專利名稱：：萘二胺衍生物和使用該衍生物的光電敏感材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及適用作電荷轉(zhuǎn)移材料，特別是適用于如太陽能電池，電熒光裝置，光電敏感材料等中的空穴轉(zhuǎn)移材料的新穎萘二胺衍生物，以及使用該衍生物的光電敏感材料，該材料用于如靜電復(fù)印機(jī)，激光打印機(jī)等的圖像成形裝置。作為要用于上述用途的電荷轉(zhuǎn)移材料，已知有各種有機(jī)化合物，如咔唑化合物，噁二唑化合物，吡唑啉化合物，腙化合物，芪化合物，苯二胺化合物，聯(lián)苯胺化合物等。這些電荷轉(zhuǎn)移材料通常以分散于適當(dāng)?shù)恼澈蠘渲ぶ械臓顟B(tài)使用。在光電導(dǎo)體，例如所謂的有機(jī)光導(dǎo)體(OPC)，如含單層光敏層的單層型光導(dǎo)體的情況下，其中，上述的電荷轉(zhuǎn)移材料和由于光照射而產(chǎn)生電荷的電荷發(fā)生材料被分散在粘合樹脂中，通常使用包含含有上述電荷轉(zhuǎn)移材料的電荷轉(zhuǎn)移層和含有電荷發(fā)生材料的電荷發(fā)生層等的多層型光導(dǎo)體。上述有機(jī)光導(dǎo)體有這樣的優(yōu)點(diǎn)，就是與使用無機(jī)半導(dǎo)體材料的無機(jī)光導(dǎo)體相比，它易于生產(chǎn)，并能從電荷發(fā)生材料，電荷轉(zhuǎn)移材料，粘合樹脂等中選擇其材料，因此，對于性能的設(shè)計而言可提供很大的自由度。電荷轉(zhuǎn)移材料的典型例子包括由下式(71)表示的間苯二胺衍生物式中R6，R7，R8和R9相同或不同，并表示氫，鹵素；含取代基的烷基，含取代基的烷氧基或含取代基的芳基；R10a，R10b，R10c和R10d相同或不同并表示氫，鹵素，氰基，硝基，含取代基的烷基，含取代基的烷氧基或含取代基的芳基；f，g，h和i相同或不同并表示1-5的整數(shù)。上述的間苯二胺衍生物具有優(yōu)異的與粘合樹脂的相容性，并還具有優(yōu)異的電荷轉(zhuǎn)移能力。然后，該間苯二胺衍生物存在下述問題當(dāng)它變成由于光照射而具有高活性的單線激發(fā)態(tài)時，它的穩(wěn)定性不夠，并易于變質(zhì)或分解。原因是，與空穴轉(zhuǎn)移有關(guān)的、在HOMO(最高已占分子軌道)上的電子位于構(gòu)成分子中心骨架的苯環(huán)的C4和C6位置上，由此，增加了這些位置的化學(xué)活性。因此，將上述間苯二胺衍生物用作電荷轉(zhuǎn)移材料的光電敏感材料有如下問題在重復(fù)的充電、曝光和放電的過程中，該間苯二胺衍生物將產(chǎn)生光致化學(xué)反應(yīng)，從而形成變質(zhì)的物質(zhì)，它將使敏感性降低并增加充電，這將導(dǎo)致不足的耐久性。本發(fā)明的主要目的是提供一種具有優(yōu)異的電荷轉(zhuǎn)移能力、優(yōu)異的與粘合樹脂的相容性以及優(yōu)異穩(wěn)定性的新穎的電荷轉(zhuǎn)移材料。本發(fā)明的另一個目的是提供一種使用上述電荷轉(zhuǎn)移材料的光電敏感材料，該材料具有高敏感性和優(yōu)異的耐久性。通過代替構(gòu)成上述苯二胺衍生物中心骨架的苯環(huán)而引入具有驟冷效應(yīng)，即由光激發(fā)態(tài)的加速鈍化作用的萘環(huán)，然后將萘二胺衍生物分子設(shè)計成新穎的化合物，本發(fā)明者已改善了該材料的穩(wěn)定性。因此，業(yè)已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)構(gòu)成萘環(huán)的兩個六元環(huán)分別被氮原子取代時，因為分子的對稱性很高，所生成的衍生物與粘合樹脂的相容性很差，此外，所生成的衍生物的電荷轉(zhuǎn)移能力也很低，這將導(dǎo)致不適于實際使用。因此，本發(fā)明者已進(jìn)一步研究了萘環(huán)被兩個氮原子取代的有關(guān)位置。因此，現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)由式(1)表示的萘二胺衍生物具有下述特征，式中R1，R2，R3和R4相同或不同，并表示氫，鹵素；可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基或可含取代基的芳基；R5a，R5b，R5c，R5d，R5e和R5f相同或不同并表示氫，鹵素，氰基，硝基，可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基或可含取代基的芳基；分別表示基團(tuán)R1，R2，R3和R4取代數(shù)的a，b，c和d相同或不同并為1-5的整數(shù)。(1)由于該分子的不對稱性更高，因此，其與粘合樹脂的相容性與間苯二胺衍生物的相同，或更高。(2)就上述萘二胺衍生物而言，由于下面兩個主要因素，與空穴轉(zhuǎn)移有關(guān)的HOMO上的電子通過該分子的分布是非定域的，①在各自氮原子上取代的四個苯基基團(tuán)彼此靠得很近，②與苯環(huán)不同，在中心萘環(huán)中HOMO上的電子不是定域的，而且它們易于產(chǎn)生非定域的、通過該環(huán)的分布。因此，基于萘環(huán)具有比苯環(huán)更大的π電子共軛體系這樣的事實，其電荷遷移率好于間苯二胺衍生物。因而，進(jìn)一步改善了電荷轉(zhuǎn)移能力。(3)如上所述，就其中HOMO上的電子是非定域的萘二胺衍生物而言，電子的體視分布是成平面狀的。因而，當(dāng)該作為電荷轉(zhuǎn)移材料的萘二胺衍生物與電荷發(fā)生材料一起被包含在光電敏感材料的光敏層中時，與電荷發(fā)生材料的相互作用，即吸引電荷發(fā)生材料中產(chǎn)生的電荷(特別是空穴)的作用增強(qiáng)，從而改善了電荷發(fā)生材料的電荷發(fā)生效率。因此，改善了光敏材料的靈敏性。(4)如上所述，其中HOMO上的電子為非定域的萘二胺衍生物沒有與間苯二胺衍生物一樣的、增加反應(yīng)活性的、定域電子的位置。因而，基于中心萘環(huán)具有如上所述的驟冷疚應(yīng)的事實，在光照射時的穩(wěn)定性將是優(yōu)異的。于是完成了本發(fā)明。也就是說，本發(fā)明的萘二胺衍生物的特征在于，其為上式(1)所表示的物質(zhì)。另外，本發(fā)明的光電敏感材料的特征在于，提供了在導(dǎo)電基材上的含上述萘二胺衍生物(1)的光敏層。此外，本發(fā)明者已發(fā)現(xiàn)通過包含至少一種選自由式(2)，(3)，(4)，(5)和(6)的化合物，能賦予光敏材料以高靈敏性，并能改善其耐久性。式(2)表示的2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物式中RA，RB，RC，RD和RE相同或不同并表示氫，鹵素，可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基，可含取代基的芳基，可含取代基的芳烷基或可含取代基的苯氧基。式(3)表示的聯(lián)苯酚醌衍生物式中RF，RG，RH，和RI相同或不同并表示氫，可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基，可含取代基的芳基；或可含取代基的芳烷基。式(4)表示的乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物式中RJ，RK，RL，RM和RN相同或不同并表示氫，鹵素，可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基，可含取代基的芳基，可含取代基的芳烷基或可含取代基的苯氧基；α為1-4的整數(shù)。式(5)表示的色氨蒽精(Tryptoanthrine)衍生物式中，RO和RP相同或不同并表示可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基，或硝基；β和γ相同或不同并為0-3的整數(shù)。式(6)表示的色氨蒽精亞胺(Tryptoanthrinimine)衍生物式中，RQ，RR，RS，RT和RU相同或不同并表示氫，鹵素，可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基，可含取代基的芳基；可含取代基的芳烷基，或可含取代基的苯氧基；δ為1-4的整數(shù)。本發(fā)明的另一種光電敏感材料的特征在于，提供了在導(dǎo)電基材上的含萘二胺衍生物(1)和2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物(2)的光敏層，含萘二胺衍生物(1)和聯(lián)苯酚醌衍生物(3)的光敏層，含萘二胺衍生物(1)和乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物(4)的光敏層，含萘二胺衍生物(1)和色氨蒽精衍生物(5)的光敏層，或含萘二胺衍生物(1)和色氨蒽精亞胺衍生物(6)的光敏層。通常，當(dāng)空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料被包含在同一層中時，兩種材料將形成電荷轉(zhuǎn)移配合物，從而使整個光敏層的電荷轉(zhuǎn)移能力下降，并導(dǎo)致光敏材料靈敏性的下降。然而，在將萘二胺衍生物(1)(空穴轉(zhuǎn)移材料)與均為電子轉(zhuǎn)移材料的2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物(2)，聯(lián)苯酚醌衍生物(3)，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物(4)，色氨蒽精衍生物(5)或色氨蒽精亞胺衍生物(6)結(jié)合的情況下，即使兩種轉(zhuǎn)移材料在該層中的濃度很高，也不會形成電荷轉(zhuǎn)移配合物，這時空穴和電子能有效地轉(zhuǎn)移。因此，這顯示出了上述的通常的作用，這就是，空穴和電子轉(zhuǎn)移材料能分別有效地轉(zhuǎn)移電子和空穴。因此，留作光敏層中的空穴阱的、待充電的電子的效率得到改善，并降低了剩余電勢，由此，改善了光導(dǎo)體的靈敏性。如上所述，阻止了阱的產(chǎn)生，結(jié)果是，當(dāng)重復(fù)形成圖像時，不能產(chǎn)生增加的充電(增加表面電勢和剩余電勢)以及改善光敏材料的耐久性。同樣很清楚的是，含有萘二胺衍生物(1)和上述五種電子轉(zhuǎn)移材料任一種的光敏材料具有一特定的作用，就是具有特別優(yōu)異的耐紫外光作用。也就是說，當(dāng)紫外光照射到光敏材料上時，萘二胺衍生物(1)將變成高活性的單線激發(fā)態(tài)，并易于變質(zhì)或分解。然后，當(dāng)在同一層中存在有上述五種電子轉(zhuǎn)移材料的任一種時，具有優(yōu)異電子接受性能的這些衍生物將顯示出驟冷效應(yīng)，即，從光激發(fā)態(tài)的加速鈍化作用。因此，抑制了該材料的變質(zhì)以及基團(tuán)的形成，由此，改善了耐光性。特別是，在2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物(2)的情況下，能明顯地觀測到該作用，然而，在其它四種電子轉(zhuǎn)移材料的情況下也能觀測到這種作用。假想各自材料中的特定的化學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，在2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物(2)的情況下的亞胺骨架)提供了這種作用，但其確定的機(jī)理還不清楚。此外，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，通過將包括有式(7)表示的上述的間苯二胺衍生物的式(7)表示的苯二胺衍生物摻入含萘二胺衍生物(1)的光敏層中，能賦予該光敏材料以更高的靈敏性，并能改善其耐久性，式中R6，R7，R8和R9相同或不同并表示氫，鹵素，可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基，或可含取代基的芳基；R10a，R10b，R10c和R10d相同或不同并表示氫，鹵素，氰基，硝基，可含取代基的烷基，可含取代基的烷氧基，或可含取代基的芳基；f，g，h和i相同或不同并為1-5的整數(shù)，雖然機(jī)理還不清楚，但通過下面實施例將變得很清楚。