技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種形成自對(duì)準(zhǔn)接觸部的方法，包括：提供襯底，所述襯底上形成有柵堆疊以及位于所述柵堆疊兩側(cè)的側(cè)墻，所述側(cè)墻兩側(cè)的襯底上形成有源/漏區(qū)及位于所述源/漏區(qū)之上的金屬硅化物層；依序形成阻擋掩膜層及位于所述側(cè)墻之外、所述阻擋掩膜層之上的第二側(cè)墻；形成層間介質(zhì)層，并進(jìn)行表面平坦化直至暴露所述柵堆疊；去除所述第二側(cè)墻及與所述第二側(cè)墻相接的所述阻擋掩膜層，暴露所述金屬硅化物層；以金屬填滿凹槽，并進(jìn)行平坦化直至暴露所述柵堆疊，能有效解決現(xiàn)有技術(shù)中無法精確且簡(jiǎn)易的減小柵極與接觸部之間的距離的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：趙治國(guó);殷華湘;朱慧瓏;趙超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
文檔號(hào)碼：201510580417
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.11
技術(shù)公布日：2017.03.22