本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲器管理機制，且特別是有關(guān)于一種存儲器管理方法、存儲器控制電路單元及存儲器存儲裝置。
背景技術(shù)：
：：數(shù)碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對存儲媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性存儲器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無機械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，最適于可攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤就是一種以快閃存儲器作為存儲媒體的存儲器存儲裝置。因此，近年快閃存儲器產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當熱門的一環(huán)。在某些存儲器存儲裝置中，可復(fù)寫式非易失性存儲器會被劃分為暫存區(qū)與存儲區(qū)。存儲區(qū)是使用者數(shù)據(jù)最終存放的位置，而暫存區(qū)是用以暫存欲存儲至存儲區(qū)的數(shù)據(jù)。一般而言，若暫存區(qū)的大小越大，則對于可復(fù)寫式非易失性存儲器的數(shù)據(jù)存取速度可能越快，但相對地其整體用來存儲使用者數(shù)據(jù)的存儲容量會減少；若暫存區(qū)的大小越小，則可復(fù)寫式非易失性存儲器中用來存儲使用者數(shù)據(jù)的存儲容量會增加，但其數(shù)據(jù)存取速度可能會下降。因此，如何在可復(fù)寫式非易失性存儲器的整體存儲容量有限的情況下改善存儲器模塊的數(shù)據(jù)存取速度是本領(lǐng)域技術(shù)人員所致力的目標之一。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種存儲器管理方法、存儲器控制電路單元及存儲器存儲裝置，可在可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的整體存儲容量有限的情況下改善其數(shù)據(jù)存取速度。本發(fā)明的一實施例提供一種存儲器管理方法，其用于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊，所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個物理單元，所述存 儲器管理方法包括：接收寫入指令并判斷所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的多個物理單元的使用狀態(tài)是否符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)；若被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)符合所述第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，將所述寫入指令所對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)存儲至所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)的至少一物理單元；將用以存儲所述寫入數(shù)據(jù)的所述物理單元關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)；以及配置至少一邏輯單元來映射被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元。在本發(fā)明的一實施例中，判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第一預(yù)設(shè)狀態(tài)包括：判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用容量是否符合第一預(yù)設(shè)容量，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用容量是對應(yīng)于被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第一數(shù)目的第一比特數(shù)據(jù)，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第二數(shù)目的第二比特數(shù)據(jù)，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的總可用容量小于主機系統(tǒng)可存取的總邏輯容量。在本發(fā)明的一實施例中，若所述總可用容量從第一容量改變?yōu)榈诙萘浚隹傔壿嬋萘烤S持不變。本發(fā)明的另一實施例提供一種存儲器控制電路單元，其用于控制可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊，所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個物理單元，所述存儲器控制電路單元包括主機接口、存儲器接口及存儲器管理電路。所述主機接口用以電性連接至主機系統(tǒng)。所述存儲器接口用以電性連接至所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述存儲器管理電路電性連接至所述主機接口與所述存儲器接口，其中所述存儲器管理電路用以接收寫入指令并判斷所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的多個物理單元的使用狀態(tài)是否符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，其中若被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)符合所述第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，所述存儲器管理電路還用以發(fā)送寫入指令序列，其中所述寫入指令序列用以指示將所述寫入指令所對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)存儲至所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)的至少一物理單元，其中所述存儲器管理電路還用以將 用以存儲所述寫入數(shù)據(jù)的所述物理單元關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)，其中所述存儲器管理電路還用以配置至少一邏輯單元來映射被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元。在本發(fā)明的一實施例中，存儲器管理電路判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第一預(yù)設(shè)狀態(tài)包括：判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用容量是否符合第一預(yù)設(shè)容量，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用容量是對應(yīng)于被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第一數(shù)目的第一比特數(shù)據(jù)，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第二數(shù)目的第二比特數(shù)據(jù)，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的總可用容量小于所述主機系統(tǒng)可存取的總邏輯容量。在本發(fā)明的一實施例中，若所述總可用容量從第一容量被改變?yōu)榈诙萘?，所述總邏輯容量維持不變。本發(fā)明的另一實施例提供一種存儲器存儲裝置，其包括連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊及存儲器控制電路單元。所述連接接口單元用以電性連接至主機系統(tǒng)。所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個物理單元。所述存儲器控制電路單元電性連接至所述連接接口單元與所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊，其中所述存儲器控制電路單元用以接收寫入指令并判斷所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的多個物理單元的使用狀態(tài)是否符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，其中若被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)符合所述第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，所述存儲器控制電路單元還用以發(fā)送寫入指令序列，其中所述寫入指令序列用以指示將所述寫入指令所對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)存儲至所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)的至少一物理單元，其中所述存儲器控制電路單元還用以將用以存儲所述寫入數(shù)據(jù)的所述物理單元關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)，其中所述存儲器控制電路單元還用以配置至少一邏輯單元來映射被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元。