壓電振動(dòng)片及其制造方法與壓電元件及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種壓電振動(dòng)片及其制造方法與壓電元件及其制造方法。本發(fā)明的課題是抑制在壓電振動(dòng)片的連結(jié)部的表面上形成大的微小突起等而防止壓電振動(dòng)片發(fā)生破損，從而提高可靠性或耐久性。壓電振動(dòng)片(130)包括：振動(dòng)部(131)，包圍振動(dòng)部(131)的框部(132)，以及將振動(dòng)部(131)與框部(132)予以連結(jié)的連結(jié)部(133)，在所述壓電振動(dòng)片(130)中，連結(jié)部(133)的表面(133a)及背面(133b)中的至少一個(gè)相對(duì)于框部(132)而形成為5μm～15μm的深度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】壓電振動(dòng)片及其制造方法與壓電元件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種壓電振動(dòng)片、壓電振動(dòng)片的制造方法、壓電元件以及壓電元件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在移動(dòng)終端或移動(dòng)電話等電子設(shè)備中搭載有晶體振子或晶體振蕩器等壓電元件。所述壓電元件包含晶體振動(dòng)片等壓電振動(dòng)片、蓋體(lid)、以及基座(base)。壓電振動(dòng)片具有:以規(guī)定的振動(dòng)頻率振動(dòng)的振動(dòng)部，以包圍振動(dòng)部的方式形成的框部，以及使振動(dòng)部與框部連結(jié)的連結(jié)部，且所述壓電振動(dòng)片例如通過(guò)蝕刻加工而由AT切割的晶體材料形成。蓋體經(jīng)由接合材料接合于所述壓電振動(dòng)片的框部的表面,并且基座同樣地經(jīng)由接合材料而接合于框部的背面(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
[0003][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0004][專(zhuān)利文獻(xiàn)]
[0005][專(zhuān)利文獻(xiàn)I]日本專(zhuān)利特開(kāi)2012-147228號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006][發(fā)明所要解決的問(wèn)題]
[0007]此外，對(duì)壓電振動(dòng)片進(jìn)行的蝕刻加工通常是以將表面精加工為鏡面的方式進(jìn)行。但是，存在晶體材料具有晶格缺陷(晶體結(jié)晶的原子陣列混亂)的情況。若對(duì)所述帶有晶格缺陷的晶體材料進(jìn)行蝕刻，則會(huì)因蝕刻速率的不同而在表面上形成微小突起或微小刻痕(以下稱(chēng)為微小突起等)。應(yīng)力容易集中于所述微小突起等，并有可能以微小突起等為起點(diǎn)而產(chǎn)生裂紋等。而且，微小突起等與蝕刻量成比例地生長(zhǎng)而形成得大。因此，若在像壓電振動(dòng)片的連結(jié)部這樣的會(huì)有大的應(yīng)力發(fā)生作用的部分中形成大的微小突起等，則存在容易產(chǎn)生裂紋或破損，從而導(dǎo)致壓電振動(dòng)片破損的問(wèn)題。
[0008]鑒于所述情況，本發(fā)明的目的在于提供一種抑制在壓電振動(dòng)片的連結(jié)部的表面上形成大的微小突起等而防止壓電振動(dòng)片發(fā)生破損，從而可靠性或耐久性高的壓電振動(dòng)片及壓電元件。而且，本發(fā)明的目的在于提供一種可容易且確實(shí)地形成具有所述特征的壓電振動(dòng)片及壓電元件的壓電振動(dòng)片及壓電元件的制造方法。
[0009][解決問(wèn)題的技術(shù)手段]
[0010]本發(fā)明提供一種壓電振動(dòng)片，包括:振動(dòng)部，包圍振動(dòng)部的框部，以及將振動(dòng)部與框部予以連結(jié)的連結(jié)部，在所述壓電振動(dòng)片中，連結(jié)部的表面及背面中的至少一個(gè)相對(duì)于框部而形成為5μπι?15μπι的深度。連結(jié)部的表面及背面中的至少一個(gè)可相對(duì)于框部而形成為ΙΟμπι的深度。而且，與振動(dòng)部相比，連結(jié)部可形成得較厚。而且，振動(dòng)部中與連結(jié)部的連接部分可形成為與連結(jié)部相同的厚度。而且，本發(fā)明也可為含有上述壓電振動(dòng)片的壓電元件。
[0011]而且，本發(fā)明提供一種壓電振動(dòng)片的制造方法，所述壓電振動(dòng)片包括:振動(dòng)部，包圍振動(dòng)部的框部，以及將振動(dòng)部與框部予以連結(jié)的連結(jié)部，所述壓電振動(dòng)片的制造方法包含:第I工序，將含有連結(jié)部的區(qū)域形成為距框部的表面為5 μ m?15 μ m的深度；以及第2工序，除連結(jié)部以外，對(duì)含有所述振動(dòng)部的區(qū)域進(jìn)行薄壁化。第2工序也可為，在含有振動(dòng)部的區(qū)域中，除與連結(jié)部的連接區(qū)域以外進(jìn)行薄壁化。
[0012]而且，本發(fā)明提供一種含有上述壓電振動(dòng)片的壓電元件的制造方法，將蓋體以及基座分別接合于壓電振動(dòng)片的框部的表面以及背面。
[0013][發(fā)明的效果]
[0014]根據(jù)本發(fā)明，即便在連結(jié)部的表面或背面上產(chǎn)生微小突起等時(shí)，也可將微小突起等保持在較小的狀態(tài)。因此，即便在連結(jié)部受到應(yīng)力時(shí)，也可抑制因以微小突起等為起點(diǎn)的裂紋或破損而使壓電振動(dòng)片發(fā)生破損，從而可提高壓電振動(dòng)片及壓電元件的耐久性或可靠性。而且，可容易且確實(shí)地形成具有所述特征的壓電振動(dòng)片及壓電元件。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1 (a)、圖1(b)表示第I實(shí)施形態(tài)的壓電振動(dòng)片，圖1(a)是平面圖，圖1(b)是沿著圖1(a)的A-A線的剖面圖。
