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催化劑的制備方法及其應(yīng)用

文檔序號:9638270閱讀:280來源:國知局
催化劑的制備方法及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬催化劑領(lǐng)域,涉及一種Cu0/Si02催化劑的制備方法及其應(yīng)用,尤其涉及 一種耐磨的微球形Cu0/Si02催化劑的制備方法及其在由四氯化硅氫化制備三氯氫硅反應(yīng) 中的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002] 催化劑除了應(yīng)具有合適的孔結(jié)構(gòu),還要具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性,尤其是流 化床中,催化劑顆粒間、催化劑顆粒與反應(yīng)器內(nèi)壁、催化劑顆粒與流化床中的固相反應(yīng)原料 或產(chǎn)物間,會發(fā)生頻繁的摩擦、碰撞,所形成的碎顆粒會使流化床層膨脹,所形成的較細(xì)微 粉如10-15um以下的部分極易吹離流化床,基本上報廢了。
[0003] 先制備載體,再浸漬活性組分,是最常用的催化劑制備方法,該法所制得催化劑的 孔結(jié)構(gòu),機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性,主要由載體賦予。其中,由二氧化硅載體負(fù)載活性組分制成的 催化劑,具有較廣泛的應(yīng)用,尤其適于酸性條件下的反應(yīng),比如由四氯化硅氫化制備三氯氫 硅、醋酸和乙烯氧化反應(yīng)制備醋酸乙烯。用共沉淀法先制備二氧化硅成分和活性組分混合 物半成品,再經(jīng)燒結(jié)、成型所制備的催化劑,其耐磨性通常較低,不適于制作流化床用的微 球形催化劑。
[0004] 但制備具有合適孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性的二氧化硅載體,是本領(lǐng)域的一個技 術(shù)難題,原因在于二氧化硅原料如沉淀法二氧化硅、氣相法二氧化硅,通常燒結(jié)性能較差; 用硅溶膠做粘結(jié)劑,可以提高二氧化硅載體的機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性,但作用有限,即便再經(jīng)過 重結(jié)晶處理如水熱處理,載體的耐磨性仍不能大幅提高。用氧化鋁、氧化鈣、高嶺土等做粘 結(jié)劑,也可提高機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性,但在酸性條件下,粘結(jié)劑中所含不耐酸成分會受到侵 蝕,使載體的機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性會逐漸降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 針對以上技術(shù)缺陷,本發(fā)明提供一種先制備耐磨的微球形二氧化硅載體,再負(fù)載 CuO活性組分,制備耐磨的微球形Cu0/Si02催化劑的方法,所制備催化劑,不僅具有合適的 孔結(jié)構(gòu),還具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性,具有較高的催化活性,適用于流化床催化反應(yīng)。
[0006] 本發(fā)明的技術(shù)方案是:
[0007] -種耐磨的微球形Cu0/Si02催化劑的制備方法,包括以下步驟:
[0008] A、將比表面積250-600m2/g的沉淀法二氧化硅粉或白炭黑,在730-760°C焙燒 2_4hr,使其比表面積降低到100-220m2/g,制得焙燒二氧化硅粉;
[0009] B、以質(zhì)量份計,水300-500份,焙燒二氧化硅粉100份,混勻,用研磨分散設(shè)備將二 氧化硅微顆粒磨到平均直徑2-5um,制得分散液;
[0010] C、分散液中加硅溶膠30-100份,混合均勻,制得混合漿料;硅溶膠所引入Si〇d9 量為總3102量的10-20%,硅溶膠的膠粒平均直徑為10-2011111;
[0011] D、混合漿料在180-250°C噴霧造粒,造粒粉650-720°C焙燒2-4hr,制得平均直徑 50-250um的微球形二氧化硅載體,載體比表面積80-200m2/g,孔體積0. 5-0. 7ml/g,平均孔 直徑 15_25nm;
[0012] E、二氧化硅載體浸漬硝酸銅溶液,烘干,400-600°C焙燒2-4hr,制得本發(fā)明耐磨 的微球形Cu0/Si02催化劑,催化劑CuO的質(zhì)量含量5-20 %,比表面積60-180m2/g,孔體積 0· 4-0. 6ml/g,平均孔直徑 12-23nm。
[0013] 其中,步驟A中,優(yōu)選經(jīng)150_250°C噴霧干燥的沉淀法白炭黑,其顆粒內(nèi)部結(jié)構(gòu)相 對較緊密,所制得的焙燒二氧化硅粉顆粒內(nèi)部的微顆粒,即步驟B所制得分散液中的二氧 化硅顆粒強(qiáng)度相對較高,從而使所制得二氧化硅載體和催化劑具有更好的強(qiáng)度、耐磨性、耐 沖擊性。
[0014] 其中,步驟B中,優(yōu)選用研磨分散設(shè)備將二氧化硅顆粒磨到平均直徑3-4um。
