技術總結(jié)
本發(fā)明屬于非易失性存儲器技術領域，提供了一種可降低寫操作電壓的非易失性存儲元件及制造方法。本發(fā)明的非易失性存儲元件，包括：倒錐狀第一電極；存儲介質(zhì)層，其包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分貼附在倒錐狀第一電極的外側(cè)面上，所述第二部分與所述倒錐狀第一電極的外側(cè)面非平行設置以至于與所述第一部分連接并形成夾角；以及第二電極，其形成在所述存儲介質(zhì)層的第一部分與第二部分之間形成的所述夾角的內(nèi)側(cè)。本發(fā)明的非易失性存儲元件通過在第一電極和第二電極之間形成存儲介質(zhì)層的夾角結(jié)構(gòu)，寫操作電壓得到降低且均勻，制備簡單、成本低。

技術研發(fā)人員：林殷茵;劉佩
受保護的技術使用者：復旦大學
文檔號碼：201510319379
技術研發(fā)日：2015.06.11
技術公布日：2017.01.04