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一種對三聯(lián)苯衍生物及其制備方法和應用與流程

文檔序號:11802263閱讀:305來源:國知局
本發(fā)明涉及有機光電材料
技術(shù)領域
,具體涉及一種對三聯(lián)苯衍生物及其制備方法和應用。
背景技術(shù)
:TFT(ThinFilmTransistor,薄膜場效應晶體管)-LCD顯示器占目前顯示屏的主要地位,是非自發(fā)光顯示器,須透過背光源投射光線,并依序穿透TFT-LCD面板中的偏光板、玻璃基板、液晶層、彩色濾光片、玻璃基板、偏光板等相關(guān)零組件,最后進入人眼成像,達到顯示的功能。這是一個復雜的顯示過程,其顯示屏存在反應速率慢、耗電量大、視角窄等缺點。有機電致發(fā)光器件的發(fā)光屬于注入型發(fā)光,在正向電壓驅(qū)動下,陽極向發(fā)光層注入空穴,陰極向發(fā)光層注入電子,注入的空穴和電子在發(fā)光層中相遇結(jié)合成激子,激子復合并將能量傳遞給發(fā)光材料,后者經(jīng)過輻射馳豫過程而發(fā)光。有機電致發(fā)光器件是自主發(fā)光顯示器,具有全固態(tài)、高亮度、高分辨率、視角寬(170度以上)、響應速度快、厚度薄、體積小、重量輕、可使用柔性基板、低電壓直流驅(qū)動(3-10V)、功耗低、工作溫度范圍寬等優(yōu)點。較之TFT-LCD面板,有機電致發(fā)光器件更具有應用價值。有機電致發(fā)光(OLED)經(jīng)過幾十年的發(fā)展,已經(jīng)取得了長足的進步。雖然其內(nèi)量子效率已經(jīng)接近100%,但外量子效率卻僅有大約20%左右。大部分的光由于基板模式損失、表面等離子損失與波導效應等因素被限制在發(fā)光器件內(nèi)部,導致了大量能量損失。為了提高器件的光取出效率,使用光取出層(CappingLayer,CPL)是目前行之有效的辦法。然而多制備一層CPL材料不但需要增加材料的成本預算,還需要增加一個單獨的蒸鍍腔室,這提高了OLED器件的制備成本。技術(shù)實現(xiàn)要素:有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種對三聯(lián)苯衍生物及其制備方法和應用。本發(fā)明所述對三聯(lián)苯衍生物是一類寬帶系的具有空穴傳輸功能的CPL材料,并且在可見光波段內(nèi)沒有明顯吸收,可同時作為空穴傳輸層和光取出層,提高了器件的發(fā)光效率,并且大大節(jié)省了器件的制備成本。本發(fā)明提供了一種對三聯(lián)苯衍生物,結(jié)構(gòu)式如式(Ⅰ)所示:其中,Ar為C6~C60的芳基、C10~C60的稠芳基、C5~C60的六元雜環(huán)或C4~C60的五元雜環(huán),X為C6~C30的芳胺基或C6~C30的稠雜環(huán)。優(yōu)選的,所述Ar為C6~C30的芳基、C10~C30的稠芳基、C5~C30的六元雜環(huán)或C4~C30的五元雜環(huán)。優(yōu)選的,所述Ar為C6~C30的芳基、C10~C30的稠芳基或C4~C30的五元雜環(huán)。優(yōu)選的,所述X為C12~C24的芳胺基或C12~C24的稠雜環(huán)。更進一步優(yōu)選的,所述對三聯(lián)苯衍生物選自如下TM1-TM28所示結(jié)構(gòu)中的任意一種:本發(fā)明還提供一種對三聯(lián)苯衍生物的制備方法,包括:將式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物在氮氣保護下經(jīng)過偶聯(lián)反應得到式(Ⅰ)對三聯(lián)苯衍生物:其中,Ar為C6~C60的芳基、C10~C60的稠芳基、C5~C60的六元雜環(huán)或C4~C60的五元雜環(huán),X為C6~C30的芳胺基或C6~C30的稠雜環(huán)。本發(fā)明還提供了上述對三聯(lián)苯衍生物在有機電致發(fā)光器件中的應用。優(yōu)選的,所述有機電致發(fā)光器件包括陽極、陰極、有機物層和光取出層,有機物層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層;所述光取出層中含有所述的對三聯(lián)苯衍生物。優(yōu)選的,所述光取出層和空穴傳輸層同時含有權(quán)利要求1~5任一項所述的對三聯(lián)苯衍生物。本發(fā)明還提供一種顯示裝置,含有所述有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明提供了一種對三聯(lián)苯衍生物,該對三聯(lián)苯衍生物具有式(Ⅰ)所示結(jié)構(gòu),是帶隙較寬的有機材料,在可見光波段內(nèi)沒有明顯吸收,可同時作為空穴傳輸材料和光取出材料應用于OLED器件中,將該對三聯(lián)苯衍生物作為光取出材料可以改善半透射電極的透過率,提高OLED器件的外量子效率,可見光范圍內(nèi)透過率達80%以上;將所述對三聯(lián)苯衍生物同時作為空穴傳輸層和光取出層應用于OLED器件中,不僅提高了器件的發(fā)光效率,還能有效節(jié)約成本。具體實施方式下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明做進一步的闡述,但本發(fā)明并不限于以下實施方式。