本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種聯(lián)苯類化合物、有機(jī)電致發(fā)光器件及顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光器件(organiclightemittingdisplay，簡稱oled)作為新型的平板顯示器，與液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，簡稱lcd)相比，具有薄、輕、寬視角、主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng)速度快、能耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，得到了產(chǎn)業(yè)界和科學(xué)界的極大關(guān)注。
有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展促進(jìn)了人們對有機(jī)電致發(fā)光材料的研究。相對于無機(jī)發(fā)光材料，有機(jī)電致發(fā)光材料具有以下優(yōu)點(diǎn)：有機(jī)材料加工性能好，可通過蒸鍍或者旋涂的方法在任何基板上成膜；有機(jī)分子結(jié)構(gòu)的多樣性使得可以通過分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及修飾的方法來調(diào)節(jié)有機(jī)材料的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能、發(fā)光及導(dǎo)電性能，使得材料有很大的改進(jìn)空間。
有機(jī)電致發(fā)光的產(chǎn)生靠的是在有機(jī)半導(dǎo)體材料中傳輸?shù)妮d流子(電子和空穴)的重組。眾所周知，有機(jī)材料的導(dǎo)電性很差，有機(jī)半導(dǎo)體中沒有延續(xù)的能帶，載流子的傳輸常用跳躍理論來描述。為了能使有機(jī)電致發(fā)光器件在應(yīng)用方面達(dá)到突破，必須克服有機(jī)材料電荷注入及傳輸能力差的困難。科學(xué)家們通過器件結(jié)構(gòu)的調(diào)整，例如增加器件有機(jī)材料層的數(shù)目，并且使不同的有機(jī)層扮演不同的器件層，例如有的功能材料可以促進(jìn)電子從陰極注入，有的功能材料可以促進(jìn)空穴從陽極注入，有的材料可以促進(jìn)電荷的傳輸，有的材料則能起到阻擋電子或者空穴傳輸?shù)淖饔?。?dāng)然在有機(jī)電致發(fā)光器件里，最重要的各種顏色的發(fā)光材料也要達(dá)到與相鄰功能材料相匹配的目的。因此，效率好壽命長的有機(jī)電致發(fā)光器件通常是器件結(jié)構(gòu)以及各種有機(jī)材料優(yōu)化搭配的結(jié)果，這就為化學(xué)家們設(shè)計(jì)開發(fā)各種結(jié)構(gòu)的功能化材料提供了極大的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
在有機(jī)電致發(fā)光器件制備工藝中，一種稱為蒸鍍法，即各個(gè)功能材料均通過真空熱蒸鍍的方式鍍到基板上成膜，這也是目前業(yè)界的主流技術(shù)。但是此工藝的缺點(diǎn)也很明顯，一方面有機(jī)材料的特性本身決定了，長時(shí)間在高溫條件下進(jìn)行熱蒸鍍，對材料的熱穩(wěn)定性要求很高；另外長時(shí)間的穩(wěn)定控制蒸鍍速率、保持基板上面材料分布的均勻性也是一個(gè)很重要的要求；而且高真空、高溫蒸鍍，能耗較高；更主要的，因?yàn)閛led材料本身生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜，技術(shù)含量較高，因而售價(jià)比較昂貴，而現(xiàn)有工藝通過蒸鍍方式使用，oled材料的利用率較低，一般在10％以下。
在有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝中，另外一種稱為溶液法，即使用可溶的oled材料，將其溶于溶劑中，通過打印、噴墨、旋涂等方式涂覆在基板上，以形成某些功能層，此種方法材料分布均勻，節(jié)省材料，簡化oled器件生產(chǎn)工藝，降低oled器件生產(chǎn)成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供了一種聯(lián)苯類化合物、包含該化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及具有該有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示裝置，包含該化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件具有較低的驅(qū)動(dòng)電壓和較高的發(fā)光效率。
