專利名稱：基板輸送裝置和基板輸送方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種向基板載置部進(jìn)行基板的交接的基板輸送裝置和基板輸送方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體元器件和IXD基板的制造工藝中，在裝置內(nèi)設(shè)置多個(gè)對(duì)基板進(jìn)行處理的腔室，利用基板輸送置構(gòu)成為例如如圖13所示，保持基板的叉部件11、12按照沿著基體裝置依次向這些腔室輸送基板，然后進(jìn)行規(guī)定的處理。所述基板輸送裝置13自由進(jìn)退的方式設(shè)置，所述基體13圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)并自由升降。如圖13及圖14所示，在基板輸送裝置中設(shè)置光傳感器14，用于確認(rèn)叉部件11、12 是否從腔室接收了晶片W。在所述多個(gè)腔室中，也包含例如在300°C的高溫下對(duì)晶片W進(jìn)行熱處理的加熱腔室，由于光傳感器14無法適應(yīng)這樣的高溫部位，因此，并未安裝在叉部件 11、12上，而是通過臂15安裝在基體13的頂端側(cè)。在圖13及圖14所示的例子中，當(dāng)叉部件11、12后退至基體13的基端側(cè)時(shí)，通過光傳感器14能夠檢測(cè)出在叉部件11、12的頂端側(cè)是否存在晶片W。例如，在本例中，從投光部 Ha發(fā)光，當(dāng)在受光部14b中接收被晶片表面反射的光時(shí)，判斷存在晶片W(參照?qǐng)D14(a))， 當(dāng)在受光部14b中未接收光時(shí)，判斷不存在晶片W(參照?qǐng)D14 (b))，而檢測(cè)出有無晶片W。但是，當(dāng)叉部件11、12后退至基體13的基端側(cè)時(shí)，檢測(cè)出叉部件11、12上有無晶片W，在這種構(gòu)造中，叉部件11、12在是否正常地接收了晶片W尚不確定的狀態(tài)下進(jìn)行后退動(dòng)作。因此，例如在腔室內(nèi)發(fā)生晶片破損、或晶片的交接位置偏離等故障的情況下，在叉部件11、12接收晶片后，繼續(xù)進(jìn)行其后退動(dòng)作，因此，也有可能引起該晶片落下，導(dǎo)致晶片和基板輸送裝置破損這樣的二次破壞。在上述構(gòu)造中，當(dāng)檢測(cè)出在叉部件11、12上不存在晶片W時(shí)，無法立即判斷故障是在哪個(gè)時(shí)間發(fā)生的。即，在以下幾種情況下發(fā)生在叉部件11、12上不存在晶片W這樣的故障在腔室內(nèi)發(fā)生；或者在腔室和叉部件11、12之間交接晶片W時(shí)發(fā)生；或者在晶片W的輸送過程中發(fā)生。但是，在上述構(gòu)造中，即使在腔室內(nèi)發(fā)生故障，也繼續(xù)進(jìn)行后退動(dòng)作，因此， 有可能無法在發(fā)生故障后立即對(duì)情況進(jìn)行調(diào)查，難以確定原因。因此，需要開發(fā)出一種基板輸送裝置，當(dāng)在腔室內(nèi)在叉部件11、12接收晶片W的時(shí)刻，能夠檢測(cè)出叉部件11、12是否正常地保持了晶片W。近幾年，為了提高處理能力，腔室的配置出現(xiàn)多層化的趨勢(shì)，但是，如果層疊多個(gè)腔室，那么，因?qū)嶋H組裝時(shí)的誤差，腔室和叉部件11、12之間的晶片W的交接位置會(huì)發(fā)生與設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)不同的情況。而且，在發(fā)生故障時(shí)，如果原因在于基板輸送裝置側(cè)，那么，有時(shí)要對(duì)該基板輸送裝置進(jìn)行維修，再進(jìn)行相對(duì)于腔室的晶片的交接位置的校對(duì)。因此，對(duì)于每個(gè)腔室都必須進(jìn)行晶片W的交接位置的校對(duì)，但是，在通常的校對(duì)中，需要校對(duì)用的夾具，如果對(duì)于每個(gè)腔室都進(jìn)行校對(duì)，那么，校對(duì)夾具的拆裝等花費(fèi)時(shí)間，操作繁瑣。因此，如果有一種不使用校對(duì)夾具就能進(jìn)行所述校對(duì)的基板輸送裝置，那么，其靈活度將會(huì)更高，更便利。此處，在專利文獻(xiàn)1中記載了一種構(gòu)造在從外側(cè)向內(nèi)側(cè)呈輻射狀移動(dòng)且配備用于握持晶片的周邊端部的夾持指的夾持臂中，在夾持指的一個(gè)支承體上設(shè)置變形儀。在本例中，夾持臂構(gòu)成為，當(dāng)夾持指握持晶片的周邊端部時(shí)，通過變形儀檢測(cè)出晶片是否位于正確的位置。但是，在該夾持臂中，在利用變形儀檢測(cè)出晶片W交接時(shí)的高度位置的情況下， 在向腔室內(nèi)交接晶片W之前，一點(diǎn)一點(diǎn)地改變臂的高度位置，這在理論上是可以的，但是， 實(shí)際上操作非常繁瑣，因此并不現(xiàn)實(shí)。專利文獻(xiàn)1日本特開2000-330164號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是在上述情況下提出的，其目的在于，提供一種當(dāng)從基板載置部接收基板時(shí)能夠可靠地檢測(cè)出基板的姿勢(shì)是否異常的技術(shù)。因此，本發(fā)明的基板輸送裝置，其特征在于，包括利用驅(qū)動(dòng)部而自由地升降和進(jìn)退、且按照圍繞基板的周圍的方式設(shè)置的保持框；分別從該保持框的內(nèi)緣向內(nèi)側(cè)突出，且沿著該內(nèi)緣相互隔開間隔地設(shè)置，用于載置所述基板的背面?zhèn)戎苓叢康娜齻€(gè)以上的保持部；在這些各個(gè)保持部上設(shè)置，用于檢測(cè)當(dāng)從上方向保持部施加負(fù)荷時(shí)該保持部的變形量的變形傳感器；當(dāng)使所述保持框前進(jìn)，使所述基體相對(duì)于所述基板載置部相對(duì)地上升，然后接收在其上載置有基板的基板載置部上的基板時(shí)，根據(jù)各個(gè)變形傳感器的變形量判斷基板的姿勢(shì)是否正常的判斷單元；和當(dāng)判斷基板的姿勢(shì)為異常時(shí)，禁止所述保持框后退的單元。本發(fā)明的基板輸送方法，其特征在于，該方法使用基板輸送裝置，向在其上載置有基板的基板載置部交接基板，該基板輸送裝置包括利用驅(qū)動(dòng)部自由地升降和進(jìn)退，且按照圍繞基板的周圍的方式設(shè)置的保持框；分別從該保持框的內(nèi)緣向內(nèi)側(cè)突出，且沿著該內(nèi)緣相互隔開間隔地設(shè)置，用于載置所述基板的背面?zhèn)戎苓叢康娜齻€(gè)以上的保持部，該基板輸送方法包括以下工序使所述保持框前進(jìn)，使所述基體相對(duì)于所述基板載置部相對(duì)地上升，然后接收所述基板載置部上的基板的工序；根據(jù)在所述各個(gè)保持部中設(shè)置的變形傳感器，檢測(cè)從上方向保持部施加負(fù)荷時(shí)該保持部的變形量的工序；根據(jù)各個(gè)變形傳感器的變形量，判斷基板的姿勢(shì)是否正常的工序；和當(dāng)判斷基板的姿勢(shì)異常時(shí)，禁止所述保持框后退的工序。