在本發(fā)明的一實施例中，所述存儲器控制電路單元判斷被關(guān)聯(lián)至所述存 儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第一預(yù)設(shè)狀態(tài)包括：判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用容量是否符合第一預(yù)設(shè)容量，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用容量是對應(yīng)于被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第一數(shù)目的第一比特數(shù)據(jù)，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第二數(shù)目的一第二比特數(shù)據(jù)，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的總可用容量小于所述主機系統(tǒng)可存取的總邏輯容量。在本發(fā)明的一實施例中，若所述總可用容量從第一容量被改變?yōu)榈诙萘?，所述總邏輯容量維持不變。本發(fā)明的另一實施例提供一種存儲器管理方法，其用于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊，所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個物理單元，所述存儲器管理方法包括：配置多個邏輯單元來映射所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的多個物理單元；接收操作指令并判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用狀態(tài)是否符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)；若被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)，將被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的至少一物理單元改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)；以及移除對應(yīng)于被改為關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元的邏輯至物理映射關(guān)系。在本發(fā)明的一實施例中，所述操作指令指示刪除第一數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的一實施例中，判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)包括：判斷所述第一數(shù)據(jù)是否存儲于所述物理單元中可關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的預(yù)設(shè)物理單元。在本發(fā)明的一實施例中，判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)還包括：判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用容量是否符合第二預(yù)設(shè)容量，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用容量是對應(yīng)于被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元中的存儲 單元用以存儲第一數(shù)目的第一比特數(shù)據(jù)，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第二數(shù)目的第二比特數(shù)據(jù)，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的總可用容量小于主機系統(tǒng)可存取的總邏輯容量。在本發(fā)明的一實施例中，若所述總可用容量從第一容量改變?yōu)榈诙萘?，所述總邏輯容量維持不變。本發(fā)明的另一實施例提供一種存儲器控制電路單元，其用于控制可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊，所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個物理單元，所述存儲器控制電路單元包括主機接口、存儲器接口及存儲器管理電路。所述主機接口用以電性連接至主機系統(tǒng)。所述存儲器接口用以電性連接至所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述存儲器管理電路電性連接至所述主機接口與所述存儲器接口，其中所述存儲器管理電路用以配置多個邏輯單元來映射所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的多個物理單元，其中所述存儲器管理電路還用以接收操作指令并判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用狀態(tài)是否符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)，其中若被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)，所述存儲器管理電路還用以將被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的至少一物理單元改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)，其中所述存儲器管理電路還用以移除對應(yīng)于被改為關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元的邏輯至物理映射關(guān)系。在本發(fā)明的一實施例中，所述操作指令指示刪除第一數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的一實施例中，所述存儲器管理電路判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)包括：判斷所述第一數(shù)據(jù)是否存儲于所述物理單元中可關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的預(yù)設(shè)物理單元。在本發(fā)明的一實施例中，所述存儲器管理電路判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)還包括：判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用容量是否符合第二預(yù)設(shè)容量，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用容量是對應(yīng)于被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元中的存儲 單元用以存儲第一數(shù)目的第一比特數(shù)據(jù)，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第二數(shù)目的第二比特數(shù)據(jù)，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的總可用容量小于所述主機系統(tǒng)可存取的總邏輯容量。在本發(fā)明的一實施例中，若所述總可用容量從第一容量被改變?yōu)榈诙萘浚隹傔壿嬋萘烤S持不變。本發(fā)明的另一實施例提供一種存儲器存儲裝置，其包括連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊及存儲器控制電路單元。所述連接接口單元用以電性連接至主機系統(tǒng)。所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個物理單元。所述存儲器控制電路單元電性連接至所述連接接口單元與所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊，其中所述存儲器控制電路單元用以配置多個邏輯單元來映射所述物理單元中被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的多個物理單元，其中所述存儲器控制電路單元還用以接收操作指令并判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用狀態(tài)是否符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)，其中若被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)，所述存儲器控制電路單元還用以將被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的至少一物理單元改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)，其中所述存儲器控制電路單元還用以移除對應(yīng)于被改為關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元的邏輯至物理映射關(guān)系。在本發(fā)明的一實施例中，所述操作指令指示刪除第一數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的一實施例中，所述存儲器控制電路單元判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)包括：判斷所述第一數(shù)據(jù)是否存儲于所述物理單元中可關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的預(yù)設(shè)物理單元。在本發(fā)明的一實施例中，所述存儲器控制電路單元判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用狀態(tài)是否符合所述第二預(yù)設(shè)狀態(tài)還包括：判斷被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的使用容量是否符合第二預(yù)設(shè)容量，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的所述使用容量是對應(yīng)于被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述暫存區(qū)的所述物理單元中的存儲 單元用以存儲第一數(shù)目的第一比特數(shù)據(jù)，其中被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元中的存儲單元用以存儲第二數(shù)目的第二比特數(shù)據(jù)，其中所述第一數(shù)目小于所述第二數(shù)目。