技術(shù)編號：11870180
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有嵌入式透明擴展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制備方法。背景技術(shù)發(fā)光二極管（LED）具有高光效、低能耗、長壽命、高安全性、高環(huán)保等優(yōu)勢，是一種有廣闊應(yīng)用前景的照明方式，受到越來越多國家的重視，目前LED已廣泛應(yīng)用于高效固態(tài)照明領(lǐng)域中，如顯示屏、汽車用燈、背光源、交通信號燈、景觀照明等。如圖1所示，常規(guī)AlGaInP發(fā)光二極管包含GaAs襯底100、緩沖層101、n-AIGaInP限制層102、MQW多量子阱有源層103、p-AIGaInP限制層1...
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