專利名稱：具有光傳感器的攝像裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有光傳感器的攝像裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在日本特開2010-56292號公報上公開了如下技術(shù)隔著框狀的間隔件將下表面具有透鏡的玻璃板安裝到光傳感器。該情況下，光傳感器具有半導(dǎo)體基板。在半導(dǎo)體基板的上表面中央部設(shè)有受光部。在半導(dǎo)體基板的上表面周邊部設(shè)有與受光部連接的連接焊盤。在半導(dǎo)體基板的下表面設(shè)有配線。例如在CMOS的情況下，為了將信號作為電壓取出，配線是必須的。配線的一端部經(jīng)由設(shè)置在位于半導(dǎo)體基板的周邊部的貫通孔內(nèi)的貫通電極而與連接焊盤相連接。在除配線的焊接區(qū)(land)以外的半導(dǎo)體基板的下表面設(shè)有絕緣膜，配線的焊接區(qū)經(jīng)由設(shè)置于絕緣膜的開口部而露出。在經(jīng)由絕緣膜的開口部而露出的配線的焊接區(qū)的下表面設(shè)有焊料球。在日本特開2010-56292號公報中，首先，準(zhǔn)備比作為完成品的攝像裝置的半導(dǎo)體基板的厚度厚的半導(dǎo)體晶片。在該情況下，在半導(dǎo)體晶片的攝像裝置形成區(qū)域的上表面的中央部設(shè)置受光部，在其周圍設(shè)置與受光部連接的連接焊盤。接著，將在與半導(dǎo)體晶片尺寸相同的玻璃板的下表面處設(shè)有多個透鏡的部件隔著格子狀的間隔件而安裝在半導(dǎo)體晶片上。接著，對半導(dǎo)體晶片的下表面?zhèn)冗M行研磨，使半導(dǎo)體晶片的厚度變薄。接著，在半導(dǎo)體晶片的攝像裝置的形成區(qū)域內(nèi)的周邊部形成貫通孔。接著，在包含貫通孔內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的下表面處，通過電解鍍，形成配線以及貫通電極。接著，在半導(dǎo)體晶片的下表面?zhèn)龋纬删哂虚_口部的絕緣膜。接著，在經(jīng)由絕緣膜的開口部而露出的配線的焊接區(qū)的下表面處形成焊料球。接著，切斷半導(dǎo)體晶片、格子狀的間隔件以及與半導(dǎo)體晶片尺寸相同的玻璃板，從而得到多個攝像裝置。但是，在上述以往的攝像裝置的制造方法中，存在在半導(dǎo)體晶片的攝像裝置形成區(qū)域內(nèi)的周邊部形成貫通孔的工序較多的問題，如對半導(dǎo)體晶片的下表面形成抗蝕劑膜、 對抗蝕劑膜形成開口部、基于以抗蝕劑膜作為掩模的刻蝕而形成半導(dǎo)體晶片的貫通孔、剝離抗蝕劑膜等。并且，還存在以下問題，即在對半導(dǎo)體晶片的下表面?zhèn)冗M行研磨而使得半導(dǎo)體晶片的厚度變薄的工序之前，為了進行強化而必須在半導(dǎo)體晶片上配置與該半導(dǎo)體晶片尺寸相同的玻璃板，從而在加工過程中受到制約。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種攝像裝置及其制造方法，能夠減少工序數(shù)，并且在加工過程中不易受到制約。根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，提供了一種攝像裝置，其特征在于，具有透鏡單元，光從該透鏡單元的一個面入射；和光傳感器，該光傳感器具有半導(dǎo)體基板，設(shè)置在所述透鏡單元的另一面?zhèn)?，從所述透鏡單元出射的光從該半導(dǎo)體基板的一個面入射；和設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)鹊墓怆娹D(zhuǎn)換器件區(qū)域及連接焊盤。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，技術(shù)方案9所述發(fā)明的攝像裝置的制造方法，在將光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域及連接焊盤設(shè)在半導(dǎo)體晶片的一個面而得到的光傳感器的所述半導(dǎo)體晶片的另一個面配置透鏡單元。


圖1為作為本發(fā)明的第1實施方式的攝像裝置的剖視圖。圖2為在圖1所示的攝像裝置的制造方法的一例中，最初準(zhǔn)備的部件的一部分的剖視圖。圖3為圖2的后續(xù)工序的剖視圖。圖4為圖3的后續(xù)工序的剖視圖。圖5為圖4的后續(xù)工序的剖視圖。圖6為圖5的后續(xù)工序的剖視圖。圖7為圖6的后續(xù)工序的剖視圖。圖8為圖7的后續(xù)工序的剖視圖。圖9為圖8的后續(xù)工序的剖視圖。圖10為作為本發(fā)明的第1實施方式的另一例的攝像裝置的剖視圖。圖11為作為本發(fā)明的第2實施方式的攝像裝置的剖視圖。圖12為作為本發(fā)明的第2實施方式的另一例的攝像裝置的剖視圖。