[0016]圖2(a)?圖2(h)是表示圖1所示的壓電振動(dòng)片的制造工序的圖。
[0017]圖3(a)?圖3(d)是表示圖1所示的壓電振動(dòng)片的另一制造工序的圖。
[0018]圖4(a)、圖4(b)表示第2實(shí)施形態(tài)的壓電振動(dòng)片，圖4(a)是平面圖，圖4(b)是沿著圖4(a)的B-B線的剖面圖。
[0019]圖5是表示壓電元件的實(shí)施形態(tài)的分解立體圖。
[0020]圖6是表示圖5的壓電元件的制造工序的流程圖。
[0021]圖7是表示壓電晶片的平面圖。
[0022]圖8是表不蓋體晶片的平面圖。
[0023]圖9是表不基座晶片的平面圖。
[0024][符號(hào)的說(shuō)明]
[0025]100:壓電元件
[0026]110:蓋體
[0027]111、121:凹部
[0028]112:蓋體的接合面
[0029]120:基座
[0030]122:基座的接合面
[0031]123、123a:齒形結(jié)構(gòu)
[0032]124、124a:齒形結(jié)構(gòu)電極
[0033]l25、l25a:連接電極
[0034]126、126a:外部電極
[0035]130、230:壓電振動(dòng)片
[0036]131,231:振動(dòng)部
[0037]132:框部
[0038]132a:表面
[0039]132b:背面
[0040]133,233:連結(jié)部
[0041]133a:表面
[0042]133b:背面
[0043]134:貫通孔
[0044]135a、135b:臺(tái)面
[0045]136a、136b:臺(tái)面周邊部
[0046]137a、137b:激振電極
[0047]138a、138b、238a、238b:引出電極
[0048]139,239a,239b:連接部分
[0049]139a:表面
[0050]139b:背面
[0051]150:貫通口
[0052]233c ?233f:突出部
[0053]AW:壓電晶片(基板)
[0054]Affa:表面
[0055]Affb:背面
[0056]AWc、AWd、AWe:凹部
[0057]Bff:基座晶片
[0058]D1、D2、D22:厚度
[0059]H1、H2:高度
[0060]L1、L2、L3、L4:深度
[0061]Lff:蓋體晶片
[0062]Rl?R6:抗蝕劑圖案
[0063]S1、S2、S3、S4、S5:區(qū)域
[0064]SOl ?S24:步驟
[0065]SL1、SL2:劃線
[0066]X、Y、Z:方向

【具體實(shí)施方式】
[0067]以下，一邊參照附圖一邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。然而，本發(fā)明并不限定于此。而且，為了說(shuō)明以下的實(shí)施形態(tài)，附圖中是通過(guò)將一部分放大或加以強(qiáng)調(diào)地進(jìn)行記載等而適當(dāng)?shù)刈兏壤邅?lái)進(jìn)行表現(xiàn)。而且，附圖中施加有影線的部分表示的是金屬膜。在以下的各圖中，使用XYZ座標(biāo)系來(lái)說(shuō)明圖中的方向。在所述XYZ座標(biāo)系中，將與壓電振動(dòng)片的表面平行的平面設(shè)為XZ平面。將所述XZ平面中的長(zhǎng)度方向表述為X方向，將與X方向正交的方向表述為Z方向。將與XZ平面垂直的方向(壓電振動(dòng)片的厚度方向)表述為Y方向。在X方向、Y方向以及Z方向中，分別將圖中的箭頭方向設(shè)為+方向、與箭頭方向相反的方向設(shè)為-方向來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
[0068]<第I實(shí)施形態(tài)>
[0069](壓電振動(dòng)片的構(gòu)成)
[0070]使用圖1 (a)、圖1 (b)對(duì)第I實(shí)施形態(tài)的壓電振動(dòng)片130進(jìn)行說(shuō)明。
[0071]如圖1 (a)所示,壓電振動(dòng)片130包括:以規(guī)定的振動(dòng)頻率振動(dòng)的振動(dòng)部131,包圍振動(dòng)部131的框部132，以及將振動(dòng)部131與框部132予以連結(jié)的連結(jié)部133。在振動(dòng)部131與框部132之間，除連結(jié)部133以外，形成有在Y軸方向上貫通的貫通孔134。
[0072]壓電振動(dòng)片130例如使用的是AT切割的晶體振動(dòng)片。AT切割具有如下優(yōu)點(diǎn)，SP，在常溫附近使用晶體振子或晶體振蕩器等壓電元件時(shí)，可獲得良好的頻率特性等，且為如下的加工方法，即，在作為人工晶體的3個(gè)結(jié)晶軸的電軸、機(jī)械軸以及光學(xué)軸中，以相對(duì)于光學(xué)軸而繞結(jié)晶軸只傾斜35° 15'的角度進(jìn)行切出。此外，在后述的第2實(shí)施形態(tài)中也同樣如此。
[0073]如圖1(a)所示，從Y軸方向觀察，振動(dòng)部131形成為在X軸方向上具有長(zhǎng)邊、在Z軸方向上具有短邊的矩形形狀。如圖1(b)所示，在振動(dòng)部131的表面(+Y側(cè)的面)的中央部分具有臺(tái)面(mesa) 135a及包圍臺(tái)面135a的臺(tái)面周邊部136a。而且，在振動(dòng)部131的背面(-Y側(cè)的面)的中央部分具有臺(tái)面135b及包圍臺(tái)面135b的臺(tái)面周邊部136b。臺(tái)面135a相對(duì)于臺(tái)面周邊部136a而具有+Y軸方向上的高度H1。而且，臺(tái)面135b相對(duì)于臺(tái)面周邊部136b而在-Y軸方向上具有高度H2。