另外，本發(fā)明者還發(fā)現(xiàn)，通過將上述萘二胺衍生物(1)和苯二胺衍生物(7)(兩種均為空穴轉(zhuǎn)移材料)的結(jié)合體系與上述五種電子轉(zhuǎn)移材料的任一種結(jié)合使用，能進(jìn)一步賦予光導(dǎo)體以更高的靈敏性并能進(jìn)一步改善其耐久性，這是由于上述兩種空穴轉(zhuǎn)移材料的作用以及由于上述空穴材料和電子轉(zhuǎn)移材料結(jié)合的作用所致。因此，本發(fā)明的另一種光電敏感材料的特征在于，在導(dǎo)電基材上提供了含萘二胺衍生物(1)和苯二胺衍生物(7)以及如果需要，上述五種電子轉(zhuǎn)移材料的至少一種的光敏層。圖1說明根據(jù)本發(fā)明例1的萘二胺衍生物的紅外光譜分析結(jié)果的圖表；圖2是說明根據(jù)本發(fā)明例3的萘二胺衍生物的紅外光譜分析結(jié)果的圖表。與上述式(1)中R1，R2，R3，R4和R5a-R5f相應(yīng)的鹵原子的例子包括，氟原子，氯原子，溴原子，碘原子等。烷基的例子包括C1-C6的低級烷基，如甲基，乙基，正丙基，異丙基，正丁基，異丁基，仲丁基，叔丁基，戊基，己基等。烷氧基的例子包括C1-C6的低級烷氧基，如甲氧基，乙氧基，異丙氧基，丁氧基，叔丁氧基，己氧基等。芳基的例子包括苯基，聯(lián)苯基，萘基，蒽基，菲基，鄰-三聯(lián)苯基等?？扇〈榛⑼檠趸头蓟娜〈睦影ㄉ鲜龅耐榛?，鹵原子，烷氧基等。不管萘二胺衍生物分子結(jié)構(gòu)如何，其中R1-R4和R5a-R5e同時為氫的該萘二胺衍生物與粘合樹脂的相容性很差。因而，優(yōu)選R1-R4和R5a-R5e不同時為氫。在式(1)中由符號a，b，c和d表示的R1，R2，R3和R4的取代數(shù)能分別任意地從1-5內(nèi)選擇。如上所述，在本發(fā)明的萘二胺衍生物(1)中，兩個氮原子的取代位置局限于構(gòu)成萘環(huán)的兩個六元環(huán)的任一個環(huán)上。例如，屬于本發(fā)明萘二胺衍生物的如下四種物質(zhì)由式(11)表示的2，3-萘二胺衍生物，由式(12)表示的1，2-萘二胺衍生物，由式(13)表示的1，3-萘二胺衍生物，由式(14)表示的1，4-萘二胺衍生物，在上面各式中，R1-R4，R5a-R5f和a-d如前定義。在這四種萘二胺衍生物中，特別優(yōu)由式(11)表示的2，3-萘二胺衍生物和由式(13)表示的1，3-萘二胺衍生物。因為在兩個氮原子上取代的四個苯基彼此靠得很近，所以，前述衍生物(11)具有由于HOMO上的非定域電子的上述作用所致的優(yōu)異的電荷轉(zhuǎn)移能力，并具有優(yōu)異的光照射穩(wěn)定性。此外，與1，3-萘二胺衍生物(13)相比，似乎上述的2，3-萘二胺衍生物(11)具有低的分子不對稱性。然而，因為在分子結(jié)構(gòu)中由于兩個氮原子上取代的苯基的位阻而形成了輕微的扭轉(zhuǎn)，所以該衍生物具有實際使用的適當(dāng)?shù)呐c粘合樹脂的相容性，并且增加了不對稱性。因此，就包含含有2，3-萘二胺衍生物(11)的光敏層的光電敏感材料而言，由于該衍生物(11)的優(yōu)異的電荷轉(zhuǎn)移能力，因而改善了電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生效率，同時降低了形成圖像時的剩余電勢并改善了靈敏生。此外，由于衍生物(11)的穩(wěn)定性，因而包含含有2，3-萘二胺衍生物(11)的光敏層的光敏感材料還具有優(yōu)異的耐久性。2，3-萘二胺衍生物的非限制性例子包括由式(11-1)-(11-27)表示的化合物另一方面，就1，3-萘二胺衍生物(13)而言，與2，3-萘二胺衍生物(11)相比，在兩個氮原子上取代的四個苯基彼此分離地定位。然而與構(gòu)成萘環(huán)的兩個六元環(huán)分別被一個氮原子取代的那些衍生物相比，其四個苯基彼此靠得很近。因而，該衍生物具有由于HOMO上的非定域電子的作用所致的可實際使用的適當(dāng)?shù)碾姾赊D(zhuǎn)移能力和光照時的穩(wěn)定性。此外，由于分子的高度不對稱，它具有特別優(yōu)異的與粘合樹脂的相容性。因此，使用上述1，3-萘二胺衍生物(13)的光電敏感材料與使用2，3-萘二胺衍生物(11)的光電敏感材料具有相同的靈敏性，而且也具有優(yōu)異的耐久性。1，3-萘二胺衍生物的例子包括由式(13-1)-(13-26)表示的化合物能通過各種方法來合成本發(fā)明的萘二胺衍生物(1)。例如，能根據(jù)下面的反應(yīng)程序合成由下式(11a)表示的2，3-萘二胺衍生物(11a)，式中，R1-R4同時為相同的基團(tuán)R11，在苯基上取代的取代數(shù)K和位置相同，這些化合物均包括在2，3-萘二胺衍生物中。也就是，將式(1a)表示的2，3-萘二胺衍生物等同銅粉，氧化銅或鹵化銅一起與式(1b)表示的碘苯衍生物混合，(1a)與(1b)的摩爾比為1∶4。然后在堿性物質(zhì)的存在下使該混合物發(fā)生反應(yīng)，從而合成2，3-萘二胺衍生物(11a)。為了合成屬于1，3-萘二胺衍生物(13)的類似的衍生物，可以替代上述反應(yīng)中作為起始材料的2，3-萘二胺衍生物(1a)而使用由式(1c)表示的等量的1，3-萘二胺衍生物。此外，能根據(jù)下面的反應(yīng)程序合成由下式(11b)表示的化合物，式中R1和R3同時為相同的基團(tuán)R12，并且在苯基上要取代的取代數(shù)m和位置相同；R2和R4同時為相同的基團(tuán)R13，并且在苯基上取代的取代數(shù)n和位置相同；R12和R13彼此不同，或取代數(shù)m和n不同或在苯基上取代的R12和R13的位置不同，這些化合物均包括在2，3-萘二胺衍生物(11)中。也就是，將由式(1d)表示的乙酰化的2，3-萘二胺衍生物連同銅粉，氧化銅或鹵化銅一起與由式(1e)表示的碘苯衍生物混合，(1d)和(1e)的摩爾比為1∶2，并在堿性物質(zhì)存在下使混合物發(fā)生反應(yīng)，從而合成由式(1f)表示的反應(yīng)中間體。然后，通過在適當(dāng)?shù)娜軇┲信c鹽酸等的反應(yīng)而使該反應(yīng)中間體脫乙酰，以得到第二中間體。同樣地，將所得的第二中間體以1∶2的摩爾比與由式(1h)表示的碘苯衍生物反應(yīng)，從而合成2，3-萘二胺衍生物(11b)。為了合成屬于1，3-萘二胺衍生物(13)的類似的衍生物，可以替代上述反應(yīng)中作為起始材料的乙?；?，3-萘二胺衍生物(1d)而使用由式(1i)表示的等量的乙酰化的1，3-萘二胺衍生物本發(fā)明的萘二胺適于用作電荷轉(zhuǎn)移材料，特別是在如太陽能電池、電熒光裝置，光電敏感材料等的應(yīng)用中的空穴轉(zhuǎn)移材料，并且也能用于其它各種領(lǐng)域。本發(fā)明的光電敏感材料在導(dǎo)電基材上包含至少含上述萘二胺衍生物(1)之一的光敏層。該光敏層分成兩種，即單層光敏層和多層光敏層。本發(fā)明能應(yīng)用到兩個光敏層上。在特別是單層光敏層中，能明顯地觀測到結(jié)合使用作為空穴轉(zhuǎn)移材料的萘二胺衍生物(1)，和如果需要的苯二胺衍生物(7)和上述五種電子轉(zhuǎn)移材料至少之一的光電敏感材料的作用和效應(yīng)。在那種情況下，有這樣的優(yōu)點(diǎn)所得到的光敏材料能用于充正電和充負(fù)電。然而，當(dāng)然也能將它用于上述的多層光敏層。通過使用如涂敷方法將涂布液涂敷至導(dǎo)電基材上，然后干燥，能形成單層光敏層。涂布液通過將至少在萘二胺衍生物(1)中的萘二胺衍生物和作為電子轉(zhuǎn)移材料的苯二胺衍生物(7)，電荷發(fā)生材料和粘合樹脂，以及如果需要的話，上述五種電子轉(zhuǎn)移材料的至少一種溶解或分散于適當(dāng)?shù)娜軇┲卸频?。此外，通過使用如沉積法或涂敷法在導(dǎo)電基材上形成含電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生層，能形成多層光敏層。接著，使用涂敷方法，將含有作為電子轉(zhuǎn)移材料的萘二胺衍生物(1)和粘合樹脂的涂布液涂敷至電荷產(chǎn)生層上，然后干燥，以形成電荷轉(zhuǎn)移層。相反地，可以先在導(dǎo)電基材上形成電荷轉(zhuǎn)移層，然后再在其上形成電荷產(chǎn)生層。在多層光敏層的情況下，電子轉(zhuǎn)移材料通常包含在電荷產(chǎn)生層中，但它也可以包含在電子轉(zhuǎn)移層中。此外，作為空穴轉(zhuǎn)移材料的苯二胺衍生物(7)通常與萘二胺衍生物(1)一起包含在電荷轉(zhuǎn)移層中，但它也可以包含在電荷產(chǎn)生層中。電荷產(chǎn)生材料的例子包括粉末狀的無機(jī)光導(dǎo)材料(例如硒，硒-碲，硒-砷，硫化鎘，α-硅)，偶氮顏料，重氮顏料，苝系顏料，二苯并[cd，jk]-5，1O-二酮顏料，酞菁系顏料，靛藍(lán)顏料，三苯基甲烷顏料，therene顏料，甲苯胺顏料，吡唑啉顏料，喹吖酮顏料，二硫代酮吡咯并吡咯顏料等。根據(jù)光電敏感材料的靈敏性范圍，可單獨(dú)或結(jié)合使用這些電荷產(chǎn)生材料。作為在不低于700nm波長具有靈敏性的適用于有機(jī)光電敏感材料的電荷產(chǎn)生材料，例如為酞菁顏料，如X型不含金屬的酞菁，氧合鈦氧基酞菁等。使用作為電荷產(chǎn)生材料的這些酞菁顏料和作為電子轉(zhuǎn)移材料的萘二胺衍生物(1)的光電敏感材料在上述波長范圍內(nèi)具有很高的靈敏性。例如，它適用于數(shù)字光學(xué)體系的圖像成形裝置，如激光打印機(jī)和傳真。另一方面，作為適用于在可見光范圍內(nèi)具有高靈敏性的光電敏感材料的電荷產(chǎn)生材料，有偶氮顏料，苝系顏料等。使用作為電荷產(chǎn)生材料的這些顏料和作為電子轉(zhuǎn)移材料的萘二胺衍生物(1)的光電敏感材料在可見光范圍內(nèi)具有高靈敏性。例如，它能適當(dāng)?shù)赜糜谀M光學(xué)體系的圖像成形裝置如靜電復(fù)印機(jī)等?？蓡为?dú)使用作為電子轉(zhuǎn)移材料的萘二胺衍生物，或與如上所述的2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物(2)，聯(lián)苯酚醌衍生物(3)，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物(4)，色氨蒽精衍生物(5)，色氨蒽精亞胺衍生物(6)或苯二胺衍生物(7)結(jié)合使用。與表示2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的上式(2)中的RA，RB，RC，RD和RE相應(yīng)的鹵原子，烷基，烷氧基和芳基的例子，如上所述。此外，芳烷基的例子包括芐基，二苯甲基，苯乙基等。可以在這些基團(tuán)或萘基上取代的取代基，如上所述。2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的例子包括由式(2-1)-(2-20)表示的化合物。與表示聯(lián)苯酚醌衍生物的上式(3)中的RF，RG，RH和RI相應(yīng)的鹵原子，烷氧基，芳基和芳烷基的例子，以及可以在這些基團(tuán)上取代的取代基如上所述。烷基的例子除上述相應(yīng)的基團(tuán)外還包括環(huán)烷基如環(huán)己基等。聯(lián)苯酚醌衍生物(3)的例子包括由式(3-1)-(3-9)表示的化合物。與表示乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的上式(4)中的RJ，RK，RL，RM和RN相應(yīng)的鹵原子，烷基，烷氧基，芳基和芳烷基的例子如上所述。乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物(4)的例子包括由式(4-1)-(4-9)表示的化合物。與表示色氨蒽精衍生物的上式(5)中的RO和RP相應(yīng)的烷基和烷氧基的例子以及可在這些基團(tuán)上取代的取代基如上所述。色氨蒽精衍生物(5)的例子包括由式(5-1)-(5-5)表示的化合物。與表示色氨蒽精亞胺衍生物的上式(6)中的RQ，RR，RS，RT和RU相應(yīng)的鹵原子，烷基，烷氧基，芳基和芳烷基的例子以及可在這些基團(tuán)或苯氧基上取代的取代基的例子如上所述。色氨蒽精亞胺衍生物(6)的例子包括由式(6-1)-(6-11)表示的化合物。