具體實施例方式(第1實施方式)圖1表示作為本發(fā)明的第1實施方式的攝像裝置的剖視圖。該攝像裝置具有光傳感器1。光傳感器1具備由硅、或砷化鎵等組成的平面方形的半導(dǎo)體基板2，該砷化鎵是化合物半導(dǎo)體，由Ga(鎵)和As(砷)的化合物組成。在半導(dǎo)體基板2的下表面中央部設(shè)有包含CCD(電荷耦合元件)、光電二極管、光電晶體管等元件的光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3。在半導(dǎo)體基板2的下表面周邊部設(shè)有多個由鋁類金屬等構(gòu)成的、與光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3連接的連接焊盤4。在除半導(dǎo)體基板2的周邊部以及連接焊盤2的中央部以外的半導(dǎo)體基板2的下表面，設(shè)有由氧化硅、氮化硅等構(gòu)成的鈍化膜(絕緣膜)5，并經(jīng)由設(shè)于鈍化膜5的開口部6而使連接焊盤4的中央部露出。在鈍化膜5的下表面設(shè)有由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的保護膜 (絕緣膜)7。在與鈍化膜5的開口部6對應(yīng)的部分的保護膜7處設(shè)有開口部8。在保護膜7的下表面設(shè)有多個配線9。配線9采用由設(shè)在保護膜7的下表面的、 由銅等構(gòu)成的基底金屬層10，和設(shè)在基底金屬層10的下表面的、由銅構(gòu)成的上部金屬層11 構(gòu)成的2層構(gòu)造。配線9的一端部經(jīng)由鈍化膜5及保護膜7的開口部6、8而與連接焊盤4 相連接。在配線9的焊接區(qū)下表面設(shè)有由銅構(gòu)成的柱狀電極(外部連接用電極)12。在半導(dǎo)體基板2的周邊部下表面以及含有配線9的保護膜7的下表面、在柱狀電極12的周圍設(shè)有由包含石英粉(silica filler)的環(huán)氧類樹脂構(gòu)成的密封膜13。這里，柱狀電極12設(shè)置為，下表面與密封膜13的下表面為同一面或比密封膜13的下表面凹陷1 2μπι。
如上所述地，光傳感器1構(gòu)成為，包含半導(dǎo)體基板2、光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3、連接焊盤4、鈍化膜5、保護膜7、由基底金屬層10及上部金屬層11構(gòu)成的2層構(gòu)造的配線9、柱狀電極12以及密封膜13。并且，在光傳感器1的柱狀電極12的下表面設(shè)有焊料球14。在光傳感器1的半導(dǎo)體基板2的上表面，經(jīng)由方形框狀的粘結(jié)劑層22而貼附有平面方形狀的可視光透射板(可視光透射材料)21?？梢暪馔干浒?1具有紅外線截止濾波器 (infrared cut filter)的作用，可以是紅外線反射型或紅外線吸收型，其平面尺寸為比光傳感器1的半導(dǎo)體基板2的平面尺寸稍小。作為可視光透射板21，可采用玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷等，只要是透射可視光的材料即可。在可視光透射板21的上表面設(shè)有透鏡單元23。透鏡單元23通過在框狀的透鏡支架24的內(nèi)部設(shè)置透鏡25而構(gòu)成，該透鏡25配置在光傳感器1的光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3的上方。并且，透鏡單元23的透鏡支架24的下表面經(jīng)由框狀的粘結(jié)劑層26而貼附到可視光透射板21的上表面的周邊部。如圖1中箭頭所示，光從設(shè)置在半導(dǎo)體基板2的另一面的透鏡單元23側(cè)入射。透過透鏡25的光聚光在光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3，并傳送到配線9。這里，由于透鏡25較好地透射紅外線，且光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3具有高紅外線靈敏度，因此光傳感器1的靈敏度主要受用于阻斷位于光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3前的紅外線的可視光透射板21所影響?？梢暪馔干浒?1的紅外線反射率以及紅外線吸收率都為90%以上。 因此，可視光透射板21的紅外線透射率為10%以下。并且，可視光透射板21具有保護光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3的作用。由反射或吸收而阻斷的紅外線的波長為包含約0. 7 μ m 1000 μ m 的范圍的頻率的電磁波。并且，透射可視光透射板21的可視光的波長為包含380 780nm 的范圍的頻率的電磁波。接著，對該攝像裝置的制造方法的一例進行說明。首先，如圖2所示，準(zhǔn)備在晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體基板(下面稱為半導(dǎo)體晶片31)的下表面形成了光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3、連接焊盤4、鈍化膜5、保護膜7、由基底金屬層10及上部金屬層11構(gòu)成的2層構(gòu)造的配線9、柱狀電極12以及密封膜13的部件。對該準(zhǔn)備好的部件的制造方法的一例進行簡單說明，首先，在半導(dǎo)體晶片31下形成光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3，連接焊盤4，鈍化膜5以及保護膜7等。接著，在其下表面整體，通過無電解鍍形成基底金屬層(10)。接著，通過將基底金屬層(10)作為鍍電流通路的電解鍍，形成上部金屬層11以及柱狀電極12。接著，通過將上部金屬層11作為掩模的刻蝕，去除上部金屬層11以外的區(qū)域中的基底金屬層(10)，形成由基底金屬層10及上部金屬層11 構(gòu)成的2層構(gòu)造的配線9。接著，在保護膜7的周圍的半導(dǎo)體晶片31的下表面以及包含配線9的保護膜7的下表面，在柱狀電極12的周圍形成密封膜13。如此，得到圖2所示準(zhǔn)備好的部件。該情況下，不需要在半導(dǎo)體晶片31中形成貫通電極，因此與在半導(dǎo)體晶片31中形成貫通電極的情況相比，能夠減少工序數(shù)。這里，圖2所示的半導(dǎo)體晶片31的厚度為，比圖 1所示的半導(dǎo)體基板2的厚度厚。并且，在圖2中，符號32所示的區(qū)域為切割道。接著，如圖3所示，在柱狀電極12的下表面形成焊料球14。作為焊料球14的形成方法，首先，在柱狀電極12的下表面涂覆焊料膏，或者搭載焊料球。接著，通過進行回流，在柱狀電極12的下表面形成焊料球14。