[0074]通過(guò)像這樣在振動(dòng)部131中設(shè)置臺(tái)面135a、臺(tái)面135b，而效率良好地封閉壓電振動(dòng)片130的振動(dòng)能量,使晶體阻抗值(Crystal Impedance values,Cl值)降低。高度H1、高度H2形成為分別與后述的連結(jié)部133的相對(duì)于框部132的深度L1、深度L2相同。此外，高度H1、高度H2也可分別與深度L1、深度L2不同。而且，也可不設(shè)置臺(tái)面135a、臺(tái)面135b中的一個(gè)或兩個(gè)。在后述的第2實(shí)施形態(tài)的振動(dòng)部231中也同樣如此。而且，振動(dòng)部131在Y軸方向上具有厚度(臺(tái)面135a與臺(tái)面135b在Y軸方向上的寬度)D1。
[0075]框部132在整體上形成為將X軸方向設(shè)為長(zhǎng)邊、將Z軸方向設(shè)為短邊的矩形形狀。框部132的表面(+Y側(cè)的面)132a及背面(-Y側(cè)的面)132b分別形成為與后述的蓋體110的接合面112及基座120的接合面122接合的面。
[0076]連結(jié)部133將振動(dòng)部131與框部132予以連結(jié)。當(dāng)從Y軸方向上觀察時(shí)，連結(jié)部133在X軸方向及Z軸方向上具有寬度，且形成為例如矩形形狀。連結(jié)部133的表面(+Y側(cè)的面)133a相對(duì)于框部132的表面132a而形成為深度(Y軸方向上的距離)LI。而且，連結(jié)部133的背面(-Y側(cè)的面)133b相對(duì)于框部132的背面132b而形成為深度(Y軸方向上的距離)L2。將深度L1、深度L2均設(shè)定為5μπι?15μπι。而且，深度L1、深度L2形成為相同深度。此外，深度L1、深度L2中的一個(gè)也可不設(shè)定為5μπι?15μπι。例如，表面133a及背面133b中的一個(gè)也可與框部132的表面132a或背面132b形成為同一個(gè)面。
[0077]若深度L1、深度L2小于5 μ m，則難以阻止接合材料溢出至內(nèi)側(cè)。而且，若深度L1、深度L2大于15 μ m,則蝕刻加工增多，因此留有形成大的微小突起等的可能。將深度L1、深度L2例如設(shè)定為10 μ m。由此，可使阻止接合材料溢出的效果與抑制微小突起等變大的效果平衡。
[0078]而且，與振動(dòng)部131相比，連結(jié)部133形成得較厚，從而連結(jié)部133的厚度(Y軸方向上的長(zhǎng)度)D2形成得比振動(dòng)部131的厚度Dl厚。此外，所述厚度D2也可形成為與厚度Dl相同的厚度，或比厚度Dl薄的厚度。
[0079]如圖1 (a)、圖1 (b)所示，在振動(dòng)部131的臺(tái)面135a的表面上形成有矩形形狀的激振電極137a，在臺(tái)面135b的表面上同樣形成有矩形形狀的激振電極137b。通過(guò)對(duì)所述激振電極137a、激振電極137b施加規(guī)定的交流電壓，振動(dòng)部131以規(guī)定的振動(dòng)頻率振動(dòng)。而且，形成有分別與所述激振電極137a、激振電極137b電性連接的引出電極138a、引出電極138b。
[0080]將引出電極138a從激振電極137a的-X側(cè)開(kāi)始，通過(guò)臺(tái)面135a的表面、臺(tái)面周邊部136a的表面以及連結(jié)部133的表面133a，而引出至框部132的-X側(cè)的表面132a為止。然后，將引出電極138a在框部132的表面132a沿著+Z方向延伸后向+X方向彎折，并引出至框部132的表面132a中的+X側(cè)且+Z側(cè)的區(qū)域?yàn)橹?。接著，將引出電極138a經(jīng)由框部132的內(nèi)側(cè)的側(cè)面132c而引出至背面132b中的+X側(cè)且+Z側(cè)的區(qū)域?yàn)橹埂?br> [0081]將引出電極138b從激振電極137a的-X側(cè)開(kāi)始，通過(guò)臺(tái)面135b的表面、臺(tái)面周邊部136b的表面以及連結(jié)部133的背面133b，而引出至框部132的-X側(cè)的背面132b為止。然后，將引出電極138b在框部132的背面132b沿著-Z方向延伸后，引出至背面132b中的-X側(cè)且-Z側(cè)的區(qū)域?yàn)橹?。此外，引出電極138a與引出電極138b并不電性連接。
[0082]激振電極137a、激振電極137b以及引出電極138a、引出電極138b為導(dǎo)電性的金屬膜，且通過(guò)使用了金屬掩膜的濺射或真空蒸鍍、或者鍍敷等而形成。作為所述金屬膜，為了確保與晶體材料(壓電振動(dòng)片)的密接性而采用如下2層結(jié)構(gòu):包含鉻(Cr)或鈦(Ti)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、或者鎳鉻(NiCr)合金或鎳鈦(NiTi)合金、鎳鎢(NiW)合金等的基底層，以及包含金(Au)或銀(Ag)等的主電極層。此外，導(dǎo)電性的金屬膜并不限定于上述構(gòu)成，例如也可設(shè)為在鉻上積層鎳鎢作為基底層等的3層以上的結(jié)構(gòu)。
[0083]而且，如圖1 (a)、圖1 (b)所示，振動(dòng)部131中與連結(jié)部133的連接部分139可形成為與臺(tái)面周邊部136a、臺(tái)面周邊部136b的厚度相同的厚度,但并不限定于此,也可形成為與連結(jié)部133的厚度D2相同的厚度。此時(shí)，連接部分139的表面(+Y側(cè)的面)139a及背面(-Y側(cè)的面)139b形成為與連結(jié)部133的深度L1、深度L2相同的深度。連接部分139的表面139a與連結(jié)部133的表面133a成為同一個(gè)面。而且，連接部分139的背面139b與連結(jié)部133的背面133b成為同一個(gè)面。然而，連接部分139也可形成為與臺(tái)面周邊部136a、臺(tái)面周邊部136b的厚度及連結(jié)部133的厚度不同的厚度。而且，也可為連接部分139的表面139a及背面139b中的一個(gè)形成為與深度L1、深度L2相同的深度。
