1.一種用于生成基準(zhǔn)電壓的設(shè)備，所述設(shè)備包括：
第一非易失性存儲(chǔ)器單元，包括控制柵極晶體管和讀取晶體管；以及
第二等效存儲(chǔ)器單元；
其中，所述控制柵極晶體管包括柵極端子、主體、第一導(dǎo)電端子和第二導(dǎo)電端子，所述第一導(dǎo)電端子和所述第二導(dǎo)電端子被連接在一起以形成控制柵極端子；并且
其中，所述讀取晶體管包括被連接到所述控制柵極晶體管的所述柵極端子以形成浮置柵極端子的柵極端子、主體、第三導(dǎo)電端子和第四導(dǎo)電端子；
其中，所述第一非易失性存儲(chǔ)器單元的源極端子和所述第二等效存儲(chǔ)器單元的源極端子被連接在一起；并且
其中，所述設(shè)備被配置為使得所述基準(zhǔn)電壓在所述浮置柵極端子上被獲取，并且通過所述第一非易失性存儲(chǔ)器單元和所述第二等效存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)電端子的供電狀況來確定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第二等效存儲(chǔ)器單元包括讀取晶體管，所述讀取晶體管具有連接到浮置柵極端子的控制柵極端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第二等效存儲(chǔ)器單元包括非易失性存儲(chǔ)器單元，所述非易失性存儲(chǔ)器單元包括控制柵極晶體管和讀取晶體管，并且限定第二浮置柵極端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，在所述第一非易失性存儲(chǔ)器單元中，所述控制柵極晶體管的面積大于所述讀取晶體管的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述控制柵極晶體管的面積與所述讀取晶體管的面積是比率6:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，在所述第一非易失性存儲(chǔ)器單元中，所述控制柵極晶體管的面積小于所述讀取晶體管的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，所述控制柵極晶體管的面積與所述讀取晶體管的面積是比率1:6。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述控制柵極晶體管和所述讀取晶體管包括NMOS晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述控制柵極晶體管和所述讀取晶體管包括PMOS晶體管。
10.一種系統(tǒng)，包括運(yùn)算放大器和根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生成基準(zhǔn)電壓的設(shè)備，其中，用于生成基準(zhǔn)電壓的所述設(shè)備作為差分對(duì)被插入所述運(yùn)算放大器中，其中，所述第一非易失性存儲(chǔ)器單元的控制柵極端子被連接在所述運(yùn)算放大器的反相分支上，并且所述第二等效存儲(chǔ)器單元的控制柵極端子被連接在所述運(yùn)算放大器的非反相分支上。
11.一種設(shè)備，包括：
第一控制柵極晶體管，包括柵極端子、主體、第一導(dǎo)電端子和第二導(dǎo)電端子，所述第一導(dǎo)電端子和所述第二導(dǎo)電端子被連接在一起以形成第一控制柵極端子；
第一讀取晶體管，包括被連接到所述第一控制柵極晶體管的柵極端子以形成浮置柵極端子的柵極端子、主體、第三導(dǎo)電端子和第四導(dǎo)電端子，所述第一讀取晶體管的柵極端子被連接到所述第一控制柵極晶體管的柵極端子以形成第一浮置柵極端子；
第二控制柵極晶體管，包括柵極端子、主體、第五導(dǎo)電端子和第六導(dǎo)電端子(Scg)，所述第五導(dǎo)電端子和所述第六導(dǎo)電端子被連接在一起以形成第二控制柵極端子；以及
第二讀取晶體管，包括柵極端子、主體、第七導(dǎo)電端子和第八導(dǎo)電端子，所述第二讀取晶體管的柵極端子被連接到所述第二控制柵極晶體管的柵極端子以形成浮置柵極端子，其中，所述第四導(dǎo)電端子和所述第八導(dǎo)電端子被連接在一起。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備被配置為使得所述基準(zhǔn)電壓在所述第一浮置柵極端子上被獲取，并且通過所述第一控制柵極端子、所述第二控制柵極端子、所述第三導(dǎo)電端子、所述第四導(dǎo)電端子、所述第七導(dǎo)電端子和所述第八導(dǎo)電端子的供電狀況來確定。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括運(yùn)算放大器中的差分對(duì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述第一控制柵極端子被連接在所述運(yùn)算放大器的反相分支上，并且所述第二控制柵極端子被連接在所述運(yùn)算放大器的非反相分支上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述第一控制柵極晶體管具有大于所述第一讀取晶體管的面積的面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述第一控制柵極晶體管具有小于所述第一讀取晶體管的面積的面積。
17.一種用于生成基準(zhǔn)電壓的設(shè)備，所述設(shè)備包括：
第一非易失性存儲(chǔ)器單元，包括第一控制柵極晶體管和第一讀取晶體管；以及
第二非易失性存儲(chǔ)器單元，包括第二控制柵極晶體管和第二讀取晶體管；
其中，所述第一控制柵極晶體管包括柵極端子、主體、漏極端子和源極端子，所述漏極端子和所述源極端子被連接在一起以形成第一控制柵極端子；
其中，所述第一讀取晶體管包括柵極端子、主體、漏極端子和源極端子，所述第一讀取晶體管的柵極端子被連接到所述第一控制柵極晶體管的柵極端子以形成第一浮置柵極端子；
其中，所述第二控制柵極晶體管包括柵極端子、主體、漏極端子和源極端子，所述漏極端子和所述源極端子被連接在一起以形成第二控制柵極端子；
其中，所述第二讀取晶體管包括柵極端子、主體、漏極端子和源極端子，所述第二讀取晶體管的柵極端子被連接到所述第二控制柵極晶體管的柵極端子以形成第二浮置柵極端子；并且
其中，所述第一讀取晶體管的源極端子和所述第二讀取晶體管的源極端子被連接在一起。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備被配置為使得基準(zhǔn)電壓在所述第一浮置柵極端子上被獲取，并且通過所述第一非易失性存儲(chǔ)器單元和所述第二非易失性存儲(chǔ)器單元的導(dǎo)電端子的供電狀況來確定。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述第一控制柵極晶體管的面積至少是所述第一讀取晶體管的面積的六倍。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述第一控制柵極晶體管的面積至少比所述第一讀取晶體管的面積小六倍。