本實(shí)用新型涉及由熱可塑性樹脂制作而成的多層基板及元器件安裝基板。

背景技術(shù)：

作為現(xiàn)有的涉及多層基板的發(fā)明，例如已知有在專利文獻(xiàn)1中記載的半導(dǎo)體安裝方法。該半導(dǎo)體安裝方法是將半導(dǎo)體裸芯片的凸點(diǎn)通過超聲波倒裝芯片接合技術(shù)安裝至使用液晶聚合物的薄膜的柔性布線板的布線的方法。通過在液晶聚合物的大致相同的方向上將超聲波振動施加至半導(dǎo)體芯片，從而將布線和凸點(diǎn)接合。

然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的半導(dǎo)體安裝方法中，存在以下問題：由于柔性布線板具有可撓性，因此超聲波振動會被柔性布線板吸收，不能充分地傳遞至凸點(diǎn)以及布線。而且，對于柔性布線板，有時要在半導(dǎo)體芯片的正下方設(shè)置孔?？子袝r用于將在制造時從柔性布線板內(nèi)產(chǎn)生的氣體排出，有時用于在將圖像傳感器作為半導(dǎo)體芯片使用的情況下作為該圖像傳感器的光路。若上述的孔存在，則在柔性布線板中，孔的周圍變得更容易發(fā)生變形。因而，若在柔性布線板中存在孔，則超聲波振動很難傳遞至凸點(diǎn)以及布線。如上所述，若超聲波振動不能充分地傳遞至凸點(diǎn)以及布線，則凸點(diǎn)和布線就可能無法可靠地接合。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1

日本專利特開2006-120683號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題

因此，本實(shí)用新型的目的是提供一種能更可靠地對安裝元器件進(jìn)行安裝的多層基板、元器件安裝基板以及元器件安裝基板的制造方法。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本實(shí)用新型的一個方式所涉及的多層基板是供安裝元器件安裝的多層基板，其特征在于，包括：坯體，該坯體由熱可塑性樹脂制作而成，并且由包含一個以上的第一絕緣體層以及一個以上的第二絕緣體層的多個絕緣體層在層疊方向上層疊來構(gòu)成；以及強(qiáng)化構(gòu)件，該強(qiáng)化構(gòu)件由比所述熱可塑性樹脂更硬的材料制作而成，通過設(shè)置在所述層疊方向貫通所述第一絕緣體層的開口，并且該開口被所述第二絕緣體層覆蓋，從而在所述坯體形成收納區(qū)域，所述強(qiáng)化構(gòu)件配置在所述收納區(qū)域內(nèi)，在所述層疊方向貫通所述坯體的貫通孔、即穿過該坯體以及所述強(qiáng)化構(gòu)件的貫通孔在從該層疊方向觀察時，設(shè)置在安裝了所述安裝元器件時與該安裝元器件重合的位置。

本實(shí)用新型的一個方式所涉及的元器件安裝基板包括所述多層基板和所述安裝元器件。

本實(shí)用新型的一個方式所涉及的元器件安裝基板的制造方法，其特征在于，該元器件安裝基板包括多層基板以及包含凸點(diǎn)的安裝元器件，該多層基板包括：坯體，該坯體由熱可塑性樹脂制作，并且將包含一個以上的第一絕緣體層以及一個以上的第二絕緣體層的多個絕緣體層在層疊方向上層疊來構(gòu)成；強(qiáng)化構(gòu)件，該強(qiáng)化構(gòu)件由比所述熱可塑性樹脂更硬的材料制作；以及安裝電極，該安裝電極設(shè)置在該坯體的主面，該元器件安裝基板的制造方法包括如下步驟：準(zhǔn)備所述第一絕緣體層以及所述第二絕緣體層的工序,所述第一絕緣體層上設(shè)有在所述層疊方向上貫通的開口；層疊所述第一絕緣體層以及所述第二絕緣體層，并且在該收納區(qū)域內(nèi)配置所述強(qiáng)化構(gòu)件后，對該第一絕緣體層、所述第二絕緣體層以及該強(qiáng)化構(gòu)件實(shí)施熱壓接，使得所述開口被所述第二絕緣體層覆蓋從而形成收納區(qū)域的工序；形成在所述層疊方向貫通所述坯體的貫通孔、即穿過該坯體以及所述強(qiáng)化構(gòu)件的貫通孔的工序；以及通過對所述安裝電極和所述凸點(diǎn)進(jìn)行超聲波接合，從而將所述安裝元器件安裝至所述多層基板的工序，所述貫通孔在從所述層疊方向觀察時，與所述安裝元器件重合。

實(shí)用新型效果

根據(jù)本實(shí)用新型，能更可靠地對安裝元器件進(jìn)行安裝。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的1個實(shí)施方式所涉及的元器件安裝基板10的外觀立體圖。

圖2是安裝元器件14的外觀立體圖。

圖3是多層基板12的分解立體圖。

圖4是圖1的A-A處的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖5是元器件安裝基板10在制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖6是元器件安裝基板10在制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖7是元器件安裝基板10在制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖8是第一變形例所涉及的多層基板12a的分解立體圖。

圖9是第一變形例所涉及的元器件安裝基板10a的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖10是元器件安裝基板10a在制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖11是元器件安裝基板10a在制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖12是元器件安裝基板10a在制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。

