本發(fā)明涉及用于生產(chǎn)電子模塊的方法，以及相應的電子模塊。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供新型的電子模塊，其可被用作顯示器、照明設施或攝像機。

為了達成這目的，本發(fā)明的方法的特征在于以下步驟：

a)提供導電層

b)通過黏性的電絕緣層將至少一個電子構(gòu)件貼附至該導電層上

c)以透明箔包嵌該至少一個電子構(gòu)件

d)將該至少一個電子構(gòu)件與該導電層作電接觸。

在下文中，為了簡化起見，本發(fā)明將大部分參照發(fā)光構(gòu)件以作說明。但其實本發(fā)明是旨在涵蓋大量的電子構(gòu)件的。術(shù)語“發(fā)光構(gòu)件”和“電子構(gòu)件”將于本說明書中可替代地使用。在本發(fā)明的背境中所擬采用的電子構(gòu)件將于下文提及。

通過用于生產(chǎn)電子模塊的創(chuàng)新步驟，可于導電層上提供大量的電子構(gòu)件，尤其是發(fā)光構(gòu)件，該些發(fā)光構(gòu)件當由導電層恰當?shù)仉娊佑|時可被控制從而以任何期望的方式將光發(fā)放，以致該電子模塊可作為廉價但有效的照明設施或顯示器，以顯示任何類型的影像或信息。此外，它還可通過光接收信息。采用黏性的電絕緣層將電子構(gòu)件貼附在導電層上，避免了該電子構(gòu)件被下伏的導電層導致短路，而以透明箔包嵌該構(gòu)件則保護該電子構(gòu)件免受化學和機械因素影響。雖然本說明書是參照單一的發(fā)光構(gòu)件作說明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應清楚了解，可將大量的發(fā)光構(gòu)件設置在導電層上以形成電子模塊，其具有照明設施、顯示器、攝像機或類似物的作用。

優(yōu)選地，該電子構(gòu)件是從由發(fā)光二極管(LED)、激光二極管、光電二極管和照相傳感器組成的群組中選出。所有這些電子構(gòu)件都受惠于被該透明箔包嵌。

根據(jù)一優(yōu)選實施方案，該發(fā)光構(gòu)件是倒裝LED晶片構(gòu)件。倒裝LED晶片構(gòu)件尤其適用于本發(fā)明的方法中，因為LED技術(shù)允許以極低價錢得出作為顯示器或照明設施上的像素作用的光亮、分明的光點。倒裝晶片構(gòu)件是電子構(gòu)件，于其發(fā)光側(cè)相反的那側(cè)具接觸焊盤，以致當這樣的構(gòu)件通過電絕緣的黏膠層被貼附在導電層上時，構(gòu)件的接觸焊盤是向著該導電層的，并可在稍后的加工階段中容易地與該導電層電接觸。

如已述的，在本發(fā)明的背境中，將大量發(fā)光構(gòu)件設置在該導電層上是可取的，尤其是如將該些構(gòu)件彼此靠近會是有利的，以提供連續(xù)的照明，或在電子模塊作為顯示影像或其它信息的顯示器的情況下提供高的解析度。為了這樣，本發(fā)明優(yōu)選的特征在于該將發(fā)光構(gòu)件電接觸的步驟包含將該導電層和該黏性的電絕緣層激光鉆孔的步驟，因為激光鉆孔是允許高精確度地鉆出極小的孔的方法，該些孔隨后可例如以銅填充，通過在生產(chǎn)印刷電路板的領(lǐng)域中廣為人知的鍍銅程序進行。

為了進一步增加電子模塊的光發(fā)放，本發(fā)明的方法優(yōu)選的特征在于在將發(fā)光構(gòu)件貼附在導電層上的步驟之前，將反光層施加在導電層上。這意味著例如通過在透明箔的邊界層上反射而被反射至導電層上的光將會再被反射回去，以致光的總輸出增加，這對照明設施特別有用。