[0015] 其中,步驟B中,所述分散液中二氧化硅的研磨分散方法,為膠體磨法或均質(zhì)機(jī) 法,其中均質(zhì)機(jī)法的研磨分散效果最好,速度最快。
[0016] 其中,步驟C中,所述硅溶膠中二氧化硅質(zhì)量濃度為20% -40%。
[0017] 其中,步驟D中,造粒粉焙燒的溫度優(yōu)選690_720°C,以使所得二氧化硅載體達(dá)到 的更高的強(qiáng)度、耐磨性、耐沖擊性。
[0018] 其中,所述沉淀法二氧化硅粉或白炭黑優(yōu)選Na20彡0.30%,所述硅溶膠優(yōu)選 Na20 < 0. 20%,以減少載體在強(qiáng)酸性應(yīng)用條件下所受到的侵蝕,并維持其強(qiáng)度、耐磨性、耐 沖擊性。
[0019] 其中,步驟E中,所述焙燒溫度優(yōu)選450-500°C,CuO的質(zhì)量含量優(yōu)選10-15%。
[0020] 其中,步驟A中所述沉淀法白炭黑原料制備過程中的噴霧干燥溫度,步驟D中混合 漿料的噴霧造粒溫度,為所采用的代表性溫度條件,因脫水過程所需熱量由熱風(fēng)提供,熱風(fēng) 入出口及設(shè)備內(nèi)部存在較大溫差。
[0021] 本發(fā)明耐磨的微球形Cu0/Si02催化劑的制備方法,具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0022] a、步驟A中,二氧化硅粉或白炭黑在730_760°C焙燒2_4hr,其比表面積降低到 100-200m2/g,使顆粒內(nèi)部發(fā)生顯著的燒結(jié)過程,顆粒的強(qiáng)度、耐磨性、耐沖擊性會有較大程 度的提高,從而提高了載體的強(qiáng)度和耐磨性、耐沖擊性;
[0023] b、步驟B中,二氧化硅顆粒分散研磨到平均直徑2_5um,這是提高載體機(jī)械強(qiáng)度、 耐磨性、耐沖擊性的關(guān)鍵,在經(jīng)歷了劇烈的研磨過程后,所得到顆粒的強(qiáng)度、耐磨性、耐沖擊 性比研磨之前的大顆粒進(jìn)一步提高,從而進(jìn)一步提高了載體的強(qiáng)度和耐磨性、耐沖擊性;
[0024] c、在步驟C中,由于二氧化硅微顆粒的內(nèi)孔體積比顆粒間水的體積小了很多,所 以硅溶膠的膠粒,絕大部分分散在二氧化硅微顆粒之間的水中,在步驟D的噴霧造??焖?制備的造粒粉微球中,絕大部分仍然分散在二氧化硅微顆粒之間,因而,焙燒后起到了較好 的粘接作用,使載體達(dá)到較高的機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性、耐沖擊性,球形的形狀使載體的耐磨 性、耐沖擊性更好;
[0025] d、所用硅溶膠,其膠粒成分介于二氧化硅和硅酸之間,結(jié)晶不充分,內(nèi)部、表面的 缺陷多,平均直徑僅10到20nm,活性高,燒結(jié)性能好,650-720°C左右溫度條件的焙燒,使載 體具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和耐磨性、耐沖擊性;
[0026] e、載體中不含二氧化硅以外的雜質(zhì)如氧化鋁,不受酸性物質(zhì)如HC1的侵蝕,在酸 性條件下的孔結(jié)構(gòu)和耐磨性能夠保持穩(wěn)定,催化劑使用壽命較長;
[0027] f、本發(fā)明方法所制得催化劑,其載體同時具有了較合適的孔結(jié)構(gòu)和較高的機(jī)械強(qiáng) 度、耐磨性、耐沖擊性、耐酸性,用于酸性條件下的流化床反應(yīng),催化反應(yīng)性能穩(wěn)定,催化劑 顆粒不易碎裂,不易粉化,耗費(fèi)量低。
[0028] 本發(fā)明還提供了所制備的微球形CuO/SiOjf化劑在由四氯化硅氫化制備三氯氫 硅反應(yīng)中的應(yīng)用。由四氯化硅氫化制備三氯氫硅的反應(yīng),是西門子法生產(chǎn)高純多晶硅過程 中的個關(guān)鍵步驟,而尚純多晶娃是生廣太陽能電池的基礎(chǔ)材料。
[0029] 本發(fā)明所制備的微球形Cu0/Si02催化劑,經(jīng)H2還原后用于由四氯化硅氫化制備三 氯氫硅反應(yīng)時,在流化床反應(yīng)器中,反應(yīng)溫度400-450°C,反應(yīng)壓力0. 5-3.OMPa,H2/SiCl4K 例(mol) 0. 5-10,氣體空速5000-50000hr1 (折為標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)氣體,以下同),在催化劑的作用 下,使氏和SiCl4反應(yīng)生成HSiCl3并副產(chǎn)HC1,達(dá)到較高的SiCl4轉(zhuǎn)化率和HSiCl3收率,能 夠長期穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn),催化劑耗費(fèi)極少;流化床中還可連續(xù)配入金屬硅粉,除了進(jìn)行HjPSiCl4 間生成HSiCl3并副產(chǎn)HC1的氫化反應(yīng),還有硅粉、Η2和SiCl4生成HSiCl3進(jìn)行反應(yīng),以及 硅粉和副產(chǎn)HC1生成批1(:13的反應(yīng);流化床中不配金屬硅粉時
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