圖13是第二變形例所涉及的元器件安裝基板10b的剖面結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

(實(shí)施方式)

<多層基板以及元器件安裝基板的結(jié)構(gòu)>

以下，對于本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式所涉及的多層基板以及元器件安裝基板的結(jié)構(gòu)參照附圖進(jìn)行說明。圖1是本實(shí)用新型的1個實(shí)施方式所涉及的元器件安裝基板10的外觀立體圖。圖2是安裝元器件14的外觀立體圖。圖3是多層基板12的分解立體圖。圖4是圖1的A-A處的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，將多層基板12的層疊方向定義為上下方向。上側(cè)是層疊方向的一側(cè)的一個示例，下側(cè)是層疊方向的另一側(cè)的一個示例。此外，將從上側(cè)觀察多層基板12時的長邊方向定義為左右方向，將從上側(cè)觀察多層基板12時的短邊方向定義為前后方向。上下方向、左右方向及前后方向相互正交。

元器件安裝基板10是例如設(shè)置在移動電話等電子設(shè)備內(nèi)的包含半導(dǎo)體集成電路的模塊。元器件安裝基板10如圖1所示，包括多層基板12以及安裝元器件14。

安裝元器件14是例如RFIC、或者CCD等的攝像元件等的半導(dǎo)體集成電路，如圖2所示，包括主體114以及凸點(diǎn)116a～116f。主體114在從上側(cè)觀察時，成為呈長方形的板狀。以下，將主體114的上側(cè)的主面稱為表面，將主體114的下側(cè)的主面稱為背面。凸點(diǎn)116a～116f設(shè)置在主體114的背面上，是用于與多層基板12連接的外部端子。凸點(diǎn)116a～116f是例如由金等金屬制作，在安裝前的狀態(tài)下呈球狀或者半球狀。凸點(diǎn)116a～116c沿著主體114的背面的左側(cè)的邊，按照該順序從前側(cè)向后側(cè)排列。凸點(diǎn)116d～116f沿著主體114的背面的右側(cè)的邊，按照該順序從前側(cè)向后側(cè)排列。

多層基板12是供安裝元器件14安裝的柔性基板。多層基板12如圖3所示，包括坯體11、強(qiáng)化構(gòu)件18、外部電極20a～20f和24a～24f、布線導(dǎo)體層22a～22h以及過孔導(dǎo)體v1～v8。此外，布線導(dǎo)體層雖然在布線導(dǎo)體層22a～22h以外設(shè)置有多個，但是圖3中省略了布線導(dǎo)體層22a～22h以外的布線導(dǎo)體層。相同地，過孔導(dǎo)體雖然在過孔導(dǎo)體v1～v8以外也設(shè)置有多個，但是圖3中省略了過孔導(dǎo)體v1～v8以外的過孔導(dǎo)體。

坯體11如圖3所示，在從上側(cè)觀察時，是呈長方形的可撓性的板狀構(gòu)件。坯體11的長邊與左右方向平行。坯體11如圖3所示，是將絕緣體片材16a～16d按照該順序從上側(cè)向下側(cè)層疊構(gòu)成的層疊體。以下，在坯體中，將坯體11的上側(cè)的主面稱為表面(第一主面的一個示例)，將坯體11的下側(cè)的主面稱為背面(第二主面的一個示例)。

絕緣體片材16a～16d如圖3所示那樣，在從上側(cè)俯視時，呈具有沿著左右方向延伸的長邊的長方形狀，并且具有和坯體11相同的形狀。絕緣體片材16a～16d是由聚酰亞胺、液晶聚合物等具有可撓性的熱可塑性樹脂制作而成的絕緣體層。以下，將絕緣體片材16a～16d的上側(cè)的主面稱為表面，將絕緣體片材16a～16d的下側(cè)的主面稱為背面。

在比絕緣體片材16a的表面的中央更靠左側(cè)，外部電極20a～20c(安裝電極的一個示例)按照該順序從前側(cè)向后側(cè)排成一列。在比絕緣體片材16a的表面的中央更靠右側(cè)，外部電極20d～20f(安裝電極的一個示例)按照該順序從前側(cè)向后側(cè)排成一列。外部電極20a～20f在從上側(cè)觀察時，呈長方形狀，用于安裝元器件14的安裝。具體而言，外部電極20a～20f分別與凸點(diǎn)116a～116f接合。

更具體而言，外部電極20a～20f與凸點(diǎn)116a～116f通過超聲波接合而接合。在超聲波接合時，如圖4所示，凸點(diǎn)116a～116f的下端略微壓扁。即，凸點(diǎn)116a～116f不是與外部電極20a～20f點(diǎn)接觸，而是與外部電極20a～20f面接觸。而且，將外部電極20a～20f和凸點(diǎn)116a～116f的接觸部分稱為接合部分Ba～Bf(圖4中，僅圖示接合部分Bb、Be)。此外，在多層基板12中，在從上側(cè)觀察時，將與安裝元器件14重合的區(qū)域稱為區(qū)域A1。

外部電極24a～24c沿著絕緣體片材16d的背面的左側(cè)的短邊，按照該順序從前側(cè)向后側(cè)排成一列。外部電極24d～24f沿著絕緣體片材16d的背面的右側(cè)的短邊，按照該順序從前側(cè)向后側(cè)排成一列。外部電極20a～24f在從上側(cè)觀察時，呈長方形狀，用于安裝至多層基板12的電路基板(印刷布線板等。未圖示)。