本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，它是存儲(chǔ)了使用基板輸送裝置的計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，基板輸送裝置包括利用驅(qū)動(dòng)部自由地升降和進(jìn)退，且按照圍繞基板的周圍的方式設(shè)置的保持框；分別從該保持框的內(nèi)緣向內(nèi)側(cè)突出，且沿著該內(nèi)緣相互留有間隔地設(shè)置， 用于載置所述基板的背面一側(cè)周邊部的三個(gè)以上的保持部，所述程序包含步驟組，以實(shí)施上述基板輸送方法。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在保持部中設(shè)置變形傳感器，根據(jù)從基板載置部在保持部上接收基板時(shí)基板的負(fù)荷而引起的變形傳感器的變形量，判斷保持部上的基板的姿勢(shì)是否正常，因此，能夠可靠且容易地檢測(cè)出從基板載置部接收基板時(shí)基板的姿勢(shì)是否異常。


圖1是表示本發(fā)明的抗蝕劑圖案形成裝置的實(shí)施方式的俯視圖。
圖2是表示所述抗蝕劑圖案形成裝置的立體圖。
圖3是表示所述抗蝕劑圖案形成裝置的側(cè)部截面圖。
圖4是表示在所述抗蝕劑圖案形成裝置中設(shè)置的第三區(qū)域的概略立體圖。
圖5是表示在所述第三區(qū)域上設(shè)置的輸送臂的立體圖。
圖6是表示所述輸送臂的俯視圖。
圖7是在上述輸送臂中設(shè)置的變形傳感器的電路圖。
圖8是表示在所述抗蝕劑圖案形成裝置中設(shè)置的控制部的結(jié)構(gòu)圖。
圖9(a)、(b)、(c)、(d)是說明所述抗蝕劑圖案形成裝置的作用的工序圖。
圖10(a)、(b)、(c)是表示晶片的姿勢(shì)異常時(shí)的具體例子的俯視圖和主視圖。
圖11(a)、(b)是表示晶片的姿勢(shì)異常時(shí)的具體例子的俯視圖。
圖12(a)、(b)、(c)、(d)是表示變形傳感器的檢測(cè)數(shù)據(jù)的特性圖。
圖13是表示傳統(tǒng)的基板輸送裝置的立體圖。
圖14(a)、(b)是表示傳統(tǒng)的基板輸送裝置的側(cè)視圖。
符號(hào)說明
W半導(dǎo)體晶片
C交接單元
Al A4輸送臂
D交接臂
E穿梭臂
F對(duì)接臂
3A、3B叉部件
30A 30D保持爪
4A 4D變形傳感器
5控制部
52檢查程序
53校對(duì)(teaching)程序
具體實(shí)施例方式
下面，以在涂敷、顯像裝置中應(yīng)用具有本發(fā)明的基板輸送裝置的基板處理裝置的情況為例進(jìn)行說明。首先，參照附圖，對(duì)在上述涂敷、顯影裝置中連接曝光裝置的抗蝕劑圖案形成裝置進(jìn)行簡(jiǎn)單的說明。圖1表示上述抗蝕劑圖案形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖，圖2是其概略立體圖。在該裝置中設(shè)有裝載區(qū)域Si，在該裝載區(qū)域Sl中，交接單元C從被載置在載置臺(tái)21上的密閉型載體20取出晶片W，然后交給與該裝載區(qū)域Sl相鄰的處理區(qū)域S2，同時(shí)，所述交接單元C接收在處理區(qū)域S2中經(jīng)過處理的處理完的晶片W，將其送回上述載體20。
如圖2所示，所述處理區(qū)域S2在本例中由下至上依次層疊有用于進(jìn)行顯影處理的第一區(qū)域(DEV層)Bl ；用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的下層側(cè)形成的防反射膜的形成處理的第二區(qū)域(BCT層)B2 ；用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第三區(qū)域(COT層)B3 ；用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成的防反射膜的形成處理的第四區(qū)域(TCT層)B4。第二區(qū)域(BCT層)B2和第四區(qū)域(TCT層)B4包括利用旋涂法涂敷用于形成各防反射膜的藥液的涂敷腔室；用于進(jìn)行在該涂敷腔室中所進(jìn)行的處理的前處理和后處理的加熱、冷卻系統(tǒng)的處理腔室組；以及在所述涂敷腔室和處理腔室組之間設(shè)置、且在它們之間進(jìn)行晶片W的交接的輸送臂A2、A4。在第三區(qū)域(COT層)B3中，除了所述藥液是抗蝕液外， 其余均相同。另一方面，對(duì)于第一處理區(qū)域(DEV層)Bi，在一個(gè)DEV層Bl內(nèi)層疊兩層顯像腔室 22。在該DEV層Bl內(nèi)設(shè)置有用于向這兩層顯像腔室22輸送晶片W的輸送臂Al。即，輸送臂Al對(duì)于兩層顯像腔室22通用。輸送臂Al A4相當(dāng)于本發(fā)明的基板輸送裝置，將在后面進(jìn)行闡述。如圖1及圖3所示，在處理區(qū)域S2中設(shè)置格單元Ul，在該格單元Ul的各部分彼此之間，通過在所述格單元Ul的附近設(shè)置的能夠自由升降的交接臂D輸送晶片W。來自裝載區(qū)域Sl的晶片W通過交接單元C依次被輸送到所述格單元Ul的一個(gè)交接腔室例如第二區(qū)域(BCT層)B2的對(duì)應(yīng)交接腔室CPL2。第二區(qū)域(BCT層)B2內(nèi)的輸送臂A2從該交接腔室 CPL2接收晶片W然后向各個(gè)腔室(防反射膜腔室及加熱、冷卻系統(tǒng)的處理腔室組)輸送，在這些腔室中，在晶片W上形成防反射膜。然后，晶片W通過格單元Ul的交接腔室BF2、交接臂D、格單元Ul的交接腔室CPL3 及輸送臂A3被搬入第三區(qū)域(COT層)B3，形成抗蝕劑膜。這樣，形成了抗蝕劑膜的晶片W 通過輸送臂A3被交給格單元Ul的交接腔室BF3。另外，形成了抗蝕劑膜的晶片W有時(shí)還在第四區(qū)域(TCT層)B4中形成防反射膜。在此情況下，晶片W通過交接腔室CPL4被交給輸送臂A4，在形成防反射膜后，被輸送臂A4交給交接腔室TRS4。另一方面，在DEV層Bl內(nèi)的上部設(shè)置有用于將晶片W從設(shè)在格單元Ul中的交接腔室CPLll直接向設(shè)在格單元U2中的交接腔室CPL12輸送的作為專用輸送單元的穿梭臂 E。形成了抗蝕劑膜和防反射膜的晶片W通過交接腔室BF3、TRS4被交接臂D交給交接腔室CPLl 1，從此處被穿梭臂E直接輸送至格單元U2的交接腔室CPL12，并被放入對(duì)接區(qū)域S3 中。此外，圖3中的標(biāo)注CPL的交接腔室兼用調(diào)溫用的冷卻腔室，標(biāo)注BF的交接腔室兼用能夠載置多枚晶片W的緩沖腔室。接著，晶片W被對(duì)接臂F輸送至曝光裝置S4，在進(jìn)行規(guī)定的曝光處理后，被載置在格單元U2的交接腔室TRS6上，然后返回處理區(qū)域S2。