本發(fā)明屬于半導體設備制造領域，具體涉及一種承載裝置及反應腔室。

背景技術：

圖形化襯底(Patterned Sapphire Substrate，以下簡稱PSS)技術是目前較為主流的提高LED器件出光效率的方法，是指在藍寶石襯底上生長GaN外延層之前，先通過光刻、刻蝕在藍寶石襯底上制作一層設計圖形的矩陣，而后再在所制作的具有圖形的襯底上生長GaN外延層。

目前，通常采用ICP刻蝕設備進行上述刻蝕過程，ICP刻蝕設備包括承載裝置，用于承載基片。請一并參閱圖1a和圖1b，承載裝置包括托盤10和蓋板11，托盤10和蓋板11均通常采用鋁(Al)材料制成。其中，托盤10上設置有多個用于承載基片S的凸臺101，以提高單次工藝的產(chǎn)率；蓋板11包括板體111，板體111上設置有與凸臺101對應的通孔，并且，在每個通孔的側壁上且沿其周向間隔設置有多個壓爪112，每個壓爪112用于疊壓在基片S的邊緣區(qū)域，且板體111和壓爪112的上表面高于基片S的上表面；另外，采用螺釘固定托盤10和蓋板11，從而實現(xiàn)將基片S固定在二者之間。

通?？涛g過程包括主刻蝕步驟(ME)和過刻蝕步驟(OE)，其中，主刻蝕步驟用于主要形成刻蝕圖形；過刻蝕步驟用于實現(xiàn)修飾主刻蝕步驟形成的圖形。采用現(xiàn)有的承載裝置進行刻蝕工藝(例如，主刻蝕步驟和過刻蝕步驟)在實際應用中發(fā)現(xiàn)會存在以下問題：

其一，造成基片的刻蝕均勻性差，例如，采用上述承載裝置進行主刻蝕步驟，主刻蝕步驟完成之后，請參閱圖2a～圖2e，圖2a～圖2e分別為主刻蝕步驟完成之后基片的靠近其邊緣1mm、2mm、3mm、4mm和5mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖，圖2a～圖2e中左側為靠近基 片的邊緣的一側，右側為靠近基片的中心的一側，從圖中可以直接看出：基片的距離其邊緣5mm的環(huán)形邊緣區(qū)域內(nèi)的每個子圖形(即，圖中類似三角形的圖形)兩邊側壁上出現(xiàn)的拐角的高度不對稱(即，不相等)，而且，越靠近基片的邊緣位置處的圖形的兩個拐角的對稱性越差。

其二，由于刻蝕均勻性差，使得主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度較高，因此，需要延長后續(xù)過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，這樣，還會造成整個工藝時間較長，產(chǎn)量低。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種承載裝置及反應腔室，可以改善基片的刻蝕均勻性，因而可以降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度，這樣，就可以縮短過刻蝕步驟的工藝時間，從而可以提高產(chǎn)量。

為解決上述問題之一，本發(fā)明提供了一種承載裝置，其包括托盤和蓋板，所述托盤上設置有承載基片的凸臺，所述蓋板包括板體，所述板體上設置有與凸臺對應且套置在所述凸臺側壁外側的通孔，沿所述通孔周向上間隔設置的多個壓爪，每個所述壓爪用于疊壓在所述基片的邊緣區(qū)域，以將基片固定在所述凸臺上；所述板體的上表面高于所述基片的上表面，所述通孔的內(nèi)壁和對應的所述凸臺的側壁之間設置有預設間隙，且所述凸臺的直徑不小于所述基片的直徑。

