鍍膜件及其制備方法
【專利摘要】一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的色彩層，該色彩層為鉻鋁硅層，該色彩層中含有的鉻、鋁、硅的原子比為1-3：0.5-2：0.3-1；該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIELAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于25至28，a*坐標(biāo)介于-1至-6，b*坐標(biāo)介于-5至-9。所述鍍膜件呈現(xiàn)具有吸引力的金屬質(zhì)感的藍(lán)色外觀，提高了鍍膜件的外觀競(jìng)爭(zhēng)力。此外，本發(fā)明還提供一種所述鍍膜件的制備方法。
【專利說(shuō)明】鍍膜件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種鍍膜件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的迅速演進(jìn)，移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等各式電子裝置發(fā)展迅速，其功能亦愈來(lái)愈豐富。為了使電子裝置的外殼具有豐富色彩，傳統(tǒng)上可利用彩色塑料形成彩色塑料外殼，或藉由噴漆方式在電子裝置的殼體表面形成色料層。然而，塑料外殼與噴漆外殼不能呈現(xiàn)良好的金屬質(zhì)感。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種鍍膜件，其表面形成有具有金屬質(zhì)感的藍(lán)色的膜層。
[0004]另外，還有必要提供一種上述鍍膜件的制備方法。
[0005]一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的色彩層，該色彩層為鉻鋁硅層，該色彩層中含有的鉻、鋁、硅的原子比為1-3:0.5-2:0.3-1 ;該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIELAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于25至28, a*坐標(biāo)介于-1至-6, b*坐標(biāo)介于_5至-9。
[0006]一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟:
提供基材；
在該基材的表面形成色彩層，采用磁控濺射法，使用鉻靶、鋁靶和硅鋁，并通入工作氣體氬氣，該色彩層為鉻鋁硅層，該色彩層中含有的鉻、鋁、硅的原子比為1-3:0.5-2:0.3-1 ；該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于25至28，a*坐標(biāo)介于-1至-6, b*坐標(biāo)介于_5至-9。
[0007]所述鍍膜件呈現(xiàn)具有吸引力的金屬質(zhì)感的藍(lán)色外觀，提高了鍍膜件的外觀競(jìng)爭(zhēng)力。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的鍍膜件的剖視圖。
[0009]圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例真空鍍膜機(jī)的俯視示意圖。
[0010]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的色彩層，其特征在于:該色彩層為鉻鋁硅層，該色彩層中含有的鉻、鋁、硅的原子比為1-3:0.5-2:0.3-1 ;該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于25至28, a*坐標(biāo)介于-1至-6, b*坐標(biāo)介于_5至-9。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:該鍍膜件還包括形成于基材表面的打底層及形成于打底層表面的過(guò)渡層，所述色彩層形成于過(guò)渡層上。
3.如權(quán)利要求2所述的鍍膜件，其特征在于:該打底層為金屬鉻層，該過(guò)渡層為碳化鉻或氮化鉻層。
4.如權(quán)利要求2所述的鍍膜件，其特征在于:該打底層的厚度為50-100nm，該過(guò)渡層的厚度為 100-200nm。
5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:該基材的材質(zhì)為不銹鋼或鋁合金。
6.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:該色彩層的厚度為0.3-0.5Mm。
7.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟: 提供基材； 在該基材的表面形成色彩層，采用磁控濺射法，使用鉻靶、鋁靶和硅鋁，并通入工作氣體氬氣，該色彩層為鉻鋁硅層，該色彩層中含有的鉻、鋁、硅的原子比為1-3:0.5-2:0.3-1 ；該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于25至28，a*坐標(biāo)介于-1至-6, b*坐標(biāo)介于_5至-9。
8.如權(quán)利要求7所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:制備該色彩層的具體工藝參數(shù)為:靶材均使用射頻電源，鉻靶、鋁靶和硅靶的功率分別為3-5kw、2-3kw和l_2kw，氬氣流量為80-120SCCm，鍍膜時(shí)鍍膜室內(nèi)的溫度為80-100°C，施加于基材的偏壓為_150~-250V，鍍膜時(shí)間為40-60min。
9.如權(quán)利要求7所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:該方法還包括在形成色彩層前，在基材表面形成打底層以及在打底層表面形成過(guò)渡層的步驟。
10.如權(quán)利要求9所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:制備該打底層的具體工藝參數(shù)為:使用鉻靶，鉻靶使用射頻電源，鉻靶的功率為5-8kw，通入工作氣體氬氣，氬氣流量為100-200 sccm,鍍膜時(shí)鍍膜室內(nèi)的溫度為90_110°C，施加于基材的偏壓為_200~-350V，鍍膜時(shí)間為10-15min。
11.如權(quán)利要求9所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:制備該過(guò)渡層的具體工藝參數(shù)為:使用鉻靶，鉻靶使用射頻電源，鉻靶的功率為4-6kw，通入工作氣體氬氣和反應(yīng)氣體乙炔或氮?dú)?，氬氣流量?120-150SCCm，反應(yīng)氣體的流量為30-50SCCm，鍍膜時(shí)鍍膜室內(nèi)的溫度為90-105°C，施加于基材的偏壓為-200~-300V，鍍膜時(shí)間為30_50min。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK103895279SQ201210588537
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月29日
【發(fā)明者】張春杰 申請(qǐng)人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司