被返回的晶片W在第一區(qū)域(DEV 層)B1中進(jìn)行顯像處理，被輸送臂Al輸送至格單元Ul中的交接單元C的存取范圍的交接區(qū)域TRS1，通過交接單元C被返回載體20。此處，圖4表示第三區(qū)域(COT層)B3，在圖1及圖4中，U3是通過層疊包括加熱腔室和冷卻腔室等熱系統(tǒng)腔室組的多個(gè)腔室而設(shè)置的格單元。這些格單元U3以與涂敷腔室 23相面對(duì)的方式進(jìn)行排列，在涂敷腔室23和格單元U3之間配置輸送臂A3。圖4中的M 是用于在各個(gè)腔室和輸送臂A3之間進(jìn)行晶片W交接的輸送口。下面，對(duì)所述輸送臂Al A4進(jìn)行說明，這些輸送臂Al A4采用同樣的構(gòu)造，因此，以在第三區(qū)域(COT層)B3中設(shè)置的輸送臂A3為例進(jìn)行說明。如圖4 圖6所示，該輸送臂A3構(gòu)成為按照圍繞晶片W的周圍的方式而設(shè)的形成保持架的多枚例如兩枚叉部件 3(3A、3B)分別沿著基體31自由地進(jìn)退(沿著圖4中的X軸方向自由移動(dòng))，同時(shí)，所述基體31利用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32圍繞鉛直軸自由地旋轉(zhuǎn)。所述叉部件3AJB的基端側(cè)分別被進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、3 支承，這些進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、3!3B通過在基體31內(nèi)部設(shè)置的使用了正時(shí)皮帶的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(圖中未示)沿著基體31進(jìn)行移動(dòng)。在所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32的下方側(cè)設(shè)有升降臺(tái)34，該升降臺(tái)34被設(shè)置成，沿著在上下方向(圖4中的Z軸方向)上呈直線狀延伸的未圖示的Z軸導(dǎo)軌，利用構(gòu)成驅(qū)動(dòng)部的升降機(jī)構(gòu)而自由地升降。例如，作為升降機(jī)構(gòu)可以采用滾珠絲杠機(jī)構(gòu)或使用了正時(shí)皮帶的機(jī)構(gòu)等的眾所周知的構(gòu)造。這些滾珠絲杠機(jī)構(gòu)或使用了正時(shí)皮帶的機(jī)構(gòu)均按照利用電機(jī)M的旋轉(zhuǎn)而使升降臺(tái)；34自由升降的方式構(gòu)成。在本例中，Z軸導(dǎo)軌和升降機(jī)構(gòu)分別被罩體35覆蓋， 這些罩體35例如通過上部側(cè)被連接成為一體。此外，所述罩體35構(gòu)成為沿著在Y軸方向上呈直線狀延伸的Y軸導(dǎo)軌36進(jìn)行滑動(dòng)移動(dòng)。另外，為了圖示方便，在后述的圖8中省略了升降臺(tái)34，在基體31的下方側(cè)表示升降機(jī)構(gòu)37。本例的升降機(jī)構(gòu)37通過電機(jī)M使設(shè)置在所述Z軸導(dǎo)軌的內(nèi)部的未圖示的升降軸旋轉(zhuǎn)，由此，使基體31沿著Z軸導(dǎo)軌升降，所述電機(jī)M與編碼器38連接。圖8中的39是對(duì)編碼器38的脈沖數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)器。所述叉部件3AJB形成為圓弧狀，如圖5及圖6所示，設(shè)置三個(gè)以上的構(gòu)成保持部的有保持爪30，該保持爪30從該叉部件3A、3B的內(nèi)緣向各個(gè)內(nèi)側(cè)突出，并且沿著該內(nèi)緣相互隔開間隔地設(shè)置，用于載置所述晶片W的背面?zhèn)戎苓叢?。在本例中，為了保持晶片W的周邊部的四個(gè)部位而設(shè)置有四個(gè)保持爪30A、30B、30C、30D。在這些保持爪30A、30B、30C、 30D上分別設(shè)置變形傳感器(變形儀)4々、48、4(、40，用于檢測(cè)出當(dāng)負(fù)荷從上方施加在保持爪30A 30D上時(shí)該保持爪30A 30D的變形量。在本例中，變形傳感器4A 4D被安裝在保持爪30A 30D的各背面?zhèn)?，但是，也可以設(shè)置在保持爪30A 30D的各個(gè)內(nèi)部。這些變形傳感器4A 4D通過按照規(guī)定的圖案在薄的絕緣體狀上形成細(xì)的金屬電阻而構(gòu)成。例如，通過將絕緣體側(cè)分別粘接在所述保持爪30A 30D的背面?zhèn)葋戆惭b，測(cè)定根據(jù)作為非測(cè)定物的保持爪30A 30D的變形而獲得的電阻變化，將其換算成變形量。在此情況下，如果因晶片W的負(fù)荷使保持爪30A 30D發(fā)生變形，那么，按照與該變形相同的比率，變形傳感器4A 4D也發(fā)生變形，因該變形電阻值增加，因此，將其用于測(cè)定。此時(shí)， 變形傳感器4A 4D的電阻值是微小值，因此，使用惠斯通電橋電路將其轉(zhuǎn)換成電壓。具體而言，如圖7所示，通過將變形傳感器4A 4D與各個(gè)檢測(cè)部主體41A 41D 連接，構(gòu)成了惠斯通電橋電路。在該檢測(cè)部主體41A 41D中，如果從蓄電池42供給電橋電路的輸入電壓(電橋電源)，那么，電橋電路的輸出電壓被電壓檢測(cè)部43檢測(cè)出來，作為變形量的檢測(cè)值被輸出到信號(hào)處理部44。該信號(hào)處理部44在與檢測(cè)部主體41A 41D連接的各個(gè)頻道的每一個(gè)中都配備A/D (模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器)，同時(shí)在其后段配備P/S，將各個(gè)頻道的電壓信號(hào)按照序列信號(hào)依次通過信號(hào)發(fā)送部45向基體31側(cè)的信號(hào)接收部46發(fā)送。此處，所述檢測(cè)部主體41A 41D、蓄電池42、信號(hào)處理部44、信號(hào)發(fā)送部45構(gòu)成電路單元47，在各個(gè)叉部件3AJB中都配備該電路單元47，并且被設(shè)置在叉部件3AJB側(cè)。 另一方面，在各個(gè)叉部件3A、3B中也準(zhǔn)備所述信號(hào)接收部46以及為了對(duì)電路單元47內(nèi)的蓄電池42進(jìn)行充電而設(shè)置的充電部48，它們被設(shè)置在基體31側(cè)。在本例中，所述電路單元47 (47A、47B)被設(shè)置在叉部件3A、3B的基端側(cè)。在本例中，例如在分別設(shè)在叉部件3A、3B的進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、33B的側(cè)部的突片36A、36B上設(shè)置有電路單元47A、47B。電路單元47A、47B的檢測(cè)部主體41和各個(gè)變形傳感器4A 4D被配置在叉部件3A、3B的內(nèi)部。