[0084]如圖1(a)所示，與連結(jié)部133相比，連接部分139在Z軸方向上的寬度形成得較寬。連接部分139在X軸方向及Z軸方向上的寬度為任意，例如在Z軸方向上的寬度可與連結(jié)部133的寬度相同或比其窄。而且，從Y軸方向上觀察的連接部分139的形狀并不限定于矩形形狀，例如也可形成為半圓形狀、半橢圓形狀或長(zhǎng)圓形狀，或者除四邊形以外的多邊形狀等。
[0085]像這樣，根據(jù)第I實(shí)施形態(tài)，將連結(jié)部133的深度L1、深度L2設(shè)定為5μπι?15 μ m,因此，可利用框部132與連結(jié)部133之間的階差來(lái)防止配置于框部132的接合材料向連結(jié)部133中流入。其結(jié)果，可防止振動(dòng)部131中的振動(dòng)特性的變化，從而維持壓電振動(dòng)片130以及后述壓電兀件100的質(zhì)量。
[0086]而且，因?qū)⑦B結(jié)部133的深度L1、深度L2設(shè)定為5 μ m?15 μ m，故在連結(jié)部133的表面上產(chǎn)生的微小突起等維持為較小的狀態(tài)，可防止以所述微小突起等為起點(diǎn)的裂紋等所引起的壓電振動(dòng)片130的破損。而且，可省略或簡(jiǎn)化連結(jié)部133的外觀檢查，因此可降低壓電振動(dòng)片130等的制造成本。而且，與振動(dòng)部131相比，連結(jié)部133形成得較厚，因此可確保連結(jié)部133的剛性，從而提高耐久性。
[0087]而且，當(dāng)本實(shí)施形態(tài)中的連接部分139形成為與連結(jié)部133的厚度D2為相同的厚度時(shí)，也可抑制所述連接部分139中的微小突起等變大，從而防止振動(dòng)部131的破損。
[0088](壓電振動(dòng)片的制造方法)
[0089]接著，使用圖2(a)?圖2(h)對(duì)本實(shí)施形態(tài)的壓電振動(dòng)片130的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在制造壓電振動(dòng)片130時(shí)，進(jìn)行從壓電晶片(基板)AW中逐個(gè)切出的多重切取。此外，圖2(a)?圖2(h)是將形成于壓電晶片AW上的壓電振動(dòng)片130中的一個(gè)按照時(shí)間序列排列而表示，圖2(a)?圖2(h)的各圖是相當(dāng)于沿著圖1(a)的A-A線的剖面的圖。
[0090]首先，如圖2(a)所示，在利用拋光加工等而精加工為不具有微小突起等的鏡面狀的壓電晶片AW的表面(+Y側(cè)的面)AWa及背面(-Y側(cè)的面)AWb中，在除區(qū)域SI以外的區(qū)域中形成抗蝕劑圖案(resist pattern)Rl。壓電晶片AW是利用AT切割而從晶體結(jié)晶體中切出。壓電晶片AW可利用研磨等而形成為規(guī)定的厚度?？刮g劑圖案Rl通過(guò)光刻(photolithography)法而形成,所述光刻法是在壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb上涂布抗蝕劑后，對(duì)掩膜圖案進(jìn)行曝光并顯影。此外，也可在抗蝕劑圖案Rl與壓電晶片AW之間形成由金屬膜形成的掩膜圖案。關(guān)于所述由金屬膜形成的掩膜圖案，對(duì)以下所說(shuō)明的抗蝕劑圖案而言也同樣如此。
[0091]然后，利用規(guī)定的蝕刻劑對(duì)壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb進(jìn)行濕法蝕刻。由此，如圖2(b)所示，未被覆抗蝕劑圖案Rl的部分(區(qū)域SI)因受到蝕刻而厚度(Y軸方向上的寬度)變薄，從而在表面AWa及背面AWb上分別形成具有深度L1、深度L2的凹部AWc。像這樣，含有連結(jié)部133的區(qū)域SI形成為距框部132的表面為5 μ m?15 μ m的深度(第I工序)。
[0092]接著，如圖2(c)所示，在除區(qū)域S3以外的表面AWa及背面AWb上形成抗蝕劑圖案R2。與抗蝕劑圖案Rl同樣地，抗蝕劑圖案R2是通過(guò)光刻法而形成，所述光刻法是在壓電晶片AW的整個(gè)面上涂布抗蝕劑后，對(duì)掩膜圖案進(jìn)行曝光并顯影?？刮g劑圖案R2是用以形成振動(dòng)部131的掩膜圖案。
[0093]然后，利用規(guī)定的蝕刻劑對(duì)壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb進(jìn)行濕法蝕刻。由此，如圖2(d)所示，未被覆抗蝕劑圖案R2的部分(區(qū)域S3)因受到蝕刻而厚度變薄，從而在區(qū)域S3中形成凹部AWd。此時(shí)，凹部AWd為含有振動(dòng)部131的部分，因此適當(dāng)調(diào)整厚度以使振動(dòng)部131具備所需的頻率特性。像這樣，除連結(jié)部133以外，對(duì)含有振動(dòng)部131的區(qū)域S3進(jìn)行薄壁化(第2工序)。
[0094]接著，如圖2(e)所示，在除區(qū)域S4以外的表面AWa及背面AWb上形成抗蝕劑圖案R3。與抗蝕劑圖案Rl等同樣地，抗蝕劑圖案R3也是通過(guò)光刻法而形成?？刮g劑圖案R3是用以形成臺(tái)面135a、臺(tái)面135b的掩膜圖案。
[0095]然后，利用規(guī)定的蝕刻劑對(duì)壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb進(jìn)行濕法蝕刻。由此，如圖2(f)所示，未被覆抗蝕劑圖案R3的部分(區(qū)域S4)因受到蝕刻而厚度變薄，從而在表面AWa及背面AWb上分別形成具有與高度H1、高度H2為相同深度的凹部AWe。
[0096]接著，如圖2(g)所示，在除區(qū)域S5以外的表面AWa及背面AWb上形成抗蝕劑圖案R4。與抗蝕劑圖案Rl等同樣地，抗蝕劑圖案R4也是通過(guò)光刻法而形成?？刮g劑圖案R4是用以形成貫通孔134的掩膜圖案。