布線導(dǎo)體層22a、22b是設(shè)置在絕緣體片材16a的表面且在左右方向延伸的線狀的導(dǎo)體層。布線導(dǎo)體層22a從外部電極20b向左側(cè)延伸。布線導(dǎo)體層22b從外部電極20e向右側(cè)延伸。

布線導(dǎo)體層22c～22f是設(shè)置在絕緣體片材16b的表面且在前后方向延伸的線狀的導(dǎo)體層。布線導(dǎo)體層22c的前端在從上側(cè)觀察時，與布線導(dǎo)體層22a的左端重合。對于布線導(dǎo)體層22c的后端，在圖3中省略。布線導(dǎo)體層22d的后端相對于布線導(dǎo)體層22c的前端位于右側(cè)。對于布線導(dǎo)體層22d的前端，在圖3中省略。

布線導(dǎo)體層22f的后端在從上側(cè)觀察時，與布線導(dǎo)體層22b的右端重合。對于布線導(dǎo)體層22f的前端，在圖3中省略。布線導(dǎo)體層22e的前端相對于布線導(dǎo)體層22f的后端位于左側(cè)。對于布線導(dǎo)體層22f的后端，在圖3中省略。

布線導(dǎo)體層22g、22h是設(shè)置在絕緣體片材16c的表面且在左右方向延伸的線狀的導(dǎo)體層。布線導(dǎo)體層22g的右端在從上側(cè)觀察時，與布線導(dǎo)體層22d的后端重合。布線導(dǎo)體層22g的左端在從上側(cè)觀察時，與外部電極24b重合。布線導(dǎo)體層22h的左端在從上側(cè)觀察時，與布線導(dǎo)體層22e的前端重合。布線導(dǎo)體層22h的右端在從上側(cè)觀察時，與外部電極24e重合。

過孔導(dǎo)體v1、v2在上下方向上貫通絕緣體片材16a。過孔導(dǎo)體v1連接布線導(dǎo)體層22a的左端和布線導(dǎo)體層22c的前端。過孔導(dǎo)體v2連接布線導(dǎo)體層22b的右端和布線導(dǎo)體層22f的后端。

過孔導(dǎo)體v3、v4在上下方向上貫通絕緣體片材16b。過孔導(dǎo)體v3連接布線導(dǎo)體層22d的后端和布線導(dǎo)體層22g的右端。過孔導(dǎo)體v4連接布線導(dǎo)體層22e的前端和布線導(dǎo)體層22h的左端。

過孔導(dǎo)體v5、v6在上下方向上貫通絕緣體片材16c。過孔導(dǎo)體v7、v8在上下方向上貫通絕緣體片材16d。過孔導(dǎo)體v5、v7彼此連接，構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，連接布線導(dǎo)體層22g的左端和外部電極24b。過孔導(dǎo)體v6、v8彼此連接，構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，連接布線導(dǎo)體層22h的右端和外部電極24e。

經(jīng)由如上所述的布線導(dǎo)體層22a～22h、過孔導(dǎo)體v1～v8、未圖示的布線導(dǎo)體層以及未圖示的過孔導(dǎo)體(即，設(shè)置在坯體11的導(dǎo)體)，外部電極20a～20f和外部電極24a～24f電連接。

此外，在坯體11上預(yù)先形成收納區(qū)域Sp，在該收納區(qū)域Sp內(nèi)配置強(qiáng)化構(gòu)件18。以下，對于收納區(qū)域Sp以及強(qiáng)化構(gòu)件18進(jìn)行說明。

在絕緣體片材16b、16c(各個第一絕緣體層的一個示例)，分別以包含絕緣體片材16b、16c的中央(對角線的交點(diǎn))的方式設(shè)置在上下方向上貫通的開口Op1、Op2。開口Op1、Op2在從上側(cè)觀察時，呈相同的長方形狀，在彼此一致的狀態(tài)下重合。此外，開口Op1、Op2在從上側(cè)觀察時，收納在區(qū)域A1內(nèi)。而且，開口Op1、Op2分別在從上側(cè)觀察時，與絕緣體片材16b、16c的外緣不接觸。由此，絕緣體片材16b、16c呈長方形狀的框狀。

在絕緣體片材16a、16d(第二絕緣體層以及第三絕緣體層的一個示例)不設(shè)置開口。絕緣體片材16a通過在絕緣體片材16b的上側(cè)層疊，從上側(cè)覆蓋開口Op1。絕緣體片材16d通過在絕緣體片材16c的下側(cè)層疊，從下側(cè)覆蓋開口Op2。即，開口Op1、Op2被絕緣體片材16a、16d從上下兩側(cè)覆蓋，形成收納區(qū)域Sp。收納區(qū)域Sp的形狀為長方體狀。