與表示苯二胺衍生物的上式(7)中的R6，R7，R8，R9和R10a-R10d相應(yīng)的鹵原子，烷基，烷氧基和芳基的例子以及可在這些基團(tuán)上取代的取代基如上所述。根據(jù)在中心苯環(huán)上取代的兩個氮原子的位置，將苯二胺衍生物分成三種，例如，鄰-，間-和對-苯二胺衍生物。在本發(fā)明中，鑒于與萘二胺衍生物相互作用的強(qiáng)度，與其它材料的相容性，電荷轉(zhuǎn)移能力等，適宜使用這三種物質(zhì)中的兩種，如由式(71)表示的間苯二胺衍生物和由式(72)表示的鄰苯二胺衍生物，上述兩式中，R6-R9，R1a-R1d和f-i如上所述。間苯二胺衍生物(71)的例子包括由式(71-1)-(71-3)表示的化合物。鄰苯二胺衍生物(72)的例子包括由式(72-1)表示的化合物?？梢耘c上述各種電荷轉(zhuǎn)移材料結(jié)合使用的其它的電荷轉(zhuǎn)移材料的例子包括，各種電子轉(zhuǎn)移材料和空穴轉(zhuǎn)移材料。在電荷轉(zhuǎn)移材料中的電子轉(zhuǎn)移材料的例子包括電子吸引材料，如苯醌化合物，萘醌化合物，丙二腈，硫代吡喃化合物，四氰基乙烯，四氰基醌二甲烷，氯苯胺，溴苯胺，2，4，7-三硝基-9-二氰基亞甲基芴酮，2，4，5，7-四硝基蒽酚酮，2，4，8-三硝基硫代蒽酚酮，二硝基苯，二硝基蒽，二硝基吖啶，硝基蒽醌，二硝基蒽醌，丁二酸酐，馬來酸酐，二溴馬來酸酐等，通過上述電子吸引材料的聚合得到的高分子化合物等。空穴轉(zhuǎn)移材料的例子包括電子給予材料，如含氮環(huán)狀化合物和稠合的多環(huán)化合物，例如除萘二胺衍生物(1)和苯二胺衍生物(7)以外的二胺化合物；二唑化合物，如2，5-二(4-甲氨基苯基)-1，3，4-噁二唑等；苯乙烯基化合物，如9-(4-二乙氨基苯乙烯基)蒽等；咔唑化合物，如聚乙烯基咔唑等；吡唑啉化合物，如1-苯基-3-(對-二甲氨基苯基)吡唑啉等；腙化合物；三苯胺化合物，吲哚化合物，噁唑化合物；異噁唑化合物，噻唑化合物；噻二唑化合物；咪唑化合物；吡唑化合物；三唑化合物等。這些電荷轉(zhuǎn)移材料也能單獨(dú)或結(jié)合使用。另外，當(dāng)使用如聚乙烯基咔唑這種具有成膜性能的電荷轉(zhuǎn)移材料時，不需要粘合樹脂。粘合樹脂的例子包括，熱塑性樹脂，如苯乙烯聚合物，苯乙烯-丁二烯共聚物，苯乙烯-丙烯腈共聚物，苯乙烯-馬來酸共聚物，丙烯酸聚合物，苯乙烯-丙烯酸共聚物，聚乙烯，乙烯-醋酸乙烯共聚物，氯化聚乙烯，聚氯乙烯，聚丙烯，氯乙烯-醋酸乙烯共聚物，聚酯，醇酸樹脂，聚酰胺，聚氨基甲酸酯，聚碳酸酯，聚丙烯酸酯，聚砜，對苯二甲酸二芳基酯樹脂，酮樹脂，聚乙烯基丁醛樹脂，聚醚樹脂等；交聯(lián)熱固化樹脂，如硅氧烷樹脂，環(huán)氧樹脂，酚樹脂，尿素樹脂，蜜胺樹脂等；光固化樹脂，如環(huán)氧丙烯酸酯，氨基甲酸酯丙烯酸酯等?？蓡为?dú)或結(jié)合使用這些粘合樹脂。除上面各種成分以外，還能向光敏層中添加如敏化劑，芴化合物，紫外吸收劑，增塑劑，表面活性劑，均化劑等的添加劑。為了改善光電敏感材料的靈敏性，可以將如三聯(lián)苯，鹵代萘醌，苊等的敏化劑與電荷產(chǎn)生劑結(jié)合使用。在多層光敏材料中，構(gòu)成電荷產(chǎn)生層的電荷轉(zhuǎn)移材料和粘合樹脂可以以各種比例使用。以100重量份粘合樹脂為準(zhǔn)，優(yōu)選使用5-1000重量份、特別是30-500重量份的電荷產(chǎn)生材料。構(gòu)成電荷轉(zhuǎn)移層的電荷轉(zhuǎn)移材料和粘合樹脂可以以各種比例使用，在這樣的范圍內(nèi)，不至于阻礙電荷的遷移，并能阻止電荷轉(zhuǎn)移材料的結(jié)晶。以100重量份粘合樹脂為準(zhǔn)，優(yōu)選使用10-500重量份、特別是25-200重量份的含萘二胺衍生物(1)的電荷轉(zhuǎn)移材料，以更容易地轉(zhuǎn)移由于光照射而在電荷產(chǎn)生層中產(chǎn)生的電荷。當(dāng)單獨(dú)使用萘二胺衍生物(1)時，電荷轉(zhuǎn)移材料的用量就是萘二胺衍生物(1)的用量。將萘二胺衍生物(1)與其它電荷轉(zhuǎn)移材料結(jié)合使用時，電荷轉(zhuǎn)移材料的用量為兩種衍生物的總量。例如，當(dāng)將萘二胺衍生物(1)與苯二胺衍生物(7)結(jié)合使用時，這兩種衍生物的重量比優(yōu)選在20∶80-80∶20的范圍內(nèi)(萘二胺衍生物(1)苯二胺衍生物(7))。就多層光敏層的厚度而言，電荷產(chǎn)生層的厚度優(yōu)選為約0.01-5μm，特別是約0.1-3μm，而電荷轉(zhuǎn)移層的厚度優(yōu)選為約2-100μm，特別是約5-50μm。在單層光敏材料中，以100重量份粘合樹脂為準(zhǔn)，較適宜的是，使用含萘二胺衍生物(1)的0.1-50重量份、特別是0.5-30重量份電荷產(chǎn)生材料和20-500重量份、特別是30-200重量份電荷轉(zhuǎn)移材料。當(dāng)單獨(dú)使用萘二胺衍生物(1)時，電荷轉(zhuǎn)移材料的用量就是萘二胺衍生物(1)的用量。當(dāng)將萘二胺衍生物(1)與其它電荷轉(zhuǎn)移材料結(jié)合使用時，電荷轉(zhuǎn)移材料的用量為兩種衍生物的總量。在將空穴轉(zhuǎn)移材料如萘二胺衍生物(1)，苯二胺衍生物(7)等與電子轉(zhuǎn)移材料如2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物(2)，聯(lián)苯酚醌衍生物(3)，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物(4)，色氨蒽精衍生物(5)，色氨蒽精亞胺衍生物(6)，苯二胺衍生物(7)等結(jié)合使用的體系中，兩種轉(zhuǎn)移材料的重量比優(yōu)選為90∶10至40∶60(空穴轉(zhuǎn)移材料電子轉(zhuǎn)移材料)。此外，在將萘二胺衍生物與苯二胺衍生物(7)結(jié)合使用的體系中，這兩種轉(zhuǎn)移材料的重量比優(yōu)選為20∶80至80∶20(萘二胺衍生物(1)苯二胺衍生物(7))。優(yōu)選單層光敏層的薄膜厚度為5-100μm，特別是10-50μm。在不致于損害光電敏感材料的范圍內(nèi)，在單層光敏材料的導(dǎo)電基材和光電敏感層之間，或在多層光敏層的導(dǎo)電基材和電荷產(chǎn)生層之間，導(dǎo)電基材和電荷轉(zhuǎn)移層之間或電荷產(chǎn)生層和電荷轉(zhuǎn)移層之間可以形成阻擋層。另外，可以在光電敏感材料的表面上形成保護(hù)層。作為在其上形成上述各層的導(dǎo)電基材，能使用具有導(dǎo)電性的各種材料，其例子包括，金屬，如鐵，鋁，銅，錫，鉑，銀，釩，鉬，鉻，鎘，鈦，鎳，鈀，銦，不銹鋼，黃銅等；汽相沉積有或?qū)雍嫌猩鲜鼋饘俚乃苄圆牧?；涂布有碘化鋁，氧化錫，氧化銦等的玻璃材料。根據(jù)待用圖像成形裝置的結(jié)構(gòu)，可以將導(dǎo)電基材制成片材或筒狀?？梢允腔谋旧碛袑?dǎo)電性或只是基材的表面有導(dǎo)電性。使用時，優(yōu)選導(dǎo)電基材有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。當(dāng)通過涂布法形成構(gòu)成光電敏感材料的上述各層時，可以通過已知方法，例如，使用輥磨機(jī)，球磨機(jī)，立式球磨機(jī)，油漆攪拌器，超聲分散器等，將電荷產(chǎn)生材料，電荷轉(zhuǎn)移材料，粘合樹脂等用適宜的溶劑進(jìn)行分散/混合，以制得涂布液，并通過已知方法施加該涂布液，然后使之干燥。作為制備涂布液的溶劑，能使用各種有機(jī)溶劑，其例子包括，醇類，如甲醇，乙醇，異丙醇，丁醇等；脂族烴，如正己烷，辛烷，環(huán)己烷等；芳香烴，如苯，甲本，二甲苯等；鹵代烴，如二氯甲烷，二氯乙烷，四氯化碳，氯苯等；醚類，如二甲醚，二乙醚，四氫呋喃，乙二醇二甲醚，二甘醇二甲醚等；酮類，如丙酮，甲基·乙基酮，環(huán)己酮等；酯類，如乙酸乙酯，乙酸甲酯等；二甲基甲醛，二甲基甲酰胺，二甲基亞砜等。可以單獨(dú)或結(jié)合使用這些溶劑。為了改善電荷轉(zhuǎn)移材料和電荷產(chǎn)生材料的分散性，以及光敏層表面的平整性，可以向涂布液中添加表面活性劑，均化劑等。實施例下面的實施例和對比例將進(jìn)一步闡明本發(fā)明。實施例1N，N，N’，N’-四(3-甲苯基)-2，3-萘二胺的合成將式(1A)表示的2，3-萘二胺(15.8g)，式(1B)表示的間-碘甲苯(87.2g)，碳酸鉀(27.6g)和銅粉(2g)加入300ml硝基苯中，并且，在劇烈攪拌下向該反應(yīng)體系吹氮?dú)獾耐瑫r，將該混合物回流24小時。通過與硝基苯的共沸蒸餾，從該反應(yīng)體系中除去在反應(yīng)中所產(chǎn)生的水份。在將反應(yīng)溶液冷卻后，過濾掉無機(jī)物質(zhì)。再通過汽餾蒸餾掉硝基苯，以得到剩余物，然后將該剩余物溶于環(huán)己烷中。通過硅膠柱色譜和蒸餾掉環(huán)己烷來提純該溶液，從而得一白色沉淀。然后，用正己烷將該白色沉淀進(jìn)行重結(jié)晶，從而得到作為目的產(chǎn)物的由上式(11-2)表示的標(biāo)題化合物(20.5g，得率39.5％)。上述化合物的紅外光譜分析結(jié)果如圖1所示。此外，元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，87.98；H，6.61；N，5.40測量值C，87.89；H，6.66；N，5.44實施例2N，N，N’，N’-四(4-異丙基苯基)-2，3-萘二胺的合成根據(jù)與例1所述的相同的方法，所不同的是，用98.4g由式(1C)表示的4-異丙基-碘苯代替由式(1B)表示的間-碘甲苯，得到了作為目的產(chǎn)物的、由上式(11-6)表示的標(biāo)題化合物(22.8g，得率35.6％)。上述化合物的元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，86.18；H，9.44；N，4.37測量值C，86.01；H，9.51；N，4.47實施例3合成N，N’-二(3-甲苯基)-N，N’-二(3-異丙基苯基)-2，3-萘二胺將由式(1D)表示的N，N’-二乙?；?2，3-萘二胺(12.1g)，由式(1B)表示的間-碘甲苯(21.8g)，碳酸鉀(13.8g)和銅粉(1g)加入150ml硝基苯中，并且，在劇烈攪拌下向該反應(yīng)體系吹氮?dú)獾耐瑫r，將該混合物回流24小時。通過與硝基苯的共沸蒸餾，從該反應(yīng)體系中除去在反應(yīng)中所產(chǎn)生的水份。在將反應(yīng)溶液冷卻后，過濾掉無機(jī)物質(zhì)。再通過汽餾蒸餾掉硝基苯，以得到剩余物，然后將該剩余物與10％的HCl一起加入100ml的四氫呋喃中。通過回流兩小時而使該混合液脫乙酰，從而得到由式(1E)表示的N，N’-二(3-甲苯基)-2，3-萘二胺。然后，將該化合物(8.46g)，由式(1F)表示的3-異丙基-碘苯(12.3g)，碳酸鉀(13.8g)和銅粉(1g)加入150ml的硝基苯中，并且，在劇烈攪拌下向該反應(yīng)體系吹氮?dú)獾耐瑫r，將該混合物回流24小時。根據(jù)與上述相同的方式，通過與硝基苯的共沸蒸餾從反應(yīng)體系中除去反應(yīng)所產(chǎn)生的水份。在將該反應(yīng)液冷卻后，濾掉無機(jī)物質(zhì)。再通過汽餾蒸餾掉硝基苯，從而得剩余物，然后將該剩余物溶于環(huán)己烷中。通過硅膠柱色譜和蒸餾掉環(huán)己烷而提純該溶液，從而得一白色沉淀。然后，用正己烷使該白色沉淀進(jìn)行重結(jié)晶，以得到作為目的產(chǎn)物的，由上式(11-8)表示的標(biāo)題化合物(6.35g，得率22.1％)。所得化合物的紅外光譜分析結(jié)果如圖2所示。此外，元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，87.75；H，7.37；N，4.88測量值C，87.80；H，7.33；N，4.89實施例4合成N，N，N’，N’-四(4-聯(lián)苯基)-2，3-萘二胺根據(jù)與例1所述的相同的方式，所不同的是，用112.0g由式(1G)表示的4-碘聯(lián)苯代替式(1B)表示的間碘甲苯，得到作為目的產(chǎn)物的、由上式(11-12)表示的標(biāo)題化合物(24.6g，得率32.1％)。