優(yōu)選地，所述板體的上表面與所述基片的上表面之間的高度差范圍為1～3mm，所述預設間隙的水平尺寸范圍為1～3mm，豎直尺寸范圍為1～3mm。

優(yōu)選地，每個所述壓爪設置在對應的所述通孔的上端面或內(nèi)壁上。

優(yōu)選地，所述板體、所述托盤和所述凸臺為一體式結構；或者，所述板體和所述壓爪為一體式結構。

優(yōu)選地，每個所述通孔的上端面的邊緣位置形成有斜面，所述斜面朝向所述通孔中心的方向逐漸向下傾斜。

優(yōu)選地，每個所述壓爪用于疊壓基片的一端的上表面的邊緣位置 形成有斜面，所述斜面朝向對應的所述通孔中心的方向逐漸向下傾斜。

本發(fā)明還提供另一種承載裝置，其包括托盤和蓋板，所述托盤上設置有承載基片的凸臺，所述蓋板包括板體，所述板體上設置有與凸臺對應且套置在所述凸臺側壁外側的通孔，沿所述通孔周向上間隔設置的多個壓爪，每個所述壓爪用于疊壓在所述基片的邊緣區(qū)域，以將基片固定在所述凸臺上，所述板體的上表面不高于所述基片的上表面，所述凸臺的直徑不小于所述基片的直徑，每個所述通孔的內(nèi)壁與對應所述凸臺的側壁之間無間隙，以避免所述凸臺的側壁暴露在等離子體環(huán)境中。

優(yōu)選地，每個所述壓爪設置在對應的所述通孔的上端面或內(nèi)壁上。

優(yōu)選地，所述通孔包括由上至下串接的第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔的內(nèi)壁與所述基片的側壁之間無間隙；所述第二通孔的內(nèi)壁與所述凸臺的側壁之間無間隙。

優(yōu)選地，所述板體、所述托盤和所述凸臺為一體式結構；或者，所述板體和所述壓爪為一體式結構。

優(yōu)選地，每個所述通孔的上端面的邊緣位置形成有斜面，所述斜面朝向所述通孔中心的方向逐漸向下傾斜。

優(yōu)選地，每個所述壓爪用于疊壓基片的一端的上表面的邊緣位置形成有斜面，所述斜面朝向對應的所述通孔中心的方向逐漸向下傾斜。

本發(fā)明還提供一種反應腔室，其內(nèi)設置有承載裝置，所述承載裝置采用上述任一提供的承載裝置。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供的承載裝置，在板體的上表面高于基片的上表面的情況下，借助每個通孔的內(nèi)壁和對應的凸臺的側壁之間設置有預設間隙，且凸臺的直徑不小于基片的直徑，這樣，等離子體可以擴散至該預設間隙內(nèi)，也就是說，凸臺的未被壓爪遮擋的側壁會暴露在等離子體環(huán)境中，其能夠在基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生朝向基片邊緣偏轉的電場，該電場與板體的非壓爪部分在基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片中心偏轉的電場矢量疊加，疊加后的電場的方向趨于豎直方向。由此可知，本發(fā)明提供的承載裝置，可以補償在基片 的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片中心偏轉的電場，因而可以改善基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域的電場的方向趨于豎直方向(即，理想方向)，而由于壓爪的數(shù)量少且每個壓爪在周向上所占比例較小，因此，基片的被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域可以忽略不計或者說不考慮，因而可以改善基片的刻蝕均勻性，從而可以降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度，這樣，就可以縮短過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，從而可以提高產(chǎn)量。

本發(fā)明提供的另一種承載裝置，借助板體的上表面不高于基片的上表面，這樣，可以減弱板體的非壓爪部分在基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片中心偏轉的電場，并且，凸臺的直徑不小于基片的直徑，每個通孔的內(nèi)壁與對應凸臺的側壁之間無間隙，可以避免凸臺的側壁暴露在等離子體環(huán)境中而產(chǎn)生朝向基片邊緣偏轉的電場。由上可知，本發(fā)明提供的另一種承載裝置，可以減弱基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片中心偏轉的電場，因而可以改善基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域的電場方向趨于豎直方向(即，理想方向)，而由于壓爪的數(shù)量少且每個壓爪在周向上所占比例較小，因此，基片的被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域可以忽略不計或者說不考慮，因而可以改善基片的刻蝕均勻性，從而可以降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度，這樣，就可以縮短過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，從而可以提高產(chǎn)量。

本發(fā)明提供的反應腔室，其采用本發(fā)明上述提供的兩種承載裝置中任意一個，可以改善基片的刻蝕均勻性，因而可以降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度，這樣，就可以縮短過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，從而可以提高產(chǎn)量。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有的承載裝置沿一個方向的剖視圖；