[0097]然后，利用規(guī)定的蝕刻劑對(duì)壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb進(jìn)行濕法蝕刻。由此，如圖2(h)所示，未被覆抗蝕劑圖案R4的部分(區(qū)域S5)因受到蝕刻而形成貫通孔134。而且，如圖2(h)所示，在振動(dòng)部131、框部132以及連結(jié)部133的表面133a及背面133b上分別形成激振電極137a、激振電極137b及引出電極138a、引出電極138b。所述激振電極137a、激振電極137b或弓丨出電極138a、引出電極138b是通過(guò)使用了金屬掩膜的濺射或真空蒸鍍等而使導(dǎo)電性的金屬膜成膜，由此大致同時(shí)形成。作為金屬膜，例如在使作為基底層的鎳鎢成膜后，接著使作為主電極層的金膜成膜。此外，也可在使鉻成膜后使鎳鎢成膜來(lái)作為基底層。由此形成壓電振動(dòng)片130。此外，在壓電振動(dòng)片130中，當(dāng)連接部分139形成為與連結(jié)部133的厚度相同的厚度時(shí)，連接部分139與連結(jié)部133 —并形成。
[0098]像這樣，根據(jù)壓電振動(dòng)片130的制造方法，通過(guò)具有第I工序及第2工序，可將連結(jié)部133形成為距框部132的表面為5 μ m?15 μ m的深度，且可將振動(dòng)部131形成為規(guī)定的厚度以具備所需的頻率特性。而且，在壓電振動(dòng)片130中，當(dāng)設(shè)置連接部分139時(shí)，上述第2工序可僅對(duì)區(qū)域S3中除與連結(jié)部133的連接區(qū)域以外的區(qū)域進(jìn)行薄壁化而形成具有規(guī)定的厚度的連接部分139。
[0099]而且，根據(jù)上述壓電振動(dòng)片130的制造方法，通過(guò)在準(zhǔn)備壓電晶片AW后即刻進(jìn)行第I工序，可使第I工序容易進(jìn)行，可更確實(shí)地將含有連結(jié)部133的區(qū)域S2的深度L1、深度L2形成為5 μ m?15 μ m。
[0100]而且，根據(jù)上述壓電振動(dòng)片130的制造方法，通過(guò)在第I工序后即刻進(jìn)行第2工序，含有振動(dòng)部131的區(qū)域S3為已利用第I工序進(jìn)行薄壁化的部分，在第2工序中進(jìn)行薄壁化的量變少。即，第2工序的蝕刻量降低且蝕刻時(shí)間縮短。由此，可降低壓電振動(dòng)片130的制造成本。
[0101](壓電振動(dòng)片的另一制造方法)
[0102]接著，使用圖3(a)?圖3(d)，對(duì)與上述壓電振動(dòng)片130的制造方法不同的另一制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3(a)?圖3(d)的各圖是相當(dāng)于沿著圖1(a)的A-A線的剖面的圖。
[0103]首先，如圖3(a)所示，在利用拋光加工等而精加工為不具有微小突起等的鏡面狀的壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb中，在除區(qū)域S3以外的區(qū)域中形成抗蝕劑圖案R5。壓電晶片AW是利用AT切割而從晶體結(jié)晶體中切出。壓電晶片AW可利用研磨等而形成為規(guī)定的厚度?？刮g劑圖案R5通過(guò)光刻法而形成。
[0104]然后，利用規(guī)定的蝕刻劑對(duì)壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb進(jìn)行濕法蝕刻。由此，如圖3(b)所示，未被覆抗蝕劑圖案R5的部分(區(qū)域S3)因受到蝕刻而厚度變薄，從而在區(qū)域S3中形成凹部AWd。此時(shí)，凹部AWd為含有振動(dòng)部131的部分，因此適當(dāng)調(diào)整厚度以使振動(dòng)部131具備所需的頻率特性。像這樣，除連結(jié)部133以外，對(duì)含有振動(dòng)部131的區(qū)域S3進(jìn)行薄壁化(第2工序)。
[0105]接著，如圖3(c)所示，在除區(qū)域S6以外的表面AWa及背面AWb上形成抗蝕劑圖案R6。抗蝕劑圖案R6是通過(guò)光刻法而形成?？刮g劑圖案R6是用以進(jìn)行連結(jié)部133的深度的調(diào)整且形成臺(tái)面135a、臺(tái)面135b的掩膜圖案。
[0106]然后，利用規(guī)定的蝕刻劑對(duì)壓電晶片AW的表面AWa及背面AWb進(jìn)行濕法蝕刻。由此，如圖3(d)所示，未被覆抗蝕劑圖案R6的部分(區(qū)域S5)因受到蝕刻而厚度(Y軸方向上的寬度)變薄，從而在表面AWa及背面AWb上的連結(jié)部133的區(qū)域中分別設(shè)置深度L1、深度L2而形成為距框部132的表面為5μπι?15μπι的深度(第I工序)。同時(shí)，在表面AWa及背面AWb上分別形成具有高度Hl、高度Η2的臺(tái)面135a、臺(tái)面135b。
[0107]關(guān)于此后的工序，與上述圖2(g)、圖2(h)所示的工序相同，而在壓電晶片AW上形成貫通孔134 (參照?qǐng)D2(g))，在振動(dòng)部131、框部132以及連結(jié)部133的表面133a及背面133b上分別形成激振電極137a、激振電極137b及引出電極138a、引出電極138b (參照?qǐng)D2(h))。由此，形成壓電振動(dòng)片130。
[0108]像這樣，根據(jù)上述壓電振動(dòng)片130的另一制造方法，可同時(shí)進(jìn)行臺(tái)面135a、臺(tái)面135b的形成工序與第I工序。而且，壓電振動(dòng)片130的深度L1、深度L2及高度H1、高度H2相同。因此，可謀求壓電振動(dòng)片130的制造工序的簡(jiǎn)化及制造時(shí)間的縮短，從而可降低制造成本。
[0109]如上所述，可先進(jìn)行第I工序及第2工序中的任一個(gè)。然而，壓電振動(dòng)片130的制造方法并不限定于上述2種。例如，也可同時(shí)進(jìn)行第I工序與第2工序的一部分，或者同時(shí)進(jìn)行第I工序與第2工序的全部。此外，在連接部分139具有圖1(b)所示的厚度D2時(shí)，可與將連結(jié)部133形成為深度L1、深度L2的工序同時(shí)地形成連接部分139。
[0110]〈第2實(shí)施形態(tài)〉
