技術(shù)編號(hào)：12370614
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種可以降低非易失性存儲(chǔ)元件的寫操作電壓的存儲(chǔ)元件及其制造方法。背景技術(shù)針對(duì)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的低功耗及高密度應(yīng)用目標(biāo)，已經(jīng)有多種研究展開，包括從材料上、器件結(jié)構(gòu)上、制造方法上及外圍電路設(shè)計(jì)上進(jìn)行了一系列的探索。閃存是存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)即使在斷電之后也可得到保留的非易失存儲(chǔ)的代表。閃存具有非易失性，與易失存儲(chǔ)器不同。但是，閃存具有低集成度和需要大電壓操作的缺點(diǎn)。現(xiàn)在已經(jīng)對(duì)非易失存儲(chǔ)器進(jìn)行了許多研究，這些非易失存儲(chǔ)器包括磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。