一種高發(fā)光效率的中功率白光smd-led器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及LED照明器件領(lǐng)域，具體是涉及一種高發(fā)光效率的中功率白光SMD?LED器件封裝結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)包括6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片和承接座，所述承接座包括凹腔，所述LED芯片固定于所述凹腔內(nèi)底部，所述LED芯片以3串2并的方式構(gòu)成電路連接單元，所述凹腔內(nèi)填充有覆蓋在所述LED芯片上的熒光體，所述凹腔底部設(shè)有便于所述LED芯片進(jìn)行散熱的通孔。該結(jié)構(gòu)比現(xiàn)有的中功率白光SMD?LED的發(fā)光效率高10％～20％，可達(dá)到(130?140)lm/W，且發(fā)光時(shí)光斑均勻，配合凹腔底部的通孔，可將LED芯片所產(chǎn)生的熱量散去，避免熱量集中，有效地延長(zhǎng)了所述小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片的使用壽命。
【專利說(shuō)明】
一種高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及LED照明器件領(lǐng)域，具體是涉及一種高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]LED(發(fā)光二極管)作為一種新型光源，憑借它具有低耗能、無(wú)污染、體積小、使用方便靈活等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于商業(yè)照明，家用照明，城市景觀照明，背光源，顯示屏?，F(xiàn)有的照明日光燈管和球泡燈光源多采用TOPSMD中功率5630-SMD-LED?，F(xiàn)有的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)基本上是:TOP型單晶，使用一顆24mil或20mil*38mil或22mil*30mil的中功率藍(lán)光晶片，該結(jié)構(gòu)發(fā)光效率不高，只有(100-110)lm/W，發(fā)光時(shí)容易產(chǎn)生光斑不均勻問(wèn)題。另外采用多晶集成的SMD-LED燈熱量又過(guò)于集中，LED光衰嚴(yán)重，影響其使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003 ]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:
[0005]—種高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，包括6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片和承接座，所述承接座包括凹腔，所述LED芯片固定于所述凹腔內(nèi)底部，所述LED芯片以3串2并的方式構(gòu)成電路連接單元，所述凹腔內(nèi)填充有覆蓋在所述LED芯片上的熒光體，所述凹腔底部設(shè)有便于所述LED芯片進(jìn)行散熱的通孔。
[0006]進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述凹腔底部由金屬材料構(gòu)成。
[0007]進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述LED芯片通過(guò)底膠固定在所述凹腔底部，所述通孔位于所述LED芯片底面，所述底膠沿所述通孔周邊進(jìn)行布置且厚度為L(zhǎng)ED芯片高度的1/4?1/2。
[0008]進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述凹腔的腔壁上設(shè)有靠近腔口且與所述熒光體進(jìn)行卡合的凹槽，所述凹槽沿腔口邊緣布置。
[0009]進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述凹腔內(nèi)設(shè)有正、負(fù)極金屬接頭，所述電路連接單元通過(guò)導(dǎo)線與所述正、負(fù)極金屬接頭電連接。
[0010]進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述熒光體由熒光粉和硅膠混合構(gòu)成。
[0011 ]進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述熒光粉為YAG、硅酸鹽、氮化物中的任意一種。
[0012]上述技術(shù)方案的有益效果主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
[0013](I)本實(shí)用新型將將6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片集成封裝于承接座內(nèi)，該結(jié)構(gòu)比現(xiàn)有的中功率白光SMD-LED的發(fā)光效率高10%?20%，可達(dá)到(130-140)lm/W，且發(fā)光時(shí)光斑均勻，配合凹腔底部的通孔，可將所述6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片所產(chǎn)生的熱量散去，避免熱量集中，有效地延長(zhǎng)了所述小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片的使用壽命。
[0014](2)為了加強(qiáng)所述6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片的散熱，本實(shí)用新型選擇散熱性能好的金屬材料構(gòu)成所述凹腔底部。
[0015](3)本實(shí)用新型中所述底膠將所述6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片固定于所述凹腔底部，所述底膠的厚度不易過(guò)厚，本實(shí)用新型中所述底膠的厚度在保證小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片被可靠固定的同時(shí)確保LED芯片盡可能靠近通孔利于LED芯片的散熱。