[0111]接著，使用圖4(a)、圖4(b)對(duì)第2實(shí)施形態(tài)的壓電振動(dòng)片230進(jìn)行說(shuō)明。在以下的說(shuō)明中，對(duì)與第I實(shí)施形態(tài)相同或同等的構(gòu)成部分附上相同的符號(hào)，并省略或簡(jiǎn)化說(shuō)明。本實(shí)施形態(tài)的壓電振動(dòng)片230與圖1 (a)、圖1(b)所示的壓電振動(dòng)片130的不同之處在于，代替第I實(shí)施形態(tài)的連結(jié)部133而設(shè)有連結(jié)部233。
[0112]如圖4(a)、圖4(b)所示，壓電振動(dòng)片230具有連結(jié)部233。如圖4(b)所示，連結(jié)部233的表面及背面以Z軸方向上的中央部分凹陷的狀態(tài)形成。凹陷部分的兩側(cè)即連結(jié)部233的+Z軸側(cè)與-Z軸側(cè)形成為相同的厚度。
[0113]連結(jié)部233將振動(dòng)部131與框部132予以連結(jié)。在含有連結(jié)部233的表面的-Z軸側(cè)端部的區(qū)域設(shè)有向+Y軸方向突出的突出部233c。在含有連結(jié)部233的表面的+Z軸側(cè)端部的區(qū)域設(shè)有向+Y軸方向突出的突出部233d。而且，在含有連結(jié)部233的背面的-Z軸側(cè)端部的區(qū)域設(shè)有向-Y軸方向突出的突出部233e。在含有連結(jié)部233的背面的+Z軸側(cè)端部的區(qū)域設(shè)有向-Y軸方向突出的突出部233f。而且，在連接部233中，以通過(guò)突出部233c與突出部233d之間的方式形成有引出電極238a。而且，以通過(guò)突出部233e與突出部233f之間的方式形成有弓I出電極238b。
[0114]突出部233c及突出部233d的+Y側(cè)的面(連結(jié)部233的表面233a)相對(duì)于框部132的表面132a而具有深度(-Y軸方向上的距離)L3。而且，突出部233e及突出部233f的-Y側(cè)的面(連結(jié)部233的背面233b)相對(duì)于框部132的背面132b而具有深度(-Y軸方向上的距離)L4。將深度L3、深度L4設(shè)定為5μηι?15μηι。而且,深度L3及深度L4可形成為相同的深度，也可為不同的深度。而且，深度L3及深度L4中的一個(gè)深度可小于5 μ m,或者可大于15 μ m。例如，突出部233c及突出部233d的+Y側(cè)的面與突出部233e及突出部233f的-Y側(cè)的面中的一個(gè)面可與框部132的表面132a或背面132b形成為同一個(gè)面。
[0115]連結(jié)部233的厚度D22比振動(dòng)部131的厚度Dl (參照?qǐng)D1(b))厚。此外，也可將所述厚度D22設(shè)定為與厚度Dl相同的厚度，或者比厚度Dl薄的厚度。
[0116]突出部233c?突出部233f的表面形成為矩形形狀。此外，突出部233c?突出部233f中的一部分或全部的寬度及形狀可不相同。而且，也可不設(shè)置突出部233c?突出部233f中的一部分。而且，突出部233c與突出部233d能以一部分相連的方式形成。而且，突出部233e與突出部233f能以一部分相連的方式形成。
[0117]此外，如圖4(a)、圖4(b)所示，振動(dòng)部131中與連結(jié)部233的連接部分239a、連接部分23%可形成為與臺(tái)面周邊部136a的厚度相同的厚度，但并不限定于此，也可形成有比臺(tái)面周邊部136a的厚度厚的壁。此時(shí)，連接部分239a連接于連結(jié)部233的+X側(cè)且-Z側(cè)的端部。連接部分239b連接于連結(jié)部233的+X側(cè)且+Z側(cè)的端部。而且，所述連接部分239a、連接部分239b的厚度與連結(jié)部233的厚度D22相同。連接部分239a、連接部分239b的表面(+Y方向上的面)與突出部233c、突出部233d的+Y側(cè)的面形成為同一個(gè)面。連接部分239a、連接部分23%的背面(-Y方向上的面)與表面?zhèn)韧瑯拥匦纬伞?br> [0118]連接部分239a、連接部分239b的表面及背面并不限定為與突出部233c?突出部233f的表面形成為同一個(gè)面。連接部分239a、連接部分23%的表面及背面能以分別增大或減小X軸方向上的寬度及Z軸方向上的寬度的方式進(jìn)行變更而形成。而且，可僅形成連接部分239a、連接部分239b中的一個(gè)。而且，連接部分239a、連接部分239b也可一體地形成。
[0119]像這樣，根據(jù)第2實(shí)施形態(tài)，將會(huì)有大的應(yīng)力產(chǎn)生的連結(jié)部233的+Z側(cè)及-Z側(cè)設(shè)為厚壁，并且將其表面的深度設(shè)為相對(duì)于框部132而為5μπι?15μπι，因此，可效率良好地抑制在所述部分中形成大的微小突起等，提高壓電振動(dòng)片230的耐沖擊性。此外，壓電振動(dòng)片230的制造方法與上述壓電振動(dòng)片130的制造方法大致相同。
[0120]〈壓電元件〉
[0121]接著，對(duì)壓電元件的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。如圖5所示，壓電元件100是以?shī)A著壓電振動(dòng)片130的方式，將蓋體110接合于壓電振動(dòng)片130的+Y側(cè)，并將基座120接合于-Y側(cè)而構(gòu)成。蓋體110以及基座120與壓電振動(dòng)片130同樣地，例如使用AT切割的晶體材料。此外，作為壓電振動(dòng)片130，使用圖1 (a)、圖1(b)所示的第I實(shí)施形態(tài)的壓電振動(dòng)片130。蓋體110以及基座120利用與壓電振動(dòng)片130相同的材料形成，由此避免了熱膨脹系數(shù)中廣生差異。
[0122]如圖5所示，蓋體110形成為矩形的板狀，且具有形成于背面(-Y側(cè)的面)的凹部111、及包圍凹部111的接合面112。此外，是否在蓋體110的背面上形成凹部111為任意，如壓電振動(dòng)片130的振動(dòng)部131這樣，在對(duì)框部132進(jìn)行薄壁化時(shí)，也存在不需要凹部111的情況。接合面112與壓電振動(dòng)片130的框部132的表面132a相對(duì)向。