本發(fā)明首先提供一種對三聯(lián)苯衍生物,結(jié)構(gòu)式為:其中,Ar為C6~C60的芳基、C10~C60的稠芳基、C5~C60的六元雜環(huán)或C4~C60的五元雜環(huán),X為C6~C30的芳胺基或C6~C30的稠雜環(huán)。優(yōu)選的,Ar為C6~C30的芳基、C10~C30的稠芳基、C5~C30的六元雜環(huán)或C4~C30的五元雜環(huán),X為C6~C30的芳胺基或C6~C30的稠雜環(huán);可選的,Ar的結(jié)構(gòu)如下所示:可選的,X的結(jié)構(gòu)如下所示:更優(yōu)選的,Ar為C6~C30的芳基、C10~C30的稠芳基或C4~C30的五元雜環(huán),X為C12~C24的芳胺基或C12~C24的稠雜環(huán)。最優(yōu)選的,Ar的結(jié)構(gòu)如下:X的結(jié)構(gòu)如下:具體的,所述對三聯(lián)苯衍生物優(yōu)選選自如下TM1~TM28所示結(jié)構(gòu)中的任意一種:本發(fā)明還提供了所述對三聯(lián)苯衍生物的制備方法,包括:將式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物在氮氣保護下經(jīng)過偶聯(lián)反應得到式(Ⅰ)所示的對三聯(lián)苯衍生物:其中,Ar為C6~C60的芳基、C10~C60的稠芳基、C5~C60的六元雜環(huán)或C4~C60的五元雜環(huán),X為C6~C30的芳胺基或C6~C30的稠雜環(huán)。按照本發(fā)明,式A所示的中間體按照如下所示方法制備得到:(1)將式A-1所示的1,4-二氯苯與單質(zhì)溴反應,得到式A-2所示的1,2,4,5-四溴-3,6-二氯苯;(2)將式A-2所示的1,2,4,5-四溴-3,6-二氯苯與格式試劑Ar-MgBr反應,得到式A所示的中間體。本發(fā)明對上述方法中步驟(1)~(2)中的反應條件沒有特別的限制,采用本領域技術(shù)人員所熟知的反應條件即可。按照本發(fā)明,將式(A)所示的中間體與式(B)所示的化合物在氮氣保護下經(jīng)過偶聯(lián)反應得到式(Ⅰ)所示的對三聯(lián)苯衍生物,本發(fā)明對所述偶聯(lián)反應沒有特殊的限制,采用本領域技術(shù)人員所熟知的偶聯(lián)反應即可,該制備方法簡單,原料易得。本發(fā)明進一步提供了所述的對三聯(lián)苯衍生物在有機電致發(fā)光器件中的應用。所述的有機電致發(fā)光器件包括陽極、陰極、有機物層和光取出層,有機物層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層;優(yōu)選所述光取出層中含有所述的對三聯(lián)苯衍生物,更優(yōu)選所述光取出層和空穴傳輸層同時含有所述的對三聯(lián)苯衍生物。采用的器件結(jié)構(gòu)優(yōu)選的,具體為:以ITO透明玻璃作為陽極;NPB或所述對三聯(lián)苯衍生物(TM1-TM28中的任意一種)作為空穴傳輸層;TCTA作為發(fā)光層,或作為主體同磷光材料摻雜(摻雜的質(zhì)量濃度為0.5~30.0%)作為發(fā)光層;TPBI作為電子傳輸層;以Al層作為陰極;最后將所述的對三聯(lián)苯衍生物(TM1~TM28中的任意一種)蒸鍍在上述陰極上,作為光取出層。上述器件采用了本發(fā)明所述的對三聯(lián)苯衍生物(TM1-TM28中的任意一種)作為光取出層或同時作為光取出層和空穴傳輸層,較傳統(tǒng)器件發(fā)光效率得到了顯著提高:上述器件的發(fā)光效率在33cd/A~48cd/A之間,傳統(tǒng)器件的發(fā)光效率為28cd/A。所述有機電致發(fā)光器件可用于平板顯示器、照明光源、指示牌、信號燈等應用領域。本發(fā)明更進一步提供了一種顯示裝置,包括所述的有機電致發(fā)光器件。通過以下實施例更詳盡地解釋本發(fā)明,但不希望因此限制本發(fā)明。在該描述的基礎上,本領域普通技術(shù)人員將能夠在不付出創(chuàng)造性勞動的情況下在所公開的整個范圍內(nèi)實施本發(fā)明和制備根據(jù)本發(fā)明的其他化合物。實施例1:中間體A的制備(1)化合物A-2的合成:向150ml三口燒瓶中加入82ml發(fā)煙硝酸(29%SO3),依次加入8.2g(56mmol)的1,4-二氯苯(化合物A-1)、36g(225mmol)的Br2、0.25g的Fe和0.25g的I2,在60-70℃下劇烈攪拌6小時。將混合體系倒入冰水中,過濾,固體依次用亞硫酸氫鈉水溶液、碳酸氫鈉水溶液和水洗滌。在甲苯中重結(jié)晶,得到23.7g(產(chǎn)率92%)的化合物A-2(白色針狀固體)。(2)中間體A-a的合成:向干燥的150ml三口燒瓶中依次加入32ml干燥的四氫呋喃和5.8g(32mmol)苯基溴化鎂,將1.85g(4.0mmol)的2,3,5,6-四溴-1,4-二氯苯(化合物A-2)溶于20ml干燥的四氫呋喃中,在N2的保護下加入反應體系中,室溫攪拌12小時。在0℃下,將6.35g(25mmol)的I2加入反應體系中,室溫下攪拌2小時。用水猝滅反應,用CHCl3(3×100ml)萃取。有機層依次用2M的亞硫酸氫鈉水溶液(2×200ml)、飽和食鹽水(50ml)和水(50ml)洗滌,然后用無水硫酸鎂干燥。濾掉硫酸鎂固體,減壓蒸餾掉有機溶劑,過濾,所得固體用少量的甲苯和己烷洗滌,得到1.2g粗品。柱層析(正己烷/甲苯=30:1,V/V)得到1.0g中間體A-a??偖a(chǎn)率為40%。質(zhì)譜m/z:634.18(計算值:633.97)。