另一方面，在基體31的側(cè)部中的基端側(cè)，在各個(gè)叉部件3AJB設(shè)置信號(hào)接收部 46A、46B，并且在各個(gè)叉部件3AJB設(shè)置充電部48A、48B。在本例中，在叉部件3A、!3B從基體 31伸出的狀態(tài)下，變形量被變形傳感器4A 4D檢測(cè)出來，通過電路單元47A、47B的信號(hào)發(fā)送部45A、45B，采用紅外線通信和無線通信等眾所周知的結(jié)構(gòu)向信號(hào)接收部46A、46B發(fā)送。因此，當(dāng)叉部件3A、;3B位于作為朝著基體31的頂端側(cè)前進(jìn)的位置的晶片W的交接位置時(shí)，電路單元47A、47B的信號(hào)發(fā)送部45A、45B和信號(hào)接收部46A、46B分別被設(shè)置在一條直線上，這樣在信號(hào)發(fā)送部45A、45B和信號(hào)接收部46A、46B之間，以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)的接收和發(fā)送。但是，在基體31的側(cè)部中的頂端側(cè)，在各個(gè)叉部件3A、3B中設(shè)置信號(hào)接收部46A、 46B，當(dāng)叉部件3AJB位于所述前進(jìn)位置時(shí)，電路單元47A、47B的信號(hào)發(fā)送部45A、45B和信號(hào)接收部46A、46B也可以分別相向地設(shè)置。此時(shí)，對(duì)于信號(hào)發(fā)送部45A、45B和信號(hào)接收部46A、46B之間的數(shù)據(jù)發(fā)送和接收，既可以按照使所述信號(hào)發(fā)送部45A、45B和信號(hào)接收部 46A、46B相互接觸的方式進(jìn)行，也可以按照使它們相互接近的方式來進(jìn)行。在本例中，當(dāng)叉部件3AJB位于作為后退至基體31的基端一側(cè)的位置的待機(jī)位置時(shí)，電路單元47A、47B的蓄電池42A、42B和充電部48A、48B分別相互接觸，然后對(duì)蓄電池42 進(jìn)行充電。接著，參照?qǐng)D8，對(duì)在所述抗蝕劑圖案形成裝置中設(shè)置的控制部5進(jìn)行說明。該控制部5例如由計(jì)算機(jī)構(gòu)成，并且配備由程序、存儲(chǔ)器、CPU組成的數(shù)據(jù)處理部，在所述程序中編入命令(各個(gè)步驟)，從控制部5向抗蝕劑圖案形成裝置的各個(gè)部分發(fā)送控制信號(hào)，進(jìn)行抗蝕劑圖案形成處理、和后述的晶片W的交接狀態(tài)下的檢查處理。該程序被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)例如軟盤、光盤、硬盤、MO (光磁盤)等存儲(chǔ)部中，被安裝在控制部5中。在所述程序中包含用于運(yùn)行檢查模式的檢查程序51 ；用于運(yùn)行教學(xué)模式的教學(xué)程序52 ；用于運(yùn)行校正模式的校正程序53等。在控制部5中還包括標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部55，也向基體31的信號(hào)接收部46A、46B、計(jì)算機(jī)的顯示單元61、報(bào)警單元62、輸送臂Al A4的進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、3!3B和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的電機(jī)M、輸送臂Al A4的編碼器38和計(jì)數(shù)器39發(fā)送規(guī)定的控制信號(hào)。所述顯示單元61例如由計(jì)算機(jī)的畫面構(gòu)成，在該顯示單元61中選擇檢查模式、校正模式和教學(xué)模式。此外，通過該顯示單元61還能夠進(jìn)行規(guī)定的基板處理和檢查處理的選擇、以及各個(gè)處理中的參數(shù)的輸入操作，同時(shí)顯示后述的檢查結(jié)果和校正信息等。所述檢查程序51是一種當(dāng)叉部件3AJB接收基板載置部上的晶片W時(shí)檢查晶片 W的姿勢(shì)是否正常的程序，它包括控制輸送臂Al A4的驅(qū)動(dòng)的單元；以及根據(jù)變形傳感器4A 4D的變形量來判斷被交給叉部件3AJB上的晶片W的姿勢(shì)是否正常的判斷單元。 在所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部陽(yáng)中，存儲(chǔ)有根據(jù)所述晶片W的姿勢(shì)正常時(shí)的各個(gè)變形傳感器的變形量(電壓值)而設(shè)定的閾值作為標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)。此處，因?qū)鶎?shí)施的處理不同，晶片的重
8量發(fā)生變化，因此，預(yù)先存儲(chǔ)與各個(gè)處理對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)所述檢查程序51的判斷單元比較被存儲(chǔ)在所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部55中的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)(閾值)和變形傳感器的變形量，當(dāng)至少一個(gè)的變形傳感器4的變形量是所述閾值以下時(shí)，判斷晶片W的姿勢(shì)為異常，當(dāng)判斷為正常時(shí)，向輸送臂Al A4發(fā)出繼續(xù)進(jìn)行輸送處理的指令，當(dāng)發(fā)現(xiàn)異常時(shí)，向輸送臂Al A4發(fā)出禁止后退動(dòng)作的指令和規(guī)定的報(bào)警顯示指令。此處，在本例中，報(bào)警顯示是指，報(bào)警單元62例如亮起報(bào)警燈和發(fā)出報(bào)警音、在計(jì)算機(jī)的顯示單元61中顯示報(bào)警等。所述教學(xué)程序52是一種用于運(yùn)行教學(xué)模式的程序，對(duì)利用所述叉部件3A、3B向基板載置部交接晶片W的交接動(dòng)作進(jìn)行示范，所述校正程序53是一種當(dāng)在基板載置部和叉部件3AJB之間進(jìn)行晶片W的交接時(shí)，運(yùn)行用于確認(rèn)保持爪30A 30D上的晶片W的位置的校正模式的程序，將在后面對(duì)它們進(jìn)行闡述。接著，說明在本發(fā)明中運(yùn)行檢查模式時(shí)的作用。該檢查模式是在晶片W的通常處理時(shí)而選擇的一種模式，例如，當(dāng)進(jìn)行通常的處理時(shí)自動(dòng)地選擇。此外，在進(jìn)行處理時(shí)，也可以由操作員根據(jù)顯示單元61來選擇。這樣，如果選擇檢查模式，則運(yùn)行檢查程序51。