上述化合物的元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，90.82；H，5.52；N，3.65測量值C，90.56；H，5.65；N，3.78實施例5合成N，N’-二(3-甲苯基)-N，N’-二(4’-乙基聯(lián)苯-4-基)-2，3-萘二胺根據(jù)與例3所述的相同的方式，所不同的是用15.4g由式(1H)表示的4-乙基-4’-碘聯(lián)苯代替由式(1F)表示的3-異丙基-碘苯，得到作為目的產(chǎn)物的、由上式(11-13)表示的標(biāo)題化合物(9.82g，得率23.1％)。上述化合物的元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，90.30；H，6.40；N，3.29測量值C，90.21；H，6.45；N，3.33實施例6合成N，N，N’，N’-四(3-甲苯基)-1，3-萘二胺根據(jù)與例1所述相同的方式，所不同的是用15.8g由式(1I)表示的1，3-萘二胺代替由式(1A)表示的2，3-萘二胺，得到作為目的產(chǎn)物的由上式(13-2)表示的標(biāo)題化合物(14.7g，得率28.3％)。上述化合物的元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，87.98；H，6.61；N，5.40測量值C，87.78；H，6.66；N，5.55實施例7合成N，N’-二(3-甲苯基)-N，N，-二(3-異丙基苯基)-1，3-萘二胺根據(jù)與例3所述相同的方式，所不同的是用12.1g由式(1J)表示的N，N’-二乙酰基-1，3-萘二胺代替由式(1D)表示的N，N’-二乙?；?2，3-萘二胺，得到作為目的產(chǎn)物的由上式(13-7)表示的標(biāo)題化合物(5.72g，得率19.9％)。上述化合物的元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，87.75；H，7.37；N，4.88測量值C，87.69；H，7.25；N，4.94實施例8合成N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二(4’-乙基聯(lián)苯-4-基)-1，3-萘二胺根據(jù)與例3所述相同的方式，所不同的是用12.1由式(1J)表示的N，N’-二乙酰基-1，3-萘二胺代替由式(1D)表示的N，N’-二乙?；?2，3-萘二胺，用21.8g由式(1K)表示的對-碘甲苯代替式(1B)表示的間-碘甲苯，以及用15.4g由式(1H)表示的4-乙基-4’-碘聯(lián)苯代替由式(1F)表示的3-異丙基-碘苯，得到作為目的產(chǎn)物的由上式(13-12)表示的標(biāo)題化合物(8.71g，得率20.5％)。上述化合物的元素分析結(jié)果如下。元素分析(％)計算值C，90.30；H，6.40；N，3.29測量值C，90.39；H，6.45；N，3.25實施例9-15和對比例1(用于數(shù)字光源的單層光敏材料)使用球磨機(jī)，將5重量份的X-型不含金屬的酞菁由式(8-1)表示作為電荷產(chǎn)生材料，100重量份電荷轉(zhuǎn)移材料和作為粘合樹脂的100重量份聚碳酸酯與作為溶劑的800重量份四氫呋喃混合/分散50小時，以制得用于單層光電敏感層的涂布液。然后，通過浸涂法將該涂布液涂在作為導(dǎo)電基材的鋁管上，然后于110℃用熱風(fēng)干燥30分鐘，以制得用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料，該材料的單層光敏層的薄膜厚度為25μm。用于這些實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料為本發(fā)明的萘二胺衍生物。萘二胺衍生物的各種化合物，通過上述化合物的編號而示于表1中。此外，用于對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料為由式(71-1)表示的間苯二胺衍生物。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行下面的原始電性能測試(I)和重復(fù)曝光后的電性能測試(I)，并評估它們的性能。初始電性能測試(I)通過使用由GENTECCo.制造的鼓感度測試儀。將一電壓施加在各個實施例和對比例的光電敏感材料的表面上，從而在+700±20V給表面充電，并測量表面電勢Vo(V)。然后，將從通過帶通濾光器作為曝光光源的鹵燈的由光得到的、780nm波長(半寬20nm)和10μJ/cm2光強(qiáng)度的單色光照射在光電敏感材料上持續(xù)1.5秒鐘(照射時間)，并測量上述電勢降至一半所需的時間，由此，計算出半表期曝光量E1/2(μJ/cm2)。另外，測量從曝光開始0.5秒鐘時的表面電勢作為剩余電勢Vr(V)。重復(fù)曝光后的電性能測試(I)將各個實施例和對比例的光電敏感材料配備激光打印機(jī)(由MitaIndustrialCo.，Ltd.制造的TC-650型)，在形成10,000次圖像后，根據(jù)如上所述相同的方式，使用上述的鼓感度測試儀測量表面電勢Vo(v)和剩余電勢Vr(v)。然后，測定對初始值的充電增加值(即，ΔVo(v)和ΔVr))。結(jié)果如表1所示。在下面各表中，“CTM”表示“電荷轉(zhuǎn)移材料”。表1<實施例16-21和對比例2(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9-15和對比例1中所述相同的方式，所不同的是，使用5重量份由式(9-1)表示的苝系顏料作為電荷產(chǎn)生材料來生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料。根據(jù)上述相同的方式，將用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料通過上述化合物的編號示于表2中。對上面實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行下面的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的電性能。初始電性能測試(II)通過使用由GENTECCo.，制造的鼓感度測試儀，將一電壓施加至各個實施例和對比例的光電敏感材料表面上，從而在+700V±20V對該表面充電，并測量表面電勢Vo(v)。然后，將從作為曝光光源的鹵燈來的白光(光強(qiáng)度10勒)照射在該光電敏感材料的表面上持續(xù)1.5秒(照射時間)，并測量表面電勢降至一半所需的時間，由此，計算出半衰期曝光量E1/2(勒·秒)。另外，測量曝光開始0.5秒時的表面電勢作為剩余電勢Vr(V)。重復(fù)曝光后的電性能測試(II)將各實施例和對比例的光電敏感材料配備靜電復(fù)印機(jī)(由MitaIndustrialCo.，Ltd.制造的DC2556型)，在形成10,000次圖像后，根據(jù)與上述相同的方式，使用上述的鼓感度測試儀，測量表面電勢Vo(v)和剩余電勢Vr(v)。然后，測定對初始值的充電增加值(即ΔVo(v)和ΔVr(v))。結(jié)果列于表2。表2<<p>實施例22-28和對比例3(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15和對比例1所述相同的方式來生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)如上所述相同的方式，在表3中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上面實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上面的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表3。表3<p>實施例29-38和對比例4(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15和對比例1所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表4中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表4。表4實施例39-45和對比例5(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15和對比例1所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表5中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表5。表5<p>實施例46-51和對比例6(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15和對比例1所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表6中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表6。表6<p>實施例52-57和對比例7(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至5和對比例1所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表7中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估也它們的性能。結(jié)果列于表7。表7<<p>實施例58-64和對比例8(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15和對比例1所述相同的方式生產(chǎn)用于模氦光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表8中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表8。表8實施例65-70和對比例9(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15和對比例1所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-7)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表9中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表9。表9<p>實施例71-77和對比例10(用于數(shù)字光源的多層光電敏感材料)使用球磨機(jī)，將2.5重量份作為電荷產(chǎn)生材料的由上式(8-1)表示的X型不含金屬的酞菁和1重量份作為粘合樹脂的聚乙烯醇縮丁醛與作為溶劑的四氫呋喃進(jìn)行混合/分散，從而制得用于電荷產(chǎn)生層的涂布液。然后，通過浸涂法，將該涂布液施加至作為導(dǎo)電材料的鋁管上，然后于110℃熱風(fēng)干燥30分鐘，以形成薄膜厚度為0.5.μm的電荷產(chǎn)生層。接著，使用球磨機(jī)，將1重量份電荷轉(zhuǎn)移材料和1重量份作為粘合樹脂的聚碳酸酯與10重量份作為溶劑的四氫呋喃進(jìn)行混合/分散，從而制得用于電荷轉(zhuǎn)移層的涂布液。然后通過浸涂法將該涂布液施加在電荷產(chǎn)生層上，然后于110℃熱風(fēng)干燥30分鐘，以形成薄膜厚度為20μm的電荷轉(zhuǎn)移層，由此，得到了用于數(shù)字光源的多層光電敏感材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表10中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行下述的初始電性能測試(III)和重復(fù)曝光后的電性能測試(III)。并評估它們的性能。初始電性能測試(III)通過使用由GENTECCo.，制造的鼓感度測試儀，將一電壓施加至各實施例和對比例的光電敏感材料的表面上，在-700±20V對該表面進(jìn)行充電，并測量表面電勢Vo(V)。然后，將來自通過帶通濾光器作為曝光光源的鹵燈的白光的單色光(波長780nm(半寬20nm)，光強(qiáng)度10μJ/cm2)照射在光電敏感材料的表面上持續(xù)1.5秒(照射時間)，并測量上述表面電勢降至一半所需時間，借此，計算半衰期曝光量E1/2(μJ/cm2)。