理論元素含量(%)C30H20I2:C,56.81;H,3.18;I,40.01;實測元素含量(%):C,56.71;H,3.11;I,39.96。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。(3)中間體A-b的合成:其他步驟均與中間體A-a的合成步驟相同,將苯基溴化鎂替換為等摩爾的2-萘基溴化鎂,得到中間體A-b。質(zhì)譜m/z:833.97(計算值:834.03)。理論元素含量(%)C46H28I2:C,66.20;H,3.38;I,30.41;實測元素含量(%):C,66.15;H,3.35;I,30.33。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。(4)中間體A-c的合成:其他步驟均與中間體A-a的合成步驟相同,將苯基溴化鎂替換為等摩爾的1-萘基溴化鎂,得到中間體A-c。質(zhì)譜m/z:833.87(計算值:834.03)。理論元素含量(%)C46H28I2:C,66.20;H,3.38;I,30.41;實測元素含量(%):C,66.09;H,3.29;I,30.29。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。(5)中間體A-d的合成:其他步驟均與中間體A-a的合成步驟相同,將苯基溴化鎂替換為等摩爾的2-噻吩溴化鎂,得到中間體A-d。質(zhì)譜m/z:658.11(計算值:657.79)。理論元素含量(%)C22H12I2S4:C,40.13;H,1.84;I,38.55;S,19.48。實測元素含量(%):C,40.01;H,1.77;I,38.41;S,19.36。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例2:化合物TM1的合成將623mg(1mmol)的中間體A-a和231mg(0.2mmol)的四(三苯基膦)鈀混合物加入10ml去除空氣的苯中,在N2保護下,將體系加熱到60℃,攪拌5分鐘。向體系中依次加入636mg(2.2mmol)三苯胺-4-硼酸、2.5ml去除空氣的乙醇和5ml去除空氣的2M的碳酸鈉水溶液,在80℃下攪拌21小時。將反應體系倒入大量水中,用二氯甲烷萃取。有機層依次用飽和食鹽水和水洗滌,用無水硫酸鎂干燥,減壓蒸餾。殘留固體經(jīng)柱層析(己烷/二氯甲烷=4:4,V/V)純化后,在己烷/氯仿混合溶液中重結(jié)晶,得到523mg(0.602mmol)的化合物TM1,產(chǎn)率為60%。質(zhì)譜m/z:868.96(計算值:869.10)。理論元素含量(%)C66H48N2:C,91.21;H,5.57;N,3.22。實測元素含量(%):C,91.18;H,5.41;N,3.09。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例3:化合物TM2的合成將實施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-咔唑-9-基苯硼酸,其他步驟均與實施例2相同,得到化合物TM2。質(zhì)譜m/z:865.32(計算值:865.07)。理論元素含量(%)C66H44N2:C,91.64;H,5.13;N,3.24。實測元素含量(%):C,91.55;H,5.08;N,3.21。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例4:化合物TM3的合成將實施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N-(萘-1-基)-N-苯胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例2相同,得到化合物TM3。質(zhì)譜m/z:969.41(計算值:969.22)。理論元素含量(%)C74H52N2:C,91.70;H,5.41;N,2.89。實測元素含量(%):C,91.59;H,5.37;N,2.79。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例5:化合物TM4的合成將實施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N,N-二(萘-1-基)胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例2相同,得到化合物TM4。質(zhì)譜m/z:1069.41(計算值:1069.34)。理論元素含量(%)C82H56N2:C,92.10;H,5.28;N,2.62。實測元素含量(%):C,91.98;H,5.13;N,2.54。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例6:化合物TM5的合成將實施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(二聯(lián)苯基-4-氨基)苯硼酸,其他步驟均與實施例2相同,得到化合物TM5。質(zhì)譜m/z:1173.69(計算值:1173.48)。理論元素含量(%)C90H64N2:C,92.12;H,5.50;N,2.39。實測元素含量(%):C,92.03;H,5.42;N,2.16。