根據(jù)一優(yōu)選實施方案，本發(fā)明的方法的特征在于該反光層是以選自由阻焊劑和陶瓷膏組成的群組的物料形成的。重要的是該阻焊劑即使在非常長時間內(nèi)曝曬于該些發(fā)光構(gòu)件的光之中也不會變色。在這背境中采用陶瓷膏是特別有利的，因為陶瓷膏不會隨時間變色。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施方案顧及的另一可能性的特征在于，該反光層是以選自由金屬層和氧化層組成的群組的層形成的。

對于本發(fā)明的目的而言，優(yōu)選的是透明箔是乙烯-醋酸乙烯酯的箔。乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)是高度透明的和柔性的，并因此允許將該些發(fā)光構(gòu)件柔性和透明地包嵌，以致總體地得出柔性的產(chǎn)品，其亦可被安裝在彎曲的表面上。

本發(fā)明的一優(yōu)選實施方案的特征在于將構(gòu)件包嵌是包含將該透明箔通過真空層壓過程層壓，其中抽吸壓力為1巴至5巴，溫度為130℃。在這些條件下，該透明箔會輕易粘附至該導電層、緊密地包圍該些構(gòu)件，從而將其包嵌并將其保護免受機械或化學破壞。

為了在各加工步驟期間，特別是在將該發(fā)光構(gòu)件和導電層電接觸的步驟期間(如上所述，這步驟一般意味著導銅以及蝕刻的程序)保護該透明箔，根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選的特征在于該透明箔是以保護層覆蓋的，保護層是選自由塑料箔、保護性亮漆和金屬箔組成的群組。塑料箔、保護性亮漆和金屬箔可在可能具破壞性的加工步驟后被移除，剩下絲毫無損的透明箔。

根據(jù)本發(fā)明的一替代實施方案，該透明箔是以玻璃片形式的保護層覆蓋。該玻璃片的作用和上述的塑料箔、保護性亮漆和金屬箔一樣。但是，該玻璃片即使在最終產(chǎn)品上也可保留在位，在該電子模塊的整個壽命期間皆保護著該透明箔。在這背境中，亦可想得到的是該玻璃片的厚度可以是薄至不會削弱本發(fā)明的電子模塊的柔性。例如，該玻璃片優(yōu)選地具有50μm(μm＝微米)的厚度。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施方案，該保護層是被結(jié)構(gòu)化的，以將浮雕般的表面結(jié)構(gòu)刻進該透明箔中。在這情況下，透鏡之類的光學結(jié)構(gòu)可被形成于該透明箔的外表面上。在這情況下，當然必須將該保護層移除才能得出最終產(chǎn)品。

原則上，該保護層可于分開的生產(chǎn)步驟中被施加至該透明箔。但根據(jù)一優(yōu)選實施方案，設想的是該保護層是和透明箔一起被施加的。

替代地或額外地，為了用作照明設施，將該透明箔化學地弄得粗糙，將透明箔變成混濁的展示。

優(yōu)選地，該黏性的電絕緣層是選自由黏膠層和黏膠帶組成的群組。

本發(fā)明的電子模塊包含至少一個電子構(gòu)件，其通過黏性的電絕緣層貼附至導電層，其中該發(fā)光構(gòu)件被透明箔包嵌。因此，可于導電層上提供大量發(fā)光構(gòu)件，而該些發(fā)光構(gòu)件當由該導電層恰當?shù)仉娊佑|時可被控制從而以任何期望的方式將光發(fā)放，以致該電子模塊可作為廉價但有效的照明設施、顯示器、攝像機或類似物作用，以顯示或接收任何類型的影像或信息。采用黏性的電絕緣層將電子構(gòu)件貼附在該導電層上，避免了該電子構(gòu)件或發(fā)光構(gòu)件被下伏的導電層導致短路，而以透明箔將該構(gòu)件包嵌則保護該電子構(gòu)件免受化學和機械因素影響。雖然本文的說明是參照單一電子構(gòu)件而作說明的，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚了解，可將大量的發(fā)光構(gòu)件設置在導電層上以形成本發(fā)明的電子構(gòu)件，用作照明設施、顯示器、攝像機或類似物。

