專利名稱：具有位阻酰胺的有機金屬化合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及含有位阻酰胺的有機金屬化合物、制造含有位 阻酰胺的有機金屬化合物的方法、和由含有位阻酰胺的有機金屬前體 化合物制造薄膜或涂層的方法。
背景技術(shù)：
在半導體的制造或加工過程中，使用化學氣相沉積法在襯 底如晶片或其它表面上形成材料薄膜。在化學氣相沉積中，化學氣相 沉積前體，也稱為化學氣相沉積化合物，經(jīng)熱、化學、光化學方式或 通過等離子體活化法分解以形成具有所需組成的薄膜。例如，氣相的 化學氣相沉積前體可以與加熱到高于前體分解溫度的溫度的襯底接 觸以便在村底上形成金屬或金屬氧化物薄膜。優(yōu)選地，化學氣相沉積 前體是揮發(fā)性的、可熱分解的并能夠在化學氣相沉積條件下產(chǎn)生均勻 薄膜。半導體工業(yè)目前考慮對各種用途使用各種不同金屬的薄 膜。許多有機金屬絡(luò)合物已經(jīng)被認為是形成這些薄膜的潛在前體。在 工業(yè)中需要開發(fā)新化合物和探索它們作為薄膜沉積用的化學氣相沉 積前體的潛力。鑭系元素基材料，如氧化物、硅酸鹽、鋁酸鹽和硅/鋁氮氧 化物(oxynitrides)是下一代半導體器件中的高K電介質(zhì)的候選材料。 但是，由于鑭系元素的固有性質(zhì)，如更大的原子半徑(與過渡金屬相 比)、f軌道的參與以及對+3氧化態(tài)的傾向(Cotton, F.A.; Wilkenson, G.W. Wvcwced /"orgam'c CTzem/s^y; Schumann等人,CTzem. Wev. 2002， /02，1851)，鑭系體系常常具有高配位數(shù)并形成二聚物、更高的低聚物 和/或與其它分子的加合物。這種情況是許多酰胺基體系的情況，并嚴 重限制了具有對化學氣相沉積和原子層沉積應(yīng)用而言足夠的揮發(fā)'性 的穩(wěn)定化合物的可得性。美國專利申請公開Nos. US 2002/0187644 Al和US 2002/0175393 Al公開了具有用于形成介電薄膜(如柵極電介質(zhì)、高介電常數(shù)金屬氧化物和鐵電金屬氧化物)的規(guī)定效用的金屬酰胺前體組 合物，并涉及利用該組合物沉積此類介電薄膜的低溫化學氣相沉積 法。在開發(fā)通過化學氣相沉積或原子層沉積法形成薄膜的方法 時，仍然需要優(yōu)選在室溫下是液體、具有足夠蒸氣壓、具有適當?shù)臒?穩(wěn)定性(即，對于化學氣相沉積法，會在加熱的村底上分解，但不會在 輸送過程中分解，而對于原子層沉積法，不會熱分解，但在與共反應(yīng) 物接觸時會反應(yīng))、可以形成均勻薄膜并留下極少量(即使有的話)不想 要的雜質(zhì)(例如，鹵化物、碳等)的前體。因此，仍然需要開發(fā)新化合 物和探索它們作為薄膜沉積用的化學氣相或原子層沉積前體的潛力。 因此，在本領(lǐng)域中需要提供具有某些、或優(yōu)選所有上述特性的前體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明部分涉及式M(NR,R2^所示的有機金屬化合物，其 中M是金屬或準金屬，R!相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基 團，R2相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團；R和R2可以結(jié) 合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團； 一個(NR!R2)基團 的RT或R2可以與另一(NR^R2)基團的或R2結(jié)合形成取代或未取代 的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有 機金屬化合物具有(i)足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積(steric bulk)和等于 M的氧化態(tài)的與陰離子配體相對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣相沉 積(vapor deposition)的揮發(fā)性的分子量。本發(fā)明還部分涉及制造有機金屬化合物的方法，包括(i)在 第一罐中使含氮化合物與堿金屬、或含堿金屬的化合物、或堿土金屬、 或含石咸土金屬的化合物在溶劑存在下和在足以制造包含44材料(base material)的第 一反應(yīng)混合物的反應(yīng)條件下反應(yīng)，(ii)將所述堿材料添加 到含有金屬源化合物和任選含有胺化合物的第二罐中，(iii)在所述第 二罐中使所述堿材料與所述金屬源化合物和任選所述胺化合物在足 以制造包含所述有機金屬化合物的第二反應(yīng)混合物的反應(yīng)條件下反 應(yīng)，和(iv)從所述第二反應(yīng)混合物中分離所述有機金屬化合物；其中 所述有機金屬化合物由式M(NR!R2、表示，其中M是金屬或準金屬， R!相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團，R2相同或不同，并且