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例7:化合物TM6的合成將實施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二(4-甲苯基)胺]苯基]硼酸,其他步驟均與實施例2相同,得到化合物TM6。質(zhì)譜m/z:925.51(計算值:925.21)。理論元素含量(%)C70H56N2:C,90.87;H,6.10;N,3.03。實測元素含量(%):C,90.77;H,5.96;N,2.98。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例8:化合物TM7的合成將實施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基)苯硼酸,其他步驟均與實施例2相同,得到化合物TM7。質(zhì)譜m/z:1070.11(計算值:1069.34)。理論元素含量(%)C82H56N2:C,92.10;H,5.28;N,2.62。實測元素含量(%):C,91.95;H,5.11;N,2.52。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例9:化合物TM8的合成將834mg(1mmol)的中間體A-b和231mg(0.2mmol)的四(三苯基膦)鈀混合物加入10ml去除空氣的苯中,在N2保護下,將體系加熱到60℃,攪拌5分鐘。向體系中依次加入636mg(2.2mmol)三苯胺-4-硼酸、2.5ml去除空氣的乙醇和5ml去除空氣的2M的碳酸鈉水溶液,在80℃下攪拌21小時。將反應體系倒入大量水中,用二氯甲烷萃取。有機層依次用飽和食鹽水和水洗滌,用無水硫酸鎂干燥,減壓蒸餾。殘留固體經(jīng)柱層析(己烷/二氯甲烷=4:4,V/V)純化后,在己烷/氯仿混合溶液中重結(jié)晶,得到637mg(0.596mmol)的化合物TM8,產(chǎn)率為59.4%。質(zhì)譜m/z:1069.88計算值:1069.34)。理論元素含量(%)C82H56N2:C,92.10;H,5.30;N,2.33。實測元素含量(%):C,91.86;H,5.23;N,2.19。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例10:化合物TM9的合成將實施例9中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-咔唑-9-基苯硼酸,其他步驟均與實施例9相同,得到化合物TM9。質(zhì)譜m/z:1065.67(計算值:1065.30)。理論元素含量(%)C82H52N2:C,92.45;H,4.92;N,2.63。實測元素含量(%):C,92.34;H,4.87;N,2.55。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例11:化合物TM10的合成將實施例9中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N-(萘-1-基)-N-苯胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例9相同,得到化合物TM10。質(zhì)譜m/z:1169.63(計算值:1169.45)。理論元素含量(%)C90H60N2:C,92.43;H,5.17;N,2.40。實測元素含量(%):C,92.31;H,5.14;N,2.26。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例12:化合物TM11的合成將實施例9中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N,N-二(萘-1-基)胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例9相同,得到化合物TM11。質(zhì)譜m/z:1269.88(計算值:1269.57)。理論元素含量(%)C98H64N2:C,92.71;H,5.08;N,2.21。實測元素含量(%):C,92.64;H,4.99;N,2.08。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例13:化合物TM12的合成將實施例9中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(二聯(lián)苯基-4-氨基)苯硼酸,其他步驟均與實施例9相同,得到化合物TM12。質(zhì)譜m/z:1373.68(計算值:1373.72)。理論元素含量(%)C106H72N2:C,92.68;H,5.28;N,2.04。實測元素含量(%):C,92.46;H,5.21;N,2.03。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例14:化合物TM13的合成將實施例9中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二(4-甲苯基)胺]苯基]硼酸,其他步驟均與實施例9相同,得到化合物TM13。質(zhì)譜m/z:1125.68(計算值:1125.44)。理論元素含量(%)C86H64N2:C,91.78;H,5.73;N,2.49。實測元素含量(%):C,91.69;H,5.41;N,2.33。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例15:化合物TM14的合成將實施例9中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基)苯硼酸,其他步驟均與實施例9相同,得到化合物TM14。