[0123]蓋體110利用配置于接合面112與框部132的表面132a之間的未圖示的接合材料，而接合于壓電振動(dòng)片130的表面?zhèn)?+Y側(cè)的面?zhèn)?。作為接合材料，例如使用具有非導(dǎo)電性的低熔點(diǎn)玻璃，但也可代替其而使用聚酰亞胺等樹(shù)脂。而且，接合面112與表面132a也可直接接合。
[0124]如圖5所示，基座120形成為矩形的板狀，且具有形成于表面(+Y側(cè)的面)的凹部
121、及包圍凹部121的接合面122。接合面122與壓電振動(dòng)片130的框部132的背面132b相對(duì)向?；?20利用配置于接合面122與框部132的背面132b之間的未圖示的接合材料，而接合于壓電振動(dòng)片130的背面?zhèn)?-Y側(cè)的面?zhèn)?。而且，接合面122與背面132b也可直接接合。
[0125]在基座120的4個(gè)角部中的成為對(duì)角的2個(gè)角部(+X側(cè)且+Z側(cè)的角部，以及-X側(cè)且-Z側(cè)的角部)中，形成有將一部分切除而成的齒形結(jié)構(gòu)(Castellati0n)123、齒形結(jié)構(gòu)123a。而且，在基座120的背面(-Y側(cè)的面)上，分別設(shè)有作為一對(duì)安裝端子的外部電極126、外部電極126a。在齒形結(jié)構(gòu)123、齒形結(jié)構(gòu)123a中分別形成有齒形結(jié)構(gòu)電極124、齒形結(jié)構(gòu)電極124a，進(jìn)而，在基座120的表面(+Y側(cè)的面)且包圍齒形結(jié)構(gòu)123、齒形結(jié)構(gòu)123a的區(qū)域中，分別形成有連接電極125、連接電極125a。所述連接電極125、連接電極125a與外部電極126、外部電極126a經(jīng)由齒形結(jié)構(gòu)電極124、齒形結(jié)構(gòu)電極124a電性連接。此外，齒形結(jié)構(gòu)123、齒形結(jié)構(gòu)123a并不限定為設(shè)置于角部，也可設(shè)置于邊部。
[0126]齒形結(jié)構(gòu)電極124、齒形結(jié)構(gòu)電極124a、連接電極125、連接電極125a以及外部電極126、外部電極126a例如通過(guò)使用了金屬掩膜等的濺射或真空蒸鍍而使導(dǎo)電性的金屬膜成膜，由此形成為一體。此外，這些電極也可分別形成。而且，這些電極例如使用按照鎳鎢層、金層的順序積層而成的2層結(jié)構(gòu)的金屬膜，或按照鉻層、鎳鎢層、金層的順序積層而成的3層結(jié)構(gòu)的金屬膜。
[0127]在3層結(jié)構(gòu)的金屬膜中使用鉻的理由在于，鉻與晶體材料的密接性?xún)?yōu)異，并且擴(kuò)散至鎳鎢層而在其露出面形成氧化膜(鈍態(tài)的膜)，從而提高金屬膜的耐腐蝕性。
[0128]此外，作為金屬膜，也可代替鉻，而例如使用鋁(Al)或鈦或者它們的合金等。而且，也可代替鎳鎢，而例如使用鎳或鎢(W)等。而且，還可代替金而例如使用銀等。
[0129]基座120的連接電極125與引出至壓電振動(dòng)片130的背面為止的引出電極138b電性連接，而且，連接電極125a與壓電振動(dòng)片130的引出電極138a電性連接。此外，在基座120中，并不限定于利用齒形結(jié)構(gòu)123、齒形結(jié)構(gòu)123a來(lái)進(jìn)行連接電極125、連接電極125a與外部電極126、外部電極126a的連接，例如也可使用在Y軸方向上貫通基座120的貫通電極來(lái)進(jìn)行連接。
[0130]像這樣，根據(jù)壓電元件100，因使用耐沖擊性經(jīng)提高的壓電振動(dòng)片130，故可抑制壓電元件100的破損，提高壓電元件100的耐久性或可靠性。
[0131]〈壓電元件的制造方法〉
[0132]接著，使用圖6?圖9來(lái)說(shuō)明壓電元件100的制造方法。圖6是表示壓電元件100的制造工序的流程圖。關(guān)于針對(duì)壓電晶片AW進(jìn)行的各種工序(壓電振動(dòng)片130的制造方法)，與上述相同。
[0133]即，如圖6所不，準(zhǔn)備壓電晶片AW(步驟S01),利用第I工序?qū)袎弘娋珹W的連結(jié)部133的區(qū)域進(jìn)行薄壁化(步驟S02，參照?qǐng)D2(b))，繼而，利用第2工序(process)對(duì)含有壓電晶片AW的振動(dòng)部131的區(qū)域進(jìn)行薄壁化(步驟S03，參照?qǐng)D2(c))，在振動(dòng)部131上形成臺(tái)面135a等(步驟S04，參照?qǐng)D2(e)及圖2 (f))，然后，在壓電晶片AW中形成貫通孔134 (步驟S05，參照?qǐng)D2 (g)及圖2 (h))，在振動(dòng)部131等上形成電極(步驟S06，參照?qǐng)D2 (h))。由此，如圖7所示，形成將壓電振動(dòng)片130的構(gòu)成要素配置成矩陣狀的壓電晶片AW。此外，在圖7中省略臺(tái)面135a。
[0134]而且，與壓電晶片AW的加工并行地制造蓋體110以及基座120。在所述蓋體110以及基座120中，與壓電振動(dòng)片130同樣地，也進(jìn)行從蓋體晶片LW、基座晶片BW中逐個(gè)切出的多重切取。
[0135]首先，與壓電晶片AW—并準(zhǔn)備蓋體晶片LW以及基座晶片BW (步驟S11、步驟S21)。各晶片與壓電晶片AW同樣地，使用的是從水晶結(jié)晶體經(jīng)AT切割所得的晶片。這是因?yàn)?，在壓電元?00的制造工序的將晶片彼此加以接合的工序、或在晶片的表面上形成金屬膜的工序中，各晶片會(huì)受到加熱而熱膨脹，若使用熱膨脹系數(shù)不同的原材料的晶片，則有可能因熱膨脹系數(shù)的差異而產(chǎn)生變形或裂縫等。在利用拋光加工對(duì)各晶片LW、晶片BW的表面進(jìn)行研磨后，對(duì)所述表面進(jìn)行清洗。