6是烴基或含雜原子的基團；Ri和R2可以結(jié)合形成取代或未取代的、 飽和或不飽和的環(huán)狀基團； 一個(NR4R2)基團的&或R2可以與另一 (NR,R2)基團的R,或R2結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán) 狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有機金屬化合物具有(i) 足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相 對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性 的分子量。由本發(fā)明的方法得到的該有機金屬化合物收率可能為60% 或更高，優(yōu)選75%或更高，更優(yōu)選90%或更高。本發(fā)明進一步部分涉及通過分解式M(NRiR2)x所示的有機 金屬前體化合物來制造薄膜、涂層或粉末的方法，其中M是金屬或準 金屬，R!相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團，R2相同或不同， 并且是烴基或含雜原子的基團；Ri和R2可以結(jié)合形成取代或未取代 的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團； 一個(NR!R2)基團的Ri或R2可以與另 一(NR,R2)基團的R!或R2結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的 環(huán)狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有機金屬化合物具有(i) 足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相 對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性 的分子量；由此制造薄膜、涂層或粉末。通常，所述有機金屬前體化 合物的分解是熱、化學、光化學或等離子體活化的。本發(fā)明再進一步部分涉及有機金屬前體混合物，其包含(a) 式M(NRiR2)x所示的有機金屬前體化合物，其中M是金屬或準金屬， R!相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團，R2相同或不同，并且 是烴基或含雜原子的基團；R!和R2可以結(jié)合形成取代或未取代的、 飽和或不飽和的環(huán)狀基團； 一個(NR4R2)基團的&或R2可以與另一 (NR,R2)基團的&或R2結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán) 狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有機金屬化合物具有(i) 足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相 對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性 的分子量；和(b)—種或多種不同的有機金屬前體化合物(例如，含鉿 的、含鋁的、含鍶的、含鋇的、含鈦的有機金屬前體化合物)。本發(fā)明特別涉及包括酰胺型鑭系元素前體的"下 一代"沉積 法。這些前體可能具有超過其它已知前體的優(yōu)點。這些含鑭材料可用于多種用途，如電介質(zhì)、阻擋層和電極，并在許多情況下與其它含金 屬的薄膜相比表現(xiàn)出改進的性質(zhì)(熱穩(wěn)定性、所需形態(tài)、較少擴散、較 低滲漏、較少電荷俘獲等等)。本發(fā)明具有幾個優(yōu)點。例如，本發(fā)明的方法可用于生成具
有改變的化學結(jié)構(gòu)與物理性質(zhì)的有機金屬化合物。由該有機金屬化合
物前體生成的薄膜可以以短培養(yǎng)時間(incubation time)沉積，且由該有 機金屬化合物前體沉積的薄膜表現(xiàn)出良好的光滑度。本發(fā)明特別涉及用于下一代器件的化學氣相沉積和原子層 沉積前體，特別地，在室溫，即20。C下為液體的有機金屬前體是優(yōu)選 的。本發(fā)明的有機金屬前體化合物可以提供與其它材料(例如， 如A1203的材料)協(xié)同(in tandem)用于涉及納米層狀結(jié)構(gòu)的用途的原子 層沉積前體的所需性質(zhì)。
發(fā)明詳述如上所示，本發(fā)明涉及式M(NR!R》x所示的有機金屬化合 物，其中M是金屬或準金屬，Ri相同或不同，并且是烴基或含雜原 子的基團，R2相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團；R!和R2 可以結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團； 一個 (NR^R2)基團的R！或R2可以與另一(NR,R2)基團的R,或R2結(jié)合形成取 代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且 其中所述有機金屬化合物具有(i)足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和等 于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣 相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性的分子量。本發(fā)明的有機金屬化合 物優(yōu)選在20"C下是液體。保持該有機金屬分子的單體性質(zhì)對于實現(xiàn)充足揮發(fā)性是重 要的。二聚物、低聚物或含有兩個或更多金屬中心的其它物類的形成 使該化合物太大，因此，增加的分子量會限制作為前體的應(yīng)用。如大體積酰胺配體所給予的該有機金屬分子的空間體積對 防止形成二聚物、低聚物或含有兩個或更多金屬中心的其它物類(它們 會限制揮發(fā)性)是重要的。此外，該空間體積防止配位數(shù)高于中心元素 氧化態(tài)，這有助于防止形成揮發(fā)性更低和極性更高的物類(例如，所謂