質(zhì)譜m/z:1269.43(計算值:1269.57)。理論元素含量(%)C98H64N2:C,92.71;H,5.08;N,2.21。實測元素含量(%):C,92.60;H,5.11;N,2.03。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例16:化合物TM15的合成將834mg(1mmol)的中間體A-c和231mg(0.2mmol)的四(三苯基膦)鈀混合物加入10ml去除空氣的苯中,在N2保護下,將體系加熱到60℃,攪拌5分鐘。向體系中依次加入636mg(2.2mmol)三苯胺-4-硼酸、2.5ml去除空氣的乙醇和5ml去除空氣的2M的碳酸鈉水溶液,在80℃下攪拌21小時。將反應體系倒入大量水中,用二氯甲烷萃取。有機層依次用飽和食鹽水和水洗滌,用無水硫酸鎂干燥,減壓蒸餾。殘留固體經(jīng)柱層析(己烷/二氯甲烷=4:4,V/V)純化后,在己烷/氯仿混合溶液中重結(jié)晶,得到599mg(0.561mmol)的化合物TM15,產(chǎn)率為55.9%。質(zhì)譜m/z:1069.22(計算值:1069.34)。理論元素含量(%)C82H56N2:C,92.10;H,5.28;N,2.62。實測元素含量(%):C,91.83;H,5.17;N,2.39。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例17:化合物TM16的合成將實施例16中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-咔唑-9-基苯硼酸,其他步驟均與實施例16相同,得到化合物TM16。質(zhì)譜m/z:1065.71(計算值:1065.30)。理論元素含量(%)C82H52N2:C,92.45;H,4.92;N,2.63。實測元素含量(%):C,92.31;H,4.87;N,2.54。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例18:化合物TM17的合成將實施例16中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N-(萘-1-基)-N-苯胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例16相同,得到化合物TM17。質(zhì)譜m/z:1169.68(計算值:1169.45)。理論元素含量(%)C90H60N2:C,92.43;H,5.17;N,2.40。實測元素含量(%):C,92.37;H,5.29;N,2.36。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例19:化合物TM18的合成將實施例16中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N,N-二(萘-1-基)胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例16相同,得到化合物TM18。質(zhì)譜m/z:1269.98(計算值:1269.57)。理論元素含量(%)C98H64N2:C,92.71;H,5.08;N,2.21。實測元素含量(%):C,92.35;H,5.11;N,2.07。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例20:化合物TM19的合成將實施例16中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(二聯(lián)苯基-4-氨基)苯硼酸,其他步驟均與實施例16相同,得到化合物TM19。質(zhì)譜m/z:1373.54(計算值:1373.72)。理論元素含量(%)C106H72N2:C,92.68;H,5.28;N,2.04。實測元素含量(%):C,92.49;H,5.17;N,2.01。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例21:化合物TM20的合成將實施例16中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二(4-甲苯基)胺]苯基]硼酸,其他步驟均與實施例16相同,得到化合物TM20。質(zhì)譜m/z:1125.41(計算值:1125.44)。理論元素含量(%)C86H64N2:C,91.78;H,5.73;N,2.49。實測元素含量(%):C,91.66;H,5.52;N,2.41。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例22:化合物TM21的合成將實施例16中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基)苯硼酸,其他步驟均與實施例16相同,得到化合物TM21。質(zhì)譜m/z:1269.41(計算值:1269.57)。理論元素含量(%)C98H64N2:C,92.71;H,5.08;N,2.21。實測元素含量(%):C,92.65;H,5.03;N,2.19。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例23:化合物TM22的合成將658mg(1mmol)的中間體A-d和231mg(0.2mmol)的四(三苯基膦)鈀混合物加入10ml去除空氣的苯中,在N2保護下,將體系加熱到60℃,攪拌5分鐘。