[0016](4)本實(shí)用新型中所述凹槽可以保證熒光體可以牢固地被填充在所述凹腔內(nèi)，另外該結(jié)構(gòu)具有防水功能，即可有效防止外部水體進(jìn)入凹腔中而影響LED芯片的正常工作。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)主視圖。
[0018]圖2是圖1的A-A剖視圖。
[0019]附圖中標(biāo)記的含義如下:
[0020]1-LED芯片2-承接座21-凹腔22-通孔23-凹槽3-導(dǎo)線[0021 ] 4-熒光體5-底膠
【具體實(shí)施方式】
[0022]現(xiàn)結(jié)合【附圖說(shuō)明】本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特點(diǎn):
[0023]一種高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，包括6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片I和承接座2，所述承接座2包括凹腔21，所述LED芯片I固定于所述凹腔21內(nèi)底部，所述LED芯片I以3串2并的方式構(gòu)成電路連接單元，所述凹腔21內(nèi)填充有覆蓋在所述LED芯片I上的熒光體4，所述凹腔21底部設(shè)有便于所述LED芯片I進(jìn)行散熱的通孔22。本實(shí)用新型將將6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片I集成封裝于承接座2內(nèi)，該結(jié)構(gòu)比現(xiàn)有的中功率白光SMD-LED的發(fā)光效率高10%?20%，可達(dá)到(130-140)lm/W，且發(fā)光時(shí)光斑均勻，配合凹腔21底部的通孔22，可將所述6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片I所產(chǎn)生的熱量散去，避免熱量集中，有效地延長(zhǎng)了所述小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片I的使用壽命。
[0024]所述LED芯片I通過(guò)底膠5固定在所述凹腔21底部，所述通孔22位于所述LED芯片I底面，所述底膠5沿所述通孔22周邊進(jìn)行布置且厚度為L(zhǎng)ED芯片I高度的1/4?1/2。本實(shí)用新型中所述底膠5將所述6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片I固定于所述凹腔21底部，所述底膠5的厚度不易過(guò)厚，本實(shí)用新型中所述底膠5的厚度在保證小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片I被可靠固定的同時(shí)確保LED芯片I盡可能靠近通孔22以及凹腔底部，利于LED芯片I的散熱。
[0025]所述凹腔21的腔壁上設(shè)有靠近腔口且與所述熒光體4進(jìn)行卡合的凹槽23，所述凹槽23沿腔口邊緣布置。在向本實(shí)用新型所述凹腔內(nèi)填充熒光體4后，熒光體4與所述凹槽23卡合，該結(jié)構(gòu)可以保證熒光體4可以牢固地被填充在所述凹腔23內(nèi)，另外該結(jié)構(gòu)具有防水功能，即可有效防止外部水體進(jìn)入凹腔21中而影響LED芯片I的正常工作。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，包括6顆小功率發(fā)藍(lán)光LED芯片(I)和承接座(2)，其特征在于:所述承接座(2)包括凹腔(21)，所述LED芯片(I)固定于所述凹腔(21)內(nèi)底部，所述LED芯片(I)以3串2并的方式構(gòu)成電路連接單元，所述凹腔(21)內(nèi)填充有覆蓋在所述LED芯片(I)上的熒光體(4)，所述凹腔(21)底部設(shè)有便于所述LED芯片(I)進(jìn)行散熱的通孔(22)。2.如權(quán)利要求1所述的高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凹腔(21)底部由金屬材料構(gòu)成。3.如權(quán)利要求1所述的高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述LED芯片(I)通過(guò)底膠(5)固定在所述凹腔(21)底部，所述通孔(22)位于所述LED芯片(I)底面，所述底膠(5)沿所述通孔(22)周邊進(jìn)行布置且厚度為L(zhǎng)ED芯片(I)高度的1/4?I/2。4.如權(quán)利要求1所述的高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凹腔(21)的腔壁上設(shè)有靠近腔口且與所述熒光體(4)進(jìn)行卡合的凹槽(23)，所述凹槽(23)沿腔口邊緣布置。5.如權(quán)利要求1所述的高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凹腔(21)內(nèi)設(shè)有正、負(fù)極金屬接頭，所述電路連接單元通過(guò)導(dǎo)線(3)與所述正、負(fù)極金屬接頭電連接。6.如權(quán)利要求1所述的高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述焚光體(4)由焚光粉和娃膠混合構(gòu)成。7.如權(quán)利要求6所述的高發(fā)光效率的中功率白光SMD-LED器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述熒光粉為YAG、硅酸鹽、氮化物中的任意一種。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK205542898SQ201620244506
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月24日
【發(fā)明人】江向東, 江浩瀾, 吳小軍
【申請(qǐng)人】安徽湛藍(lán)光電科技有限公司