圖1b為現(xiàn)有的承載裝置另一個方向的剖視圖；

圖2a為采用現(xiàn)有的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的靠近其邊緣1mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖2b為采用現(xiàn)有的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的靠近其邊緣2mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖2c為采用現(xiàn)有的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的靠近其邊緣3mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖2d為采用現(xiàn)有的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的靠近其邊緣4mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖2e為采用現(xiàn)有的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的靠近其邊緣5mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖3a為本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置沿一個方向上的剖視圖和電場示意圖；

圖3b為本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置沿另一個方向上的剖視圖和電場示意圖；

圖4a為圖1a所示的承載裝置的電場示意圖；

圖4b為圖1b所示的承載裝置的電場示意圖；

圖5a為采用本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的靠近其邊緣1mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖5b為采用本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域內(nèi)的靠近其邊緣2mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖5c為采用本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域內(nèi)的靠近其邊緣3mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖5d為采用本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域內(nèi)的靠近其邊緣4mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖5e為采用本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置在主刻蝕步驟完成之后基片的未被壓爪疊壓的邊緣區(qū)域內(nèi)的靠近其邊緣5mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖；

圖6a為本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置沿一個方向上的剖視圖；

圖6b為本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置沿另一個方向上的一種剖視圖；

圖6c為本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置沿另一個方向上的另一種剖視圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖來對本發(fā)明提供的承載裝置及反應腔室進行詳細描述。

圖3a為本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置沿一個方向上的剖視圖和電場示意圖；圖3b為本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置沿另一個方向上的剖視圖和電場示意圖。請一并參閱圖3a和圖3b，本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置，包括托盤10和蓋板，托盤10上設置有承載基片S的凸臺101，蓋板11包括板體111，板體111上設置有與凸臺101對應且套置在凸臺101側壁外側的通孔，且沿通孔周向上間隔設置的多個壓爪112，每個壓爪112用于疊壓在基片S的邊緣區(qū)域，以將基片S固定在所述凸臺101上。

并且，板體111的上表面高于基片S的上表面，通孔的內(nèi)壁和對應的凸臺101的側壁之間設置有預設間隙，且凸臺101的直徑不小于基片S的直徑。

下面詳細描述本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置是如何提高刻蝕均勻性的。具體地，首先，對現(xiàn)有技術中刻蝕均勻差的原因進行分析發(fā)現(xiàn)：由于板體111和壓爪112均采用諸如鋁等的良導體材料制成，因此，其在等離子體環(huán)境中會產(chǎn)生自偏壓，并且，由于板體111和壓爪112的上表面高于基片S的上表面，且每個壓爪112的用于疊壓基片S的一端的上表面的邊緣位置形成有斜面1121，斜面1121朝向對應的通孔中心的方向逐漸向下傾斜，這使得壓爪112產(chǎn)生的自偏壓在對應的基片S的邊緣區(qū)域(即，被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域)產(chǎn)生朝向基片S中心偏轉的電場b1，如圖4a所示；由于板體111的上表面高于基片S的上表面，且通孔的上部分的內(nèi)壁暴露在等離子體環(huán)境中，以及通孔的上端面的邊緣位置形成有斜面113，斜面113朝向通孔中心的 方向逐漸向下傾斜，這使得板體111的非壓爪112部分產(chǎn)生的自偏壓在對應的基片S的邊緣區(qū)域(即，未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域)產(chǎn)生朝向基片S中心偏轉的電場b2，如圖4b所示。

為此，本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置，在板體111的上表面高于基片S的上表面的情況下，借助每個通孔的內(nèi)壁和對應的凸臺101的側壁之間設置有預設間隙，且凸臺101的直徑不小于基片S的直徑，這樣，等離子體可以擴散至該預設間隙內(nèi)，也就是說，未被壓爪112遮擋的部分凸臺101的側壁暴露在等離子體環(huán)境中，其能夠在基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生朝向基片S邊緣偏轉的電場a，如圖3b所示，該電場a與板體111的非壓爪112部分在基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片S中心偏轉的電場b2矢量疊加，疊加后的電場c的方向趨于豎直方向，如圖3b所示。而由于凸臺101的被壓爪112遮擋的部分不會暴露在等離子體環(huán)境中，因此，在基片S的被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域不能產(chǎn)生上述電場a，其電場僅為電場b1，如圖3a所示。