向體系中依次加入636mg(2.2mmol)三苯胺-4-硼酸、2.5ml去除空氣的乙醇和5ml去除空氣的2M的碳酸鈉水溶液,在80℃下攪拌21小時。將反應體系倒入大量水中,用二氯甲烷萃取。有機層依次用飽和食鹽水和水洗滌,用無水硫酸鎂干燥,減壓蒸餾。殘留固體經(jīng)柱層析(己烷/二氯甲烷=4:4,V/V)純化后,在己烷/氯仿混合溶液中重結(jié)晶,得到497mg(0.557mmol)的化合物TM22,產(chǎn)率為55.5%。質(zhì)譜m/z:893.74(計算值:893.21)。理論元素含量(%)C58H40N2S4:C,77.99;H,4.51;N,3.14;S,14.36。實測元素含量(%):C,77.68;H,4.38;N,3.08;S,14.22。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例24:化合物TM23的合成將實施例23中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-咔唑-9-基苯硼酸,其他步驟均與實施例23相同,得到化合物TM23。質(zhì)譜m/z:889.33(計算值:889.18)。理論元素含量(%)C58H36N2S4:C,78.34;H,4.08;N,3.15;S,14.42。實測元素含量(%):C,78.15;H,4.03;N,3.13;S,14.09。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例25:化合物TM24的合成將實施例23中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N-(萘-1-基)-N-苯胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例23相同,得到化合物TM24。質(zhì)譜m/z:993.18(計算值:993.33)。理論元素含量(%)C66H44N2S4:C,79.80;H,4.46;N,2.82;S,12.91。實測元素含量(%):C,79.61;H,4.22;N,2.78;S,12.57。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例26:化合物TM25的合成將實施例23中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[N,N-二(萘-1-基)胺基]苯硼酸,其他步驟均與實施例23相同,得到化合物TM25。質(zhì)譜m/z:1093.58(計算值:1093.45)。理論元素含量(%)C74H48N2S4:C,81.28;H,4.42;N,2.56;S,11.73。實測元素含量(%):C,81.13;H,4.09;N,2.44;S,11.37。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例27:化合物TM26的合成將實施例23中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(二聯(lián)苯基-4-氨基)苯硼酸,其他步驟均與實施例23相同,得到化合物TM26質(zhì)譜m/z:1197.35(計算值:1197.60)。理論元素含量(%)C82H56N2S4:C,82.24;H,4.71;N,2.34;S,10.71。實測元素含量(%):C,82.03;H,4.56;N,2.41;S,10.55。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例28:化合物TM27的合成將實施例23中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二(4-甲苯基)胺]苯基]硼酸,其他步驟均與實施例23相同,得到化合物TM27。質(zhì)譜m/z:949.53(計算值:949.32)。理論元素含量(%)C62H48N2S4:C,78.44;H,5.10;N,2.95;S,13.51。實測元素含量(%):C,78.15;H,4.89;N,2.88;S,13.44。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例29:化合物TM28的合成將實施例23中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基)苯硼酸,其他步驟均與實施例23相同,得到化合物TM28。質(zhì)譜m/z:1093.56(計算值:1093.45)。理論元素含量(%)C74H48N2S4:C,81.28;H,4.42;N,2.56;S,11.73。實測元素含量(%):C,81.21;H,4.23;N,2.44;S,11.47。上述結(jié)果證實獲得產(chǎn)物為目標產(chǎn)品。實施例30:發(fā)光器件1的制備選取ITO透明玻璃為陽極,超聲清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層,摻雜濃度為13wt%,蒸鍍速率為0.005nm/s,蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層,蒸鍍速率為0.01nm/s,蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極,厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM1化合物作為光取出層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍光,發(fā)光效率為35cd/A。