8"ate(酯或鹽的詞根)"化合物，它們?nèi)绻诜磻?yīng)過程中存在，則會引入 堿金屬(例如Li)和卣素(例如Cl))。應(yīng)該指出，在一些情況下，小的中 性分子(例如二乙醚、三曱胺)的配位，盡管在技術(shù)上將配位數(shù)提高至 高于中心元素氧化態(tài)，但可能產(chǎn)生具有可接受性質(zhì)的前體，并在本發(fā) 明的范圍內(nèi)。本發(fā)明的有機金屬化合物的空間體積優(yōu)選大于三(二乙基氨 基)鑭或三(二異丙基氨基)鑭的空間體積。對充足揮發(fā)性的要求限制了該有機金屬分子的分子量。盡 管一種分子可能是單體并具有等于中心元素氧化態(tài)的配位數(shù)，但如果 該配體太大(例如高分子量)，由于缺少蒸氣壓，該化合物可能不可用 作前體。本發(fā)明的有機金屬分子優(yōu)選是并非二聚物、低聚物或含有兩 個或更多金屬中心的其它物類的中性分子。本發(fā)明的有機金屬化合物通常具有低于大約1000,優(yōu)選低 于大約750，更優(yōu)選低于大約500的分子量。本發(fā)明的有機金屬化合物具有足以應(yīng)對氣相沉積(vapor deposition)的熔點。該有機金屬化合物通常具有低于大約200°C ,優(yōu)選 低于大約10(TC，更優(yōu)選低于大約5(TC的熔點。本發(fā)明的有機金屬化合物具有適于氣相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性。本發(fā)明的有機金屬化合物通常具有在20(TC下至 少0.1托的揮發(fā)性，優(yōu)選在150。C下至少0.1托的揮發(fā)性，更優(yōu)選在 10(TC下至少0.1托的揮發(fā)性。本發(fā)明的有機金屬化合物表現(xiàn)出足以應(yīng)對氣相沉積(vapor deposition)的熱穩(wěn)定性。該有機金屬化合物通常具有在IO(TC下經(jīng)1 天分解少于大約1重量％所述有機金屬化合物的熱穩(wěn)定性，優(yōu)選為在 IO(TC下經(jīng)1個月分解少于大約1重量％所述有機金屬化合物的熱穩(wěn)定 性，更優(yōu)選為在IO(TC下經(jīng)1年分解少于大約1重量％所述有機金屬 化合物的熱穩(wěn)定性。通常，R,和R2相同或不同，并獨立地為氫、曱基、乙基、 丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、環(huán)己二烯 基、金剛烷基、苯基、千基、曱硅烷基、二曱基曱硅烷基、二乙基曱 硅烷基、三甲基曱硅烷基、三乙基曱硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、 二乙基曱基曱硅烷基等等。
通常，R4和R2相同或不同，并獨立地為氫、烷基；取代或 未取代的、飽和或不飽和的烴、芳烴、脂環(huán)族烴、芳族雜環(huán)、脂環(huán)族 雜環(huán)、卣代烷、曱硅烷基化烴、醚、聚醚、硫醚、酯、內(nèi)酯、酰胺、 胺、多胺(polyamine)、腈；或其混合物。Ri和R2還可以包括取代 或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀酰氨基或氨基，例如氮丙啶基 (aziridinyl)、吖丁啶基(azetidinyl)、吡咯烷基(pyrrolidinyl)、噻唑烷基 (thiazolidinyl)、 哌啶基(piperidinyl)、 他咯基(pyrrolyl)、 他啶基 (pyridinyl) 、 口密口定基(pyrimidinyl)、葉匕口各淋基(pyrrolinyl) 、 p比p坐基 (pyrazolyl)、 p塞唑基(thiazolyl)、噁唑基(oxazolyl)、 n米峻基(imidazolyl)、 口米p坐啉酮基(imidazolidinonyl)、。米p坐淋碌u酮基(imidazolidinethionyl)、 p奎啉基(quinolinyl)、異會啉基(isoquinolinyl)、 口卡口坐基(carbazolyl)、三 唑基(triazolyl)、吲哚基(indolyl)和。票呤基(purinyl)。各個R!和R2優(yōu)選 相同或不同，并獨立地為氫、烷基或其混合物。M通常是第2族(例如Sr、 Ba)、第3族(例如Sc、 Y)、第13 族(A1、 Ga)或鑭系元素(例如La、 Ce、 Pr、 Nd、 Dy、 Er和Yb)。 M也 可以是第1、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12、 14、 15、 16、 17、 18 族或《阿系元素。M優(yōu)選選自第2族元素、第13族元素、第14族元素、 過渡金屬、或鑭系元素。M更優(yōu)選選自Sr、 Ba、 Sc、 Y、 Al、 Ga、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu。本發(fā)明的示例性有機金屬化合物包括例如三(雙(環(huán)己基)氨 基)鑭、三(叔丁基異丙基)氨基)鑭、三(雙(二曱基曱硅烷基)氨基)鑭、 三((三曱基甲硅烷基)(二甲基乙基曱硅烷基)氨基)鑭、三(雙(叔丁基)氨 基)鑭、三(雙(叔戊基)氨基)鑭、三(叔戊基-叔丁基氨基)鑭、三(叔丁基 三曱基曱硅烷基氨基)鑭、三(雙(二甲基乙基曱硅烷基)氨基)鑭等等。 優(yōu)選的有機金屬化合物包括例如氨基化鑭(lanthanum amide)。在本發(fā)明的一個實施方案中，該有機金屬化合物包括例如 三(雙(二甲基曱硅烷基)氨基)鑭、三((三曱基曱硅烷基)(二曱基乙基曱 硅烷基)氨基)鑭和三(雙(二曱基乙基曱硅烷基)氨基)鑭。在本發(fā)明的另一實施方案中，該有機金屬化合物包括例如 三(雙(環(huán)己基)氨基)鑭、三(農(nóng)T差異丙基)氨基)鑭、三(雙(農(nóng)7"差)氨基) 鑭、三(雙(炎/t'差)氨基)鑭、三(炎4:差-叔丁基氨基)鑭和三(炎T差三 曱基曱硅烷基氨基)鑭。
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本發(fā)明的示例性有機金屬化合物可以由下式表示:本發(fā)明的有機金屬前體化合物可以是均配型的(homo-leptic),即所有R基團相同，如三(雙(叔戊基)氨基)鑭，或混配型的 (heteroleptic)，即R基團的 一個或多個彼此不同，如三(叔丁基三甲基 曱硅烷基氨基)鑭。如上所示，本發(fā)明還涉及制造有機金屬化合物的方法，包 括(i)在第一罐中使含氮化合物與堿金屬、或含堿金屬的化合物、或堿 土金屬、或含堿土金屬的化合物在溶劑存在下和在足以制造包含堿材 料的第 一反應(yīng)混合物的反應(yīng)條件下反應(yīng)，(ii)將所述堿材料添加到含有 金屬源化合物和任選含有胺化合物的第二罐中，(iii)在所述第二罐中 使所述堿材料與所述金屬源化合物和任選所述胺化合物在足以制造 包含所述有機金屬化合物的第二反應(yīng)混合物的反應(yīng)條件下反應(yīng)，和(iv) 從所述第二反應(yīng)混合物中分離所述有機金屬化合物；其中所述有機金 屬化合物由式M(NR!R2)x表示，其中M是金屬或準金屬，Ri相同或 不同，并且是烴基或含雜原子的基團，R2相同或不同，并且是烴基或 含雜原子的基團；R:和R2可以結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不 飽和的環(huán)狀基團； 一個(NR、R2)基團的Ri或R2可以與另一(NR!R2)基