強(qiáng)化構(gòu)件18由比絕緣體片材16a～16d的材料即熱可塑性樹脂更硬的材料制作。硬是指楊氏模量大。例如，在絕緣體片材16a～16d是由液晶聚合物制作的情況下，楊氏模量為3GPa。此外，在強(qiáng)化構(gòu)件18是用銅制作的情況下，楊氏模量是180GPa。作為強(qiáng)化構(gòu)件18的材料，列舉例如陶瓷、金屬等。強(qiáng)化構(gòu)件18呈與收納區(qū)域Sp相同的長方體狀。而且，強(qiáng)化構(gòu)件18如圖4所示，無間隙地收納在收納區(qū)域Sp內(nèi)。開口Op1、Op2在從上側(cè)觀察時，由于收納在區(qū)域A1內(nèi)，因此強(qiáng)化構(gòu)件18在從上側(cè)觀察時，也收納在區(qū)域A1內(nèi)。即，強(qiáng)化構(gòu)件18在從上側(cè)觀察時，不會從安裝元器件14突出。

而且，強(qiáng)化構(gòu)件18在從上側(cè)觀察時，與外部電極20a～20f各自的一部分重合。在本實(shí)施方式中，強(qiáng)化構(gòu)件18在從上側(cè)觀察時，與接合部分Ba～Bf(參照圖4)重合。接合部分Ba～Bf是指外部電極20a～20f與凸點(diǎn)116a～116f的接合部分。由此，外部電極20a～20f的一部分在從上側(cè)觀察時，從強(qiáng)化構(gòu)件18突出。然而，強(qiáng)化構(gòu)件18也可以在從上側(cè)觀察時，與外部電極20a～20f全部重合。

此外，強(qiáng)化構(gòu)件18的上下方向的厚度如圖4所示，與絕緣體片材16b、16c的厚度的總和實(shí)質(zhì)上相等。由此，強(qiáng)化構(gòu)件18的上下方向的厚度是坯體11的上下方向的厚度的一半。

此外，在多層基板12上設(shè)置有圓形的貫通孔Th1、Th2。貫通孔Th1、Th2在上下方向上貫通坯體11(更正確的是絕緣體片材16a、16d)以及強(qiáng)化構(gòu)件18，在從上側(cè)觀察時，設(shè)置在與區(qū)域A1(參照圖3以及圖4)重合的位置。區(qū)域A1是指在安裝元器件14安裝至多層基板12時與安裝元器件14重合的區(qū)域。即，貫通孔Th1、Th2位于安裝元器件14的正下方。貫通孔Th1、Th2有時用于將在制造時從多層基板12內(nèi)產(chǎn)生的氣體排出，有時用作為安裝元器件14即圖像傳感器的光路。

<元器件安裝基板的制造方法>

以下，對于元器件安裝基板10的制造方法參照附圖進(jìn)行說明。圖5～圖7是元器件安裝基板10的制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，雖然將制作一個多層基板12的情況作為示例進(jìn)行說明，但是實(shí)際上，通過層疊以及切割大型的絕緣體片材，能同時地制作多個多層基板12。

首先，準(zhǔn)備由液晶聚合物制作的絕緣體片材16a～16d。在絕緣體片材16a～16d的其中一個的主面的整個面上形成銅箔。具體而言，在絕緣體片材16a～16c的表面粘貼銅箔。在絕緣體片材16d的背面粘貼銅箔。然后，在絕緣體片材16a～16d的銅箔的表面，實(shí)施例如用于防銹的鍍鋅并使其平滑。此外，也可以使用銅箔以外的金屬箔。

接著，通過對在絕緣體片材16a的表面上形成的銅箔進(jìn)行圖案形成，從而如圖3所示，在絕緣體片材16a的表面上形成外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b。具體而言，在絕緣體片材16a的表面的銅箔上，印刷與圖3所示的外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b相同形狀的抗蝕劑。然后，通過對銅箔實(shí)施蝕刻處理，從而去除未被抗蝕劑覆蓋的部分的銅箔。之后，噴淋清洗液(抗蝕劑去除液)，從而去除抗蝕劑。由此，通過光刻工序，在絕緣體片材16a的表面上形成如圖3所示的外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b。

接著，如圖3所示那樣，在層疊片材16b的表面上形成布線導(dǎo)體層22c～22f。并如圖3所示那樣，在層疊片材16c的表面上形成布線導(dǎo)體層22g、22h。此外，如圖3所示那樣，在絕緣體片材16d的背面上形成外部電極24a～24f。此外，布線導(dǎo)體層22c～22h以及外部電極24a～24f的形成工序由于與外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b的形成工序相同，因此省略說明。

接著，通過在絕緣體片材16a～16d的過孔導(dǎo)體v1～v8形成的位置上照射激光束，從而形成貫通孔。而且，將以銅、銀等金屬為主要成分的導(dǎo)電性糊料填充至貫通孔。

接著，通過利用沖壓、激光加工等對絕緣體片材16b、16c進(jìn)行沖孔，從而在各個絕緣體片材16b、16c形成在上下方向上貫通的開口Op1、Op2。通過上述的工序，完成絕緣體片材16a、16d以及設(shè)置了開口Op1、Op2的絕緣體片材16b、16c的準(zhǔn)備。