實施例31:發(fā)光器件2的制備選取ITO透明玻璃為陽極,超聲清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層,摻雜濃度為13wt%,蒸鍍速率為0.005nm/s,蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層,蒸鍍速率為0.01nm/s,蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極,厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM8化合物作為光取出層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍光,發(fā)光效率為33cd/A。實施例32:發(fā)光器件3的制備選取ITO透明玻璃為陽極,超聲清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層,摻雜濃度為13wt%,蒸鍍速率為0.005nm/s,蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層,蒸鍍速率為0.01nm/s,蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極,厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM16化合物作為光取出層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍光,發(fā)光效率為38cd/A。實施例33:發(fā)光器件4的制備選取ITO透明玻璃為陽極,超聲清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層,摻雜濃度為13wt%,蒸鍍速率為0.005nm/s,蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層,蒸鍍速率為0.01nm/s,蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極,厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM26化合物作為光取出層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍光,發(fā)光效率為42cd/A。實施例34:發(fā)光器件5的制備選取ITO透明玻璃為陽極,超聲清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述陽極基板上真空蒸鍍TM26化合物作為空穴傳輸層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層,摻雜濃度為13wt%,蒸鍍速率為0.005nm/s,蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層,蒸鍍速率為0.01nm/s,蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極,厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM26化合物作為光取出層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為50nm。該器件發(fā)藍光,發(fā)光效率為48cd/A。對比實施例:發(fā)光器件6的制備選取ITO透明玻璃為陽極,超聲清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層,摻雜濃度為13wt%,蒸鍍速率為0.005nm/s,蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層,蒸鍍速率為0.01nm/s,蒸鍍厚度為50nm。最后在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極,厚度為200nm。該器件發(fā)藍光,發(fā)光效率為28cd/A。發(fā)光器件發(fā)光效率(cd/A)135233338442548628以上結(jié)果表明,本發(fā)明的對三聯(lián)苯衍生物作為光取出層材料,應用于有機電致發(fā)光器件中,發(fā)光效率高,是性能良好的有機發(fā)光材料。顯然,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應當指出,對于所述
技術(shù)領域
的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾,這些改進和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。當前第1頁1 2 3 
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