并且本發(fā)明提供的聯(lián)苯類化合物，在有機(jī)溶劑中具有較好的溶解性，且有良好的成膜性。在有機(jī)電致發(fā)光器件制備中，可以通過溶液法形成空穴注入層。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種聯(lián)苯類化合物，如式(1)所示：
其中x選自取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的苯并咔唑基、取代或未取代的苯并吖啶基、取代或者未取代的吲哚并咔唑、取代或者未取代的茚并咔唑基、取代或者未取代的苯并呋喃并咔唑基、取代或者未取代的苯并噻吩并咔唑基、取代或者未取代的吩嗪基、取代或者未取代的吩惡嗪基、取代或者未取代的吩噻嗪基、取代或者未取代的二氫吖啶基，a選自以下結(jié)構(gòu)：
其中a1、a2、a3分別獨(dú)立的選自碳原子數(shù)為1～20的脂肪族烷基、烷氧基取代的碳原子數(shù)為1～20的脂肪族烷基。
進(jìn)一步的，其中所述的取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的苯并咔唑基、取代或未取代的苯并吖啶基、取代或者未取代的吲哚并咔唑、取代或者未取代的茚并咔唑基、取代或者未取代的苯并呋喃并咔唑基、取代或者未取代的苯并噻吩并咔唑基、取代或者未取代的吩嗪基、取代或者未取代的吩惡嗪基、取代或者未取代的吩噻嗪基、取代或者未取代的二氫吖啶基，其中取代基選自c1～c20的烷基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、三亞苯基、芴基、熒蒽基、茚并芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、苯基取代萘基，芴基取代的苯基、二芳胺基，咔唑基。
本發(fā)明的聯(lián)苯類化合物優(yōu)選自以下結(jié)構(gòu)：
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種溶液，其中至少包含本發(fā)明所述聯(lián)苯類化合物和至少一種溶劑。所述溶劑選自甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯、二苯醚、氯仿、乙酸乙酯、乙醇、異丙醇、正丁醇中的一種或者兩種以上。
所述溶液的制備方法為：在手套箱內(nèi)，氮?dú)鈿夥障?，將本發(fā)明化合物溶解在上述溶劑中，然后經(jīng)過0.1微米的濾膜過濾得到。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括根據(jù)本發(fā)明所述的聯(lián)苯類化合物。
可選地，所述有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層材料為根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯類化合物。
可選地，所述有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料為根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯類化合物。
可選地，所述有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴傳輸材料為根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯類化合物。
可選的，所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入層通過溶液法制備。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的有益效果如下：
將本發(fā)明提供的化合物用作有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料或者空穴傳輸材料，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率、降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。
將本發(fā)明提供的化合物用作有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率、降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。
由于本發(fā)明聯(lián)苯類化合物由于取代基a的引入，使得化合物的構(gòu)型扭曲變大，使得材料的成膜性更佳；同時(shí)和未有取代基a存在的聯(lián)苯類化合物對比，改善了材料溶解度，使得本發(fā)明提供的化合物更適于通過溶液法形成空穴注入層，因此得到的有機(jī)電致發(fā)光器件具有較低的驅(qū)動(dòng)電壓和較高的發(fā)光效率。
具體實(shí)施方式
