1.一種非易失性存儲元件，包括：
倒錐狀第一電極；
存儲介質(zhì)層，其包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分貼附在倒錐狀第一電極的外側(cè)面上，所述第二部分與所述倒錐狀第一電極的外側(cè)面非平行設置以至于與所述第一部分連接并形成夾角；
第二電極，其形成在所述存儲介質(zhì)層的第一部分與第二部分之間形成的所述夾角的內(nèi)側(cè)。
2.如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其特征在于，所述存儲介質(zhì)層選自氧化鋁(AlOx),氧化鎢(WOx),氧化鉿(HfOx),氧化鉭(TaOx),氧化鈦(TiOx),氧化硅(SiO2),氧化鋅(ZnOx),氧化鎳(NiOx),鍺銻碲合金(GeSbyTex)中的一種材料或幾種材料的組合。
3.如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其特征在于，所述非易失性存儲元件為電阻隨機存取存儲，所述存儲介質(zhì)層為阻變存儲介質(zhì)層，其中，所述阻變存儲介質(zhì)層被配置為在所述第一電極和所述二電極之間偏置編程信號時、在對應所述存儲介質(zhì)層的夾角處大致定位形成用于存儲編程的導電細絲。
4.如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中所述第一電極選自由Pt,Ag,Cu,TaN,TiN,Al,W或者其中合金中的一種材料形成。
5.如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中所述第二電極選自由Pt,Ag,Cu,TaN,TiN,Al,W或者其中合金中的一種材料形成。
6.根據(jù)權利要求1的非易失性存儲元件，其中，所述倒錐狀第一電極形成在第一介質(zhì)層中并且倒錐狀第一電極的較大的上端部分外露形成柱臺結構，所述第一部分和第二部分通過保形覆蓋于該柱臺結構上形成，其中第一部分包圍所述第一電極的上端部分的外側(cè)面，所述第二部分形成在所述第一介質(zhì)層的上表面。
7.根據(jù)權利要求6的非易失性存儲元件，其中，通過設置所述倒錐狀第一電極的錐角大小來設置所述夾角的角度大小。
8.根據(jù)權利要求1或7的非易失性存儲元件，其中，所述夾角的角度大于或等于60°且小于或等于80°。
9.如權利要求1的非易失性存儲元件，其中所述存儲介質(zhì)層的厚度大于或等于10nm且小于或等于100nm。
10.如權利要求1的非易失性存儲元件，其中所述非易失性存儲元件被集成設置CMOS電路的后端結構中。
11.如權利要求10的非易失性存儲元件，其中所述倒錐狀第一電極為用于連接互連線層的金屬通孔結構，所述第二電極為該互連線層的一部分。
12.一種非易失性存儲元件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一介質(zhì)層中形成倒錐狀第一電極；
對所述第一介質(zhì)層選擇刻蝕以使所述倒錐狀第一電極的較大的上端部分外露形成柱臺結構；
淀積保形覆蓋于該柱臺結構和第一介質(zhì)層上的存儲介質(zhì)層，從而使所述存儲介質(zhì)層至少包括貼附在倒錐狀第一電極的外側(cè)面上的第一部分和與所述倒錐狀第一電極的外側(cè)面非平行設置的第二部分，所述第一部分與所述第二部分連接并形成夾角；在所述存儲介質(zhì)層的第一部分與第二部分之間形成的所述夾角的內(nèi)側(cè)形成第二電極。
13.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二電極的步驟中，包括：
淀積第二電極材料層；
對所述第二電極材料層進行化學機械研磨直至所述柱臺結構的上表面外露。
14.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法與CMOS電路的后端結構制備工藝相集成；
其中，所述第一介質(zhì)層為金屬層間介質(zhì)層，所述倒錐狀第一電極為用于連接互連線層的金屬通孔結構，所述第二電極為該互連線層的一部分。