此處，列舉作為腔室使用對(duì)晶片W進(jìn)行熱處理的加熱腔室，利用叉部件3A向該加熱腔室交接晶片W時(shí)的情況為例進(jìn)行說明，如上所述，該加熱腔室分別在第一區(qū)域(DEV層) Bi、第二區(qū)域(BCT層)B2、第三區(qū)域(COT層)B3、第四區(qū)域(TCT層)B4中，被組裝在格單元 U3中。如圖8所示，該加熱腔室在處理容器71內(nèi)配備熱板72，并且在該熱板72上設(shè)置晶片W的支承銷73。圖中74是支承銷73的升降機(jī)構(gòu)。在這種構(gòu)造中，當(dāng)從叉部件3A、3B向熱板72交接晶片W時(shí)，預(yù)先使支承銷73上升至熱板72的上方側(cè)的上方位置，使保持了晶片W的叉部件3A、;3B從支承銷73的上方側(cè)的所述前進(jìn)位置下降。于是，向該支承銷73交接晶片W，叉部件3A、;3B返回到后退位置，然后使支承銷73下降，向熱板72交接晶片W。當(dāng)從熱板72向叉部件3A、;3B交接晶片W時(shí)，使支承銷73上升至所述上方位置，使晶片W從熱板72上升起，使叉部件3AJB從晶片W的下方側(cè)的所述前進(jìn)位置上升，從而向叉部件3AJB 上交接晶片W。因此，在本例中，支承銷73相當(dāng)于基板載置部。圖8中的70是晶片W的輸送口。首先，在進(jìn)行處理之前，例如通過計(jì)算機(jī)的顯示單元61選擇規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)。接著如圖9(a)所示，在加熱腔室7中，用支承銷73支承晶片W，使晶片W上升至熱板72的上方位置。然后如圖9(b)所示，使叉部件3A前進(jìn)至晶片W的下方側(cè)，然后使叉部件3A上升， 從下方側(cè)舉起晶片W，保持在保持爪30A 30D上。如果將晶片W保持在保持爪30A 30D 上，那么，保持爪30A 30D就會(huì)因晶片W的負(fù)荷而發(fā)生變形，因此，如上所述，利用四個(gè)變形傳感器4A 4D檢測(cè)出該變形的程度作為變形量(電壓值)。此處，當(dāng)交接晶片W時(shí)，如上所述，使叉部件3A從晶片W的下方側(cè)上升至支承銷73 的上方側(cè)，這樣從支承銷73接收晶片W，然后進(jìn)行后退動(dòng)作。另一方面，在控制部5側(cè)，預(yù)先把握從支承銷73向保持爪30A 30D交接晶片W的時(shí)間。因此，在比保持爪30A 30D 接收所述支承銷73上的晶片W的時(shí)間Il略晚的時(shí)間T2(例如，比時(shí)間Tl晚50微秒后的時(shí)間)，從各個(gè)變形傳感器4Α 4D獲得變形量。于是，在所述時(shí)間Τ2從各個(gè)變形傳感器 4Α 4D獲得變形量的原因在于，在保持爪30Α 30D確實(shí)從支承銷73接收晶片W的時(shí)間獲得數(shù)據(jù)。因此，對(duì)于“當(dāng)保持爪30A 30D接收所述支承銷73上的晶片W時(shí)”，不僅包括實(shí)際接收的時(shí)間Tl，也包括從該時(shí)間Tl例如經(jīng)過1秒鐘以內(nèi)的時(shí)間。此處，當(dāng)叉部件3A位于前進(jìn)位置(交接位置)時(shí)，電路單元47A的信號(hào)發(fā)送部45A、 基體31的信號(hào)接收部46A隔離，但是，由于它們位于一條直線上，因此，如上所述，由所述四個(gè)變形傳感器4A 4D檢測(cè)出來的變形量，從叉部件3A的信號(hào)發(fā)送部45A向基體31的信號(hào)接收部46A發(fā)送，然后向控制部5發(fā)送。在控制部5中，利用檢查程序51的判斷單元來比較所述變形量和閾值，如果變形量超過閾值則獲得數(shù)據(jù)為“0N”，如果是閾值以下則獲得數(shù)據(jù)為“OFF”。如果從四個(gè)變形傳感器4A 4D中獲得的數(shù)據(jù)均為0N，那么，判斷晶片W的姿勢(shì)為正常，繼續(xù)進(jìn)行處理。在此情況下，在輸送臂A3中，首先如圖9(c)所示，在將叉部件3A引入到基體31的后退位置(待機(jī)位置)后，移動(dòng)至下一個(gè)輸送處，當(dāng)叉部件3A位于后退位置時(shí)，叉部件3A的蓄電池42A和基體31的充電部48A連接，因此，對(duì)所述蓄電池42A進(jìn)行充 H1^ ο如果從四個(gè)變形傳感器4A 4D獲得的數(shù)據(jù)中的至少一個(gè)為OFF，那么，判斷晶片 W的姿勢(shì)為異常，向報(bào)警單元62發(fā)出指令以進(jìn)行報(bào)警，并且向輸送臂A3發(fā)出指令以禁止叉部件3A的后退，同時(shí)，發(fā)出指令以在加熱腔室7中停止處理。當(dāng)發(fā)出禁止該叉部件3A后退的指令時(shí)，如圖9 (d)所示，輸送臂A3被禁止向所述后退位置后退，因此，在加熱腔室7內(nèi)接收晶片W的狀態(tài)下，停止驅(qū)動(dòng)。當(dāng)發(fā)出該禁止指令時(shí)，通過操作員確定晶片W的姿勢(shì)發(fā)生異常的原因，進(jìn)行恢復(fù)處理和維修等。此處，根據(jù)圖10，說明晶片W的姿勢(shì)異常時(shí)的一個(gè)例子。晶片的姿勢(shì)為異常的情況包括例如晶片發(fā)生破損的情況(圖10(a))；晶片發(fā)生翹起的情況(圖10(b))等晶片W的形狀發(fā)生變化(變形)的情況，以及如圖10 (c)所示，保持爪30A 30D上的晶片W的交接位置偏離的情況。如圖10(a)所示，當(dāng)晶片W發(fā)生破損時(shí)，由于來自于未保持晶片W的保持爪30A、 30B上所設(shè)置的變形傳感器4A、4B的獲得數(shù)據(jù)作為“OFF”被輸出，因此，發(fā)現(xiàn)異常。此外，如圖10(b)所示，當(dāng)晶片W發(fā)生翹起時(shí)，通過保持爪30A 30D保持晶片W的狀態(tài)不同，出現(xiàn)作用有負(fù)荷的保持爪30A和未同程度作用有負(fù)荷的保持爪30B。因此，來自于作用有負(fù)荷的保持爪30A上所設(shè)置的變形傳感器4A的獲得的數(shù)據(jù)為“0N”，來自于未同程度作用有負(fù)荷的保持爪30B上所設(shè)置的變形傳感器4B的獲得數(shù)據(jù)為“OFF”，因此，發(fā)現(xiàn)異常。另外，如圖10(c)所示，當(dāng)保持爪30A 30D上的晶片W的交接位置發(fā)生偏離時(shí)， 具有如圖11(a)所示晶片W沿著橫向偏離的情況和如圖11(b)所示晶片W沿著縱向偏離的情況。在這兩種狀態(tài)下，通過保持爪30A 30D保持晶片W的狀態(tài)不同，負(fù)荷作用在保持爪 30A 30D上的方式不同，因此，就會(huì)發(fā)生變形傳感器4A 4D的變形量在閾值以下的情況。 例如，在晶片W沿著橫向偏離的情況下(參照?qǐng)D11 (a))，來自于變形傳感器4C、4D的獲得數(shù)據(jù)為“0N”，來自于變形傳感器4A、4B的獲得數(shù)據(jù)為“OFF”，因此，判斷晶片W的姿勢(shì)異常。 