優(yōu)選地，該電子構(gòu)件是從由發(fā)光二極管(LED)、激光二極管、光電二極管和照相傳感器組成的群組中選出。所有這些電子構(gòu)件都受惠于被該透明箔包嵌。

本發(fā)明的一優(yōu)選實施方案的特征在于該發(fā)光構(gòu)件是倒裝LED晶片構(gòu)件。倒裝LED晶片構(gòu)件尤其適用于本發(fā)明的電子模塊中，因為LED技術(shù)允許以極低價錢得出作為顯示器或照明設施上的像素作用的光亮、分明的光點。倒裝晶片構(gòu)件是電子構(gòu)件，于其發(fā)光側(cè)相反的那側(cè)具接觸焊盤，以致當這樣的構(gòu)件通過電絕緣的黏膠層被貼附在導電層上時，該構(gòu)件的接觸焊盤是向著該導電層的，并可容易地與該導電層電接觸。

根據(jù)一優(yōu)選實施方案，本發(fā)明的電子模塊的特征在于該反光層是以選自由阻焊劑和陶瓷膏組成的群組的物料形成的。重要的是該阻焊劑即使在非常長時間內(nèi)曝曬于該些發(fā)光構(gòu)件的光之中也不會變色。在這背境中采用陶瓷膏是特別有利的，因為陶瓷膏不會隨時間變色。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施方案顧及的另一可能性的特征在于，該反光層是以選自由金屬層和氧化層組成的群組的層形成的。

對于本發(fā)明的目的而言，透明箔為乙烯-醋酸乙烯酯的箔是優(yōu)選的。乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)是高度透明的和柔性的，并因此允許將該些發(fā)光構(gòu)件柔性和透明地包嵌，以致總體地得出柔性的產(chǎn)品，其亦可被安裝在彎曲的表面上。

根據(jù)本發(fā)明的一替代實施方案，該透明箔是以玻璃片形式的保護層覆蓋。該玻璃片即使在最終產(chǎn)品上也可保留在位，在該電子模塊的整個壽命期間皆保護著該透明箔。在這背境中，亦可想得到，該玻璃片的厚度可以是薄至不會削弱本發(fā)明的電子模塊的柔性。例如，該玻璃片優(yōu)選地具有50μm的厚度。

當根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施方案，將該透明箔是結(jié)構(gòu)化以致具有浮雕般的表面結(jié)構(gòu)時，透鏡之類的光學結(jié)構(gòu)可被形成于該透明箔的外表面上。