具體實(shí)施方式僅為對本發(fā)明的說明，而不構(gòu)成對本發(fā)明內(nèi)容的限制，下面將結(jié)合具體的實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明和描述。
本發(fā)明提供了一種聯(lián)苯類化合物、包含該化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及具有該有機(jī)電致發(fā)光器件的顯示裝置，包含該化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件具有較低的驅(qū)動(dòng)電壓和較高的發(fā)光效率。
將本發(fā)明提供的化合物用作有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光層的主體材料或者空穴注入材料或者空穴傳輸材料，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率、降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。
為了更加詳細(xì)地說明本發(fā)明的化合物，下面將列舉上述具體化合物的合成方法對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的描述。
實(shí)施例1中間體m-01的合成：
化合物a-1的合成：
500毫升三口瓶中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入220毫升干燥的甲苯、20.1克(0.05mol)式a-0所示化合物、10.2克(0.12mol)環(huán)己胺、14.4克(0.15mol)叔丁醇鈉、0.58克(0.001mol)雙(二亞芐基丙酮)鈀、2.02克(0.001mol)10％的三叔丁基膦的甲苯溶液，加熱至回流反應(yīng)4小時(shí)后降至室溫，加入稀鹽酸，分液，有機(jī)層用水洗滌到中性，用無水硫酸鎂干燥后，過硅膠柱分離，洗脫液濃縮至干，用甲醇重結(jié)晶，得到式a-1所示化合物17.6克，收率為85.75％。
對得到的化合物a-1，進(jìn)行質(zhì)譜檢測，產(chǎn)品m/e：410。
化合物a-2的合成：
1000毫升不銹鋼加氫釜中加入式a-1所示化合物16克(0.039mol)，乙醇300毫升，5％的鈀碳3g，氮?dú)庵脫Q后，于60℃，控制0.2mpa氫氣還原反應(yīng)6小時(shí)后，反應(yīng)完畢。停止反應(yīng)，氮?dú)庵脫Q后，取出物料，過濾除去催化劑，將濾液中加入600毫升水，析出固體，過濾出得到的固體后，用甲醇重結(jié)晶，得到式a-2所示類白色固體10.2克，收率74.6％，
對得到的式a-2所示產(chǎn)品進(jìn)行了質(zhì)譜檢測，得到產(chǎn)品的m/e：350。
中間體m-01的合成：
1000毫升三口瓶中，加入12.86克(0.2mol)48％的氫溴酸水溶液，攪拌下加入7.0克(0.02mol)式a-2所示化合物，升溫至回流保持5分鐘，然后降溫至25℃，加入0.5克(0.0035mol)溴化亞銅，接著控制溫度在25～35℃之間緩慢滴加2.76克(0.04mol)nano2的10毫升水溶液，滴加完畢緩慢升溫至60～65℃保持1小時(shí)，再升溫至85-90℃保持2小時(shí)，降溫，過濾，得到的固體用甲醇和氯仿混合溶劑結(jié)晶，得到式m-01所示類白色固體4.17克，收率43.62％，
對得到的式m-01所示產(chǎn)品進(jìn)行了質(zhì)譜檢測，得到產(chǎn)品的m/e：478。
對得到的式m-01所示產(chǎn)品進(jìn)行了核磁檢測，得到的核磁解析數(shù)據(jù)如下：
1hnmr(500mhz，cdcl3)：δ7.48(t，2h)，δ6.99(m，4h)，δ3.06(t，8h)，δ1.65(m，8h)，δ1.58(m，4h)。
實(shí)施例2～實(shí)施例13中間體m-02～中間體m-13的合成
參照中間體m-01的合成方法，只是將第一步合成化合物a-1過程中所用的環(huán)己胺換成相應(yīng)的胺。具體反應(yīng)所用的胺和質(zhì)譜及核磁數(shù)據(jù)列表如下：
實(shí)施例14化合物p-1的合成
250毫升三口瓶中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入100毫升干燥的甲苯、4.78克(0.01mol)式m-1所示化合物、3.67克(0.022mol)咔唑、2.88克(0.03mol)叔丁醇鈉、0.12克(0.0002mol)雙(二亞芐基丙酮)鈀、0.4克(0.0002mol)10％的三叔丁基膦的甲苯溶液，加熱至回流反應(yīng)6小時(shí)后降至室溫，加入稀鹽酸，分液，有機(jī)層用水洗滌到中性，用無水硫酸鎂干燥后，過硅膠柱分離，乙酸乙酯：石油醚＝1：5洗脫，洗脫液濃縮至干，得到式p-1所示化合物5.12克，收率為78.77％。
對得到的化合物p-1，進(jìn)行質(zhì)譜檢測，產(chǎn)品m/e：650。