在本發(fā)明的一實施例中，被關(guān)聯(lián)至所述存儲區(qū)的所述物理單元的總可用容量小于所述主機系統(tǒng)可存取的總邏輯容量。在本發(fā)明的一實施例中，若所述總可用容量從第一容量被改變?yōu)榈诙萘浚隹傔壿嬋萘烤S持不變?；谏鲜?，本發(fā)明可動態(tài)地改變可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊中暫存區(qū)與存儲區(qū)各自的容量，以在可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的整體存儲容量有限的情況下改善其數(shù)據(jù)存取速度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置；圖1B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器存儲裝置的示意圖；圖1C是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置的示意圖；圖2是圖1A所示的存儲器存儲裝置的概要方塊圖；圖3A與圖3B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的存儲單元存儲架構(gòu)與物理程序化單元的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的存儲器控制電路單元的概要方塊圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的概要方塊圖；圖6與圖7是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的存儲數(shù)據(jù)的示意圖；圖8A及圖8B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的管理物理單元的示意圖；圖9A及圖9B是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所示出的管理物理單元的示意 圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的存儲器管理方法的流程圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所示出的存儲器管理方法的流程圖。附圖標記說明：1000：主機系統(tǒng)；1100：電腦；1102：微處理器；1104：隨機存取存儲器；1106：輸入/輸出裝置；1108：系統(tǒng)總線；1110：數(shù)據(jù)傳輸接口；1202：鼠標；1204：鍵盤；1206：顯示器；1208：打印機；1212：隨身盤1214：存儲卡；1216：固態(tài)硬盤；1310：數(shù)碼相機；1312：SD卡；1314：MMC卡；1316：存儲棒；1318：CF卡；1320：嵌入式存儲裝置；100：存儲器存儲裝置；102：連接接口單元；104：存儲器控制電路單元；106：可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊；302：存儲器管理電路；304：主機接口；306：存儲器接口；308：緩沖存儲器310：電源管理電路；312：錯誤檢查與校正電路；500(0)～500(D)、800(0)～800(H)：物理單元；502、802：暫存區(qū)；504、804：存儲區(qū)；506：系統(tǒng)區(qū)；510(0)～510(E)、810(0)～810(Q)：邏輯單元；S1001、S1003、S1005、S1007、S1101、S1103、S1105、S1107、S1109、S1111：存儲器管理方法的步驟。具體實施方式圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置的示意圖。圖1B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器存儲裝置的示意圖。圖1C是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的主機系統(tǒng)與存儲器存儲裝置的示意圖。請參照圖1A，主機系統(tǒng)1000一般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output,I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機存取存儲器(randomaccessmemory,RAM)1104、系統(tǒng)總線1108與數(shù)據(jù)傳輸接口1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖1B的鼠標1202、鍵盤1204、顯示器1206與打印機1208。必須了解的是，圖1B所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可還包括其它裝置。在本發(fā)明實施例中，存儲器存儲裝置100是通過數(shù)據(jù)傳輸接口1110與主機系統(tǒng)1000的其它元件電性連接。通過微處理器1102、隨機存取存儲器1104與輸入/輸出裝置1106的運行可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器存儲裝置100或從存儲器存儲裝置100中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲器存儲裝置100可以是如圖1B所示的隨身盤1212、存儲卡1214或固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)1216等的可復(fù)寫式非易失性存儲器存儲裝置。一般而言，主機系統(tǒng)1000為可實質(zhì)地與存儲器存儲裝置100配合以存儲 數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本實施例中，主機系統(tǒng)1000是以電腦系統(tǒng)來做說明，然而，在本發(fā)明另一實施例中主機系統(tǒng)1000可以是數(shù)碼相機、攝影機、通信裝置、音頻播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機系統(tǒng)為圖1C中的數(shù)碼相機(攝影機)1310時，可復(fù)寫式非易失性存儲器存儲裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、存儲棒(memorystick)1316、CF卡1318或嵌入式存儲裝置1320(如圖1C所示)。嵌入式存儲裝置1320包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC,eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接電性連接于主機系統(tǒng)的基板上。圖2是圖1A所示的存儲器存儲裝置的概要方塊圖。請參照圖2，存儲器存儲裝置100包括連接接口單元102、存儲器控制電路單元104與可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106。在本實施例中，連接接口單元102是相容于串行高級技術(shù)附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)標準。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接接口單元102也可以是符合并行高級技術(shù)附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)標準、電氣和電子工程師協(xié)會(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394標準、高速周邊零件連接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)標準、通用串行總線(UniversalSerialBus,USB)標準、超高速一代(UltraHighSpeed-I,UHS-I)接口標準、超高速二代(UltraHighSpeed-II,UHS-II)接口標準、安全數(shù)碼(SecureDigital,SD)接口標準、存儲棒(MemoryStick,MS)接口標準、多媒體存儲卡(MultiMediaCard,MMC)接口標準、小型快閃(CompactFlash,CF)接口標準、整合式驅(qū)動電子接口(IntegratedDeviceElectronics,IDE)標準或其它適合的標準。在本實施例中，連接接口單元102可與存儲器控制電路單元104封裝在一個芯片中，或布設(shè)于一包含存儲器控制電路單元104的芯片外。存儲器控制電路單元104用以執(zhí)行以硬件形式或固件形式實作的多個邏輯閘或控制指令并且根據(jù)主機系統(tǒng)1000的指令在可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取、抹除與合并等運行?？蓮?fù)寫式非易失性存儲器模塊106是電性連接至存儲器控制電路單元104并且用以存儲主機系統(tǒng)1000所寫入的數(shù)據(jù)?？蓮?fù)寫式非易失性存儲器模塊106具有多個物理抹除單元。例如，此些物理抹除單元可屬于同一個存儲 器晶粒(die)或者屬于不同的存儲器晶粒。每一物理抹除單元具有復(fù)數(shù)個物理程序化單元。例如，在本實施例中，每一個物理抹除單元包含258個物理程序化單元，而其中屬于同一個物理抹除單元的多個物理程序化單元可被獨立地寫入且被同時地抹除。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此。例如，在另一實施例中，每一物理抹除單元也可以由64個物理程序化單元、256個物理程序化單元或其它任意個物理程序化單元所組成。更詳細來說，物理抹除單元為抹除的最小單位。也就是，每一物理抹除單元含有最小數(shù)目的一并被抹除的存儲單元。物理程序化單元為程序化的最小單元。即，物理程序化單元為寫入數(shù)據(jù)的最小單元。例如，一個物理程序化單元可以是一個物理頁或一個物理扇(sector)。若物理程序化單元為物理頁，則每一物理程序化單元通常包括數(shù)據(jù)比特區(qū)與冗余比特區(qū)。數(shù)據(jù)比特區(qū)用以存儲使用者數(shù)據(jù)，而冗余比特區(qū)用以存儲系統(tǒng)數(shù)據(jù)(例如，控制信息與錯誤更正碼)。在本實施例中，每一個物理程序化單元的數(shù)據(jù)比特區(qū)中會包含4個物理存取地址，且一個物理存取地址的大小為512字節(jié)(B,byte)。