接著，如圖4所示，準(zhǔn)備保護帶33。該保護帶33通過在基材膜34的上表面設(shè)置紫外線硬化型的未硬化狀態(tài)的粘著劑層35而構(gòu)成。并且，在包含焊料球14的密封膜13的下表面，貼附保護帶33的未硬化狀態(tài)的粘著劑層35。該情況下，粘著劑層35的厚度為比焊料球14的高度厚。因此，在該狀態(tài)下，焊料球14由粘著劑層35完全覆蓋。接著，如圖5所示，準(zhǔn)備吸盤(chuck) 36。吸盤36與未圖示的真空泵等真空源連接，用于吸引裝載在吸盤36上的部件并將其吸附保持。接著，將保護帶33的下表面裝載在吸盤36上從而進行吸附保持。接著，使用研磨砥石(未圖示)對半導(dǎo)體晶片31的下表面?zhèn)冗M行適當(dāng)?shù)匮心?，使半?dǎo)體晶片31的厚度變薄。在該狀態(tài)下，由于在半導(dǎo)體晶片31的下表面?zhèn)刃纬擅芊饽?3并在其下表面?zhèn)荣N附保護帶33，并進一步通過吸盤36對保護帶33的下表面進行吸附保持，因此即使半導(dǎo)體晶片31的厚度變薄，也能夠使半導(dǎo)體晶片31不易彎曲。在該情況下，由于不使用強化用的玻璃板，因此，這樣在加工過程中能夠不易受到制約。接著，如圖6所示，在半導(dǎo)體晶片31的上表面，經(jīng)由方形框狀的粘結(jié)劑層22將平面方形的可視光透射板21貼附到由切割道32所包圍的平面方形的區(qū)域內(nèi)的中央部。但是，在密封膜13的下表面?zhèn)炔毁N附保護帶33、并且在半導(dǎo)體晶片31及密封膜13的合計厚度為350 300 μ m以下的情況下，半導(dǎo)體晶片31的彎曲量變大，難以進行可視光透射板21 的貼附。對此，本實施方式由于在密封膜13的下表面?zhèn)荣N附保護帶33，并且進一步通過吸盤36對保護帶33的下表面進行吸附保持，從而即使半導(dǎo)體晶片31及密封膜13的合計厚度為350 300 μ m以下，半導(dǎo)體晶片31的彎曲量也不會變大，可視光透射板21的貼附也不會變難。接著，解除由吸盤36產(chǎn)生的對保護帶33的下表面的吸附保持，將保護帶33從吸盤36上去除。接著，如圖7所示，準(zhǔn)備透鏡單元23。透鏡單元23通過在框狀的透鏡支架 24的內(nèi)部設(shè)置透鏡25而構(gòu)成。并且，經(jīng)由框狀的粘著劑層26將透鏡單元23的透鏡支架 24的下表面貼附到可視光透射板21的上表面周邊部。接著，從保護帶33的下表面?zhèn)日丈渥贤饩€，使未硬化狀態(tài)的粘著劑層35硬化，使保護帶33成為能夠剝離的狀態(tài)。接著，若將保護帶33從包含焊料球14的密封膜13的下表面剝離，則如圖8所示，包含焊料球14的密封膜13的下表面露出。接著，如圖9所示，若沿著切割道32對半導(dǎo)體晶片31及密封膜13進行切割，則得到如圖1所示的多個攝像裝置。在如上所述得到的攝像裝置中，入射光的方向以箭頭表示，具有光從設(shè)有透鏡單元23的半導(dǎo)體基板2的另一面?zhèn)热肷涞谋趁嬲丈湫偷慕Y(jié)構(gòu)。因此，入射光透過透鏡25，接著透過可視光透射板21以及半導(dǎo)體基板2，到達光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3。這樣，由于在透鏡與光傳感器之間沒有配線，透鏡與光傳感器相接近，因此成為使得傾斜的光也容易到達的結(jié)構(gòu)。此時，設(shè)置在半導(dǎo)體基板2的一面的配線9及柱狀電極12位于比光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3 更靠近下方的位置，因此不會因配線9及柱狀電極12而遮住光，能夠提高效率。根據(jù)以上的原因，即使俯視時光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域3與配線9及柱狀電極12重疊形成，也不會有絲毫問題。并且，雖然由于半導(dǎo)體基板2的厚度較薄而容易發(fā)生彎曲，但是在具有柱狀電極12 的結(jié)構(gòu)中，由于密封膜13的厚度較厚而能夠抑制彎曲。另外，在圖2所示的狀態(tài)下，進行各光傳感器形成區(qū)域的電氣測試，在存在被判斷為不良的光傳感器形成區(qū)域的情況下，對于該被判斷為不良的光傳感器形成區(qū)域，在圖6以及圖7所示的工序中，可以不安裝可視光透射板21以及透鏡單元23。這樣，能夠提高成品率。并且，本實施方式中，對半導(dǎo) 體晶片31的另一面進行了可視光透射板21的貼附及透鏡單元23的安裝，但是，也可以在切割后的半導(dǎo)體基板2上安裝并形成單片化的可視光透射板21及透鏡單元23。