專利名稱：鍍膜件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜件及其制造方法。
背景技術(shù)：
鋁或鋁合金目前被廣泛應(yīng)用于航空、航天、汽車及微電子等工業(yè)領(lǐng)域。但鋁或鋁合金的標(biāo)準(zhǔn)電極電位很低，耐腐蝕差，暴露于自然環(huán)境中會(huì)引起表面快速腐蝕。提高鋁或鋁合金耐腐蝕性的方法通常是在其表面形成保護(hù)性的涂層。傳統(tǒng)的陽(yáng)極氧化、電沉積、化學(xué)轉(zhuǎn)化膜技術(shù)及電鍍等鋁或鋁合金的表面處理方法存在生產(chǎn)工藝復(fù)雜、效率低、環(huán)境污染嚴(yán)重等缺點(diǎn)。真空鍍膜(PVD)為一清潔的成膜技術(shù)。然而，由于鋁或鋁合金的標(biāo)準(zhǔn)電極電位很低，且PVD涂層存在微小的孔隙及由于晶格失配或塑性變形而形成的位錯(cuò)缺陷，因此形成于鋁或鋁合金表面的PVD涂層容易發(fā)生電化學(xué)腐蝕，導(dǎo)致該P(yáng)VD涂層的耐腐蝕性能降低，對(duì)招或招合金的耐腐蝕能力的提聞?dòng)邢蕖?br>
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，提供一種具有良好的耐腐蝕性的鍍膜件。另外，還提供一種上述鍍膜件的制造方法。—種鍍膜件，包括鋁或鋁合金基體及形成于該鋁或鋁合金基體上的復(fù)合防護(hù)層，所述復(fù)合防護(hù)層包括若干第一非晶態(tài)薄膜層及若干第二非晶態(tài)薄膜層，所述若干第一非晶態(tài)薄膜層和若干第二非晶態(tài)薄膜層交替排布；所述第一非晶態(tài)薄膜層為氮化鋁層或氧化鋁層，所述第二非晶態(tài)薄膜層為氮化硅層或二氧化硅層。一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟
提供鋁或鋁合金基體；
通過(guò)真空鍍膜的方式，于該鋁或鋁合金基體的表面形成復(fù)合防護(hù)層，所述復(fù)合防護(hù)層包括若干第一非晶態(tài)薄膜層及若干第二非晶態(tài)薄膜層，所述若干第一非晶態(tài)薄膜層和若干第二非晶態(tài)薄膜層交替排布；所述第一非晶態(tài)薄膜層為氮化鋁層或氧化鋁層，所述第二非晶態(tài)薄膜層為氮化硅層或二氧化硅層。經(jīng)上述方式形成的第一非晶態(tài)薄膜層及第二非晶態(tài)薄膜層的膜層中不存在晶態(tài)薄膜的晶體缺陷而具有較高的致密性，因此，可提高鍍膜件的耐腐蝕性。進(jìn)一步地，在腐蝕性介質(zhì)侵入所述鍍膜件的過(guò)程中，由于第一非晶態(tài)薄膜層與第二非晶態(tài)薄膜層之間存在較為清晰的膜層界面，增加了腐蝕性介質(zhì)橫向移動(dòng)的趨勢(shì)，延長(zhǎng)了腐蝕性介質(zhì)的滲入路程，降低了腐蝕性介質(zhì)的滲入速度，從而減緩了發(fā)生腐蝕的速率，提高了所述鍍膜件的耐腐蝕性。更重要的是，所述復(fù)合防護(hù)層中存在多個(gè)所述界面，如此可大大提高所述鍍膜件的耐腐蝕性。


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圖I為本發(fā)明一較佳實(shí)施例鍍膜件的剖視圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例真空鍍膜機(jī)的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
權(quán)利要求
1.一種鍍膜件，包括鋁或鋁合金基體及形成于該鋁或鋁合金基體上的復(fù)合防護(hù)層，其特征在于所述復(fù)合防護(hù)層包括若干第一非晶態(tài)薄膜層及若干第二非晶態(tài)薄膜層，所述若干第一非晶態(tài)薄膜層和若干第二非晶態(tài)薄膜層交替排布；所述第一非晶態(tài)薄膜層為氮化鋁層或氧化鋁層，所述第二非晶態(tài)薄膜層為氮化硅層或二氧化硅層。
2.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述復(fù)合防護(hù)層的最外層為第一非晶態(tài)薄膜層或第二非晶態(tài)薄膜層；所述復(fù)合防護(hù)層與鋁或鋁合金基體直接結(jié)合的為第一非晶態(tài)薄膜層或第二非晶態(tài)薄膜層。
3.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述復(fù)合防護(hù)層的厚度為50(Tl000nm。
4.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述第一非晶態(tài)薄膜層和第二非晶態(tài)薄膜層的總層數(shù)為4 10層。
5.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件，其特征在于所述第二非晶態(tài)薄膜層及第二非晶態(tài)薄膜層分別通過(guò)真空鍍膜的方式形成。
6.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟 提供鋁或鋁合金基體； 通過(guò)真空鍍膜的方式，于該鋁或鋁合金基體的表面形成復(fù)合防護(hù)層，所述復(fù)合防護(hù)層包括若干第一非晶態(tài)薄膜層及若干第二非晶態(tài)薄膜層，所述若干第一非晶態(tài)薄膜層和若干第二非晶態(tài)薄膜層交替排布；所述第一非晶態(tài)薄膜層為氮化鋁層或氧化鋁層，所述第二非晶態(tài)薄膜層為氮化硅層或二氧化硅層。
7.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于所述復(fù)合防護(hù)層的最外層為第一非晶態(tài)薄膜層或第二非晶態(tài)薄膜層；所述復(fù)合防護(hù)層與鋁或鋁合金基體直接結(jié)合的為第一非晶態(tài)薄膜層或第二非晶態(tài)薄膜層。
8.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于形成所述第二非晶態(tài)薄膜層的步驟以如下方式進(jìn)行以鋁靶為靶材，設(shè)置其功率為5 15kW ;選擇氮?dú)饣蜓鯕鉃榉磻?yīng)氣體，反應(yīng)氣體的流量為10(T200sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為10(T200sccm ;施加于鋁或鋁合金基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為12(T200°C，鍍膜時(shí)間為l(T30min。
9.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于形成所述第二非晶態(tài)薄膜層的步驟為以硅靶為靶材，其功率為8 20kW ;以氧氣或氮?dú)鉃榉磻?yīng)氣體，反應(yīng)氣體的流量為10(T250sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為10(T200ccm ;施加于鋁或鋁合金基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為12(T200°C，鍍膜時(shí)間為l(T30min。
全文摘要
本發(fā)明一種鍍膜件，包括鋁或鋁合金基體及形成于該鋁或鋁合金基體上的復(fù)合防護(hù)層，所述復(fù)合防護(hù)層包括若干第一非晶態(tài)薄膜層及若干第二非晶態(tài)薄膜層，所述若干第一非晶態(tài)薄膜層和若干第二非晶態(tài)薄膜層交替排布；所述第一非晶態(tài)薄膜層為氮化鋁層或氧化鋁層，所述第二非晶態(tài)薄膜層為氮化硅層或二氧化硅層。本發(fā)明還提供了所述鍍膜件的制造方法。
文檔編號(hào)C23C14/10GK102758173SQ201110107938
公開(kāi)日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者張新倍, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士, 馬楠 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司