對得到的式p-1進(jìn)行了核磁檢測，所得到的核磁圖的解析數(shù)據(jù)如下：
1hnmr(500mhz，cdcl3)：δ8.55(m，2h)，δ8.20(m，2h)，δ7.77(d，2h)，δ7.52(m，2h)，δ7.48(d，2h),δ7.40(m，2h)，δ7.28(m，2h)，δ7.21～7.11(m，8h)，δ3.06(t，8h)，δ1.72～1.57(m，12h)。
實(shí)施例15化合物p-3、p-6、p-7、p-8、p-11、p-13、p-15、p-16、p-18、p-19、p-27、p-28、p-29、p-31、p-32、p-34、p-37、p-38的合成
參照化合物p-1的合成方法，根據(jù)化合物的具體結(jié)構(gòu)不同，將其中的m-01換成相應(yīng)的m-02～m-13中的一種；將合成化合物p-1過程中所用的咔唑換成相應(yīng)的含氮化合物。具體化合物的種類和質(zhì)譜及核磁數(shù)據(jù)列表如下：
實(shí)施例16化合物p-39的合成
中間體b-01的合成
在1000毫升三口瓶中，加入400毫升四氫呋喃，23.9克(0.05mol)式m-01所示化合物，氮?dú)獗Ｗo(hù)下降溫至-78℃，緩慢滴加75毫升(0.12mol)1.6m的正丁基鋰的正己烷溶液，加畢于-70～-78℃保溫30分鐘，再加入13.5克(0.13mol)重蒸的硼酸三甲酯，然后緩慢升溫至25℃反應(yīng)2小時(shí)，加入稀鹽酸水解，再加入乙酸乙酯提取，有機(jī)層濃縮至干，用乙醇重結(jié)晶，得到式b-01所示產(chǎn)品11.7克，hplc97.9％，收率57.35％。
化合物p-39的合成：
在1000毫升三口瓶中，加入300毫升甲苯，300毫升乙醇，100毫升水，20.4克(0.05mol)式b-01所示化合物，35.4克(0.11mol)3-溴-n-苯基咔唑,27.6克(0.2mol)碳酸鉀，氮?dú)獗Ｗo(hù)下加入1.16克(0.001mol)四三苯基膦鈀，緩慢升溫至70℃反應(yīng)8小時(shí)，降溫，分液，有機(jī)層水洗后過硅膠柱脫色，洗脫液濃縮至干，硅膠柱層析分離，乙酸乙酯：石油醚＝1：5洗脫，得到式p-39所示產(chǎn)品29.3克，收率72.97％。
對得到的式p-39所示產(chǎn)品進(jìn)行了質(zhì)譜檢測，得到產(chǎn)品的m/e：802。
對得到的式p-39所示產(chǎn)品進(jìn)行了核磁檢測，得到的核磁解析數(shù)據(jù)如下：
1hnmr(500mhz，cdcl3)：δ8.55(m，1h)，δ8.22(d，2h)，δ8.19(m，1h)，δ7.87(m，1h)，δ7.78(d，2h)，δ7.71(d，1h)，δ7.65～7.55(m，7h)，δ7.54～7.46(m，6h)，δ7.40(m，1h)，δ7.22～7.09(m，4h)，δ7.01(d，2h)，δ6.59(m，2h)，δ3.06(m，8h)，δ1.72～1.53(m，12h)。
實(shí)施例17化合物p-42、p-43、p-44、p-45、p-46的合成
參照化合物p-39的合成方法，根據(jù)化合物的具體結(jié)構(gòu)不同，將其中的m-01換成相應(yīng)的m-02～m-13中的一種；將合成化合物p-39過程中所用的3-溴-n-苯基咔唑換成相應(yīng)的溴代物。具體化合物的種類和質(zhì)譜及核磁數(shù)據(jù)列表如下：
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包含根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯類化合物。
有機(jī)電致發(fā)光器件的典型結(jié)構(gòu)為：基片/陽極/空穴注入層/空穴傳輸層(htl)/有機(jī)發(fā)光層(el)/電子傳輸層(etl)/電子注入層/陰極。有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)可以為單發(fā)光層也可以是多發(fā)光層。
其中，基片可以使用傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光器件中的基板，如：玻璃或塑料。陽極可以采用透明的高導(dǎo)電性材料，如：銦錫氧(ito)、銦鋅氧(izo)、二氧化錫(sno2)、氧化鋅(zno)。
空穴注入層的空穴注入材料(holeinjectionmaterial，簡稱him)，要求具有高的熱穩(wěn)定性(高的tg)，與陽極或者空穴注入材料有較小的勢壘，蒸鍍法制備有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，要求材料能真空蒸鍍形成無針孔薄膜。常用的him均為芳香多胺類化合物，主要是三芳胺類衍生物。對于溶液法制備有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，要求材料有合適的溶解度，將溶液涂布于基板上后，溶液揮發(fā)后，能在基板上形成致密、均勻的無定型薄膜。常用的him材料主要有pedot：pss。