一個物理存區(qū)地址也可視為是一個物理扇。然而，在其它實施例中，數(shù)據(jù)比特區(qū)中也可包含數(shù)目更多或更少的物理存取地址，本發(fā)明并不限制物理存取地址的大小以及個數(shù)。在本實施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106為復(fù)數(shù)階存儲單元(TrinaryLevelCell，TLC)NAND型快閃存儲器模塊(即，一個存儲單元中可存儲3個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器模塊)。然而，本發(fā)明不限于此。在另一實施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106也可是多階存儲單元(MultiLevelCell，MLC)NAND型快閃存儲器模塊(即，一個存儲單元中可存儲2個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器模塊)、單階存儲單元(SingleLevelCell，SLC)NAND型快閃存儲器模塊(即，一個存儲單元中可存儲1個比特數(shù)據(jù)的快閃存儲器模塊)、或其它快閃存儲器模塊或其它具有相同特性的存儲器模塊。SLCNAND型快閃存儲器模塊中的每個存儲單元可存儲1個比特數(shù)據(jù)(即，“1”或“0”)。在SLCNAND型快閃存儲器中，排列在同一條字線上的數(shù)個存儲單元可對應(yīng)至一個物理程序化單元。MLCNAND型快閃存儲器模塊中的每個存儲單元可存儲2個比特數(shù)據(jù)(即，“11”、“10”、“01”或“00”)。此2個比特數(shù)據(jù)包括一個最低有效 比特(LeastSignificantBit,LSB)以及一個最高有效比特(MostSignificantBit,MSB)。例如，此2個比特數(shù)據(jù)中，從左側(cè)算起的第1個比特為LSB，而從左側(cè)算起的第2個比特為MSB。在MLCNAND型快閃存儲器中，排列在同一條字線上的數(shù)個存儲單元可對應(yīng)至2個物理程序化單元。例如，由此些存儲單元的LSB所組成的物理程序化單元可稱為下物理程序化單元(lowphysicalprogrammingunit)，并且由此些存儲單元的MSB所組成的物理程序化單元稱為上物理程序化單元(upperphysicalprogrammingunit)。TLCNAND型快閃存儲器模塊中的每個存儲單元可存儲3個比特數(shù)據(jù)(即，“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”或“000”)。圖3A與圖3B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的TLCNAND型快閃存儲器模塊的存儲單元存儲架構(gòu)與物理程序化單元的示意圖。請參照圖3A，在TLCNAND型快閃存儲器模塊為例中，每個存儲單元的存儲狀態(tài)可被識別為“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”或“000”。在每一個存儲狀態(tài)中，從左側(cè)算起的第1個比特也稱為LSB、從左側(cè)算起的第2個比特也稱為(CentralSignificantBit,CSB)以及從左側(cè)算起的第3個比特也稱為MSB。在TLCNAND型快閃存儲器中，排列在同一條字線上的數(shù)個存儲單元可對應(yīng)至3個物理程序化單元。例如，由此些存儲單元的LSB所組成的物理程序化單元稱為下物理程序化單元，由此些存儲單元的CSB所組成的物理程序化單元稱為中物理程序化單元，并且由此些存儲單元的MSB所組成的物理程序化單元稱為上物理程序化單元。請參照圖3B，在本實施例中，一個物理抹除單元包括86個物理程序化單元組。每個物理程序化單元組包括由排列在同一條字線上的數(shù)個存儲單元所組成的下物理程序化單元、中物理程序化單元與上物理程序化單元。為了方便說明，圖3B中每一個物理程序化單元都被賦予一個編號。例如，編號N用來表示一個對應(yīng)的物理程序化單元是某一個物理抹除單元中的第N個物理程序化單元。在本實施例中，N可以是0～257中的任一者。在另一實施例中，N可以是更大的正整數(shù)。在本實施例中，屬于下物理程序化單元的第0個物理程序化單元、屬于中物理程序化單元的第1個物理程序化單元和屬于上物理程序化單元的第2個物理程序化單元會被視為一個物理程序化單元組。類似地，第3、4、5個物理程序化單元會被視為一個物理程序化單元組，并且 以此類推其它物理程序化單元也是依據(jù)此方式被區(qū)分為多個物理程序化單元組。然而，在另一實施例中，每一個物理程序化單元也可以被獨立地管理，而不需要配置物理程序化單元組?；蛘撸诹硪粚嵤├?，物理程序化單元組的分組方式也可以改變。例如，在圖3B的另一實施例中，也可以將第0～第5個物理程序化單元分組為同一個物理程序化單元組等等，本發(fā)明不加以限制。此外，將數(shù)據(jù)寫入至某一個物理程序化單元也稱為程序化(programming)此物理程序化單元。在另一實施例中，一個物理抹除單元可以包括更多或更少的物理程序化單元組。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的存儲器控制電路單元的概要方塊圖。必須了解的是，圖4所示出的存儲器控制電路單元僅為一個，本發(fā)明不限于此。請參照圖4，存儲器控制電路單元104包括存儲器管理電路302、主機接口304及存儲器接口306。存儲器管理電路302用以控制存儲器控制電路單元104的整體運行。具體來說，存儲器管理電路302具有多個控制指令，并且在存儲器存儲裝置100運行時，此些控制指令會被執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取、抹除與合并等運行。以下對于存儲器管理電路302的描述等同于對于存儲器控制電路單元104的描述。在本發(fā)明的一實施例中，存儲器管理電路302的控制指令是以固件形式來實作。例如，存儲器管理電路302具有微處理器單元(未示出)與只讀存儲器(未示出)，并且此些控制指令是被燒錄至此只讀存儲器中。當存儲器存儲裝置100運行時，此些控制指令會由微處理器單元來執(zhí)行以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取、抹除與合并等運行。在本發(fā)明另一實施例中，存儲器管理電路302的控制指令也可以程序碼形式存儲于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的特定區(qū)域(例如，存儲器模塊中專用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，存儲器管理電路302具有微處理器單元(未示出)、只讀存儲器(未示出)及隨機存取存儲器(未示出)。特別是，此只讀存儲器具有驅(qū)動碼，并且當存儲器控制電路單元104被致能時，微處理器單元會先執(zhí)行此驅(qū)動碼段來將存儲于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中的控制指令載入至存儲器管理電路302的隨機存取存儲器中。之后，微處 理器單元會運轉(zhuǎn)此些控制指令以進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取、抹除與合并等運行。此外，在本發(fā)明另一實施例中，存儲器管理電路302的控制指令也可以一硬件形式來實作。例如，存儲器管理電路302包括微控制器、存儲單元管理電路、存儲器寫入電路、存儲器讀取電路、存儲器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路。存儲單元管理電路、存儲器寫入電路、存儲器讀取電路、存儲器抹除電路與數(shù)據(jù)處理電路是電性連接至微控制器。其中，存儲單元管理電路用以管理可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的物理抹除單元；存儲器寫入電路用以對可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106下達寫入指令以將數(shù)據(jù)寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中；存儲器讀取電路用以對可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106下達讀取指令以從可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中讀取數(shù)據(jù)；存儲器抹除電路用以對可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106下達抹除指令以將數(shù)據(jù)從可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中抹除；而數(shù)據(jù)處理電路用以處理欲寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的數(shù)據(jù)以及從可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中讀取的數(shù)據(jù)。主機接口304是電性連接至存儲器管理電路302并且用以接收與識別主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說，主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會通過主機接口304來傳送至存儲器管理電路302。在本實施例中，主機接口304是相容于SATA標準。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機接口304也可以是相容于PATA標準、IEEE1394標準、PCIExpress標準、USB標準、UHS-I接口標準、UHS-II接口標準、SD標準、MS標準、MMC標準、CF標準、IDE標準或其它適合的數(shù)據(jù)傳輸標準。存儲器接口306是電性連接至存儲器管理電路302并且用以存取可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106。也就是說，欲寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的數(shù)據(jù)會經(jīng)由存儲器接口306轉(zhuǎn)換為可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106所能接受的格式。