并且，在本實施方式中，在光傳感器1的半導(dǎo)體基板2與透鏡單元23之間設(shè)置了可視光透射板21，但是例如也可以通過使用具有只透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器的透鏡25，如圖10所示地形成未設(shè)置可視光透射板21的薄型的結(jié)構(gòu)。(第2實施方式)圖11表示作為本發(fā)明的第2實施方式的攝像裝置的剖視圖。該攝像裝置也具有光從箭頭方向入射的背面照射型的結(jié)構(gòu)，與圖1所示的攝像裝置的不同點在于，在光傳感器1 中，省略了柱狀電極12。該情況下，在與配線9的焊接區(qū)(外部連接用電極)對應(yīng)的部分的密封膜13，形成有用于將焊料球14連接到配線9的焊接區(qū)的開口部13a。另外，密封膜13可以由聚酰亞胺類樹脂、阻焊劑等形成。并且，與第1實施方式相同地，在本實施方式中也在光傳感器1的半導(dǎo)體基板2與透鏡單元23之間設(shè)置了可視光透射板21，但是例如也可以通過使用具有只透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器的透鏡25，如圖12所示地形成未設(shè)置可視光透射板21的薄型的結(jié)構(gòu)。以上對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但是本發(fā)明并不限定于此，還包含與記載在權(quán)利要求書的發(fā)明等同的范圍。下面，付記為本申請最初的權(quán)利要求書中所記載的發(fā)明。(附記)技術(shù)方案1所述的攝像裝置，其特征在于，具備透鏡單元，光從該透鏡單元的一個面入射；以及光傳感器，該光傳感器具有半導(dǎo)體基板，設(shè)置在所述透鏡單元的另一面?zhèn)?，從所述透鏡單元出射的光從該半導(dǎo)體基板的一個面入射；以及光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域及連接焊盤，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?。技術(shù)方案2所述的攝像裝置，其特征在于，在技術(shù)方案1所述的攝像裝置中，在上述半導(dǎo)體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。技術(shù)方案3所述的攝像裝置，其特征在于，在技術(shù)方案2所述的攝像裝置中，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹月旨、芴類樹脂、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、 偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。技術(shù)方案4所述的攝像裝置，其特征在于，在技術(shù)方案1所述的攝像裝置中，上述光傳感器具有絕緣膜，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?；配線，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面；柱狀電極，設(shè)置在上述配線的焊接區(qū)下；以及密封膜，在上述配線下及上述絕緣膜下，并設(shè)置在上述柱狀電極的周圍。技術(shù)方案5所述的攝像裝置，其特征在于，
在技術(shù)方案4所述的攝像裝置中，在上述光傳感器的上述柱狀電極下設(shè)有焊料球。技術(shù)方案6所述的攝像裝置，其特征在于，
在技術(shù)方案1所述的攝像裝置中，上述光傳感器具有絕緣膜，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?；配線，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為外部連接用電極的焊接區(qū)；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，且設(shè)置在除上述配線的上述焊接區(qū)以外的區(qū)域。技術(shù)方案7所述的攝像裝置，其特征在于，在技術(shù)方案6所述的攝像裝置中，在上述光傳感器的上述配線的上述焊接區(qū)下設(shè)有焊料球。技術(shù)方案8所述的攝像裝置，其特征在于，在技術(shù)方案1所述的攝像裝置中，構(gòu)成上述透鏡單元的透鏡具有只透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。技術(shù)方案9所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在將光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域以及連接焊盤設(shè)在半導(dǎo)體晶片的一個面而得到的光傳感器的上述半導(dǎo)體晶片的另一個面配置透鏡單元。技術(shù)方案10所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案9所述的攝像裝置的制造方法中，在上述半導(dǎo)體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。