空穴傳輸層的空穴傳輸材料(holetransportmaterial，簡稱htm)，要求具有高的熱穩(wěn)定性(高的tg)，較高的空穴傳輸能力，能真空蒸鍍形成無針孔薄膜。常用的htm均為芳香多胺類化合物，主要是三芳胺類衍生物。
有機(jī)發(fā)光層包括主體材料(host)和客體材料，其中客體材料為發(fā)光材料，例如染料，主體材料需要具備以下特點(diǎn)：可逆的電化學(xué)氧化還原電位，與相鄰的空穴傳輸層及電子傳輸層相匹配的homo能級及l(fā)umo能級，良好且相匹配的空穴及電子傳輸能力，良好的高的熱穩(wěn)定性及成膜性，以及合適的單線態(tài)或者三線態(tài)能隙用來控制激子在發(fā)光層，還有與相應(yīng)的熒光染料或者磷光染料間良好的能量轉(zhuǎn)移。有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光材料，以染料為例，需要具備以下特點(diǎn)：具有高的熒光或者磷光量子效率；染料的吸收光譜與主體的發(fā)射光譜有好的重疊，即主體與染料能量適配，從主體到染料能有效地能量傳遞；紅、綠、藍(lán)的發(fā)射峰盡可能窄，以獲得好的色純度；穩(wěn)定性好，能夠進(jìn)行蒸鍍等。
電子傳輸層的電子傳輸材料(electrontransportmaterial，簡稱etm)要求etm有可逆而且足夠高的電化學(xué)還原電位，合適的homo能級和lumo(lowestunoccupiedmolecularorbital，最低未占分子軌道)能級值使得電子能夠更好地注入，而且最好具有空穴阻擋能力；較高的電子傳輸能力，有好的成膜性和熱穩(wěn)定性。etm一般為具有缺電子結(jié)構(gòu)的共軛平面的芳香化合物。蒸鍍法制備有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，電子傳輸層一般采用alq3(8-羥基喹啉鋁)或者taz(3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯-1,2,4-三唑)或者tpbi(1,3,5-三(n-苯基-2-苯并咪唑)苯)或者取自這三種材料的任意兩種的搭配。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件。
在有機(jī)電致發(fā)光器件的制備過程中，可以將其中的所有功能層均采用蒸鍍法制備，也可以將其中的一層或者多層采用蒸鍍法制備，其他功能層采用溶液法制備，也可以將其中的所有功能層均采用溶液法制備。
由此可見，根據(jù)本發(fā)明的化合物、有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置的可選因素較多，根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求可以組合出不同的實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例僅作為對本發(fā)明的具體描述，并不作為對本發(fā)明的限制。下面將結(jié)合含有本發(fā)明的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件作為實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步描述。
實(shí)施例中所用材料的具體結(jié)構(gòu)見下：
實(shí)施例18
以本發(fā)明的化合物作為有機(jī)電致發(fā)光器件中的空穴傳輸材料，共制備15個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件，作為對比的有機(jī)電致發(fā)光器件，空穴傳輸材料選用npb。
有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ito/hil02(100nm)/htl(40nm)/em1(30nm)/etl(20nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)。
本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件制作中選用玻璃基板，ito作陽極材料，hil02作空穴注入層，em1作有機(jī)發(fā)光層的主體材料，taz作為電子傳輸層材料，lif/al作電子注入層/陰極材料。
本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件制備過程如下：
將涂布了ito透明導(dǎo)電層(作為陽極)的玻璃基板在清洗劑中進(jìn)行超聲處理，然后在去離子水中沖洗，再在丙酮與乙醇混合溶劑中超聲除油，再在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除水，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽離子束轟擊表面，以改善表面的性質(zhì)，提高與空穴傳輸層的結(jié)合能力。