S—
a—M團的R!或R2結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；x 等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有機金屬化合物具有(i)足以保持單體 結(jié)構(gòu)的空間體積和等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相對的配位數(shù)，和 (ii)足以擁有適于氣相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性的分子量。由本 發(fā)明的方法得到的該有機金屬化合物收率可以為60%或更高，優(yōu)選 75%或更高，更優(yōu)選90%或更高。在本文所述的方法中，該金屬源化合物，例如純金屬、金 屬卣化物、金屬類卣化物(metal pseudohalide)等等原材料可以選自本 領(lǐng)域已知的多種化合物。本發(fā)明在此最優(yōu)選的是選自Sr、 Ba、 Sc、 Y、 Al、鑭系元素等等的金屬。示例性金屬源化合物包括例如La(CF3S03)3 、 LaCl3、 LaBr3、 Lal3、 SrCl2等等。其它示例性金屬源化合物包括例如 La(OiPr)3等等。優(yōu)選的金屬源化合物包括例如鑭系元素卣化物和鑭系 元素三氟曱磺酸鹽。該金屬源化合物原材料可以通常是含有中心金屬 原子的任何化合物或純金屬。用于合成具有大體積酰胺配體的有機金屬化合物的本發(fā)明 的方法也可以利用三氟曱磺酸鹽基金屬源化合物。盡管大多數(shù)金屬酰 胺(metalloamide)化合物據(jù)報道由金屬卣化物(例如LaCl3)合成，但與大 體積酰胺化合物的反應(yīng)速率因配體更大的空間外形而緩慢或不可檢 出。因此，具有更好離去基團的該三氟曱磺酸鹽化合物更適于該用途。 此外，與卣化物(例如Cl)相比，所得三氟曱磺酸根離子較不可能保留 在配位層(coordination sphere)(例如橋連)中，并因此更適用于制造中性 單體物類。此外，該大體積酰胺以及三氟曱磺酸鹽的提高的溶解度可 允許使用烴溶劑(例如甲苯)，這在含雜原子的溶劑(例如四氫呋喃或醚) 與所需化合物的配位成問題的情況下可能是合意的。金屬源化合物原材料的濃度可以在寬范圍內(nèi)改變，并且只 需是與該堿材料和任選胺化合物反應(yīng)并提供需要使用的給定金屬濃 度所必需的最小量，其構(gòu)成(furnish)至少本發(fā)明的有機金屬化合物所 必需的金屬量的基礎(chǔ)。通常，根據(jù)反應(yīng)混合物的大小，大約l毫摩爾 或更低至大約10,000毫摩爾或更高的金屬源化合物原材料濃度對多 數(shù)方法應(yīng)當是足夠的。在本文所述的方法中，胺化合物可以選自本領(lǐng)域已知的多 種化合物。示例性胺化合物包括例如二異丙基胺、二-叔戊基胺、叔丁基異丙基胺、二-叔丁基胺、二環(huán)己基胺、叔丁基三甲基曱硅烷基胺、 二乙基四曱基二硅氮烷等等。優(yōu)選的胺化合物原材料可以由式
NR3R4Rs表示，其中R3、 114和Rs各自相同或不同，并獨立地為氫、 烷基；取代或未取代的、飽和或不飽和的烴、芳烴、脂環(huán)族烴、芳族 雜環(huán)、卣代烷、甲硅烷基化烴、醚、聚醚、硫醚、酯、內(nèi)酯、酰胺、 胺、多胺、腈；或其混合物。該胺化合物可以包括環(huán)狀和螯合體系。 該胺化合物還可以包括胺的HC1鹽，如氯化銨、氯化二甲基銨等等。 R3、 114和Rs各自優(yōu)選相同或不同并獨立地為氳、烷基或其混合物。 優(yōu)選的胺化合物包括例如二-叔戊基胺、叔丁基異丙基胺、二-叔丁基 胺、叔丁基三曱基甲硅烷基胺和二乙基四曱基二硅氮烷。該胺化合物原材料的濃度可以在寬范圍內(nèi)改變，并且只需 是與該堿原材料和金屬源化合物反應(yīng)所必需的最小量。通常，根據(jù)反 應(yīng)混合物的大小，大約1毫摩爾或更低至大約10,000毫摩爾或更高的 胺化合物原材料濃度對多數(shù)方法應(yīng)當是足夠的。在本文所述的方法中，石成原材料可以選自本領(lǐng)域已知的多 種化合物。示例性堿包括pKa大于大約10,優(yōu)選大于大約20,更優(yōu) 選大于大約25的任何堿。該堿材料優(yōu)選為二異丙基氨基化鋰、二-叔 戊基氨基化鋰、叔丁基異丙基氨基化鋰、二-叔丁基氨基化鋰、二-叔 丁基氨基化鈉、二環(huán)己基氨基化鋰、叔丁基三曱基曱硅烷基氨基化鋰、 雙(乙基二曱基甲硅烷基)氨基化鋰等等。氨基化鋰(lithium amides)是優(yōu) 選的堿原材料。該堿原材料的濃度可以在寬范圍內(nèi)改變，并且只需是與該 胺化合物原材料和金屬源化合物反應(yīng)所必需的最小量。通常，根據(jù)第 一反應(yīng)混合物的大小，大約1毫摩爾或更低至大約IO，OOO毫摩爾或更 高的堿原材料濃度對多數(shù)方法應(yīng)當是足夠的。在一個實施方案中，該堿原材料可以原位生成，例如，鋰 化酰胺(lithiated amide)等等。從純度角度看，由于消除了分離和處理 任何反應(yīng)性固體的需要，在反應(yīng)器中原位生成堿原材料后立即與金屬 源化合物反應(yīng)是有益的。其也較為廉價。在原位生成的^5咸原材料就位的情況下，金屬源化合物，例 如La(CF3S03)3的添加可以通過液體或固體添加，或在一些情況下， 更方便地以溶劑溶液或漿料形式進行。