技術(shù)方案11所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案10所述的攝像裝置的制造方法中，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。技術(shù)方案12所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案9所述的攝像裝置的制造方法中，形成與上述連接焊盤相連接的外部連接用電極，并對上述半導(dǎo)體晶片進行切割而得到多個攝像裝置。技術(shù)方案13所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案10所述的攝像裝置的制造方法中，具有在配置上述可視光透射材料的工序之前、在上述外部連接用電極下形成焊料球的工序。技術(shù)方案14所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案13所述的攝像裝置的制造方法中，具有在形成上述焊料球的工序之后、對上述半導(dǎo)體晶片的上表面?zhèn)冗M行研磨的工序。技術(shù)方案15所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案14所述的攝像裝置的制造方法中，具有在形成上述焊料球的工序之后且在對上述半導(dǎo)體晶片的上表面?zhèn)冗M行研磨的工序之前、將保護帶貼附到上述半導(dǎo)體晶片的上述焊料球側(cè)的工序，并且具有在配置上述透鏡單元的工序之后、將上述保護帶剝離的工序。
技術(shù)方案16所述的 攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案12所述的攝像裝置的制造方法中，使該攝像裝置具有配線，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面；柱狀電極，設(shè)置在上述配線的焊接區(qū)下，作為上述外部連接用電極；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，并設(shè)置在上述柱狀電極的周圍。技術(shù)方案17所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案12所述的攝像裝置的制造方法中，使該攝像裝置具有配線，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為上述外部連接用電極的焊接區(qū)；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，并設(shè)置在除上述配線的上述焊接區(qū)之外的區(qū)域。技術(shù)方案18所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案9所述的攝像裝置的制造方法中，構(gòu)成上述透鏡單元的透鏡具有只透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。技術(shù)方案19所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在技術(shù)方案10所述的攝像裝置的制造方法中，進行各光傳感器形成區(qū)域的電氣測試，在存在被判斷為不良的光傳感器形成區(qū)域的情況下，對于該被判斷為不良的光傳感器形成區(qū)域，不配置上述可視光透射材料以及上述透鏡單元。
權(quán)利要求
1.一種攝像裝置，其特征在于，具有 透鏡單元，光從該透鏡單元的一個面入射；以及光傳感器，該光傳感器具有半導(dǎo)體基板，設(shè)置在所述透鏡單元的另一面?zhèn)?，從所述透鏡單元出射的光從該半導(dǎo)體基板的一個面入射；以及光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域及連接焊盤，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)取?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，在上述半導(dǎo)體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置，其特征在于，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)氧樹脂、 聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 上述光傳感器具有絕緣膜，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?；配線，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面；柱狀電極，設(shè)置在上述配線的焊接區(qū)下；以及密封膜，在上述配線下及上述絕緣膜下，并設(shè)置在上述柱狀電極的周圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的攝像裝置，其特征在于， 在上述光傳感器的上述柱狀電極下設(shè)有焊料球。