將上述玻璃基板置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5-9×10-3pa，在陽極上真空蒸鍍hil02作為空穴注入層，蒸鍍速率0.1nm/s，蒸鍍膜厚為100nm。
在空穴注入層上真空蒸鍍空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為40nm。
在空穴傳輸層之上真空蒸鍍em1作為器件的有機(jī)發(fā)光層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為30nm。
在有機(jī)發(fā)光層之上真空蒸鍍taz作為有機(jī)電致發(fā)光器件的電子傳輸層；其蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為20nm。
在電子傳輸層(etl)上真空蒸鍍0.5nm的lif作為電子注入層；
在電子注入層之上真空蒸鍍150nm的鋁(al)作為陰極。
有機(jī)電致發(fā)光器件性能見表1：
由上表可以看到，利用本發(fā)明的化合物作為空穴傳輸層可以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，降低有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。
實(shí)施例19
以本發(fā)明的化合物作為有機(jī)電致發(fā)光器件中的空穴注入材料，共制備12個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件，作為對比的有機(jī)電致發(fā)光器件，空穴注入材料選用hil02。
有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ito/hil02(100nm)/htl(40nm)/em1(30nm)/etl(20nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)。
本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件制作中選用玻璃基板，ito作陽極材料，npb作空穴傳輸層，em1作有機(jī)發(fā)光層的主體材料，taz作為電子傳輸層材料，lif/al作電子注入層/陰極材料。
本實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件制備過程如下：
將涂布了ito透明導(dǎo)電層(作為陽極)的玻璃基板在清洗劑中進(jìn)行超聲處理，然后在去離子水中沖洗，再在丙酮與乙醇混合溶劑中超聲除油，再在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除水，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽離子束轟擊表面，以改善表面的性質(zhì)，提高與空穴傳輸層的結(jié)合能力。
將上述玻璃基板置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5-9×10-3pa，在陽極上真空蒸鍍空穴注入層，蒸鍍速率0.1nm/s，蒸鍍膜厚為100nm。
在空穴注入層上真空蒸鍍npb作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為40nm。
在空穴傳輸層之上真空蒸鍍em1作為器件的有機(jī)發(fā)光層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為30nm。
在有機(jī)發(fā)光層之上真空蒸鍍taz作為有機(jī)電致發(fā)光器件的電子傳輸層；其蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為20nm。
在電子傳輸層(etl)上真空蒸鍍0.5nm的lif作為電子注入層；
在電子注入層之上真空蒸鍍150nm的鋁(al)作為陰極。
有機(jī)電致發(fā)光器件性能見表2：
表2
由上表可以看到，利用本發(fā)明的化合物作為空穴注入層可以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，降低有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。
實(shí)施例20
利用本發(fā)明的化合物做為空穴注入層材料，通過溶液法制備有機(jī)電致發(fā)光器件。
將涂布了ito透明導(dǎo)電層(作為陽極)的玻璃基板在清洗劑中進(jìn)行超聲處理，然后在去離子水中沖洗，再在丙酮與乙醇混合溶劑中超聲除油，再在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除水，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽離子束轟擊表面，以改善表面的性質(zhì)，提高與空穴傳輸層的結(jié)合能力。