此外，在晶片W沿著縱向偏離的情況下，來自于變形傳感器4B、4C的獲得數(shù)據(jù)為“0N”，來自于變形傳感器4A、4D的獲得數(shù)據(jù)為“0FF”，因此，判斷晶片W的姿勢(shì)異常。以上，在上述實(shí)施方式中，通過在保持爪30A 30D上設(shè)置變形傳感器4A 4D，這樣，根據(jù)從支承銷73在保持爪30A 30D上接收晶片W時(shí)該晶片W的負(fù)荷引起的變形傳感器4A 4D的變形量，判斷保持爪30A 30D上的晶片W的姿勢(shì)是否正常，因此，當(dāng)保持爪 30A 30D從支承銷73接收了晶片W時(shí)，能夠準(zhǔn)確且容易地檢測(cè)出晶片W的姿勢(shì)是否為異常。與光學(xué)傳感器等相比，該變形傳感器4A 4D具有耐熱性，例如，在與熱腔室7之間進(jìn)行晶片W的交接的情況下，即使被暴露在350°C的高溫條件下，也能精確地檢測(cè)出負(fù)荷引起的變形量。因此，能夠在保持爪30A 30D上設(shè)置變形傳感器4A 4D，在保持爪30A 30D從支承銷73接收晶片W的時(shí)刻，能夠可靠地檢測(cè)出晶片W的姿勢(shì)是否異常。此外，電路單元47被設(shè)置在叉部件3AJB的基端側(cè)，并位于遠(yuǎn)離熱源的位置，因此，與叉部件3AJB的頂端側(cè)相比，不易受到熱影響，從這一點(diǎn)來看，也能精確地檢測(cè)出保持爪30A 30D的變形量。當(dāng)從支承銷73向保持爪30A 30D交接晶片W時(shí)，在判斷晶片W的姿勢(shì)為異常時(shí)，禁止叉部件3A后退至待機(jī)位置，因此，能夠抑制發(fā)生二次破壞。即，如果在叉部件3A上的晶片W的姿勢(shì)為異常的狀態(tài)下使叉部件3A后退，那么就有可能發(fā)生晶片W落下，或者落下的晶片W和輸送臂A3相互撞擊這樣的二次破壞，采用上述方式就是為了防止發(fā)生這種情況。這樣，通過防止發(fā)生二次破壞，即使在交接時(shí)晶片W的姿勢(shì)具有異常的情況下，只要將該晶片W的姿勢(shì)恢復(fù)正常即可，能夠在做出該反應(yīng)后快速地重新開始處理。當(dāng)叉部件3A從支承銷73接收晶片W時(shí)，判斷晶片W的姿勢(shì)是否正常，因此，當(dāng)在腔室內(nèi)發(fā)生晶片破損等故障時(shí)，能夠?qū)崟r(shí)了解故障的原因。當(dāng)判斷晶片W的姿勢(shì)為異常時(shí)， 禁止叉部件3A的后退，因此，能夠保存和觀察故障發(fā)生時(shí)的狀態(tài)，容易確認(rèn)故障剛發(fā)生后叉部件3A和腔室內(nèi)的情況。因此，對(duì)于故障是在腔室內(nèi)發(fā)生的，還是在腔室和叉部件3A、3B 之間交接晶片W時(shí)發(fā)生的，容易確定故障的原因，因此能夠防止故障再次發(fā)生。利用保持爪30A 30D，通過舉起支承銷73上的晶片W這樣簡(jiǎn)單的操作來進(jìn)行晶片W的交接。因此，以從外側(cè)推壓保持晶片W的方式，不會(huì)從外部在晶片W上施加力。這樣， 當(dāng)接收晶片W時(shí)，不易發(fā)生晶片W破裂這樣的情況，容易反映腔室的狀態(tài)。即，在叉部件3A、 3B接收晶片W的時(shí)刻，該晶片W發(fā)生破損和翹起的情況下，容易推測(cè)故障原因在于腔室，從而容易確定故障的原因。此外，在保持爪30A 30D上的晶片位置發(fā)生偏離的情況下，也能在故障剛發(fā)生后查明故障原因，因此，容易判斷原因是在于腔室側(cè)，還是在于輸送臂A3側(cè)， 從這一點(diǎn)來看，能夠有利于防止故障再次發(fā)生。此外，在上述實(shí)施方式中，在全部來自于變形傳感器4的獲得數(shù)據(jù)均為“ON”的情況下，判斷晶片W的姿勢(shì)為正常，但是，在來自于三個(gè)變形傳感器4獲得的數(shù)據(jù)為“ON”的情況下，推斷來自于剩余一個(gè)變形傳感器4的獲得數(shù)據(jù)也為“0N”，也可以判斷晶片W的姿勢(shì)為正常。對(duì)于判斷晶片W的姿勢(shì)是否正常，也可以根據(jù)晶片W的姿勢(shì)為正常時(shí)的各個(gè)變形傳感器4A 4D的變形量，預(yù)先求出變形量的適當(dāng)范圍，如果所檢測(cè)出來的變形量在該標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)，則判斷為“0N”，如果在適當(dāng)范圍外，則判斷為“OFF”。接著，對(duì)教學(xué)模式和校正模式進(jìn)行說明。這兩個(gè)模式例如是在裝置開始運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)、維修時(shí)或者在上述實(shí)施方式中判斷晶片W的姿勢(shì)為異常等情況下運(yùn)行的。通常，運(yùn)行上述檢查模式，因此，當(dāng)運(yùn)行教學(xué)模式和校正模式時(shí)，操作員通過顯示單元61選擇各個(gè)模式。這樣，讀出教學(xué)程序52或校正程序53，從檢查模式切換至教學(xué)模式或校正模式。
首先，對(duì)教學(xué)模式進(jìn)行說明。該教學(xué)模式是一種在示范保持爪30A 30D向基板載置部交接晶片W的交接動(dòng)作時(shí)所選擇的模式。所述教學(xué)程序53構(gòu)成為，當(dāng)示范保持爪30A 30D向基板載置部交接晶片W的交接動(dòng)作時(shí)，在所述變形傳感器4A 4D的變形量變化的時(shí)刻，讀取管理所述升降機(jī)構(gòu)37的驅(qū)動(dòng)量的高度方向的坐標(biāo)位置，存儲(chǔ)為晶片W交接的高度位置。例如，以對(duì)所述加熱腔室7的教學(xué)為例，對(duì)運(yùn)行該教學(xué)模式的情況進(jìn)行說明。當(dāng)示范保持爪30A 30D向支承銷73 (基板載置部)交接晶片W的交接動(dòng)作時(shí)，具有從支承銷 73向叉部件3AJB交接晶片W的情況；和從叉部件3A、3B向支承銷73交接晶片W的情況。例如，當(dāng)從支承銷73向叉部件3A、3B交接晶片W時(shí)，使叉部件3A、3B沿著基體31 移動(dòng)至前進(jìn)位置(交接位置)，然后使叉部件3A、;3B上升，但是，如果使叉部件3A、;3B上升并從支承銷73接收晶片W，那么，基于變形傳感器4A 4D的變形量的獲得數(shù)據(jù)從“OFF”變?yōu)?“ON”。在該變形傳感器4A 4D的變形量變化的時(shí)刻，利用計(jì)數(shù)器39讀取作為管理所述升降機(jī)構(gòu)37的驅(qū)動(dòng)量的高度方向的坐標(biāo)位置的編碼器38的脈沖數(shù)，然后將其作為晶片W的交接高度位置存儲(chǔ)在控制部5中的獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部(未圖示)中。