具體來說，若存儲器管理電路302要存取可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106，存儲器接口306會傳送對應(yīng)的指令序列。例如，這些指令序列可包括指示寫入數(shù)據(jù)的寫入指令序列、指示讀取數(shù)據(jù)的讀取指令序列、指示抹除數(shù)據(jù)的抹除指令序列、以及用以指示各種存儲器操作(例如，改變讀取電壓準位或執(zhí)行垃圾回收程序等等)的相對應(yīng)的指令序列，在此不一一贅述。這些指令序列例如是由存儲器管理電路302產(chǎn)生并且通過存儲器接 口306傳送至可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106。這些指令序列可包括一或多個信號，或是在總線上的數(shù)據(jù)。這些信號或數(shù)據(jù)可包括指令碼或程序碼。例如，在讀取指令序列中，會包括讀取的辨識碼、存儲器地址等信息。在本發(fā)明的一實施例中，存儲器控制電路單元104還包括緩沖存儲器308、電源管理電路310與錯誤檢查與校正電路312。緩沖存儲器308是電性連接至存儲器管理電路302并且用以暫存來自于主機系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)與指令或來自于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的數(shù)據(jù)。電源管理電路310是電性連接至存儲器管理電路302并且用以控制存儲器存儲裝置100的電源。錯誤檢查與校正電路312是電性連接至存儲器管理電路302并且用以執(zhí)行錯誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。具體來說，當存儲器管理電路302從主機系統(tǒng)1000中接收到寫入指令時，錯誤檢查與校正電路312會為對應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對應(yīng)的錯誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode,ECC)和/或錯誤檢查碼(errordetectingcode,EDC)，并且存儲器管理電路302會將對應(yīng)此寫入指令的數(shù)據(jù)與對應(yīng)的錯誤檢查與校正碼和/或錯誤檢測碼寫入至可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中。之后，當存儲器管理電路302從可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中讀取數(shù)據(jù)時會同時讀取此數(shù)據(jù)對應(yīng)的錯誤檢查與校正碼和/或錯誤檢測碼，并且錯誤檢查與校正電路312會依據(jù)此錯誤檢查與校正碼和/或錯誤檢測碼對所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯誤檢查與校正程序。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的管理可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的概要方塊圖。在以下的實施例中提及的“分組”與“關(guān)聯(lián)”等詞是邏輯上的概念，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的物理單元的實際位置并未更動，而是邏輯上對可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的物理單元進行操作。在以下的實施例中，一個物理單元可以是指一個物理地址、一個物理扇、一個物理程序化單元或者一個物理抹除單元。本發(fā)明并不限制一個物理單元的大小。在以下的實施例中，將某一個物理單元分組至某一區(qū)也可稱為是將此物理單元關(guān)聯(lián)至此區(qū)。此外，在以下的實施例中，被關(guān)聯(lián)至某一區(qū)的物理單元可以視為是屬于此區(qū)的物理單元，并且將某一筆數(shù)據(jù)存儲、暫存、復(fù)制或搬移至 屬于某一區(qū)的物理單元也可以視為是將此筆數(shù)據(jù)存儲、暫存、復(fù)制或搬移至此區(qū)。請參照圖5，在本實施例中，在使用者開始使用存儲器存儲裝置100之前(例如，在存儲器存儲裝置100的初始化程序中或在存儲器存儲裝置100出廠前)，存儲器管理電路302會根據(jù)一預(yù)設(shè)規(guī)則將可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106的物理單元500(0)～500(D)邏輯地分組為多個區(qū)域，例如為暫存區(qū)502、存儲區(qū)504與系統(tǒng)區(qū)506。例如，物理單元500(0)～500(A)與500(A+1)～500(B)(以下也稱為500(0)～500(B))會被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)502，物理單元500(B+1)～500(C)會被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504，并且物理單元500(C+1)～500(D)會被關(guān)聯(lián)至系統(tǒng)區(qū)506。屬于暫存區(qū)502的物理單元是用以暫存來自主機系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)。屬于存儲區(qū)504的物理單元是用以存儲來自主機系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)。存儲區(qū)504中會存儲有效數(shù)據(jù)與無效數(shù)據(jù)。例如，當主機系統(tǒng)1000要刪除一份有效數(shù)據(jù)(例如，存儲在存儲區(qū)504中的使用者數(shù)據(jù))時，被刪除的數(shù)據(jù)可能還是存儲在存儲區(qū)504中，但會被標記為無效數(shù)據(jù)。沒有存儲有效數(shù)據(jù)的物理單元也被稱為閑置(spare)物理單元。例如，被抹除以后的物理單元便會成為閑置物理單元。屬于系統(tǒng)區(qū)506的物理單元是用以記錄系統(tǒng)數(shù)據(jù)，其中此系統(tǒng)數(shù)據(jù)包括關(guān)于存儲器芯片的制造商與型號、存儲器芯片的物理抹除單元數(shù)、每一物理抹除單元的物理程序化單元數(shù)等。一般來說，若主機系統(tǒng)1000欲將某一筆數(shù)據(jù)存儲至可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中，則此筆數(shù)據(jù)會先被暫存在暫存區(qū)502。然后，此筆數(shù)據(jù)會被從暫存區(qū)502搬移到存儲區(qū)504。換言之，在一般的使用狀況下，數(shù)據(jù)的最終存儲位置會是在存儲區(qū)，而不是暫存區(qū)。此外，暫存在暫存區(qū)502中的數(shù)據(jù)也可以用來作為數(shù)據(jù)寫入至存儲區(qū)504失敗時的備援(backup)。例如，在將某一筆數(shù)據(jù)暫存在暫存區(qū)502之后，此數(shù)據(jù)可能會被持續(xù)地維護在暫存區(qū)502中，直到此數(shù)據(jù)被成功地從暫存區(qū)502搬移至存儲區(qū)504為止。若暫存區(qū)502、存儲區(qū)504或系統(tǒng)區(qū)506中有物理單元損壞，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中可用的物理單元也可以用來替換損壞的物理單元。用來替換損壞的物理單元的可用物理單元可以是屬于暫存區(qū)502、存儲區(qū)504或系統(tǒng)區(qū)506。例如，當屬于系統(tǒng)區(qū)506的某一物理單元損壞而被屬 于存儲區(qū)504的一個可用物理單元取代時，則此原本屬于存儲區(qū)504的物理單元會被關(guān)聯(lián)至系統(tǒng)區(qū)506。若物理單元500(B+1)～500(C)及500(C+1)～500(D)中沒有任何物理單元損壞，則物理單元500(B+1)～500(C)會被維持在關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504，并且物理單元500(C+1)～500(D)會被維持在關(guān)聯(lián)至系統(tǒng)區(qū)506。若用來替換損壞的物理單元的可用物理單元不足，則存儲器管理電路302可能會將整個存儲器存儲裝置100宣告為寫入保護(writeprotect)狀態(tài)，而無法再寫入數(shù)據(jù)。值得一提的是，在本實施例中，即便物理單元500(0)～500(B)均沒有損壞，每一個物理單元500(0)～500(B)關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)502或存儲區(qū)504的關(guān)聯(lián)關(guān)系也可以動態(tài)地改變。例如，在存儲器存儲裝置100的使用初期，此些物理單元500(0)～500(B)會先被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)502以加大暫存區(qū)502的容量；若越來越多使用者數(shù)據(jù)被存儲在存儲區(qū)504中，此些物理單元500(0)～500(B)的至少一部分可以被改為關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504；此外，若可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中的某些使用者數(shù)據(jù)被刪除，被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504的物理單元500(0)～500(B)的至少一部分也可以再被改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)502。在本實施例中，每一個物理單元500(0)～500(B)也稱為一個預(yù)設(shè)物理單元。相對于用來替換損壞的物理單元的可用物理單元可以關(guān)聯(lián)到損壞的物理單元所屬的任意區(qū)域，每一個預(yù)設(shè)物理單元只限于在暫存區(qū)502與存儲區(qū)504之間動態(tài)地改變其關(guān)聯(lián)關(guān)系。此外，物理單元500(B+1)～500(C)與500(C+1)～500(D)不是預(yù)設(shè)物理單元。