盡管某些金屬源化合物是潮濕敏感的并在惰性氣氛如氮氣下使用，其程度通常比胺化合物，例如鋰 化酰胺、胺和類似物低得多。此外，許多金屬源化合物更致密且更容 易轉(zhuǎn)移。該堿原材料可以由含氮化合物與堿金屬、或含堿金屬的化 合物、或堿土金屬、或含》威土金屬的化合物的反應(yīng)制備。可以通過本 領(lǐng)域中已知的傳統(tǒng)方法制備該堿原材料。本發(fā)明的方法中所用的溶劑可以是任何飽和和不飽和的 爛、芳烴、芳族雜環(huán)、卣代烷、曱硅烷基化烴、醚、聚醚、硫醚、酉旨、 硫酯、內(nèi)酉旨、酰胺、胺、多胺(polyamine)、腈、硅油(silicone oils)、 其它質(zhì)子惰性溶劑或上述一種或多種的混合物；更優(yōu)選為戊烷、庚烷、 辛烷、壬烷、癸烷、二甲苯、四曱基苯、二甲氧基乙烷、二甘醇二甲 醚(diglyme)、氟代烴和上述一種或多種的混合物；最優(yōu)選為己烷、醚、 THF、苯、曱苯和上述一種或多種的混合物?？梢允褂貌粫贿m當?shù)?不利地干擾預期反應(yīng)的任何合適溶劑。如果需要，可以使用一種或多 種不同溶劑的混合物。所用溶劑的量對本發(fā)明不重要，只需是足以溶 解反應(yīng)混合物中的反應(yīng)組分的量。通常，溶劑的量可以為反應(yīng)混合物 原材料總重量的大約5重量％至大約99重量％或更多。該;咸材料、該金屬源化合物和任選的該胺化合物的反應(yīng)方 法的反應(yīng)條件，如溫度、壓力和4妄觸時間，也可以才及大改變，且在本 文中可以使用此類條件的任何合適的組合。反應(yīng)溫度可以是任何前述 溶劑的回流溫度，更優(yōu)選為大約-8(TC至大約150°C，最優(yōu)選為大約20 。C至大約80。C。通常該反應(yīng)在環(huán)境壓力下進行，接觸時間可以為幾秒 鐘或幾分鐘至幾小時或更多。反應(yīng)物可以添加到反應(yīng)混合物中，或以 任意次序混合。對于所有步驟，所用攪拌時間可以為大約0.1至大約 400小時，優(yōu)選大約1至75小時，更優(yōu)選大約4至16小時。在單一 罐中進行的本發(fā)明的實施方案中，在與金屬源化合物和任選的胺化合 物反應(yīng)前，不將該堿材料從第一反應(yīng)混合物中分離。在優(yōu)選實施方案 中，將金屬源化合物在環(huán)境溫度下或在高于環(huán)境溫度的溫度下添加到 第一反應(yīng)混合物中。由該石威材料、該金屬源化合物和任選的胺化合物的反應(yīng)制 成的有機金屬化合物可以選自多種化合物。對于本發(fā)明，有機金屬化
14合物包括具有金屬-氮鍵的化合物。示例性的有機金屬化合物包括例如
金屬氨基化物(metal amides)、金屬胺(metal amines)等等。本發(fā)明的有機金屬化合物也可以通過一罐法制備。該一罐 法特別適于大規(guī)模生產(chǎn)，因為其可以使用可容易調(diào)適成制造多種產(chǎn)品 的相同設(shè)備、 一些相同試劑和工藝參數(shù)進行。該方法使用所有操作可 以在單一容器中進行的工藝合成該有機金屬化合物，且制造該有機金 屬化合物的途徑不要求分離中間絡(luò)合物。在2003年10月6日提交的 美國專利申請系列號No. 10/678,074中描述了一種一罐法，該申請經(jīng) 此引用并入本文。對于通過本發(fā)明的方法制成的有機金屬化合物，可以通過 重結(jié)晶，更優(yōu)選通過萃取反應(yīng)殘留物(例如己烷)和色譜法，最優(yōu)選通 過升華和蒸餾來進行提純。本領(lǐng)域技術(shù)人員會認識到，可以在范圍或精神上不背離如 下列權(quán)利要求書中更具體指定的本發(fā)明的情況下，對本文詳述的方法 作出許多變動。可用于表征通過上述合成方法形成的該有機金屬化合物的 技術(shù)的實例包括，但不限于，分析氣相色譜法、核磁共振、熱重分析、 感應(yīng)耦合等離子體質(zhì)譜法、差示掃描量熱法、蒸氣壓和粘度測量。上述有機金屬化合物前體的相對蒸氣壓或相對粘度可以通 過本領(lǐng)域已知的熱重分析4支術(shù)測量。平#f蒸氣壓也可以例如通過/人密 封容器中抽空所有氣體來測量，此后將化合物蒸氣引入該容器，并如 本領(lǐng)域已知的那樣測量壓力。本文所述的有才幾金屬化合物前體優(yōu)選在室溫，即20。C是液 體，并很適合原位制備粉末和涂層。例如，可以將液體有機金屬化合 物前體涂施到村底上，然后加熱至足以分解該前體的溫度，由此在該 襯底上形成金屬或金屬氧化物涂層。可以通過涂漆、噴涂、浸涂或本 領(lǐng)域已知的其它技術(shù)將液體前體涂施到襯底上?？梢栽跔t中、用熱槍、 通過電加熱該坤于底、或通過本領(lǐng)域已知的其它方式進4亍加熱。通過涂 施有機金屬化合物前體、加熱和分解該前體由此形成第一層，然后用 相同或不同的前體進行至少 一次另外的涂布并加熱，可以獲得分層涂 層。
如上所述的液體有機金屬化合物前體也可以霧化和噴涂到 襯底上?？捎玫撵F化和噴涂裝置，如噴嘴、噴霧器和其它是本領(lǐng)域中 已知的。在本發(fā)明的優(yōu)選實施方案中，如上所述的有機金屬化合物 用在氣相沉積(gas phase deposition)技術(shù)中以形成粉末、薄膜或涂層。 該化合物可用作單一源前體或可以與一種或多種其它前體，例如與通 過加熱至少一種其它有機金屬化合物或金屬絡(luò)合物產(chǎn)生的蒸氣一起 使用。在給定方法中也可以使用一種以上的如上所述的有機金屬化合 物前體。如上所示，本發(fā)明涉及有才幾金屬前體混合物，其包含(a)式 M(NRiR2)x所示的有機金屬前體化合物，其中M是金屬或準金屬，R！ 相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團，R2相同或不同，并且是 烴基或含雜原子的基團；R！