[0136]利用光刻法以及蝕刻在蓋體晶片LW的背面上形成凹部111 (步驟S12)。由此，如圖8所示，形成將凹部111配置成矩陣狀的蓋體晶片LW。而且，在基座晶片BW的表面中，利用光刻法以及蝕刻在表面形成凹部121 (步驟S22)。繼而，在基座晶片BW中形成相當(dāng)于齒形結(jié)構(gòu)123、齒形結(jié)構(gòu)123a的貫通口 150(步驟S23)。
[0137]進(jìn)而，在基座晶片BW的貫通口的側(cè)面形成齒形結(jié)構(gòu)電極，并且在基座晶片BW的表面?zhèn)刃纬蛇B接電極，在基座晶片BW的背面(-Y側(cè)的面)側(cè)形成外部電極(步驟S24)。所述齒形結(jié)構(gòu)電極、連接電極以及外部電極分別通過(guò)使用了金屬掩膜等的濺射或真空蒸鍍而形成。由此，如圖9所示，形成將各構(gòu)成要素配置成矩陣狀的基座晶片BW。此外，在圖9中，省略電極來(lái)進(jìn)行表示。而且，關(guān)于針對(duì)蓋體晶片LW、基座晶片BW而進(jìn)行的凹部111、凹部121等的加工，也可代替蝕刻等而利用機(jī)械方法來(lái)進(jìn)行。
[0138]繼而，在真空環(huán)境下，將圖8所示的蓋體晶片LW經(jīng)由接合材料而接合于圖7所示的壓電晶片AW的表面上，而且，將圖9所示的基座晶片BW經(jīng)由接合材料而接合于壓電晶片AW的背面上(步驟S07)。低熔點(diǎn)玻璃等接合材料因受到加熱而成為熔融狀態(tài)并經(jīng)涂布，且通過(guò)固化而將晶片彼此接合。此外，關(guān)于針對(duì)壓電晶片AW進(jìn)行的蓋體晶片LW以及基座晶片BW的接合，也可代替使用接合材料而進(jìn)行直接接合。
[0139]然后，沿著預(yù)先設(shè)定的劃線SL1、劃線SL2，并例如利用切割鋸(dicing saw)等將經(jīng)接合的晶片切斷(步驟S08)。由此，各個(gè)壓電元件100完成。
[0140]像這樣，根據(jù)壓電元件100的制造方法，可大量且容易地對(duì)壓電元件100進(jìn)行制造，且能以低成本提供上述耐久性或可靠性?xún)?yōu)異的壓電元件100。此外，在上述實(shí)施形態(tài)中使用的是第I實(shí)施形態(tài)中所說(shuō)明的壓電振動(dòng)片130，但也可代替其而使用第2實(shí)施形態(tài)中所說(shuō)明的壓電振動(dòng)片230。
[0141]例如，在上述實(shí)施形態(tài)中，示出晶體振子(壓電振子)來(lái)作為壓電元件100，但也可為振蕩器。在為振蕩器時(shí)，在基座120上搭載集成電路(integrated circuit, IC)等,并將壓電振動(dòng)片130的引出電極138a等，或基座120的外部電極126、外部電極126a分別連接于IC等。而且，上述實(shí)施形態(tài)中，使用與壓電振動(dòng)片130相同的AT切割的晶體材料來(lái)作為蓋體110以及基座120，但也可代替其而使用其他類(lèi)型的晶體材料或玻璃、陶瓷等。
【權(quán)利要求】
1.一種壓電振動(dòng)片，包括:振動(dòng)部，包圍所述振動(dòng)部的框部，以及將所述振動(dòng)部與所述框部予以連結(jié)的連結(jié)部，所述壓電振動(dòng)片的特征在于: 所述連結(jié)部的表面及背面中的至少一個(gè)相對(duì)于所述框部而形成為5 μ m?15 μ m的深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于:所述連結(jié)部的表面及背面中的至少一個(gè)相對(duì)于所述框部而形成為10 μ m的深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于:與所述振動(dòng)部相比，所述連結(jié)部形成得較厚。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于:所述振動(dòng)部中與所述連結(jié)部的連接部分形成為與所述連結(jié)部相同的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于:所述振動(dòng)部中與所述連結(jié)部的連接部分形成為與所述連結(jié)部相同的厚度。
6.一種壓電振動(dòng)片的制造方法，所述壓電振動(dòng)片包括:振動(dòng)部，包圍所述振動(dòng)部的框部，以及將所述振動(dòng)部與所述框部予以連結(jié)的連結(jié)部，所述壓電振動(dòng)片的制造方法的特征在于包含: 第I工序，將含有所述連結(jié)部的區(qū)域形成為距所述框部的表面為5μπι?15μπι的深度，以及 第2工序，除所述連結(jié)部以外，對(duì)含有所述振動(dòng)部的區(qū)域進(jìn)行薄壁化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電振動(dòng)片的制造方法，其特征在于:所述第2工序是在含有所述振動(dòng)部的區(qū)域中，除與所述連結(jié)部的連接區(qū)域以外進(jìn)行薄壁化。
8.一種壓電元件，其特征在于:含有根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的壓電振動(dòng)片。
9.一種壓電元件的制造方法，其特征在于:將蓋體以及基座分別接合于根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的壓電振動(dòng)片的所述框部的表面以及背面。
【文檔編號(hào)】H03H9/15GK104348443SQ201410379610
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年8月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月5日
【發(fā)明者】水沢周一, 高橋岳寬 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社