當(dāng)從叉部件3A、3B向支承銷73交接晶片W時(shí)，使保持有晶片W的叉部件3AJB沿著基體31移動(dòng)至前進(jìn)位置，然后使叉部件3AJB下降，但是，如果使叉部件3AJB下降并向支承銷73交接晶片W，那么，基于變形傳感器4A 4D的變形量的獲得數(shù)據(jù)就會(huì)從“ON”變?yōu)椤癘FF”。在該變形傳感器4A 4D的變形量變化的時(shí)刻，利用計(jì)數(shù)器39讀取所述升降機(jī)構(gòu)37的編碼器38的脈沖數(shù)，然后將其作為晶片W的交接高度位置而存儲(chǔ)在控制部5中的獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部中。接著，根據(jù)這些晶片W的交接高度位置，設(shè)定叉部件3A、;3B進(jìn)入腔室內(nèi)的高度位置。在這種構(gòu)造中，在每個(gè)腔室都容易獲得晶片W的交接高度位置。根據(jù)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)能夠一定程度地把握腔室內(nèi)的支承銷73上的晶片W的高度位置，但是，當(dāng)腔室的配置采用多層構(gòu)造時(shí)等，因?qū)嶋H組裝時(shí)的誤差，晶片W的交接高度位置與設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)會(huì)不同。因此，叉部件3A JB的示范時(shí)，必須在各個(gè)腔室中正確地把握晶片W的交接高度位置，通過了解該高度位置，能夠設(shè)定叉部件3AJB進(jìn)入腔室內(nèi)的高度位置。如果使用本發(fā)明的輸送臂Al A4， 那么，例如在叉部件3A、;3B上載置晶片W，然后使其從支承銷73的上方側(cè)下降，這樣就能獲知晶片W從叉部件3A、3B向支承銷73交接的高度位置，因此，是有效的。接著對(duì)校正模式進(jìn)行說明。該校正模式是在對(duì)保持爪30A 30D和基板載置部之間的晶片W的交接位置進(jìn)行確認(rèn)時(shí)所選擇的模式。如果選擇校正模式，那么，開始運(yùn)行所述校正程序53，根據(jù)該校正程序53，對(duì)于在保持爪30A 30D和基板載置部之間進(jìn)行晶片W的交接時(shí)的所述變形傳感器4A 4D的變形量，在顯示單元61中顯示在每個(gè)變形傳感器4A 4D中獲得的“0N”、“0FF”數(shù)據(jù)，并且判斷所述保持爪30A 30D上的晶片W的位置是否正常然后在顯示單元61中顯示，在晶片W 的位置為正常的情況下，在顯示單元61中顯示所述位置為正常，使叉部件3AJB后退至后退位置(待機(jī)位置)，結(jié)束校正的確認(rèn)。此處，保持爪30A 30D上的晶片W的位置為正常是指，從變形傳感器4A 4D獲得的全部數(shù)據(jù)均為“ON”。另一方面，在保持爪30A 30D上的晶片W的位置為異常的情況下，由報(bào)警單元62 進(jìn)行警報(bào)顯示，并且禁止叉部件3A、3B向后退位置后退。然后，也可以根據(jù)操作員的判斷來進(jìn)行修正操作。作為警報(bào)顯示，例如在顯示單元61中顯示所述保持爪30A 30D上的晶片 W位置為異常。此處，保持爪30A 30D上的晶片W的位置為異常是指，來自于變形傳感器 4A 4D的獲得數(shù)據(jù)的至少一個(gè)為“OFF”。例如，當(dāng)輸送臂從腔室接收晶片W時(shí)，保持爪30A 30D上的晶片W的位置沿著橫向偏移和沿著縱向偏移的情況已經(jīng)在圖11(a)、(b)中表示。在這兩種情況下，來自于兩個(gè)變形傳感器的獲得數(shù)據(jù)變成“OFF”，因此，判斷所述保持爪30A 30D上的晶片W的位置為異常，在顯示單元61中顯示每個(gè)變形傳感器4A 4D中的0N/0FF數(shù)據(jù)和所述交接位置為異常的情況，然后禁止叉部件3A JB后退至后退位置。這樣，通過顯示每個(gè)變形傳感器4A 4D中的0N/0FF數(shù)據(jù)，如圖11 (a)所示，相對(duì)于叉部件3AJB的行進(jìn)方向，在來自于左側(cè)的變形傳感器4C、4D的數(shù)據(jù)為“0N”，來自于右側(cè)的變形傳感器4A、4B的數(shù)據(jù)為“OFF”的情況下，能夠推測(cè)出晶片W在叉部件3A、3B的行進(jìn)方向上偏向左側(cè)。此外，如圖11(b)所示，相對(duì)于叉部件3A、3B的行進(jìn)方向，在來自于后側(cè)的變形傳感器4B、4C的數(shù)據(jù)為“0N”，來自于前側(cè)的變形傳感器4A、4D為“OFF”的情況下，能夠推測(cè)出晶片W在叉部件3A、3B的行進(jìn)方向上偏向后側(cè)。所述修正操作例如是通過顯示單元61選擇用于運(yùn)行修正模式的修正程序M來實(shí)施的。如果選擇該修正程序M，那么，叉部件3AJB就會(huì)沿著進(jìn)退方向略微移動(dòng)數(shù)次，然后，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后(從最后移動(dòng)叉部件3A、;3B后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間例如0. 5秒鐘后)，再次根據(jù)來自于各個(gè)變形傳感器4A 4D的變形量獲得0N/0FF數(shù)據(jù)，如果來自三個(gè)以上的變形傳感器4的數(shù)據(jù)為“0N”，那么，判斷保持爪30A 30D上的晶片W的位置為正常，結(jié)束修正操作，在其余的情況下，例如如果來自兩個(gè)以上的變形傳感器4的數(shù)據(jù)為“0FF”，那么，重復(fù)修正動(dòng)作。該校正是在從保持爪30A 30D向基板載置部交接晶片W的情況下，或在從基板載置部向保持爪30A 30D交接晶片W的情況下實(shí)施的，但是，即使在保持爪30A 30D上的晶片W的位置為異常的情況下也能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)，因此，在交接位置的位置偏移量小時(shí)能夠應(yīng)對(duì)，位置偏移的修正容易。在進(jìn)行修正操作的情況下，能夠容易地進(jìn)行交接位置的修正。而且，在校正模式中，也可以從在保持爪30A 30D和叉部件3A、!3B之間進(jìn)行晶片 W的交接的時(shí)刻Tl至所述檢查模式中的獲得變形量的時(shí)刻T2，繼續(xù)獲取各個(gè)保持爪30A 30D中的變形傳感器4A 4D的變形量(電壓值)，根據(jù)該數(shù)據(jù)來確認(rèn)所述保持爪30A 30D上的晶片W的位置。圖12所示的例子是在保持爪30C、30D中，在比保持爪30A、30B稍晚的時(shí)刻保持晶片W的例子，這樣，在多個(gè)保持爪30A 30D中，在保持晶片W的時(shí)刻各異的情況下，在顯示單元61中顯示該情況。在此情況下，在基板載置部和保持爪30A 30D 間的晶片W的交接發(fā)生異常之前，能夠進(jìn)行維修和定期檢修，因此，能夠防止發(fā)生事故。此外，也可以在顯示單元61中顯示圖12所示的數(shù)據(jù)。圖12(c)、(d)中的虛線所示的數(shù)據(jù)表示，在暫時(shí)被保持爪30C、30D保持后跳起從保持爪30A 30D脫落的情況和晶片W發(fā)生翹起的情況。在這兩種情況下，通過顯示該數(shù)據(jù)，即使保持爪30A 30D上的晶片 W的位置出現(xiàn)異常的情況下，也容易查明原因。此處，在本發(fā)明中，保持部的個(gè)數(shù)可以是三個(gè)以上的任意數(shù)字，如果設(shè)置變形傳感
