技術(shù)編號(hào):3540106
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及含有位阻酰胺的有機(jī)金屬化合物、制造含有位 阻酰胺的有機(jī)金屬化合物的方法、和由含有位阻酰胺的有機(jī)金屬前體 化合物制造薄膜或涂層的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體的制造或加工過(guò)程中,使用化學(xué)氣相沉積法在襯 底如晶片或其它表面上形成材料薄膜。在化學(xué)氣相沉積中,化學(xué)氣相 沉積前體,也稱為化學(xué)氣相沉積化合物,經(jīng)熱、化學(xué)、光化學(xué)方式或 通過(guò)等離子體活化法分解以形成具有所需組成的薄膜。例如,氣相的 化學(xué)氣相沉積前體可以與加熱到高于前體分解溫度的溫度的襯底接 觸以便在村底...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。