另外，測量從曝光開始后0.5秒時的表面電勢Vr(v)。重復(fù)曝光后的電性能(III)將各實施例和對比例的光電敏感材料配備激光打印機(jī)(由MitaIndustria1Co.，Itd.制造的LP-2080型)，在形成10,000次圖像后，根據(jù)上述相同的方式，使用上述鼓感度測試儀測量表面電勢Vo(V)和剩余電勢Vr(V)。然后，確定測量值與初始值的改變(即ΔVo(V)和ΔVr(V))。結(jié)果示于表10。表10</tables>實施例78-83和對比例11(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(9-1)表示的苝系顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表11中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行下述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。初始電性能測試(IV)通過使用由GENTECCo.，制造的鼓感度測試儀，將一電壓施加在各實施例和對比例的光電敏感材料的表面上，以在-700V±20V對該表面充電，并測量表面電勢Vo(v)。接著，將來自作為曝光光源的鹵燈的白光(光強(qiáng)度10勒)照射在光電敏感材料上持續(xù)1.5秒(照射時間)，并測量上述表面電勢降至一半所需的電時，借此，計算半衰期曝光量E1/2(勒·秒)。另外，測量從曝光開始后0.5秒時的表面電勢作為剩余電Vr(V)。重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)將各實施例和對比例的光電敏感材料配備改造為負(fù)充電型的靜電復(fù)印機(jī)(由MitaIndustrialCo.，Ltd.制造，DC2556型)，在形成10,000次圖像后，根據(jù)與上述相同的方式，使用上述的鼓感度測試儀測量表面電勢Vo(v)和剩余電勢Vr(v)。然后，確定測量值與初始值的改變(即ΔVo(v)和ΔVr(v))。結(jié)果列于表11。表11<實施例84-90和對比例12(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表12中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對止述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表12。表12實施例91-100和對比例13(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表13中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表13。表13實施例101-107和對比例14(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模氦光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表14中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表14。表14實施例108-113和對比例15(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表15中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表15。表15實施例114-119和對比例16(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表16中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表16。表16實施例120-126和對比例17(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表17中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表17。表17實施例127-132和對比例18(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77和對比例10所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-7)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表18中通過上述化合物的編號示出了用于實施例和對比例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例和對比例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表18。表18實施例133-144(用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15所述相同的方式生產(chǎn)用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(8-1)表示的X型不含金屬的酞菁作為電荷產(chǎn)生材料，100重量份萘二胺衍生物空穴轉(zhuǎn)移材料，100重量份聚碳酸酯作為粘合樹脂30重量份(在例135，139和143的情況下為15重量份)的2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物作為電子轉(zhuǎn)移材料。根據(jù)與上述相同的方式，在表19中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(I)和重復(fù)曝光后的電性能測試(I)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表19。在下面的各表中，“HTM”和“ETM”分別表示“空穴轉(zhuǎn)移材料”和“電子轉(zhuǎn)移材料”。表19實施例145-151(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例133至144所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(9-1)表示的苝系顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例146中2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的量僅為15重量份在其它例子中為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表20中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表20。表20<>實施例152-158(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例133至144所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例155中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的量僅為15重量份，在其它例子中為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表21中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表21。表21實施例159-165(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例133至134所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例161中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的用量僅為15重量份，在其它例子中為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表22中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表22。表22實施例166-172(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例133至144所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例168中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的量僅為15重量份，而在其它例子中為30重量份。根據(jù)與上述相同的方式，在表23中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表23。表23實施例173-179(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例133至144所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例175中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的用量僅為15重量份，而在其它例子中為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表24中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表24。表實施例180-188(用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例133至144所述相同的方式生產(chǎn)用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用聯(lián)苯酚醌衍生物作為電子產(chǎn)生材料。在所有實施例中，聯(lián)苯酚醌衍生物的用量為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表25中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(I)和重復(fù)曝光后的電性能測試(I)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表25。表25實施例189-195(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例180至188所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(9-1)表示的北系顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例190中，聯(lián)苯酚醌衍生物的用量為15重量份，而在其它的例子中為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表26中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試。結(jié)果列于表26。表26</tables>實施例196-202(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例180至188所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例197中聯(lián)苯酚醌衍生物的用量僅為15份，而在其它例子中的用量為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表27中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表27。