存儲器管理電路302會配置邏輯單元510(0)～510(E)以映射至被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504的物理單元。例如，存儲區(qū)504中存儲了有效數(shù)據(jù)的每一個物理單元都會被至少一個邏輯單元映射；若屬于存儲區(qū)504的某一個物理單元是存儲無效數(shù)據(jù)或沒有存儲任何數(shù)據(jù)，則此物理單元不會被任何邏輯單元映射。每一個邏輯單元510(0)～510(E)可以映射至一或多個物理單元。在本實施例中，每一個邏輯單元510(0)～510(E)包括258個邏輯地址。然而，在另一實施例中，每一個邏輯單元510(0)～510(E)也可以包含更多或更少的邏輯地址。存儲器管理電路302會將邏輯單元與物理單元之間的映射關(guān)系(以下也稱為邏輯至物理映射關(guān)系)記錄于至少一邏輯-物理映射表。當主機系統(tǒng)1100欲從存儲器存儲裝置100讀取數(shù)據(jù)或?qū)懭霐?shù)據(jù)至存儲器存儲裝置100時，存儲 器管理電路302可根據(jù)此邏輯-物理映射表來執(zhí)行對于存儲器存儲裝置100的數(shù)據(jù)存取。在本實施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106為TLCNAND型快閃存儲器模塊。然而，在另一實施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106也可以為MLCNAND型快閃存儲器模塊。在本實施例中，物理單元500(0)～500(B)會以單頁模式來操作，而物理單元500(B+1)～500(C)則會以多頁模式來操作。在單頁模式中，被程序化的每一個存儲單元只能存儲一第一數(shù)目的比特數(shù)據(jù)(以下也稱為第一比特數(shù)據(jù))。例如，此第一數(shù)目為“1”。例如，只有下物理程序化單元會被用來存儲第一比特數(shù)據(jù)。特別是，雖然SLCNAND型快閃存儲器模塊中的每一個存儲單元與使用單頁模式來存儲數(shù)據(jù)的TLC或MLCNAND型快閃存儲器模塊中的每一個存儲單元均是用以存儲1個比特數(shù)據(jù)，但是，使用單頁模式來程序化TLC或MLCNAND型快閃存儲器模塊中的存儲單元所使用的程序化電壓(也稱為寫入電壓)可能與用以程序化SLCNAND型快閃存儲器模塊中的存儲單元的程序化電壓不同。在多頁模式中，每一個存儲單元可以存儲一第二數(shù)目的比特數(shù)據(jù)(以下也稱為第二比特數(shù)據(jù))。第二數(shù)目會大于第一數(shù)目。例如，此第二數(shù)目為“2”或“3”。例如，若可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106為TLCNAND型快閃存儲器模塊，則以多頁模式來操作的多個存儲單元的下物理程序化單元、中物理程序化單元及上物理程序化單元都可用以存儲第二比特數(shù)據(jù)；若可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106為MLCNAND型快閃存儲器模塊，則以多頁模式來操作的多個存儲單元的下物理程序化單元及上物理程序化單元都可用以存儲第二比特數(shù)據(jù)。也就是說，雖然可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106為TLC或MLCNAND型快閃存儲器模塊，但是每一個物理單元500(B+1)～500(C)“真正的”可用容量會是每一個物理單元500(0)～500(B)“真正的”可用容量的2至3倍，并且每一個物理單元500(B+1)～500(C)可以用來存儲暫存在屬于暫存區(qū)502的2至3個物理單元中的數(shù)據(jù)。為了說明方便，以下將一個物理單元“真正的”可用容量統(tǒng)稱為此物理單元的可用容量。此外，以單頁模式來操作的一個物理單元的數(shù)據(jù)存取速度與可靠度也往往分別高于屬于以多頁模式來操作的一個 物理單元的數(shù)據(jù)存取速度與可靠度。在本實施例中，邏輯單元510(0)～510(E)的總?cè)萘?以下也稱為總邏輯容量)會等于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106預(yù)設(shè)提供給主機系統(tǒng)1000存儲數(shù)據(jù)(即，使用者數(shù)據(jù))的最大容量。例如，若可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106預(yù)設(shè)提供給主機系統(tǒng)1000存儲數(shù)據(jù)的最大容量為120GB(GigaBytes)，則主機系統(tǒng)1000可存取的總邏輯容量為120GB。在本實施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106預(yù)設(shè)提供給主機系統(tǒng)1000存儲數(shù)據(jù)的最大容量會等于物理單元500(A+1)～500(B)與500(B+1)～500(C)的可用容量的總合(以下也稱為總可用容量)。也就是說，在本實施例中，在存儲器存儲裝置100的操作過程中，若邏輯單元510(0)～510(E)均存儲了有效數(shù)據(jù)，則物理單元500(A+1)～500(B)與500(B+1)～500(C)都會被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504以存儲對應(yīng)的有效數(shù)據(jù)。然而，在另一實施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106預(yù)設(shè)提供給主機系統(tǒng)1000存儲數(shù)據(jù)的最大容量會等于物理單元500(0)～500(B)與500(B+1)～500(C)的總物理容量。也就是說，在此實施例中，在存儲器存儲裝置100的操作過程中，若邏輯單元510(0)～510(E)均存儲了有效數(shù)據(jù)，則物理單元500(0)～500(B)與500(B+1)～500(C)都會被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504以存儲對應(yīng)的有效數(shù)據(jù)。圖6與圖7是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的存儲數(shù)據(jù)的示意圖。請參照圖6，若存儲器管理電路302從主機系統(tǒng)1000接收到指示將某一數(shù)據(jù)存儲至邏輯單元510(0)的一個寫入指令，存儲器管理電路302會先將此數(shù)據(jù)暫存在屬于暫存區(qū)502的至少一物理單元中。以暫存大小為一個邏輯單元的大小的數(shù)據(jù)為例，存儲器管理電路302可將此數(shù)據(jù)暫存到屬于暫存區(qū)502的3個物理單元500(0)、500(1)及500(2)中。例如，將此數(shù)據(jù)的第一部份暫存到物理單元500(0)中編號0、3、6、…、255(以斜線標示)的下物理程序化單元，將此數(shù)據(jù)的第二部份暫存到物理單元500(1)中編號0、3、6、…、255(以斜線標示)的下物理程序化單元，并且將此數(shù)據(jù)的第三部份暫存到物理單元500(1)中編號0、3、6、…、255(以斜線標示)的下物理程序化單元，如圖6所示。若欲存儲的數(shù)據(jù)的大小更大，則暫存區(qū)502中更多的物理單元可被選擇并且被用來暫存數(shù)據(jù)。在將數(shù)據(jù)暫存至屬于暫存區(qū)502的物理單元500(0)、500(1)及500(2)之后，存儲器管理電路302會傳送一個回復(fù)(Response)給主機 系統(tǒng)1000。根據(jù)此回復(fù)，主機系統(tǒng)1000可以得知數(shù)據(jù)傳輸已完成。請參照圖7，存儲器管理電路302可以隨時或在特定時間點將數(shù)據(jù)從暫存區(qū)502搬移到存儲區(qū)504。例如，在本實施例中，存儲器管理電路302可以隨時從存儲區(qū)504中選擇一個閑置物理單元500(B+1)并且將物理單元500(0)、500(1)及500(2)中待搬移的數(shù)據(jù)搬移至物理單元500(B+1)中，如圖7所示(以斜線表示數(shù)據(jù))。或者，在另一實施例中，將數(shù)據(jù)從暫存區(qū)502搬移到存儲區(qū)504的操作也可以僅在存儲器存儲裝置100處于閑置狀態(tài)一段時間(例如，30秒未從主機系統(tǒng)1000中接收到任何指令)或者暫存區(qū)502中待搬移的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量超過一預(yù)設(shè)值時執(zhí)行。另一方面，對應(yīng)于將數(shù)據(jù)搬移到物理單元500(B+1)存儲，存儲器管理電路302會建立邏輯單元510(0)與物理單元500(B+1)之間的映射關(guān)系。請再次參照圖5至圖7，每一個物理單元500(0)、500(1)及500(2)可以是被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)502的物理單元500(0)～500(B)的其中之一。假設(shè)物理單元500(0)～500(A)的總可用容量為2G，物理單元500(A+1)～500(B)的總可用容量為1G，并且物理單元500(B+1)～500(C)的總可用容量為119G，則暫存區(qū)502初始的總可用容量為3GB并且存儲區(qū)504初始的總可用容量為119GB。在存儲器存儲裝置100的操作過程中，若將物理單元500(A+1)～500(B)全部改為關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504，則存儲區(qū)504的總可用容量將會改變?yōu)?20GB(即，119+1＝120)，并且暫存區(qū)502的總可用容量改變?yōu)?GB。此外，更進一步，物理單元500(0)～500(A)的至少其中之一也可以被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)504。然而，在其它實施例中，暫存區(qū)502、存儲區(qū)504及系統(tǒng)區(qū)506各別的物理單元的預(yù)設(shè)數(shù)目/預(yù)設(shè)容量也可能依據(jù)不同的存儲器規(guī)格而有所不同。圖8A及圖8B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的管理物理單元的示意圖。