和R2可以結(jié)合形成取代或未取代的、飽 和或不飽和的環(huán)狀基團； 一個(NRiR2)基團的或R2可以與另一 (NR^R2)基團的R,或R2結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán) 狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有機金屬化合物具有(i) 足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相 對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性 的分子量；和(b)—種或多種不同的有機金屬前體化合物(例如，含鉿 的、含鋁的、含鍶的、含鋇的、含鈦的有機金屬前體化合物)?？梢栽谄渌鼩庀嘟M分存在下進行沉積。在本發(fā)明的一個實 施方案中，在至少一種非反應(yīng)性載氣存在下進行薄膜沉積。非反應(yīng)性 氣體的實例包括惰性氣體，如氮氣、氬氣、氦氣、以及在工藝條件下 不與該有機金屬化合物前體反應(yīng)的其它氣體。在另一些實施方案中， 在至少一種反應(yīng)性氣體存在下進行薄膜沉積?？捎玫囊恍┓磻?yīng)性氣體 包括但不限于，肼(hydrazine)、氧氣、氫氣、空氣、富氧空氣、臭 氧(03)、 一氧化二氮(N20)、水蒸氣、有機蒸氣、氨和其它。如本領(lǐng)域 已知的那樣，氧化氣體，如空氣、氧氣、富氧空氣、03、 N20或氧化 性有機化合物蒸氣的存在有利于形成金屬氧化物薄膜。如上所示，本發(fā)明也部分涉及制造薄膜、涂層或粉末的方 法。該方法包括如下進一步描述的分解至少一種有機金屬化合物前體 由此制造薄膜、涂層或粉末的步驟。更特別地，本發(fā)明部分涉及通過
16分解式M(NR!R2)x所示的有機金屬前體化合物來制造薄膜、涂層或粉 末的方法，其中M是金屬或準金屬，R!相同或不同，并且是烴基或 含雜原子的基團，R2相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團；R！ 和R2可以結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；一 個(NRiR2)基團的R！或R2可以與另一(NI^R2)基團的R！或R2結(jié)合形成 取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并 且其中所述有機金屬化合物具有(i)足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和
等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于
氣相沉積(vapor deposition)的揮發(fā)性的分子量；由此制造薄膜、涂層
或粉末。通常，所述有機金屬前體化合物的分解是熱、化學、光化學 或等離子體活化的?？梢赃M行本文所述的沉積法以形成包含單一金屬的薄膜、 粉末或涂層，或包含單一金屬氧化物的薄膜、粉末或涂層。也可以沉 積混合薄膜、粉末或涂層，例如混合金屬氧化物薄膜。可以例如通過 使用幾種有機金屬前體(其中至少一種選自上述有機金屬化合物)來形 成混合金屬氧化物薄膜?？梢赃M行氣相薄膜沉積以形成具有所需厚度，例如大約1 納米至超過1毫米的薄膜層。本文所述的前體特別可用于制造薄膜， 例如厚度為大約IO納米至大約100納米的薄膜。本發(fā)明的薄膜例如 可被考慮用于制造金屬電極，特別是作為邏輯線路中的n-通道金屬電 極、作為用于DRAM用途的電容器電極、和作為介電材料。該方法也適用于制備分層薄膜，其中至少兩層的相或組成 不同。分層薄膜的實例包括金屬-絕緣體-半導體，和金屬-絕緣體-金屬。在一個實施方案中，本發(fā)明涉及包括經(jīng)熱、化學、光化學 方式或通過等離子體活化分解上述有機金屬化合物前體的蒸氣由此 在村底上形成薄膜的步驟的方法。例如，使該化合物產(chǎn)生的蒸氣與具 有足以使有機金屬化合物分解并在襯底上形成薄膜的溫度的襯底接 觸。該有機金屬化合物前體可用在化學氣相沉積中，或更具體 地，用在本領(lǐng)域已知的有機金屬化學氣相沉積法中。例如，上述有機 金屬化合物前體可用在大氣壓以及低壓化學氣相沉積法中。該化合物可用在熱壁化學氣相沉積(在該方法中加熱整個反應(yīng)室)中，以及用在 冷或溫壁型化學氣相沉積(在該技術(shù)中僅加熱襯底)中。上述有機金屬化合物前體也可用在等離子體或光子輔助的 化學氣相沉積法中，其中分別使用來自等離子體的能量或電磁能活化 該化學氣相沉積前體。該化合物也可以用在離子束、電子束輔助的化 學氣相沉積法中，其中分別將離子束或電子束導向襯底以供應(yīng)用于分 解化學氣相沉積前體的能量。也可以使用激光輔助的化學氣相沉積 法，其中將激光導向襯底以實現(xiàn)該化學氣相沉積前體的光解反應(yīng)。本發(fā)明的方法可以在本領(lǐng)域已知的各種化學氣相沉積反應(yīng) 器，例如熱或冷壁反應(yīng)器、等離子體輔助的、束輔助的(beam-assisted) 或激光輔助的反應(yīng)器中進行?？梢允褂帽景l(fā)明的方法涂布的襯底的實例包括固體襯底， 如金屬襯底，例如A1、 Ni、 Ti、 Co、 Pt、 Ta;金屬鋁酸鹽；金屬硅化 物，例如TiSi2、 CoSi2、 NiSi2;半導體材料，例如Si、 SiGe、 GaAs、 InP、金剛石、GaN、 SiC;絕緣體，例如Si02、 Si3N4、 Hf02、 Ta205、 A1203、鈦酸鋇鍶(BST);阻擋材料，例如TiN、 TaN;或在包括材料 組合的襯底上。此外，可以在玻璃、陶瓷、塑料、熱固性聚合材料上 和在其它涂層或薄膜層上形成薄膜或涂層。在優(yōu)選的實施方案中，薄 膜沉積在用于制造或加工電子組件的襯底上。在另一些實施方案中， 使用襯底負載在高溫下在氧化劑存在下穩(wěn)定的低電阻率(resistivity)導 體沉積物或光學透明薄膜(optically transmitting film)?？梢栽诰哂泄饣教贡砻娴拇宓咨线M行本發(fā)明的方法以沉 積薄膜。在一個實施方案中，在晶片制造或加工中所用的襯底上進行 該方法以沉積薄膜。例如，可以在包括如溝槽、孔(holes)或通孔(vias) 之類特征的圖案化襯底上進行該方法以沉積薄膜。此外，本發(fā)明的方 法也可以與晶片制造或加工中的其它步驟，例如掩蔽、蝕刻和其它步 驟集成。化學氣相沉積薄膜可以沉積至所需厚度。例如，所形成的 薄膜可以小于1微米厚，優(yōu)選小于500納米，更優(yōu)選小于200納米厚。 也可以制造小于50納米厚的薄膜，例如厚度為大約l至大約20納米 的薄膜。