接著，通過熱壓接形成多層基板12。具體而言，如圖5所示，對絕緣體片材16b、16c進(jìn)行層疊，在絕緣體片材16c的下側(cè)層疊絕緣體片材16d以從下側(cè)覆蓋開口Op2。由此，形成收納區(qū)域Sp。然后，在收納區(qū)域Sp內(nèi)配置強(qiáng)化構(gòu)件18，在絕緣體片材16b的上側(cè)層疊絕緣體片材16a。之后，對于絕緣體片材16a～16d以及強(qiáng)化構(gòu)件18實(shí)施加壓處理以及加熱處理(即，熱壓接)。加壓處理通過從上下方向夾持絕緣體片材16a～16d以及強(qiáng)化構(gòu)件18來進(jìn)行。通過對絕緣體片材16a～16d以及強(qiáng)化構(gòu)件18實(shí)施加壓處理以及加熱處理，從而絕緣體片材16a～16d軟化，并且貫通孔內(nèi)的導(dǎo)電性糊料固化。由此，絕緣體片材16a～16d接合，并且形成過孔導(dǎo)體v1～v8。此外，絕緣體片材16a～16d和強(qiáng)化構(gòu)件18緊密地接觸。此外，也可以將絕緣體片材16a層疊在絕緣體片材16b的上側(cè)，在將強(qiáng)化構(gòu)件18配置在收納區(qū)域Sp內(nèi)后，將絕緣體片材16d層疊在絕緣體片材16c的下側(cè)。

接著，如圖6所示那樣，形成在上下方向上貫通多層基板12的貫通孔Th1、Th2。在本實(shí)施方式中，貫通孔Th1、Th2在上下方向上貫通絕緣體片材16a、16d以及強(qiáng)化構(gòu)件18。形成貫通孔Th1、Th2是通過例如照射激光束、用鉆孔機(jī)穿孔來進(jìn)行。經(jīng)過上述的工序，完成多層基板12。

接著，如圖7所示，將安裝元器件14安裝到多層基板12上。具體而言，將安裝元器件14配置在多層基板12上，使得外部電極20a～20f和凸點(diǎn)116a～116f接觸。之后，將超聲波接合機(jī)T按壓在安裝元器件14的上表面，使超聲波接合機(jī)T動作。由此，超聲波振動經(jīng)由主體114傳遞至凸點(diǎn)116a～116f以及外部電極20a～20f。然后，外部電極20a～20f與凸點(diǎn)116a～116f通過超聲波振動冶金結(jié)合。經(jīng)過上述的工序，完成元器件安裝基板10。

<效果>

根據(jù)如上所述構(gòu)成的元器件安裝基板10以及多層基板12，能將安裝元器件14更可靠地安裝至多層基板12。更詳細(xì)地說，在多層基板12中設(shè)置有貫通孔Th1、Th2。貫通孔Th1、Th2在從上側(cè)觀察時，由于與安裝元器件14重合，因此位于外部電極20a～20f的附近。在上述的貫通孔Th1、Th2的周圍，多層基板12的強(qiáng)度變低，因此多層基板12容易發(fā)生變形。因而，超聲波振動不能充分地傳遞至外部電極20a～20f以及凸點(diǎn)116a～116f，從而外部電極20a～20f和凸點(diǎn)116a～116f的接合可能會變得不充分。

因此，在元器件安裝基板10以及多層基板12中，設(shè)置強(qiáng)化構(gòu)件18，貫通孔Th1、Th2進(jìn)一步貫通強(qiáng)化構(gòu)件18。由此，使得在貫通孔Th1、Th2的附近存在強(qiáng)化構(gòu)件18，從而能抑制貫通孔Th1、Th2的周圍發(fā)生變形。

其結(jié)果，使得外部電極20a～20f與凸點(diǎn)116a～116f更可靠地接合。

此外，在元器件安裝基板10以及多層基板12中，能將安裝元器件14更可靠地安裝至多層基板12。更詳細(xì)地說，強(qiáng)化構(gòu)件18在從上側(cè)觀察時，與外部電極20a～20f重合。更正確的是，強(qiáng)化構(gòu)件18在從上側(cè)觀察時，與接合部分Ba～Bf(參照圖4)重合。由此，在多層基板12中，接合部分Ba～Bf附近的強(qiáng)度提高，不易發(fā)生變形。其結(jié)果，能將安裝元器件14更可靠地安裝在多層基板12。

此外，在元器件安裝基板10以及多層基板12中，強(qiáng)化構(gòu)件18的上下方向的厚度是坯體11的上下方向的厚度的一半。由此，通過將強(qiáng)化構(gòu)件18的上下方向的厚度變厚，從而能進(jìn)一步提高多層基板12中設(shè)置了強(qiáng)化構(gòu)件18的部分的強(qiáng)度。

此外，在元器件安裝基板10以及多層基板12中，在設(shè)置開口Op1的絕緣體片材16b的上側(cè)設(shè)有一層絕緣體片材16a。而且，絕緣體片材16a的表面構(gòu)成多層基板12的表面。由此，外部電極20a～20f設(shè)置在絕緣體片材16a的表面。由此，在強(qiáng)化構(gòu)件18和安裝元器件14之間，容易變形的絕緣體片材只有絕緣體片材16a。由此，在多層基板12的表面，通過強(qiáng)化構(gòu)件18能更有效地抑制貫通孔Th1、Th2的周圍、以及外部電極20a～20f的周圍發(fā)生變形。其結(jié)果，在元器件安裝基板10以及多層基板12中，能將安裝元器件14更可靠地安裝至多層基板12。