請參照圖8A，根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則，物理單元800(0)～800(F)被初始地關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804并且物理單元800(F+1)～800(G)與800(G+1)～800(H)(以下也稱為物理單元800(F+1)～800(H))被初始地關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802。其中，物理單元800(F+1)～800(H)為預(yù)設(shè)物理單元，而物理單元800(0)～800(F)不是預(yù)設(shè)物理單元。此外，存儲器管理電路302配置了邏輯單元810(0)～810(P)以映射至存儲區(qū)804中存儲了有效數(shù)據(jù)的物理單元。存儲器管理電路302會從主機系統(tǒng)1000接收寫入指令。根據(jù)此寫入指令，存儲器管理電路302會判斷物理單元800(0)～800(F)的使用狀態(tài)是否符合一預(yù)設(shè)狀態(tài)(以下也稱為第一預(yù)設(shè)狀態(tài))。例如，存儲器管理電路302可以判斷物理單元800(0)～800(F)的使用容量是否符合一預(yù)設(shè)容量(以下也稱為第一預(yù)設(shè)容量)。物理單元800(0)～800(F)的使用容量是指物理單元800(0)～800(F)所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。例如，第一預(yù)設(shè)容量可以設(shè)定為物理單元800(0)～800(F)的總可用容量的80％～100％或者更小。若物理單元800(0)～800(F)的使用容量等于或超過此第一預(yù)設(shè)容量，則存儲器管理電路302可以判定物理單元800(0)～800(F)的使用容量符合第一預(yù)設(shè)容量。反之，若物理單元800(0)～800(F)的使用容量小于此第一預(yù)設(shè)值，則存儲器管理電路302判定物理單元800(0)～800(F)的使用容量不符合第一預(yù)設(shè)容量。若物理單元800(0)～800(F)的使用容量符合第一預(yù)設(shè)容量，則存儲器管理電路302可以判定物理單元800(0)～800(F)的使用狀態(tài)符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)。以圖8A為例，假設(shè)物理單元800(0)～800(F)都已經(jīng)被用來存儲有效數(shù)據(jù)，表示物理單元800(0)～800(F)的使用容量已達到第一預(yù)設(shè)容量(例如，存儲于物理單元800(0)～800(F)的有效數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量已達到物理單元800(0)～800(F)的總可用容量的100％)，故存儲器管理電路302會指示可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106將寫入指令所對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)存儲到目前被關(guān)聯(lián)到暫存區(qū)802的物理單元800(F+1)～800(H)的至少其中之一。在本實施例中，是假設(shè)寫入數(shù)據(jù)被存儲至物理單元800(F+1)～800(F+3)。然而，在另一實施例中，目前被關(guān)聯(lián)到暫存區(qū)802的物理單元800(F+1)～800(H)中的任一個物理單元都可以用來存儲此寫入數(shù)據(jù)。在將寫入數(shù)據(jù)存儲至物理單元800(F+1)～800(F+3)之后，存儲器管理電路302會將物理單元800(F+1)～800(F+3)改為關(guān)聯(lián)到存儲區(qū)804，如圖8B所示。此外，存儲器管理電路302會將用以存儲此寫入數(shù)據(jù)的邏輯單元810(P+1)映射到物理單元800(F+1)～800(F+3)。值得一提的是，在將物理單元800(F+1)～800(F+3)從暫存區(qū)802改為關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804之后，存儲區(qū)804的總可用容量會對應(yīng)改變。例如，存儲區(qū)804的總可用容量從第一容量改變?yōu)榈诙萘俊Ｆ渲?，第二容量大于第一容量。例如，第一容量等于邏輯單?10(0)～810(P)的總邏輯容量，而第二容量等于邏輯單元810(0)～810(P+1)的總邏輯容量。此外，在另一實施例中，隨著所存 儲的有效數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量增加，每一次被改為關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的預(yù)設(shè)物理單元的數(shù)目也可能更多。例如，在圖8B的另一實施例中，若某一寫入數(shù)據(jù)被存儲到目前被關(guān)聯(lián)到暫存區(qū)802的物理單元800(F+1)～800(F+6)且物理單元800(0)～800(F)的使用狀態(tài)符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，則物理單元800(F+1)～800(F+6)會同步被改為關(guān)聯(lián)到存儲區(qū)804。在本實施例中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106預(yù)設(shè)提供給主機系統(tǒng)1000的最大容量相當于邏輯單元810(0)～810(Q)的總邏輯容量，因此即便關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元的總可用容量從第一容量改變?yōu)榈诙萘浚鳈C系統(tǒng)1000對應(yīng)于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106所設(shè)定的邏輯單元810(0)～810(Q)的總邏輯容量不會改變。在圖8A的另一實施例中，根據(jù)所接收到的寫入指令，若存儲器管理電路302判定物理單元800(0)～800(F)的使用容量不符合第一預(yù)設(shè)容量，則存儲器管理電路302可以判定目前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F)的使用狀態(tài)不符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)。若存儲器管理電路302判定目前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F)的使用狀態(tài)不符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，存儲器管理電路302會根據(jù)圖6及圖7的實施例所提及的存儲數(shù)據(jù)的操作，先將寫入指令所對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)暫存到關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802的物理單元800(F+1)～800(H)的至少其中之一，再將數(shù)據(jù)從暫存區(qū)802搬移到存儲區(qū)804。值得注意的是，當存儲區(qū)804所存儲的有效數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量越來越大時，越來越多被初始地關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802的預(yù)設(shè)物理單元可能被改為關(guān)聯(lián)到存儲區(qū)804。在一實施例中，若被關(guān)聯(lián)到存儲區(qū)804的物理單元的總可用容量等于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106預(yù)設(shè)提供給主機系統(tǒng)1000的最大容量(即，邏輯單元810(0)～810(Q)的總邏輯容量)，則存儲器管理電路302會停止將目前屬于暫存區(qū)802的其它預(yù)設(shè)物理單元關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804。在一實施例中，在滿足特定條件時，被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的預(yù)設(shè)物理單元也可以被改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802。圖9A及圖9B是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所示出的管理物理單元的示意圖。請參照圖9A，在本實施例中，物理單元800(0)～800(F+1)被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804，且物理單元800(F+2)～800(H)被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802。其中，物理單元 800(F+1)～800(H)為預(yù)設(shè)物理單元，而物理單元800(0)～800(F)不是預(yù)設(shè)物理單元。此外，相對于圖8A與圖8B的實施例，在本實施例中，是假設(shè)邏輯單元810(0)～810(P)所存儲的數(shù)據(jù)均已被主機系統(tǒng)1000指示刪除，故僅剩下邏輯單元810(P+1)與物理單元800(F+1)之間的映射關(guān)系。在本實施例中，存儲器管理電路302會從主機系統(tǒng)1000接收一操作指令。例如，此操作指令是指示刪除存儲于某一邏輯單元的數(shù)據(jù)(以下也稱為第一數(shù)據(jù))。根據(jù)此操作指令，存儲器管理電路302會判斷當前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F+1)的使用狀態(tài)是否符合另一預(yù)設(shè)狀態(tài)(以下也稱為第二預(yù)設(shè)狀態(tài))。例如，存儲器管理電路302可以判斷此操作指令所指示刪除的第一數(shù)據(jù)是否是存儲于一個預(yù)設(shè)物理單元。在本實施例中，假設(shè)此第一數(shù)據(jù)是存儲于邏輯單元810(P+1)，根據(jù)邏輯單元810(P+1)與物理單元800(F+1)之間的映射關(guān)系，存儲器管理電路302會判定此即將被刪除的第一數(shù)據(jù)是被存儲于預(yù)設(shè)物理單元(即，物理單元800(F+1))。