一種新型耐高溫led燈的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型耐高溫LED燈，包括基座，所述的基座上設(shè)置有LED芯片以及連接LED芯片的電極，其特征在于：所述的基座上還包括有封裝層，所述的LED芯片設(shè)于基座中部的絕緣導(dǎo)熱層上，基座為杯狀凹槽結(jié)構(gòu)，位于LED芯片周邊環(huán)繞設(shè)置有反射，所述的反射層與基座為一體設(shè)置，所述的基座下方緊貼設(shè)置有第一散熱層以及第二散熱層，所述的絕緣導(dǎo)熱層設(shè)于LED芯片相對的另一端面與第一散熱層緊貼。本實用新型的耐高溫LED燈防止LED芯片過熱、延長LED使用壽命的優(yōu)點。
【專利說明】
一種新型耐高溫LED燈
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)，尤其是一種新型耐高溫LED燈。
【背景技術(shù)】
[0002]LED產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點，然而LED高功率產(chǎn)品為獲得所需要的亮度與顏色，在LED封裝結(jié)構(gòu)中具有一個反射層設(shè)置。所述反射層通常是使用塑料制成，例如，PPA或是其它高熱塑性的塑料。這樣以塑料制成的所述反射層在所述封裝結(jié)構(gòu)中基板頂面的電極上設(shè)置時，由于與所述電極金屬性質(zhì)的材料密合性不佳，因此會直接影響到所述LED封裝結(jié)構(gòu)的密合度。
[0003]而且一般的LED散熱效率差以及不能在高溫條件下使用，使LED局限于一定條件先使用，所以現(xiàn)有問題仍然是企業(yè)需要解決的。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種耐高溫、實用性強的一種新型耐高溫LED燈。
[0005]為達到上述目的，本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0006]—種新型耐高溫LED燈，包括基座，所述的基座上設(shè)置有LED芯片以及連接LED芯片的電極，其特征在于:所述的基座上還包括有封裝層，所述的LED芯片設(shè)于基座中部的絕緣導(dǎo)熱層上，基座為杯狀凹槽結(jié)構(gòu)，位于LED芯片周邊環(huán)繞設(shè)置有反射層，所述的反射層與基座為一體設(shè)置，所述的基座下方緊貼設(shè)置有第一散熱層以及第二散熱層，所述的絕緣導(dǎo)熱層設(shè)于LED芯片相對的另一端面與第一散熱層緊貼，所述的第二散熱層坎置于第一散熱層內(nèi)，與LED芯片和絕緣導(dǎo)熱層位于同一軸心上。
[0007]進一步說明，所述的反射層位于LED芯片一側(cè)設(shè)置有反射面，該反射面為斜面結(jié)構(gòu)。
[0008]進一步說明，所述的第一散熱層材料為硅、陶瓷或高導(dǎo)熱的絕緣材料。
[0009]進一步說明，所述的第二散熱層材料為金屬鋁或高導(dǎo)熱材料。
[0010]進一步說明，所述的基座材料為娃或陶瓷制造。
[0011 ]進一步說明，所述的絕緣導(dǎo)熱層為陶瓷制造。
[0012]進一步說明，所述的反射層比LED芯片高。
[0013]進一步說明，所述的反射面為鍍銀層。
[0014]進一步說明，所述的封裝層采用TG點達到200攝氏度的膠水封裝。
[0015]本實用新型的有益效果是:基座設(shè)置有第一散熱層和第二散熱層，通過第一散熱層將部分熱量迅速對外傳出，第二散熱層位于LED芯片和絕緣導(dǎo)熱層位于同一軸心上，進一步加快熱量對外傳出；LED芯片周邊環(huán)繞有鍍銀的反射面，使得LED芯片發(fā)出的光通過反射面將大部分光直接反射到封裝層、減少返回LED芯片的光，減低LED芯片的溫度；由于封裝層采用TG點達到200攝氏度的膠水封裝，封裝膠在固態(tài)到玻璃態(tài)過程溫度點從普通的125-140攝氏度提升到200攝氏度，使封裝膠可承受溫度更高。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型的整體不意圖。
【具體實施方式】
[0017]為了對本實用新型的結(jié)構(gòu)、特征及其功效，能有更進一步地了解和認識，現(xiàn)舉較佳實施例，并結(jié)合附圖詳細說明如下:
[0018]如圖1所示，本實施所描述的一種新型耐高溫LED燈，它主要包括基座I，基座I上設(shè)置有LED芯片2以及連接LED芯片2的電極3，基座I上還包括有封裝層8，LED芯片2設(shè)于基座I中部的絕緣導(dǎo)熱層4上，基座I為杯狀凹槽結(jié)構(gòu)，位于LED芯片2周邊環(huán)繞設(shè)置有反射層5，反射層5與基座I為一體設(shè)置，反射層5比LED芯片2高，基座I下方緊貼設(shè)置有第一散熱層6以及第二散熱層7，絕緣導(dǎo)熱層4設(shè)于LED芯片2相對的另一端面與第一散熱層6緊貼，第二散熱層7坎置于第一散熱層6內(nèi)，與LED芯片2和絕緣導(dǎo)熱層4位于同一軸心上，反射層5位于LED芯片2—側(cè)設(shè)置有反射面9，反射面9為鍍銀層，該反射面9為斜面結(jié)構(gòu)，LED芯片發(fā)出的光通過反射面將大部分光直接反射到封裝層、減少返回LED芯片的光，減低LED芯片的溫度。
[0019]第一散熱層6材料為硅、陶瓷或高導(dǎo)熱的絕緣材料制造，第二散熱層7材料為金屬鋁或高導(dǎo)熱材料制造，基座I材料為硅或陶瓷制造，絕緣導(dǎo)熱層4為陶瓷制造，封裝層8采用TG點達到200攝氏度的膠水封裝，封裝膠在固態(tài)到玻璃態(tài)過程溫度點從普通的125-140攝氏度提升到200攝氏度。
[0020]本實用新型的基座設(shè)置有第一散熱層和第二散熱層，通過第一散熱層將部分熱量迅速對外傳出，第二散熱層位于LED芯片和絕緣導(dǎo)熱層位于同一軸心上，進一步加快熱量對外傳出；LED芯片周邊環(huán)繞有鍍銀的反射面，使得LED芯片發(fā)出的光通過反射面將大部分光直接反射到封裝層、減少返回LED芯片的光，減低LED芯片的溫度；由于封裝層采用TG點達到200攝氏度的膠水封裝，封裝膠在固態(tài)到玻璃態(tài)過程溫度點從普通的125-140攝氏度提升到200攝氏度，使封裝膠可承受溫度更高。
[0021]以上所述僅為本實用新型之較佳實施例而已，并非以此限制本實用新型的實施范圍，凡熟悉此項技術(shù)者，運用本實用新型的原則及技術(shù)特征，所作的各種變更及裝飾，皆應(yīng)涵蓋于本權(quán)利要求書所界定的保護范疇之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種新型耐高溫LED燈，包括基座(I)，所述的基座(I)上設(shè)置有LED芯片(2)以及連接LED芯片(2)的電極(3)，其特征在于:所述的基座(I)上還包括有封裝層(8)，所述的LED芯片(2)設(shè)于基座(I)中部的絕緣導(dǎo)熱層(4)上，基座(I)為杯狀凹槽結(jié)構(gòu)，位于LED芯片(2)周邊環(huán)繞設(shè)置有反射層(5)，所述的反射層(5)與基座(I)為一體設(shè)置，所述的基座(I)下方緊貼設(shè)置有第一散熱層(6)以及第二散熱層(7)，所述的絕緣導(dǎo)熱層(4)設(shè)于LED芯片(2)相對的另一端面與第一散熱層(6)緊貼，所述的第二散熱層(7)坎置于第一散熱層(6)內(nèi)，與LED芯片(2)和絕緣導(dǎo)熱層(4)位于同一軸心上。2.如權(quán)利要求1所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的反射層(5)位于LED芯片(2) —側(cè)設(shè)置有反射面(9 )，該反射面(9)為斜面結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的第一散熱層(6)材料為硅、陶瓷或高導(dǎo)熱的絕緣材料。4.如權(quán)利要求1所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的第二散熱層(7)材料為金屬鋁或高導(dǎo)熱材料。5.如權(quán)利要求1所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的基座(I)材料為硅或陶瓷制造。6.如權(quán)利要求1所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的絕緣導(dǎo)熱層(4)為陶瓷制造。7.如權(quán)利要求1所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的反射層(5)比LED芯片(2)尚。8.如權(quán)利要求2所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的反射面(9)為鍍銀層。9.如權(quán)利要求1所述的一種新型耐高溫LED燈，其特征在于:所述的封裝層(8)采用TG點達到200攝氏度的膠水封裝。
【文檔編號】H01L33/48GK205542896SQ201620097040
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月29日
【發(fā)明人】楊坤
【申請人】東莞市索菲電子科技有限公司