此外，在元器件安裝基板10以及多層基板12中，在從上側(cè)觀察時，強(qiáng)化構(gòu)件18沒有設(shè)置在多層基板12的整個面上。由此，多層基板12不會被強(qiáng)化構(gòu)件18分?jǐn)喑蓮?qiáng)化構(gòu)件18上方的部分和強(qiáng)化構(gòu)件18下方的部分。因而，在坯體11中經(jīng)由強(qiáng)化構(gòu)件18的前后左右的部分，能對外部電極20a～20f和外部電極24a～24f進(jìn)行連接。

此外，在元器件安裝基板10以及多層基板12中，開口Op1被絕緣體片材16a從上側(cè)覆蓋，開口Op2被絕緣體片材16d從下側(cè)覆蓋。由此，能抑制收納在收納區(qū)域Sp的強(qiáng)化構(gòu)件18從多層基板12脫落。

(第一變形例)

<多層基板以及元器件安裝基板的結(jié)構(gòu)>

以下，對于第一變形例所涉及的多層基板以及元器件安裝基板參照附圖進(jìn)行說明。圖8是第一變形例所涉及的多層基板12a的分解立體圖。圖9是第一變形例所涉及的元器件安裝基板10a的剖面結(jié)構(gòu)圖。

多層基板12a與多層基板12的不同點(diǎn)在于：沒有設(shè)置絕緣體片材16d。以下以不同點(diǎn)為中心，對于多層基板12a以及元器件安裝基板10a進(jìn)行說明。此外，由于元器件安裝基板10a的安裝元器件14與元器件安裝基板10的安裝元器件14相同，因此省略說明。

多層基板12a如圖8以及圖9所示，包括坯體11、保護(hù)層17、強(qiáng)化構(gòu)件18、外部電極20a～20f和24a～24f、布線導(dǎo)體層22a、22b、22i、22j以及過孔導(dǎo)體v11～v16。此外，布線導(dǎo)體層雖然在布線導(dǎo)體層22a、22b、22i、22j以外也設(shè)置有多個，但是對于布線導(dǎo)體層22a、22b、22i、22j以外的布線導(dǎo)體層在圖8中省略。相同地，過孔導(dǎo)體雖然在過孔導(dǎo)體v11～v16以外也設(shè)置有多個，但是對于過孔導(dǎo)體v11～v16以外的過孔導(dǎo)體在圖8中省略。

坯體11如圖8所示，是將絕緣體片材16a～16c按照該順序從上側(cè)向下側(cè)層疊構(gòu)成的層疊體。以下，將坯體11的上側(cè)的主面稱為表面(第一主面的一個示例)，將坯體11的下側(cè)的主面稱為背面(第二主面的一個示例)。

由于多層基板12a的外部電極20a～20f、布線導(dǎo)體層22a、22b以及外部電極24a～24f與多層基板12的外部電極20a～20f、布線導(dǎo)體層22a、22b以及外部電極24a～24f相同，因此省略說明。

布線導(dǎo)體層22i、22j是設(shè)置在絕緣體片材16c的表面且在左右方向延伸的線狀的導(dǎo)體層。布線導(dǎo)體層22i的右端在從上側(cè)觀察時，與布線導(dǎo)體層22a的左端重合。布線導(dǎo)體層22i的左端在從上側(cè)觀察時，與外部電極24b重合。布線導(dǎo)體層22j的左端在從上側(cè)觀察時，與布線導(dǎo)體層22b的右端重合。布線導(dǎo)體層22j的右端在從上側(cè)觀察時，與外部電極24e重合。

過孔導(dǎo)體v11、v12在上下方向上貫通絕緣體片材16a。過孔導(dǎo)體v11連接布線導(dǎo)體層22a的左端和布線導(dǎo)體層22i的右端。過孔導(dǎo)體v12連接布線導(dǎo)體層22b的右端和布線導(dǎo)體層22j的左端。

過孔導(dǎo)體v13、v14在上下方向上貫通絕緣體片材16b。過孔導(dǎo)體v15、v16在上下方向上貫通絕緣體片材16c。過孔導(dǎo)體v13、v15彼此連接，構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，連接布線導(dǎo)體層22i的左端和外部電極24b。過孔導(dǎo)體v14、v16彼此連接，構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，連接布線導(dǎo)體層22j的右端和外部電極24e。

經(jīng)由如上所述的布線導(dǎo)體層22a、22b、22i、22j、過孔導(dǎo)體v11～v16、未圖示的布線導(dǎo)體層以及未圖示的過孔導(dǎo)體(即，設(shè)置在坯體11的導(dǎo)體)，外部電極20a～20f和外部電極24a～24f電連接。

另外，在坯體11中預(yù)先形成收納區(qū)域Sp，在該收納區(qū)域Sp內(nèi)配置強(qiáng)化構(gòu)件18。以下，對于收納區(qū)域Sp以及強(qiáng)化構(gòu)件18進(jìn)行說明。

多層基板12a與多層基板12的不同點(diǎn)在于：收納區(qū)域Sp沒有被絕緣體片材16d從下側(cè)覆蓋。但是，對于多層基板12a的絕緣體片材16b、16c以及開口Op1、Op2的形狀，由于與多層基板12的絕緣體片材16b、16c以及開口Op1、Op2的形狀相同，因此省略說明。此外，由于多層基板12a的強(qiáng)化構(gòu)件18與多層基板12的強(qiáng)化構(gòu)件18相同，因此省略說明。