若即將被刪除的第一數(shù)據(jù)是被存儲于預(yù)設(shè)物理單元，存儲器管理電路302會判定當前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F+1)的使用狀態(tài)符合第二預(yù)設(shè)規(guī)則。如圖9B所示，若存儲器管理電路302判定當前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F+1)的使用狀態(tài)符合第二預(yù)設(shè)規(guī)則，存儲器管理電路302會指示可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106將第一數(shù)據(jù)從物理單元800(F+1)中刪除(或，標記為無效數(shù)據(jù))并且將物理單元800(F+1)改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802。此外，存儲器管理電路302還會移除對應(yīng)于物理單元800(F+1)的邏輯至物理映射關(guān)系。例如，移除邏輯單元810(P+1)與物理單元800(F+1)之間的映射關(guān)系。然而，在其它實施例中，若被刪除的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量更大，則更多的預(yù)設(shè)物理單元也可以被從存儲區(qū)804改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802。例如，若某一操作指令是指示刪除3個目前被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的預(yù)設(shè)物理單元所存儲的數(shù)據(jù)，則在刪除此些數(shù)據(jù)之后，這3個目前被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的預(yù)設(shè)物理單元可以同步被改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802。另一方面，若被刪除的第一數(shù)據(jù)不是被存儲于某一個預(yù)設(shè)物理單元，例如，第一數(shù)據(jù)是存儲在物理單元800(0)～800(F)的其中之一，則存儲器管理電路302會判定當前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F+1)的使用狀態(tài)不符合第二預(yù)設(shè)規(guī)則，而維持將物理單元800(F+1)關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804。在另一實施例中，在判斷當前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F+1)的使用狀態(tài)是否符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)的操作中，存儲器管理電路302還會判斷物理單元800(0)～800(F)的使用容量是否符合另一預(yù)設(shè)容量(以下也稱為第二預(yù)設(shè)容量)。物理單元800(0)～800(F)的使用容量是指物理單元800(0)～800(F)所存儲的有效數(shù)據(jù)的總數(shù)據(jù)量。例如，存儲器管理電路302可以判斷物理單元800(0)～800(F)的使用容量是否小于或等于此第二預(yù)設(shè)容量。若物理單元800(0)～800(F)的使用容量小于或等于此第二預(yù)設(shè)容量且即將被刪除的第一數(shù)據(jù)是被存儲于預(yù)設(shè)物理單元(例如，物理單元800(F+1))，則存儲器管理電路302可以判定當前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F+1)的使用狀態(tài)符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)。反之，若物理單元800(0)～800(F)的使用容量不小于此第二預(yù)設(shè)容量或即將被刪除的第一數(shù)據(jù)不是被存儲于預(yù)設(shè)物理單元，則存儲器管理電路302會判定當前關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F+1)的使用狀態(tài)不符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)。在本實施例中，第二預(yù)設(shè)容量可以是0。例如，在圖9A與圖9B的實施例中，物理單元800(0)～800(F)都沒有存儲有效數(shù)據(jù)，表示存儲區(qū)804還有很多剩余的空間可以存儲數(shù)據(jù)。因此，在刪除了物理單元800(F+1)所存儲的有效數(shù)據(jù)之后，物理單元800(F+1)就可以被改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)802。此外，在另一實施例中，第二預(yù)設(shè)容量也可以是預(yù)設(shè)關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)804的物理單元800(0)～800(F)的一個預(yù)設(shè)百分比(例如，1％～10％或更大)。值得一提的是，圖8A至圖9B的實施例所示出的映射關(guān)系與關(guān)聯(lián)關(guān)系均僅是范例，其并非用以限定本發(fā)明。例如，在另一實施例中，隨著存儲在可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊106中有效數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量改變，更多或更少的邏輯單元會被配置來映射至更多或更少的物理單元。或者，在另一實施例中，隨著要存儲或刪除的有效數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量改變，每一次被改變關(guān)聯(lián)關(guān)系的預(yù)設(shè)物理單元的數(shù)目也可能不同。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一實施例所示出的存儲器管理方法的流程圖。請參照圖10，在步驟S1001中，接收寫入指令。在步驟S1003中，判斷被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的使用狀態(tài)是否符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)。例如，可以判斷被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的使用容量是否符合第一預(yù)設(shè)容量。若被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的使用狀態(tài)不符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，則在步驟S1005中， 將寫入指令所對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)存儲至?xí)捍鎱^(qū)，然后再將此數(shù)據(jù)從暫存區(qū)搬移至存儲區(qū)。若被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的使用狀態(tài)符合第一預(yù)設(shè)狀態(tài)，在步驟S1007中，將寫入指令所對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)存儲至被關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)的多個物理單元的至少其中之一，將存儲此寫入數(shù)據(jù)的物理單元關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)，并配置邏輯單元來映射到存儲此寫入數(shù)據(jù)的物理單元。圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所示出的存儲器管理方法的流程圖。請參照圖11，在步驟S1101中，配置多個邏輯單元來映射至被關(guān)聯(lián)到存儲區(qū)的物理單元。在步驟S1103中，接收操作指令。例如，此操作指令指示刪除一第一數(shù)據(jù)。在步驟S1105中，判斷被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的使用狀態(tài)是否符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)。例如，可以判斷指示刪除的第一數(shù)據(jù)是否存儲于一個預(yù)設(shè)物理單元。若被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的使用狀態(tài)不符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)，在步驟S1107中，執(zhí)行此操作指令。例如，指示刪除此第一數(shù)據(jù)。若被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的使用狀態(tài)符合第二預(yù)設(shè)狀態(tài)，在步驟S1109中，執(zhí)行此操作指令并將被關(guān)聯(lián)至存儲區(qū)的物理單元的至少其中之一改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)。在步驟S1111中，移除對應(yīng)于被改為關(guān)聯(lián)至?xí)捍鎱^(qū)的至少一物理單元的邏輯至物理映射關(guān)系。綜上所述，本發(fā)明可動態(tài)地改變可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊中暫存區(qū)與存儲區(qū)各別的容量，以在可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的整體存儲容量有限的情況下改善其數(shù)據(jù)存取速度。最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。當前第1頁1 2 3 當前第1頁1 2 3