列結(jié)構(gòu)式的化合物：
O
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中第二電子傳輸層包含下列化學(xué)式3的 有機(jī)金屬鹽， [化學(xué)式3]
31. 根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，還包括： 襯底，其位于與提供第一電極的發(fā)光單兀的表面相對(duì)的表面上；以及 光散射層，其位于襯底與第一電極之間，或位于與提供第一電極的表面相對(duì)的表面上。
32. 根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中有機(jī)發(fā)光器件為柔性有 機(jī)發(fā)光器件。
33. -種顯示器，其包含如權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件。
34. -種照明裝置，其包含如權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】C09K11/06GK104272488SQ201380024222
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】姜旼秀, 盧正權(quán), 朱文奎, 咸允慧 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Lg化學(xué)