如上所述，在多層基板12a中，由于不存在絕緣體片材16d，因此收納區(qū)域Sp的下側(cè)是開口的。而且，強(qiáng)化構(gòu)件18被配置在收納區(qū)域Sp內(nèi)。由此，在多層基板12a中，強(qiáng)化構(gòu)件18的周圍的大致整個面也可以不被絕緣體片材包圍。

此外，強(qiáng)化構(gòu)件18的上下方向的厚度如圖9所示，與絕緣體片材16b、16c的厚度的總和實(shí)質(zhì)上相等。由此，強(qiáng)化構(gòu)件18的上下方向的厚度比坯體11的上下方向的厚度的最大值的一半更大。坯體11的上下方向的厚度的最大值是指在坯體11中未設(shè)置開口Op1、Op2的部分的上下方向的厚度。將坯體11的上下方向的厚度的最大值作為比較對象是因?yàn)槲丛O(shè)置開口Op1、Op2的部分的上下方向的厚度比設(shè)置了開口Op1、Op2的部分的上下方向的厚度更小。

此外，由于多層基板12a的貫通孔Th1、Th2與多層基板12的貫通孔Th1、Th2相同，因此省略說明。

<元器件安裝基板的制造方法>

以下，對于元器件安裝基板10a的制造方法參照附圖進(jìn)行說明。圖10～圖12是元器件安裝基板10a在制造時的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，雖然將一個多層基板12a制作的情況作為示例進(jìn)行說明，但是實(shí)際上，通過層疊以及切割大型的絕緣體片材，能同時地制作多個多層基板12a。

首先，準(zhǔn)備由液晶聚合物制作的絕緣體片材16a～16c。接著，通過利用沖壓等對絕緣體片材16b、16c進(jìn)行沖孔，從而在各個絕緣體片材16b、16c形成在上下方向貫通的開口Op1、Op2。

接著，在絕緣體片材16a～16c的其中一個主面的整個面上形成銅箔。具體而言，在絕緣體片材16a、16b的表面粘貼銅箔。在絕緣體片材16c的背面粘貼銅箔。然后，在絕緣體片材16a～16c的銅箔的表面實(shí)施例如用于防銹的鍍鋅并使其平滑。

接著，通過對在絕緣體片材16a的表面上形成的銅箔進(jìn)行圖案形成，從而如圖8所示，在絕緣體片材16a的表面上形成外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b。此外，由于多層基板12a的外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b的形成與多層基板12的外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b的形成相同，因此省略說明。

接著，如圖8所示那樣，在層疊片材16b的表面上形成布線導(dǎo)體層22i、22j。此外，如圖8所示那樣，在絕緣體片材16c的背面上形成外部電極24a～24f。此外，布線導(dǎo)體層22i、22j以及外部電極24a～24f的形成工序由于與外部電極20a～20f以及布線導(dǎo)體層22a、22b的形成工序相同，因此省略說明。

接著，通過在絕緣體片材16a～16c的過孔導(dǎo)體v11～v16形成的位置照射激光束，從而形成貫通孔。然后，將以銅、銀等金屬為主要成分的導(dǎo)電性糊料填充至貫通孔。

接著，通過熱壓接形成多層基板12。具體而言，如圖10所示，對絕緣體片材16b、16c進(jìn)行層疊，并在絕緣體片材16b的上側(cè)層疊絕緣體片材16a以從上側(cè)覆蓋開口Op1。由此，形成收納區(qū)域Sp。然后，將強(qiáng)化構(gòu)件18配置在收納區(qū)域Sp內(nèi)。之后，對于絕緣體片材16a～16c以及強(qiáng)化構(gòu)件18實(shí)施加壓處理以及加熱處理(即，熱壓接)。由于多層基板12a的加壓處理以及加熱處理與多層基板12的加壓處理以及加熱處理相同，因此省略說明。

接著，如圖11所示，通過絲網(wǎng)印刷涂布樹脂(抗蝕劑)糊料，從而在絕緣體片材16c的背面形成保護(hù)層17。由此，強(qiáng)化構(gòu)件18的下表面也被保護(hù)層17覆蓋。

接著，如圖12所示那樣，形成在上下方向貫通多層基板12的貫通孔Th1、Th2。在本實(shí)施方式中，貫通孔Th1、Th2將絕緣體片材16a、保護(hù)層17以及強(qiáng)化構(gòu)件18在上下方向貫通。形成貫通孔Th1、Th2是通過例如照射激光束或用鉆孔機(jī)穿孔來進(jìn)行。經(jīng)過上述的工序，完成多層基板12a。

最后，如圖9所示，將安裝元器件14安裝在多層基板12a上。將安裝元器件14安裝至多層基板12a與將安裝元器件14安裝至多層基板12相同，因此省略說明。經(jīng)過上述的工序，完成元器件安裝基板10a。

<效果>

如上所述構(gòu)成的多層基板12a以及元器件安裝基板10a能起到與多層基板12以及元器件安裝基板10相同的作用效果。

此外，在多層基板12a中，能抑制強(qiáng)化構(gòu)件18從多層基板12a脫落。更詳細(xì)地說，在多層基板12a中，由于不存在絕緣體片材16d，因此收納區(qū)域Sp的下側(cè)是開口的。但是，在制造多層基板12a時，由于絕緣體片材16a～16c和強(qiáng)化構(gòu)件18熱壓接，因此絕緣體片材16a～16c和強(qiáng)化構(gòu)件18緊密地接觸。而且，強(qiáng)化構(gòu)件18的下表面被保護(hù)層17覆蓋。因此，能抑制強(qiáng)化構(gòu)件18從多層基板12a脫落。