表27實施例203-209(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例180至188所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例204中，聯(lián)苯酚醌衍生物的用量僅為15重量份，而在其它例子中的用量為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表28中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表28。表28實施例210-216(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例180至188所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例211中，聯(lián)苯酚醌衍生物的用量僅為15重量份，而在其它例子中的用量為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表29中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表29。表29實施例217-223(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例180至188所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在例218中，聯(lián)苯酚醌衍生物的用量僅為15重量份，而在其它例子中的用量為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表30中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)。并評估它們的性能。結(jié)果列于表30。表30實施例224-233(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例145至151所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，便用乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物作為電子轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表31中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)暴光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表31。表31<>實施例234-243(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例224至333所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表32中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表32。表32實施例244-253(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例224至333所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表33中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表33。表33實施例254-263(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例224至233所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表34中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表34。表34實施例264-273(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例224至233所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表35中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)暴光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表35。表35實施例274-280(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例145至151所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用色氨蒽精衍生物作為電子轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表36中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表36。表36實施例281-287(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例274至280所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表37中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表37。表37實施例288-294(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例274至280所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表38中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表38。表38實施例295-301(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例274至280所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表39中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表39。表39實施例302-308(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例274至280所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表40中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表40。表40施例309-317(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例145至151所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用色氨蒽精亞胺衍生物作為電子轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表41中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表41。表41<實施例318-326(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例309至317所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表42中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表42。表42實施例327-335(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例309至317所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表43中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表43。表43實施例336-344(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例309至317所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表44中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表44。表44<>實施例345-353(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例309至317所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表45中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表45。表45實施例354-359(用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例9至15所述相同的方式生產(chǎn)用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用50重量份萘二胺和50重量份苯二胺的衍生物作為電荷轉(zhuǎn)移材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表46中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(I)和重復(fù)曝光后的電性能測試(I)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表46。表46實施例360-365(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(9-1)表示的苝系顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表47中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表47。表47實施例366-371(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表48中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表48。表48實施例372-377(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表49中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝先后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表49。表49實施例378-383(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表50中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表50。表50實施例384-389(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層先電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表51中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表51。表51實施例390-395(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表52中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表52。表52實施例396-401(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表53中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表53。