由此可知，本發(fā)明提供的第一實施例所述的承載裝置，可以補償在基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片S中心偏轉的電場b2，因而可以使得基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域的電場c的方向趨于豎直方向(即，理想方向)，由于壓爪112的數(shù)量少且每個壓爪112在周向上所占比例較小，因此，基片S的被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域可以忽略不計或者說不考慮，因而可以改善基片S的刻蝕均勻性，從而可以降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度，這樣，就不需要增加過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，從而可以提高產(chǎn)量。

在此說明的是，盡管在凸臺101的側壁暴露在等離子體環(huán)境中的同時通孔的下部分的內(nèi)壁也就暴露在等離子體環(huán)境中，但是，由于通孔的下部分的內(nèi)壁相對凸臺側壁距離基片較遠，其在基片處產(chǎn)生的磁場很小，可以考慮不計。

在本實施例中，每個壓爪112設置在對應的通孔的內(nèi)壁上，如圖3a所示，并且，每個壓爪112的上表面與通孔的上端面平齊，且壓爪 112的厚度小于板體111的厚度。當然，本發(fā)明并不局限于此，在實際應用中，壓爪112的尺寸和結構可以根據(jù)實際情況具體設置，只要能夠實現(xiàn)疊壓基片S的邊緣區(qū)域即可，例如，每個壓爪112還可以設置在對應的通孔的上端面上。

優(yōu)選地，板體111的上表面與基片S的上表面之間的高度差H1范圍為1～3mm，預設間隙的水平尺寸L1范圍為1～3mm，豎直尺寸H2范圍為1～3mm，這樣，可以實現(xiàn)上述電場a和電場b2矢量疊加后的電場c的方向更接近豎直方向，從而更有效地提高刻蝕均勻性。

進一步優(yōu)選地，板體111的上表面與基片S的上表面的高度差H1為1mm，預設間距的水平尺寸L1為2mm，豎直尺寸H2為1.8mm。

下面通過實驗驗證本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置。請一并參閱圖5a～圖5e，圖5a～圖5e分別為主刻蝕步驟完成之后基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域內(nèi)的靠近其邊緣1mm、2mm、3mm、4mm和5mm位置處的刻蝕圖形的電鏡掃描圖，圖5a～圖5e中左側為靠近基片S的邊緣的一側，右側為靠近基片S的中心的一側，從圖中可以直接看出：在1mm位置處，子圖形的拐角高度差為291nm，而在2mm、3mm、4mm和5mm位置處，子圖形的拐角高度差保持在100nm以內(nèi)，這與現(xiàn)有技術的相比，明顯地減小了拐角的高度差，從而明顯地改善了刻蝕均勻性。另外，從圖5a～圖5e中可以看出：拐角最高高度為972nm，這相對現(xiàn)有的拐角的最高高度為985nm，降低了主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度。

另外，在本實施例中，板體111和壓爪112為一體式結構，即蓋板11為整體式結構，在這種情況下，在裝載基片S時先保證托盤10和蓋板11分離，再裝載基片S，而后固定該托盤10和蓋板11；卸載基片S的過程與裝載基片S過程相反，在此不再詳述。

當然，在實際應用中，還可以板體111、托盤10和凸臺101為一體式結構，在這種情況下，在裝載基片S時先保證壓爪112與其分離，再裝載基片S，而后再安裝壓爪112；卸載基片S的過程與裝載基片S過程相反，在此不再詳述。

另外，本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置還包括設置在托盤10內(nèi) 的背吹管道，背吹管道的出氣端位于凸臺101的上表面上，進氣端與背吹氣源相連通，背吹氣源用于提供背吹氣體，這樣，可以實現(xiàn)向基片S的背面輸送背吹氣體，借助背吹氣體可以實現(xiàn)基片S和托盤10之間的熱交換。

優(yōu)選地，在凸臺101上還包括對應基片S邊緣區(qū)域設置的環(huán)形凹部12，環(huán)形凹部12環(huán)繞基片S的周向設置，在環(huán)形凹部12內(nèi)設置有密封件13(例如，密封圈)，以實現(xiàn)基片S的下表面和凸臺101的上表面之間形成密封的間隙，以避免背吹氣體泄露而影響工藝。