附圖說明

現(xiàn)將參照附圖說明本發(fā)明，在附圖中

圖1a)-1e)示出產(chǎn)生本發(fā)明的電子模塊的、本發(fā)明的加工步驟，

圖2示出本發(fā)明的一變體，其中將反光層施加至該導電層，

圖3示出本發(fā)明的一變體，其中將該透明箔結(jié)構(gòu)化了成具有浮雕般的表面結(jié)構(gòu)，

圖4示出施加了保護層的圖2的本發(fā)明的電子模塊，

圖5a)-5b)示出將該透明箔結(jié)構(gòu)化成具有浮雕般的表面結(jié)構(gòu)的加工步驟，

圖6示出本發(fā)明的變體，其中該發(fā)光構(gòu)件以球頂覆蓋，而

圖7示出本發(fā)明的變體，其中該發(fā)光構(gòu)件是被封裝的。

具體實施方式

在圖1a)中，導電層以參照標號1標示。電子構(gòu)件在這例子中為LED晶片、以參照標號2標示，并以黏性的、黏膠的電絕緣層3貼附至該導電層1，該黏膠將該發(fā)光構(gòu)件2的接觸焊盤4從導電層1完全地電絕緣。在圖1b)中描繪的下一加工步驟中，以透明箔5包嵌該發(fā)光構(gòu)件2，例如通過抽吸壓力為1巴至5巴、溫度為150℃、時間為約30分種的真空層壓包嵌。這確保透明箔5完全包圍該發(fā)光構(gòu)件2并填滿發(fā)光構(gòu)件2和導電層1之間所有可能的空隙和角落，以致該發(fā)光構(gòu)件被該透明箔5緊密地包嵌。隨后，到該刻為止為連續(xù)的導電層1接受激光鉆孔程序，以鉆出曝露發(fā)光構(gòu)件2的接觸焊盤4的孔。發(fā)光構(gòu)件2的接觸焊盤4是設于構(gòu)件的發(fā)光側(cè)相反的那側(cè)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員稱這設置為倒裝晶片配置。該激光鉆孔程序被適配了以在接觸焊盤4的范圍內(nèi)同時移除該黏膠的電絕緣層3(圖1c))。在圖1d)中，描繪了鍍銅的步驟，其作用為以銅填充在上一步中鉆成的孔，從而將發(fā)光構(gòu)件2的接觸焊盤4電力連接至導電層1。在于圖1e)中示的下一步中，例如通過光刻技術(shù)，將導電層1適當?shù)亟Y(jié)構(gòu)化，以將連續(xù)的導電層1變?yōu)榫邔щ娐窂降膶щ妼?，將該發(fā)光構(gòu)件2與電源接線并使其可由微計算機控制，該微計算機可設于導電層1上或可為通過適當?shù)倪B接器連接至本發(fā)明的電子模塊的自包含模塊。為了簡化說明，這在附圖中未示出。雖然本發(fā)明是參照單一的發(fā)光構(gòu)件1要求和說明的，但應注意，本創(chuàng)新的加工過程可以大量的發(fā)光構(gòu)件2設置于導電層1上的形式執(zhí)行，而且每次例如可以上述的真空層壓程序以該透明箔5將大量的發(fā)光構(gòu)件2包嵌。

在圖2中描繪的本發(fā)明的變體中，將反光層6施加至該導電層1，其用作將從透明箔2的邊界層7散射的光再反射回去，從而增加本創(chuàng)新的產(chǎn)品的光輸出。根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施方案，該反光層6可為白色的阻焊漆或陶瓷。

圖3示出一優(yōu)選實施方案，其中該透明箔5被結(jié)構(gòu)化為具浮雕般的結(jié)構(gòu)，其通過透明箔5的參差不齊的輪廓示意性地描繪。該些浮雕般的結(jié)構(gòu)改變透明箔5和本創(chuàng)新的模塊的光學屬性，并可被相應地設計。

在圖4中，該透明箔5是被保護層8覆蓋，保護層可為塑料箔、保護性亮漆和金屬箔的形式?？稍诳赡茉斐善茐牡募庸げ襟E后，例如光刻技術(shù)中的鍍銅和蝕刻程序后，才移除該保護層8，剩下絲毫無損的透明箔5。根據(jù)圖5a)的變體，該保護層8是結(jié)構(gòu)化了的，以將浮雕般的表面結(jié)構(gòu)刻進該透明箔中，而該些結(jié)構(gòu)在把保護層8移除后露出(圖5b))。在這特定例子中，該些浮雕般的結(jié)構(gòu)的形式為設于發(fā)光構(gòu)件2上的透鏡9。

在圖6的例子中，該發(fā)光構(gòu)件2是由所謂的球頂10覆蓋，其作用在于調(diào)制由發(fā)光構(gòu)件2發(fā)出的光的波長。如本例子中可見，該球頂亦可容易被包嵌在透明箔5中。

替代地，該發(fā)光構(gòu)件2可為封裝的LED晶片(圖7)。