本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光器件用封裝基板。

背景技術(shù)：

等離子體顯示面板(plasma display panel:PDP),液晶顯示器(liquid crystal display:LCD),場致發(fā)射顯示器(field emission display:FED)以及有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode:OLED)等。特別是上述有機(jī)發(fā)光二極管比起無機(jī)發(fā)光器件在亮度、反應(yīng)速度等方面的特性優(yōu)秀，而且具有可顯示全彩的優(yōu)勢，因此作為下一代平板顯示器件受到注目。有機(jī)發(fā)光二極管根據(jù)驅(qū)動方式大致分為被動型有機(jī)發(fā)光二極管(passive matrix organic light emitting diode:PMOLED)和主動性有機(jī)發(fā)光二極管(active matrix organic light emitting diode:AMOLED)。

有機(jī)發(fā)光二極管制作工序包括像素制造工序、封裝工序、老化&檢測工序、切割工序、偏光工序以及綁定工序。封裝工序是有機(jī)發(fā)光二極管的像素形成后，用膠粘合上部的主基板和下部的封裝基板，從而切斷水分或氧氣等外部環(huán)境的影響，防止產(chǎn)品的性能降低、壽命縮短及質(zhì)量低下等不良現(xiàn)象的發(fā)生。老化/檢測工序是包括多個有機(jī)發(fā)光二極管的像素的陽極輔助電極共同襯墊、陰極輔助電極共同襯墊形成后，在上部基板用原版的狀態(tài)下，檢測有機(jī)發(fā)光二極管，確認(rèn)有機(jī)發(fā)光二極管有無不良的工序。老化/檢測工序，為檢測有機(jī)發(fā)光二極管，采用了共同襯墊(common襯墊)的方式，即將多數(shù)的陽極輔助電極共同連接到一個以上的共同襯墊上，因此在封裝基板上就有與上述主基板的一個以上的共同襯墊一對一對應(yīng)的貫通孔(through hole)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種具有提高切割工序的效率，研究老化/檢測工序中的、封裝基板上的多數(shù)個貫通孔與切割線非重疊設(shè)計的有機(jī)發(fā)光器件用封裝基板。

為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是，一種有機(jī)發(fā)光器件用封裝基板，包括多個矩陣方式排列的模組；每個模組的邊緣設(shè)有模組邊框，離各個模組邊框一定距離外設(shè)有切割線I和切割線II；所述切割線I和切割線II互相垂直交叉，并且沿著水平或垂直方向直線延長；所述每條相鄰切割線I之間這有貫通孔。

進(jìn)一步的，所述貫通孔分別對稱設(shè)置在切割線II的兩邊，切割線II為對稱軸。

進(jìn)一步的，所述切割線II為有一定寬度的直線。

本發(fā)明的有益效果：因此能從根本上防止由于共同貫通孔引起的微細(xì)切割碎片的發(fā)生，也因此能防止由于上記切割碎片引起的OLED產(chǎn)品的不良發(fā)生，也因為在共同貫通孔附近的地 點，完全不用減速封裝基板的切割速度,因此,可提高切割工序的生產(chǎn)效益。

附圖說明

圖1為有機(jī)發(fā)光器件用封裝基板的底面圖；

圖2為詳細(xì)擴(kuò)大表示封裝基板的共同貫通孔與切割線的非重疊設(shè)計。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述。

一種有機(jī)發(fā)光器件用封裝基板，包括多個矩陣方式排列的模組；每個模組的邊緣設(shè)有模組邊框，離各個模組邊框一定距離外設(shè)有切割線I和切割線II；所述切割線I和切割線II互相垂直交叉，并且沿著水平或垂直方向直線延長；所述每條相鄰切割線I之間這有貫通孔。

進(jìn)一步的，所述貫通孔分別對稱設(shè)置在切割線II的兩邊，切割線II為對稱軸。

進(jìn)一步的，所述切割線II為有一定寬度的直線。

如圖1-2所示，在實施例的封裝基板(20)上，每個模組邊框構(gòu)成相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管的四角形內(nèi)部領(lǐng)域，以矩陣方式排列，切割線I(13)、切割線II(15)在離各個模組邊框(11)一定距離外，互相垂直交叉，并且沿著水平或垂直方向直線延長。而且為了與老化/檢測工序的主基板(未圖示)的多數(shù)共同襯墊(未圖示)相共同對應(yīng)，設(shè)置了共同貫通孔(27)于鄰接的切割線(13)之間不必要的空間上。

在此，共同貫通孔(27)包括，以切割線(15)為基準(zhǔn)左右設(shè)置的第一共同貫通孔(27a)及第二共同貫通孔(27b)。第一共同貫通孔(27a)，并不與上述多數(shù)共同襯墊一一對應(yīng)，而位于切割線(17)的左側(cè)，與上述主基板的多數(shù)共同襯墊共同對應(yīng)的一個共同貫通孔。同樣，共同貫通孔(27b)不與上述多數(shù)共同襯墊一一對應(yīng)，而位于切割線(17)的右側(cè)，與上述主基板的多數(shù)共同襯墊共同對應(yīng)的一個共同貫通孔。

另外，為了方便于說明，圖上的切割線I(13)、切割線II(15)是幾乎沒有間隔的點線，但實際上如圖2所示，有刀輪(未圖示)可以經(jīng)過的充分的空間(W)，第一、二共同貫通孔(27a)、(27b)分別橫向布置在切割線(15)的左右充分的距離上，因此與切割線(15)完全非重疊布局。

將結(jié)構(gòu)如上述的封裝基板(10)用膠封裝到上述主基板上，進(jìn)行封裝工序，然后通過封裝基板(10)的貫通孔(17)進(jìn)行向上述主基板的共同襯墊上輸入電源(source)的老化/檢測工序后，沿著切割線I(13)、切割線II(15)進(jìn)行切割封裝基板(10)的切割工序時，由于第一、第二共同貫通孔(27a)、(27b)如圖1所示，不與切割線(15)重疊，因此刀輪(未圖示)不會直接經(jīng)過第一、第二共同貫通孔(27a)、(27b)。

因此,本研究就算用刀輪對封裝基板(20)沿著切割線(13),(15)進(jìn)行切割，也可以從根本 上防止由于第一、二共同貫通孔(27a)、(27b)而引起的大量微細(xì)切割碎片(未圖示)的發(fā)生,也因此,不僅能確切防止由于上記切割碎片引起的OLED產(chǎn)品的不良發(fā)生，也因為在第一、二共同貫通孔(27a)、(27b)附近的地點，完全不用減速封裝基板(20)的切割速度,因此,可提高切割工序的生產(chǎn)效益。

尤其,因本研究防止上記微細(xì)切割碎片(未圖示)的發(fā)生，因此可降低由于上記微細(xì)切割碎片引起的第一、二共同貫通孔(27a)、(27b)鄰接的封裝基板(20)的部分上發(fā)生龜裂(crack)及粗糙(burr)的可能性。

此外,由于上記刀輪不直接通過第一、二共同貫通孔(27a)、(27b)的部位切割上記封裝基板(20)，因此能延長上記刀輪的壽命,也因此抑制上記刀輪的頻繁替換,能降低有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)品的制造成本。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會意識到，這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)被理解為本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。