13器的保持部是三個(gè)以上，那么，也可以有未設(shè)置變形傳感器的保持部。由于具備檢查模式和教學(xué)模式及校正模式，因此，輸送臂的功能完善，輸送臂的靈活度提高，但是，可以構(gòu)成為進(jìn)行檢查模式和教學(xué)模式以及校正模式中的任意一個(gè)，也可以構(gòu)成為進(jìn)行檢查模式和教學(xué)模式、或者教學(xué)模式和校正模式以及檢查模式和校正模式中的任意一個(gè)。此外，在檢查模式中，可以在顯示單元61中顯示從變形傳感器4獲得的“ON”、 “OFF”數(shù)據(jù)、或圖12所示的數(shù)據(jù)，也可以在檢查模式后選擇修正模式，修正保持爪30A 30D 上的晶片W的位置。本發(fā)明的基板輸送裝置不僅能夠應(yīng)用于在第一 第四處理區(qū)域Bl B4中設(shè)置的輸送臂Al A4中，也能應(yīng)用在交接單元C或交接臂D、對(duì)接臂F、穿梭臂E中。此外，作為基板載置部，包括全部腔室中的支承銷73和旋轉(zhuǎn)卡盤等，在與叉部件3A、;3B之間進(jìn)行晶片 W的交接的全部部件。此時(shí)，也可以使保持了晶片W的叉部件3A、;3B位于基板載置部的上方側(cè)，使基板載置部上升，基板載置部側(cè)接收叉部件3A、;3B上的晶片W，或者，使保持了晶片 W的基板載置部位于叉部件3A、3B的上方側(cè)，使基板載置部下降，將晶片W交給叉部件3A、 3B。本發(fā)明不僅能應(yīng)用在抗蝕劑圖案形成裝置中，也能應(yīng)用在向基板載置部交接基板、且配備了保持框的全部基板輸送裝置。
權(quán)利要求
1.一種基板輸送裝置，其特征在于，包括構(gòu)成為通過驅(qū)動(dòng)部自由地升降和進(jìn)退的、以圍繞基板的周圍的方式設(shè)置的保持框；從該保持框的內(nèi)緣分別向內(nèi)側(cè)突出，且沿著該內(nèi)緣相互隔開間隔地設(shè)置的用于載置所述基板的背面?zhèn)戎苓叢康娜齻€(gè)以上的保持部；設(shè)置在這些保持部的各個(gè)上的、用于檢測(cè)從上方向保持部施加負(fù)荷時(shí)該保持部的變形量的變形傳感器；使所述保持框前進(jìn)，使所述基體相對(duì)于所述基板載置部相對(duì)地上升，然后接收在其上載置有基板的基板載置部上的基板時(shí)，根據(jù)各個(gè)變形傳感器的變形量判斷基板的姿勢(shì)是否正常的判斷單元；和當(dāng)判斷基板的姿勢(shì)為異常時(shí)，禁止所述保持框后退的單元。
2.如權(quán)利要求1所述的基板輸送裝置，其特征在于所述判斷單元對(duì)根據(jù)基板的姿勢(shì)為正常時(shí)各個(gè)變形傳感器的變形量設(shè)定的閾值和各個(gè)變形傳感器的變形量的檢測(cè)值進(jìn)行比較，當(dāng)至少一個(gè)變形傳感器的變形量為閾值以下時(shí)，判斷基板的姿勢(shì)為異常。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板輸送裝置，其特征在于具有控制部，該控制部在示范所述保持部與基板載置部交接基板的交接動(dòng)作時(shí)，在所述變形傳感器的變形量變化的時(shí)刻，讀取管理所述驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)量的高度方向的坐標(biāo)位置，然后將該坐標(biāo)位置作為基板交接的高度位置進(jìn)行存儲(chǔ)。
4.一種基板輸送方法，使用基板輸送裝置，與在其上載置有基板的基板載置部交接基板，該基板輸送裝置包括構(gòu)成為通過驅(qū)動(dòng)部自由地升降和進(jìn)退、且以圍繞基板的周圍的方式設(shè)置的保持框；和從該保持框的內(nèi)緣分別向內(nèi)側(cè)突出、且沿著該內(nèi)緣相互隔開間隔地設(shè)置的用于載置所述基板的背面?zhèn)戎苓叢康娜齻€(gè)以上的保持部，該基板輸送方法的特征在于，包括使所述保持框前進(jìn)，使所述基體相對(duì)于所述基板載置部相對(duì)地上升，然后接收所述基板載置部上的基板的工序；通過設(shè)置于各個(gè)所述保持部的變形傳感器，檢測(cè)從上方向保持部施加負(fù)荷時(shí)的該保持部的變形量的工序；根據(jù)各個(gè)變形傳感器的變形量，判斷基板的姿勢(shì)是否正常的工序；和當(dāng)判斷基板的姿勢(shì)為異常時(shí)，禁止所述保持框后退的工序。
5.如權(quán)利要求4所述的基板輸送方法，其特征在于在判斷所述基板的姿勢(shì)的工序中，對(duì)根據(jù)基板的姿勢(shì)為正常時(shí)的各個(gè)變形傳感器的變形量設(shè)定的閾值和各個(gè)變形傳感器的變形量的檢測(cè)值進(jìn)行比較，當(dāng)至少一個(gè)變形傳感器的變形量為閾值以下時(shí)，判斷基板的姿勢(shì)為異常。
6.如權(quán)利要求4或5所述的基板輸送方法，其特征在于還包括當(dāng)示范所述保持部向基板載置部交接基板的交接動(dòng)作時(shí)，在所述變形傳感器的變形量變化的時(shí)刻，讀取管理所述驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)量的高度方向的坐標(biāo)位置，將該坐標(biāo)位置作為基板交接的高度位置進(jìn)行存儲(chǔ)的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板輸送裝置和基板輸送方法。當(dāng)從基板載置部接收基板時(shí)可靠地檢測(cè)出基板的姿勢(shì)是否為異常狀態(tài)。使所述叉部件(3A)沿著基體(31)前進(jìn)，并且相對(duì)于保持晶片(W)的支承銷(73)上升，從而在叉部件(3A)上接收該支承銷(73)上的晶片(W)。此時(shí)，通過在所述各個(gè)保持爪(30A～30D)上設(shè)置的變形傳感器(4A～4D)檢測(cè)出當(dāng)從上方向保持爪(30A～30D)上施加負(fù)荷時(shí)該保持爪(30A～30D)的變形量。根據(jù)各個(gè)變形傳感器的變形量來判斷晶片(W)的姿勢(shì)是否正常，當(dāng)判斷晶片W的姿勢(shì)為異常時(shí)，禁止所述叉部件(3A)的后退。
文檔編號(hào)H01L21/677GK102163571SQ20111003536
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者道木裕一 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社