將上述經(jīng)過清洗的玻璃基板置于手套箱內(nèi)，氮?dú)鈿夥障?，將本發(fā)明化合物的溶液(0.5％的氯苯溶液)使用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)以4000r/min的速度均勻旋涂在玻璃基板上，然后將玻璃基板置于150度溫度下真空烘干60分鐘除去溶劑，得到制備好的涂覆了空穴注入層的玻璃基板。
將上述備好的涂覆了空穴注入層的玻璃基板轉(zhuǎn)入真空蒸鍍室，在空穴注入層上真空蒸鍍npb作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為40nm。
在空穴傳輸層之上真空蒸鍍em1作為器件的有機(jī)發(fā)光層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為30nm。
在有機(jī)發(fā)光層之上真空蒸鍍taz作為有機(jī)電致發(fā)光器件的電子傳輸層；其蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為20nm。
在電子傳輸層(etl)上真空蒸鍍0.5nm的lif作為電子注入層；
在電子注入層之上真空蒸鍍150nm的鋁(al)作為陰極。
有機(jī)電致發(fā)光器件性能見表3：
表3
對比實(shí)施例
利用pedot：pss做為空穴注入層材料，通過溶液法制備有機(jī)電致發(fā)光器件。
制備方法參照實(shí)施例20，只是在制備空穴注入層時(shí)，制備方法如下：
將經(jīng)過清洗的玻璃基板置于手套箱內(nèi)，氮?dú)鈿夥障?，將pedot：pss的水溶液使用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)以4000r/min的速度均勻旋涂在玻璃基板上，然后將玻璃基板置于150度溫度下真空烘干60分鐘除去溶劑，得到制備好的涂覆了空穴注入層的玻璃基板。
利用pedot：pss做為空穴注入層材料，通過溶液法制備有機(jī)電致發(fā)光器件的性能見表4：
表4
由上表可以看到，和實(shí)施例20對比，利用本發(fā)明的化合物作為空穴注入層可以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，降低有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。
實(shí)施例21
以本發(fā)明的化合物作為紅色磷光oled有機(jī)電致發(fā)光器件中的發(fā)光層主體材料，共制備28個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件。作為對比的有機(jī)電致發(fā)光器件，紅光發(fā)光層主體材料選用cbp。
有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ito/npb(20nm)/紅光主體材料(30nm)：ir(piq)3[5％]/tpbi(10nm)/alq3(15nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)。
有機(jī)電致發(fā)光器件制備過程如下：將涂布了ito透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理，在去離子水中沖洗，在丙酮：乙醇混合溶劑中超聲除油，在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽離子束轟擊表面；
把上述帶有陽極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5～9×10-3pa，在上述陽極層膜上真空蒸鍍空穴傳輸層npb，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為20nm；
在空穴傳輸層之上真空蒸鍍發(fā)光主體材料和染料，作為有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為30nm；其中“ir(piq)3[5％]”是指紅光染料的摻雜比例，即紅光主體材料與ir(piq)3的重量份比為100:5；
在發(fā)光層之上依次真空蒸鍍電子傳輸層tpbi和alq3，其蒸鍍速率均為0.1nm/s，蒸鍍膜厚分別為10nm和15nm；
在電子傳輸層上真空蒸鍍0.5nm的lif，150nm的al作為電子注入層和陰極。
有機(jī)電致發(fā)光器件性能見表5：
表5
由上表可以看到，采用本發(fā)明化合作為磷光主體的有機(jī)電致發(fā)光器件相對于采用cbp作為主體的有機(jī)電致發(fā)光器件獲得了較好的效果，獲得了更高的電流效率和較低的驅(qū)動(dòng)電壓。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。