專利名稱：鍍膜件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜件及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)，采用陽極氧化處理的方式在鋁或鋁合金表面形成一陽極氧化膜，在一定程度上可改善鋁或鋁合金基體的硬度、耐磨性、耐腐蝕性及裝飾性，但陽極氧化膜存在表面粗糙、暗啞的缺點。采用噴涂的方式于陽極氧化膜上噴涂一透明油漆層，可改善陽極氧化處理產(chǎn)品表面的觸感，但噴涂過程中容易產(chǎn)生積漆、油漆層厚度不均等不良現(xiàn)象。用真空鍍膜方式代替噴涂形成一透明狀的真空鍍膜層可解決上述技術(shù)問題，但由于陽極氧化膜與真空鍍膜層之間存在較大的內(nèi)應(yīng)力，易于導(dǎo)致膜層發(fā)生開裂、剝落等現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明提供一種可解決上述問題的鍍膜件。另外，本發(fā)明還提供一種上述鍍膜件的制造方法。一種鍍膜件，包括基體、依次形成于基體表面的陽極氧化膜及真空鍍膜層，所述陽極氧化膜表面呈不連續(xù)狀，所述真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟:
提供基體；
通過陽極氧化處理的方 式 ，在該基體的表面形成陽極氧化膜；
對所述陽極氧化膜表面進行鹽酸水溶液擦拭處理；
采用真空鍍膜法，以硅靶或鋁靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，在經(jīng)上述處理后的陽極氧化膜上形成真空鍍膜層，該真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。本發(fā)明對所述陽極氧化膜進行鹽酸水溶液擦拭處理，使所述陽極氧化膜表面呈不連續(xù)狀，進而可提高所述真空鍍膜層與陽極氧化膜之間的結(jié)合力，進而避免所述陽極氧化膜與真空鍍膜層直接結(jié)合而導(dǎo)致真空鍍膜層發(fā)生開裂、剝落等現(xiàn)象。另外，所述真空鍍膜層本身具有良好的硬度及耐磨性，可增強所述鍍膜件的硬度及耐磨性。


圖1是本發(fā)明一較佳實施例鍍膜件的剖視 圖2是本發(fā)明一較佳實施例真空鍍膜機的示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種鍍膜件，包括基體及形成于基體表面的陽極氧化膜，其特征在于:所述鍍膜件還包括依次形成于該陽極氧化膜表面的真空鍍膜層，所述陽極氧化膜表面呈不連續(xù)狀，所述真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:所述陽極氧化膜表面形成有氯化鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:所述真空鍍膜層的厚度為f1.Sum。
4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:所述真空鍍膜層為無色透明狀。
5.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟: 提供基體； 通過陽極氧化處理的方式，在該基體的表面形成陽極氧化膜； 對所述陽極氧化膜表面進行鹽酸水溶液擦拭處理，使所述陽極氧化膜表面呈不連續(xù)狀； 采用真空鍍膜法，以硅靶或鋁靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，在經(jīng)上述處理后的陽極氧化膜上形成真空鍍膜層，該真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。
6.如權(quán)利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于:所述鹽酸水溶液擦拭處理的方法為:采用所述鹽酸水溶液的質(zhì)量百分含量為5-8%對所述陽極氧化膜的表面擦拭l_5min。
7.如權(quán)利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于:所述鹽酸水溶液擦拭處理的方法為:采用所述鹽酸水溶液的質(zhì)量百分含量 為5%對所述陽極氧化膜的表面擦拭lmin。
8.如權(quán)利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于:形成所述真空鍍膜層的方法為:采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置硅靶或鋁靶的功率為6 15kw，以氧氣為反應(yīng)氣體，調(diào)節(jié)氧氣的流量為5(T200sCCm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300SCCm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為1(T200°C，鍍膜時間為3(T40min。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鍍膜件，包括基體、依次形成于基體表面的陽極氧化膜及真空鍍膜層，所述陽極氧化膜表面呈不連續(xù)狀，所述真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。所述鍍膜件具有良好的硬度及耐磨性。本發(fā)明還提供了所述鍍膜件的制造方法。
文檔編號C25D11/04GK103114287SQ20111036522
公開日2013年5月22日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者張新倍, 蔣煥梧, 陳正士, 李聰 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司