此外，強(qiáng)化構(gòu)件18的上下方向的厚度比坯體11的上下方向的厚度的最大值的一半更大。由此，能更有效地抑制坯體11的變形。

此外，在強(qiáng)化構(gòu)件18的下部，不存在由熱可塑性樹脂形成的絕緣體片材。絕緣體片材是容易變形的構(gòu)件，因此優(yōu)選為在超聲波接合時，在成為底面的部位不存在絕緣體片材。因而，在多層基板12a中，外部電極20a～20f與凸點(diǎn)116a～116f更可靠地接合。

(第二變形例)

以下，對于第二個變形例所涉及的多層基板以及元器件安裝基板參照附圖進(jìn)行說明。圖13是第二變形例所涉及的元器件安裝基板10b的剖面結(jié)構(gòu)圖。

多層基板12b與多層基板12a的不同點(diǎn)在于：在貫通孔Th1、Th2的內(nèi)周面設(shè)置被膜C。被膜C可以是樹脂膜，也可以是金屬膜。

由此，能使貫通孔Th1、Th2的內(nèi)周面的表面粗糙度得到改善，并能提高貫通孔Th1、Th2的內(nèi)周面的強(qiáng)度。而且，能改變貫通孔Th1、Th2的內(nèi)周面的顏色。

(其它實(shí)施方式)

本實(shí)用新型所涉及的多層基板、元器件安裝基板以及元器件基板的制造方法不限于多層基板12、12a、12b、元器件安裝基板10、10a、10b以及元器件安裝基板10、10a、10b的制造方法，能在其宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行變更。

此外，多層基板12、12a、12b、元器件安裝基板10、10a、10b以及元器件安裝基板10、10a、10b的制造方法的各結(jié)構(gòu)也可以進(jìn)行任意地組合。

此外，在多層基板12a、12b中，也可以不設(shè)置保護(hù)層17。

此外，在多層基板12a、12b中，也可以是收納區(qū)域Sp從下側(cè)被絕緣體片材覆蓋而收納區(qū)域Sp的上側(cè)開口，而不是收納區(qū)域Sp從上側(cè)被絕緣體片材覆蓋而收納區(qū)域Sp的下側(cè)開口。在該情況下，在露出的強(qiáng)化構(gòu)件18的周圍配置外部電極20a～20f。

此外，本實(shí)用新型的開口是指在從上側(cè)觀察時不存在絕緣體片材的區(qū)域，并且是周圍全被絕緣體片材包圍的區(qū)域。由此，開口不包含絕緣體片材的外緣的一部分被切除的區(qū)域。

此外，強(qiáng)化構(gòu)件18在從上側(cè)觀察時，可以不與接合部分Ba～Bf重合。

此外，貫通孔Th1、Th2可以在上下方向上不貫通強(qiáng)化構(gòu)件18，只需在上下方向上通過強(qiáng)化構(gòu)件18即可。在上下方向上通過強(qiáng)化構(gòu)件18是指除了在上下方向上貫通強(qiáng)化構(gòu)件18的情況以外，還包含以包含強(qiáng)化構(gòu)件18和前后左右方向(片材的平面方向)的絕緣體片材的邊界的方式在上下方向上貫通的情況。但是，貫通孔Th1、Th2貫通強(qiáng)化構(gòu)件18的情況與貫通孔Th1、Th2通過強(qiáng)化構(gòu)件18和絕緣體片材的邊界的情況相比，更能抑制貫通孔Th1、Th2周邊的坯體12的變形。

導(dǎo)電體片材18a可以是層疊2層以上，導(dǎo)電體片材18d也可以是層疊2層以上。此外，導(dǎo)電體片材18c、18d可以僅設(shè)置任意一個，也可以設(shè)置3層以上。

貫通孔Th1、Th2可以僅設(shè)置任意一個，也可以設(shè)置3個以上。

此外，強(qiáng)化構(gòu)件18優(yōu)選為與全部的外部電極20a～20f重合，也可以與外部電極20a～20f內(nèi)的至少一部分外部電極重合。

工業(yè)上的實(shí)用性

如上所述，本實(shí)用新型可用于多層基板、元器件安裝基板以及元器件安裝基板的制造方法，特別是在能更可靠地對安裝元器件進(jìn)行安裝這一點(diǎn)上十分優(yōu)秀。

標(biāo)號說明

10、10a、10b：元器件安裝基板

11：坯體

12、12a、12b：多層基板

14：安裝元器件

16a～16d：絕緣片材

17：保護(hù)層

18：強(qiáng)化構(gòu)件

22a～22j：布線導(dǎo)體層

20a～20f、24a～24f：外部電極

114：主體

116a～116f：凸點(diǎn)

Ba～Bf：接合部分

C：被膜

Op1、Op2：開口

Sp：收納區(qū)域

T：超聲波接合機(jī)

Th1、Th2：貫通孔

v1～v8、v11～v16：過孔導(dǎo)體