上述有機金屬化合物前體也可以用在本發(fā)明的方法中，從 而通過原子層沉積(ALD)或原子層成核(ALN)技術(shù)形成薄膜，在此期 間，襯底暴露在前體、氧化劑和惰性氣體物流的交替脈沖中。例如在 美國專利No. 6,287,965和美國專利No. 6,342,277中描述了連續(xù)層沉例如，在一個ALD周期中，村底逐步暴露于a)惰性氣體； b)攜帶前體蒸氣的惰性氣體；c)惰性氣體；和d)單獨或與惰性氣體 一起的氧化劑。通常，各步驟可以如設(shè)備許可的那樣短(例如，毫秒級) 和如工藝要求的那樣長(例如，幾秒或幾分鐘)。 一個周期的持續(xù)時間 可以短至幾毫秒和長達幾分鐘。在可以為幾分鐘至幾小時的時期內(nèi)重 復該周期。制成的薄膜可以為幾納米薄或更厚，例如l毫米(mm)。本發(fā)明的方法也可以使用超臨界流體進行。使用本領(lǐng)域目 前已知的超臨界流體的薄膜沉積法的實例包括化學流體沉積；超臨界 流體輸送-化學沉積；超臨界流體化學沉積；和超臨界浸漬沉積?；瘜W流體沉積法例如很適合制造高純薄膜和適合覆蓋復雜 表面和填充高縱橫比(aspect-ratio)特征。例如在美國專利No. 5,789,027 中描述了化學流體沉積。在美國專利No. 6,541,278 B2中也描述了4吏 用超臨界流體形成薄膜。這兩個專利的公開內(nèi)容完全經(jīng)此引用并入本 文。在本發(fā)明的一個實施方案中，加熱的圖案化村底在溶劑， 如近臨界(near critical)或超臨界流體，例如近臨界或超臨界(302存在 下暴露到一種或多種有機金屬化合物前體。在C02的情況下，在高于 大約1000psig的壓力和至少大約3(TC的溫度下提供溶劑流體。前體分解以在襯底上形成金屬薄膜。該反應(yīng)也由該前體產(chǎn) 生有機材料。該有機材料被溶劑流體溶解并且容易從襯底上去除。也 可以例如通過使用氧化氣體來形成金屬氧化物薄膜。在一個實例中，在裝有一個或多個襯底的反應(yīng)室中進行沉 積法。通過例如用爐子加熱整個室，將襯底加熱至所需溫度。可以例 如通過對該室施加真空來制造有機金屬化合物的蒸氣。對于低沸點化 合物，該室可以是足夠熱的，以使化合物汽化(vaporization)。隨著蒸 氣接觸加熱的襯底表面，其分解并形成金屬或金屬氧化物薄膜。如上
19所述，有機金屬化合物前體可以單獨使用或與一種或多種組分，如其 它有機金屬前體、惰性載氣或反應(yīng)性氣體結(jié)合使用。在可用于通過本發(fā)明的方法制造薄膜的系統(tǒng)中，可以將原 材料導向氣體混合歧管以制造供應(yīng)到沉積反應(yīng)器中的工藝氣體，在該 反應(yīng)器中進行薄膜生長。原材料包括但不限于，載氣、反應(yīng)性氣體、 吹掃氣體、前體、蝕刻/清潔氣體和其它。使用本領(lǐng)域已知的質(zhì)流控制 器、閥、壓力變換器和其它裝置實現(xiàn)工藝氣體組成的精確控制。廢氣 歧管可以將離開沉積反應(yīng)器的氣體以及旁路物流輸往真空泵?？梢允?用真空泵下游的排料(abatement)系統(tǒng)從廢氣中除去任何危險材料。該 沉積系統(tǒng)可以配有允許測量工藝氣體組成的原位分析系統(tǒng)，包括殘留 氣體分析器?？刂坪蛿?shù)據(jù)采集系統(tǒng)可以監(jiān)測各種工藝參數(shù)(例如溫度、
壓力、流速等)。上述有機金屬化合物前體可用于制造包括單一金屬的薄膜 或包括單一金屬氧化物的薄膜。也可以沉積混合薄膜，例如混合金屬 氧化物薄膜。這類薄膜例如通過使用幾種有機金屬前體來制造。金屬 薄膜也可以例如不使用載氣、蒸氣或其它氧源來形成。通過本文所述的方法形成的薄膜可以通過本領(lǐng)域已知的技 術(shù)，例如通過X-射線衍射、Auger光譜學、X-射線光電子發(fā)射光譜學、 原子力顯樣i術(shù)、掃描電子顯孩i術(shù)和本領(lǐng)域已知的其它"l支術(shù)表征。也可 以通過本領(lǐng)域已知的方法測量薄膜的電阻率和熱穩(wěn)定性。硅酸鹽和鋁酸鹽的原子層沉積和化學氣相沉積可用于許多 下 一代材料(例如用作電介質(zhì)的氯酸鑭)。本發(fā)明的各種修改和變動是本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的， 要理解的是，這類修改和變動包含在本申請的權(quán)限范圍和權(quán)利要求書 的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 式M(NR1R2)x所示的有機金屬化合物，其中M是金屬或準金屬，R1相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團，R2相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團；R1和R2可以結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；一個(NR1R2)基團的R1或R2可以與另一(NR1R2)基團的R1或R2結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有機金屬化合物具有(i)足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣相沉積的揮發(fā)性的分子量。
2. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，其具有足以應(yīng)對氣相沉積的熱 穩(wěn)定性和足以應(yīng)對氣相沉積的熔點。
3. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，其空間體積大于三(二乙基氨 基)鑭或三(二異丙基氨基)鑭的空間體積。
4. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，其具有小于大約1000的分子 量和小于大約20(TC的熔點。
5. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，其具有在20(TC至少0.1托的 揮發(fā)性，和在IOO"C經(jīng)1天分解少于大約1重量％所述有機金屬化合 物的熱穩(wěn)定性。
6. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，其在2(TC是液體。
7. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，其中M選自第2族元素、第 13族元素、第14族元素、過渡金屬或鑭系元素，各個Ri和R2相同 或不同，并獨立地為烷基；取代或未取代的、飽和或不飽和的烴、芳 烴、脂環(huán)族經(jīng)、芳族雜環(huán)、脂環(huán)族雜環(huán)、卣代烷、曱硅烷基化烴、醚、 聚醚、硫醚、酯、內(nèi)酯、酰胺、胺、多胺、腈；或其混合物。
8. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，其中M選自Sr、 Ba、 Sc、 Y、 Al、 Ga、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu,且各個R!和R2相同或不同，并獨立地是取代或未取代的 烷基、脂環(huán)族烴、曱硅烷基化烴或其混合物。
9. 權(quán)利要求1的有機金屬化合物，選自三(雙(環(huán)己基)氨基)鑭、 三(叔丁基異丙基)氨基)鑭、三(雙(二曱基曱硅烷基)氨基)鑭、三((三曱 基甲硅烷基)(二曱基乙基甲硅烷基)氨基)鑭、三(雙(叔丁基)氨基)鑭、三(雙(叔戊基)氨基)鑭、三(叔戊基-叔丁基氨基)鑭、三(叔丁基三曱基 曱硅烷基氨基)鑭和三(雙(二曱基乙基甲硅烷基)氨基)鑭。
10. 制造權(quán)利要求1的有機金屬化合物的方法，包括(i)在第一罐 中使含氮化合物與堿金屬、或含堿金屬的化合物、或堿土金屬、或含應(yīng)混合物的反應(yīng)條件下反應(yīng)，(ii)將所述堿材料添加到含有金屬源化合 物和任選含有胺化合物的第二罐中，(iii)在所述第二罐中使所述堿材 料與所述金屬源化合物和任選所述胺化合物在足以制造包含所述有 機金屬化合物的第二反應(yīng)混合物的反應(yīng)條件下反應(yīng)，和(iv)從所述第 二反應(yīng)混合物中分離所述有機金屬化合物。
11. 權(quán)利要求IO的方法，其中金屬源化合物包括純金屬、金屬鹵 化物或金屬類卣化物，堿材料具有大于大約10的pKa，且胺化合物包 括二異丙基胺、二-叔戊基胺、叔丁基異丙基胺、二-叔丁基胺、二環(huán) 己基胺、叔丁基三曱基甲硅烷基胺、或二乙基四曱基二硅氮烷。
12. 權(quán)利要求10的方法，其中金屬源化合物包括La(CF3S03)3、 LaCl3、 LaBr3、 LaI34SrCl2，堿材料包括二異丙基氨基化鋰、二畫叔戊 基氨基化鋰、叔丁基異丙基氨基化鋰、二-叔丁基氨基化鋰、二-叔丁 基氨基化鈉、二環(huán)己基氨基化鋰、叔丁基三甲基曱硅烷基氨基化鋰、 或雙(乙基二曱基曱硅烷基)氨基化鋰，且胺化合物包括二異丙基胺、 二-叔戊基胺、叔丁基異丙基胺、二-叔丁基胺、二環(huán)己基胺、叔丁基 三曱基曱硅烷基胺、或二乙基四曱基二硅氮烷。
13. 權(quán)利要求10的方法，其中該有機金屬化合物收率為60%或更高。
14. 通過分解權(quán)利要求1的有機金屬前體化合物來制造薄膜、涂 層或粉末的方法，由此制造該薄膜、涂層或粉末。
15. 權(quán)利要求14的方法，其中所述有機金屬前體化合物的分解是 熱、化學、光化學或等離子體活化的。
16. 權(quán)利要求14的方法，其中使所述有機金屬前體化合物汽化， 并將蒸氣導入裝有襯底的沉積反應(yīng)器中。
17. 權(quán)利要求16的方法，其中所述襯底由選自金屬、金屬硅化物、 金屬鋁酸鹽、半導體、絕緣體和阻擋材料的材料構(gòu)成。
18. 權(quán)利要求16的方法，其中所述襯底是圖案化晶片。
19. 權(quán)利要求14的方法，其中所述薄膜、涂層或粉末通過氣相沉 積寺支術(shù)制造。
20. 權(quán)利要求14的方法，其中所述薄膜、涂層或粉末通過化學氣 相沉積或原子層沉積法制造。
21. 包含(a)權(quán)利要求1的有機金屬前體化合物和(b)—種或多種不 同的有機金屬前體化合物的混合物。
22. 權(quán)利要求21的混合物，其中所述一種或多種其它有機金屬前 體化合物選自含鉿的、含鋁的、含鍶的、含鋇的或含鈦的有機金屬前 體化合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及式M(NR₁R₂)_x所示的有機金屬化合物，其中M是金屬或準金屬，R₁相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團，R₂相同或不同，并且是烴基或含雜原子的基團；R₁和R₂可以結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；一個(NR₁R₂)基團的R₁或R₂可以與另一(NR₁R₂)基團的R₁或R₂結(jié)合形成取代或未取代的、飽和或不飽和的環(huán)狀基團；x等于M的氧化態(tài)；并且其中所述有機金屬化合物具有(i)足以保持單體結(jié)構(gòu)的空間體積和等于M的氧化態(tài)的與陰離子配體相對的配位數(shù)，和(ii)足以擁有適于氣相沉積的揮發(fā)性的分子量；制造該有機金屬化合物的方法，和由有機金屬前體化合物制造薄膜或涂層的方法。
文檔編號C07F7/10GK101511773SQ200780033246
公開日2009年8月19日 申請日期2007年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月6日
發(fā)明者S·H·米埃爾 申請人:普萊克斯技術(shù)有限公司