表53實施例402-407(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例354至359所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-7)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表54中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表54。表54實施例408-413(用于數(shù)字光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例71至77所述相同的方式生產(chǎn)用于數(shù)字光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用0.5重量份萘二胺衍生物和0.5重量份苯二胺衍生物作為電荷轉(zhuǎn)移材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表55中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(III)和重復(fù)曝光后的電性能測試(III)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表55。表55<>實施例414-419(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(9-1)表示的苝系顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表56中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表56。表56實施例420-425(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表57中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表57。表57實施例426-431(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表58中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表58。表58實施例432-437(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表59中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表59。表59實施例438-443(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表60中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表60。表60實施例444-449(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表61中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表61。表61實施例450-455(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表62中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表62。表62>實施例456-461(用于模擬光源的多層光電敏感材料)根據(jù)與例408至413所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的多層光電敏感材料，所不同的是，使用2.5重量份由上式(10-7)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表63中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的電荷轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(IV)和重復(fù)曝光后的電性能測試(IV)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表63。表63實施例462-469(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例145至151所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用50重量份萘二胺衍生物和50重量份苯二胺衍生物作為空穴轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表64中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表64。表64實施例470-477(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例462至469所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表65中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表65。表65<實施例478-485(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例462至469所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表66中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表66。表66實施例486-493(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例462至469所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表67中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表67。表67<>實施例494-501(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例462至469所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表68中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表68。表68<實施例502-509(用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例180至188所述相同的方式生產(chǎn)用于數(shù)字光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用50重量份萘二胺衍生物和50份苯二胺衍生物作為空穴轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表69中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(I)和重復(fù)曝光后的電性能測試(I)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表69。表69實施例510-517(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(9-1)表示的苝系顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表70中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表70。表70實施例518-525(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表71中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表71。表71實施例526-533(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-2)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表72中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表72。表72實施例534-541(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表73中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表73。表73實施例542-549(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-4)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表74中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表74。表74實施例550-557(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表75中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表75。表實施例558-565(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表76中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表76。表76實施例566-573(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例502至509所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-7)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，聯(lián)苯酚醌衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表77中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表77。表77實施例574-583(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例224至233所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用50重量份萘二胺衍生物和50重量份苯二胺作為空穴轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表78中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表78。表78實施例584-593(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例574至583所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表79中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表79。表79實施例594-603(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例574至583所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表80中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表80。表80<實施例604-613(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例574至583所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表81中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝先后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表81。