1.一種形成自對準接觸部的方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底上形成有柵堆疊以及位于所述柵堆疊兩側(cè)的側(cè)墻，所述側(cè)墻兩側(cè)的襯底上形成有源/漏區(qū)及位于所述源/漏區(qū)之上的金屬硅化物層；
依序形成阻擋掩膜層及位于所述側(cè)墻之外、所述阻擋掩膜層之上的輔助側(cè)墻；
形成層間介質(zhì)層，并進行表面平坦化直至暴露所述柵堆疊；
去除所述輔助側(cè)墻及與所述輔助側(cè)墻相接的所述阻擋掩膜層，暴露所述金屬硅化物層；
以金屬填滿凹槽，并進行平坦化直至暴露所述柵堆疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵堆疊依序包括：襯底之上的介質(zhì)層、所述介質(zhì)層之上的柵電極層及所述柵電極層之上的硬掩膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
去除所述柵堆疊，形成金屬柵凹槽；
在所述金屬柵凹槽內(nèi)形成金屬柵介質(zhì)層；
以金屬填充所述金屬柵凹槽；
進行平坦化直至暴露所述側(cè)墻。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述以金屬填滿凹槽，并進行平坦化直至暴露所述柵堆疊包括：
以填充物填充凹槽，并進行平坦化直至暴露所述柵電極層，所述填充物與所述柵電極層的選擇刻蝕比≥50:1，所述填充物與所述柵介質(zhì)層的選擇刻蝕比≥50:1；
去除所述柵堆疊，并形成金屬柵介質(zhì)層，且所述金屬柵介質(zhì)層與所述填充物的選擇刻蝕比≥50:1；
去除所述填充物；
以金屬填充凹槽并進行平坦化，直至暴露所述側(cè)墻。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述填充物為不定型碳。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述輔助側(cè)墻及與所述輔助側(cè)墻相接的所述阻擋掩膜層，暴露所述金屬硅化物層包括：
去除所述輔助側(cè)墻、所述柵堆疊和與所述輔助側(cè)墻相接的所述阻擋掩膜層，暴露所述金屬硅化物層及所述柵堆疊之下的所述襯底；
形成金屬柵介質(zhì)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成金屬柵介質(zhì)層包括：
沉積高k介質(zhì)層；
去除所述柵堆疊之外的高k介質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求3至7任一項所述的方法，其特征在于，所述襯底上還形成有鰭，所述柵堆疊以垂直于所述鰭的方向位于所述鰭之上，且所述源/漏區(qū)位于所述側(cè)墻兩側(cè)的所述鰭上，以及位于所述源/漏區(qū)之上的所述金屬硅化物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求3至7任一項所述的方法，其特征在于，所述輔助側(cè)墻的材料包括以下任意一種：多晶硅、非晶硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求4至7任一項所述的方法，其特征在于，所述接觸部包括以下任意一層或多層：黏合層、金屬功函數(shù)層、擴散阻擋層、金屬柵電極層。