值的在此說明的是，為實現(xiàn)改變上述預設間隙的水平寬度L1，不僅可以采用縮小凸臺的外徑的方式；而且還可以采用縮小板體111上通孔的內(nèi)徑的方式，該通孔貫穿整個板體111的厚度。

圖6a為本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置沿一個方向上的剖視圖；圖6b為本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置沿另一個方向上的一種剖視圖。請一并參閱圖6a和圖6b，本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置與上述第一實施例提供的承載裝置相類似，同樣包括蓋板11、托盤10、板體111、壓爪112、凸臺101、背吹管路、環(huán)形凹部12和密封件13，由于其結構位置關系和功能在上述第一實施例中已有了詳細地描述，在此不再贅述。

下面僅描述本實施例和上述第一實施例的不同點。具體地，在本實施例中，板體111的上表面不高于基片S的上表面，凸臺101的直徑不小于基片S的直徑，每個通孔的內(nèi)壁與對應凸臺101的側壁之間無間隙，如圖6b所示，以避免凸臺101的側壁暴露于等離子體環(huán)境中，這樣，可以避免凸臺101的側壁暴露在等離子體環(huán)境中而產(chǎn)生朝向基片S邊緣偏轉的上述第一實施例中的電場a。

基于上述第一實施例中所示的現(xiàn)有技術中存在刻蝕均勻性差的原因，在本實施例中，借助板體111的上表面不高于與基片S的上表面，這樣，可以減弱板體111的非壓爪112部分在基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片S中心偏轉的電場b2。

另外，由于需要壓爪112來疊壓基片S，壓爪112肯定需要高于基片S的上表面，如圖6a所示，壓爪112設置在通孔的上端面上，因 此，基片S的被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域的電場仍為電場b1，如圖6a所示。

由上可知，本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置，可以減弱基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片S中心偏轉的電場b2，因而可以使得基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域的電場方向趨于豎直方向(即，理想方向)，而由于壓爪112的數(shù)量少且每個壓爪112在周向上所占比例較小，因此，基片S的被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域可以忽略不計或者說不考慮，因而可以改善基片S的刻蝕均勻性，從而可以降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度，這樣，就可以縮短過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，從而可以提高產(chǎn)量。

如圖6c所示，優(yōu)選地，在本實施例中，通孔包括由上至下串接的第一通孔和第二通孔，第一通孔的孔徑與基片S的直徑相等，第一通孔套置在基片S的側壁外側；第二通孔套置在凸臺101的側壁外側。在這種情況下，對比圖6b和圖6c，可以看出：采用圖6c所示的承載裝置，還可以避免第一通孔的內(nèi)壁暴露在等離子體環(huán)境中，也就可以進一步減弱基片S的未被壓爪112疊壓的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的朝向基片S中心偏轉的電場b2，從而可以進一步使得基片S的邊緣區(qū)域的電場方向趨于豎直方向(即，理想方向)，因而可以進一步改善基片S的刻蝕均勻性，從而可以進一步降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度，這樣，更可以縮短過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，從而可以進一步提高產(chǎn)量。

可以理解，若凸臺101的直徑等于基片S的直徑，則每個通孔的孔徑也與基片S的直徑相配合，同樣可以避免通孔的內(nèi)壁暴露在等離子體環(huán)境中，因而可以進一步改善基片S的刻蝕均勻性。

作為另外一個技術方案，本發(fā)明還提供一種反應腔室，其內(nèi)設置有承載裝置，承載裝置采用本發(fā)明上述第一實施例和第二實施例任一提供的承載裝置。

本發(fā)明實施例提供的反應腔室，其采用本發(fā)明上述第一實施例和第二實施例提供的兩種承載裝置中的任意一個，可以改善基片S的刻蝕均勻性，因而可以降低主刻蝕步驟完成之后產(chǎn)生的拐角的最高高度， 這樣，可以縮短過刻蝕步驟的工藝時間來消除該拐角，從而可以提高產(chǎn)量。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。