表81實施例614-623(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例574至583所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表82中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表82。表82<實施例624-631(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例274至280所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用50重量份萘二胺衍生物和50重量份苯二胺衍生物作為空穴轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表83中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表83。表83<實施例632-639(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例624至63所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表84中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表84。表84實施例640-647(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例624至631所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表85中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表85。表85實施例648-655(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例624至631所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表86中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表86。表86施例656-663(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例624至631所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表87中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表87。表87實施例664-671(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例309至317所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用50重量份萘二胺衍生物和50重量份苯二胺衍生物作為空穴轉(zhuǎn)移材料。在所有例子中，色氨蒽精亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表88中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表88。表88實施例672-679(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例644至671所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-1)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表89中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表89。表89實施例680-687(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例664至671所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-3)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精亞胺衍生物的量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表90中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表90。表90實施例688-695(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例664至671所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-5)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表91中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表91。表91實施例696-703(用于模擬光源的單層光電敏感材料)根據(jù)與例664至671所述相同的方式生產(chǎn)用于模擬光源的單層光電敏感材料，所不同的是，使用5重量份由上式(10-6)表示的雙偶氮顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在所有例子中，色氨蒽精亞胺衍生物的用量均為30重量份。此外，根據(jù)與上述相同的方式，在表92中通過上述化合物的編號示出了用于實施例中的空穴轉(zhuǎn)移材料和電子轉(zhuǎn)移材料。對上述實施例的光電敏感材料進(jìn)行上述的初始電性能測試(II)和重復(fù)曝光后的電性能測試(II)，并評估它們的性能。結(jié)果列于表92。表9權(quán)利要求1.一種由式(1)表示的萘二胺衍生物式中，R1，R2，R3和R4相同或不同并表示氫原子，鹵原子，可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基或可以含取代基的芳基；R5a，R5b，R5c，R5d，R5e和R5f相同或不同，并表示氫原子，鹵原子，氰基，硝基，可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基或可以含取代基的芳基；分別表示R1，R2，R3和R4取代數(shù)的a，b，c和d相同或不同，并表示1至5的整數(shù)。2.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的、含權(quán)利要求1限定的式(1)表示的萘二胺衍生物的光敏層。3.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物和由式(2)表示的2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物；式(2)中，RA，RB，RC，RD和RE相同或不同，并表示氫原子，鹵原子，可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基，可以含取代基的芳基，可以含取代基的芳烷基或可以含取代基的苯氧基。4.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物和由式(3)表示的聯(lián)苯酚醌衍生物；式(3)中，RF，RG，RH和RI相同或不同，并表示氫原子，可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基，可以含取代基的芳基或可以含取代基的芳烷基。5.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物和由式(4)表示的乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物；式(4)中，RJ，RK，RL，RM和RN相同或不同，并表示氫原子，鹵原子可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基，可以含取代基的芳基，可以含取代基的芳烷基或可以含取代基的苯氧基；α為1-4的整數(shù)。6.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物和由式(5)表示的色氨蒽精衍生物；式(5)中RO和Rp相同或不同，并表示可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基或硝基；β和γ相同或不同并為0-3的整數(shù)。7.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物和由式(6)表示的色氨蒽精衍生物；式(6)中RQ，RR，RS，RT和RU相同或不同，并表示氫原子，鹵原子，可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基，可以含取代基的芳基，可以含取代基的芳烷基或可以含取代基的苯氧基；δ為1-4的整數(shù)。8.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物和由式(7)表示的苯二胺衍生物；式(7)中，R6，R7，R8和R9相同或不同，并表示氫原子，鹵原子，可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基，或可以含取代基的芳基；R10a，R10b，R10c和R10d相同或不同，并表示氫原子，鹵原子，氰基，硝基，可以含取代基的烷基，可以含取代基的烷氧基或可以含取代基的芳基；分別表示R6，R7，R8和R9取代數(shù)的f，g，h和i相同或不同并為1-5的整數(shù)。9.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物，在權(quán)利要求8中限定的式(7)表示的苯二胺衍生物和在權(quán)利要求3中限定的式(2)表示的2，4，7-三硝基芴酮亞胺衍生物。10.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物，在權(quán)利要求8中限定的式(7)表示的苯二胺衍生物和在權(quán)利要求4中限定的式(3)表示的聯(lián)苯酚醌衍生物。11.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物，在權(quán)利要求8中限定的式(7)表示的苯二胺衍生物和在權(quán)利要求5中限定的式(4)表示的乙基化的硝基芴酮亞胺衍生物。12.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物，在權(quán)利要求8中限定的式(7)表示的苯二胺衍生物和在權(quán)利要求6中限定的式(5)表示的色氨蒽精衍生物。13.一種光電敏感材料，包含導(dǎo)電基材，和提供至該導(dǎo)電基材上的光敏層，所述光敏層含有在權(quán)利要求1中限定的式(1)表示的萘二胺衍生物，在權(quán)利要求8中限定的式(7)表示的苯二胺衍生物和在權(quán)利要求7中限定的式(6)表示的色氨蒽精亞胺衍生物。全文摘要本發(fā)明提供了一種具有優(yōu)異的電荷轉(zhuǎn)移能力，與粘合樹脂的相容性和穩(wěn)定性，并提供了一種具有更高靈敏性和優(yōu)異耐久性的光電敏感材料。上述萘二胺衍生物由上式(1)表示，并且上述的光電敏感材料通過在導(dǎo)電基材料提供作為電荷轉(zhuǎn)移材料的該萘二胺衍生物而構(gòu)成。式中，R文檔編號C07C211/00GK1130622SQ9511829公開日1996年9月11日申請日期1995年10月18日優(yōu)先權(quán)日1994年10月18日發(fā)明者宮本榮一,角井干男,中森英雄,今中之勝,佐久間忠司,內(nèi)田真紀(jì),巖崎宏昭,花谷靖之,田中作日,中村結(jié)花申請人:三田工業(yè)株式會社