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 上述光傳感器具有絕緣膜，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)龋慌渚€，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為外部連接用電極的焊接區(qū)；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，并設(shè)置在除上述配線的上述焊接區(qū)以外的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的攝像裝置，其特征在于，在上述光傳感器的上述配線的上述焊接區(qū)下設(shè)有焊料球。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，構(gòu)成上述透鏡單元的透鏡具有只透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。
9.一種攝像裝置的制造方法，其特征在于，在將光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域以及連接焊盤設(shè)在半導(dǎo)體晶片的一個面而得到的光傳感器的上述半導(dǎo)體晶片的另一個面配置透鏡單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，在上述半導(dǎo)體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)氧樹脂、 聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，形成與上述連接焊盤相連接的外部連接用電極，并對上述半導(dǎo)體晶片進行切割而得到多個攝像裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有在配置上述可視光透射材料的工序之前、在上述外部連接用電極下形成焊料球的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有在形成上述焊料球的工序之后、對上述半導(dǎo)體晶片的上表面?zhèn)冗M行研磨的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有在形成上述焊料球的工序之后且在對上述半導(dǎo)體晶片的上表面?zhèn)冗M行研磨的工序之前、將保護帶貼附到上述半導(dǎo)體晶片的上述焊料球側(cè)的工序，并且具有在配置上述透鏡單元的工序之后、將上述保護帶剝離的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于， 使該攝像裝置具有絕緣膜，設(shè)置在上述半導(dǎo)體晶片的另一面?zhèn)龋?配線，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面； 柱狀電極，設(shè)置在上述配線的焊接區(qū)下，作為上述外部連接用電極；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，并設(shè)置在上述柱狀電極的周圍。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于， 使該攝像裝置具有絕緣膜，設(shè)置在上述半導(dǎo)體晶片的另一面?zhèn)?；配線，與上述連接焊盤相連接地設(shè)置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為上述外部連接用電極的焊接區(qū)；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，且設(shè)置在除上述配線的焊接區(qū)之外的區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，構(gòu)成上述透鏡單元的透鏡具有只透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，進行各光傳感器形成區(qū)域的電氣測試，在存在被判斷為不良的光傳感器形成區(qū)域的情況下，對于該被判斷為不良的光傳感器形成區(qū)域，不配置上述可視光透射材料以及上述透鏡單元。
全文摘要
一種光傳感器(1)，具有位于半導(dǎo)體基板(2)的下表面的光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域(3)以及連接焊盤(4)，并且具有在半導(dǎo)體基板2之下經(jīng)由絕緣膜(5、7)而連接到連接焊盤(3)的配線(9)，以及與該配線(9)相連的作為外部連接用電極的柱狀電極(12)。結(jié)果，與在半導(dǎo)體基板(2)的上表面形成光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域(3)以及與該光電轉(zhuǎn)換器件區(qū)域(3)連接的連接焊盤(4)的情況相比，在半導(dǎo)體基板(2)不需要形成用于使連接焊盤(4)與配線(9)連接的貫通電極，從而能夠減少工序數(shù)，并且能夠在加工過程中不易受到制約。
文檔編號H01L27/146GK102263116SQ20111013873
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月28日
發(fā)明者三原一郎, 若林猛 申請人:卡西歐計算機株式會社