完成后，采用防離層烘烤工藝烘烤3小時(shí)，固化烘烤氮?dú)饬髁?gt; 0.8m2/h ;
[0042]多芯片堆疊封裝件的上芯工序通常采用AD828、AD838、AD898、AD8312及DB-700AD幾種粘片機(jī)，根據(jù)芯片形狀和芯片尺寸大小選擇吸嘴和點(diǎn)膠頭的形狀和尺寸，吸嘴上芯的升降高度為4000?6500st印，頂針上升高度為100?160mm，頂針上升延遲時(shí)間為5?10ms，點(diǎn)膠高度為1400?2000st印，粘片膠厚度8?38 μ m，粘片撿拾力為0.5?IN，粘片粘接力為0.5?IN。
[0043]步驟4:壓焊:
[0044]對(duì)于多芯片平面封裝件:先在第一 IC芯片12朝向第二 IC芯片13的焊盤(pán)上打第一鍵合球(金或銅球)21，在第二 IC芯片13朝向第一 IC芯片12的焊盤(pán)上打第二鍵合球(金或銅球)23，接著，在第一鍵合球21上堆疊焊接，焊絲拉平弧在第二鍵合球23上，焊接形成第二鍵合線22 ;同理焊接第三IC芯片14與第一 IC芯片12之間的鍵合線，以及焊接第二IC芯片13與第三IC芯片14之間的鍵合線；最后從第一 IC芯片12、第二 IC芯片13和第三IC芯片14向內(nèi)引腳18焊接第一鍵合線19，完成第一框架單元2的焊線焊接，接著進(jìn)行第二框架單元3的焊線焊接，依次進(jìn)行整條框架所有單元焊接，直至整批產(chǎn)品所有框架焊接完畢；
[0045]采用適合金絲(銅或其它焊線)工藝，襯底加熱溫度200?220°C，調(diào)節(jié)打火流量2600?3100 μ A，調(diào)節(jié)打火放電時(shí)間為630?710 μ S，使金球頭部融化，以獲得表面光滑且無(wú)缺陷的金球FAB，接線劈刀上加上時(shí)間為10±3ms的超聲波和壓力，超聲頻率120±10KHZ，輸出方式為電流，功率約35±7mW，壓力輸出約15±5gf。
[0046]對(duì)于多芯片堆疊封裝件:采用適合金絲(銅或其它焊線)低弧工藝(弧高(180 μm)，使用最短焊線(1.5 μπι)的球焊機(jī)，襯底加熱溫度180?200°C。
[0047]先從第四IC芯片15向第一 IC芯片12采用高低弧焊線焊接，形成第三鍵合線25，再?gòu)牡谖錓C芯片16向第二 IC芯片13采用高低線弧焊線焊接，形成第五鍵合線27，接著從第四IC芯片15向第五IC芯片16使用平方線弧焊接線，形成第四焊接線26 ;最后從第一 IC芯片12向內(nèi)引腳18采用普通焊線焊接弧線，從第二 IC芯片13向內(nèi)引腳18采用普通焊線焊接弧線，形成第一鍵合線19，從第一 IC芯片12向第二 IC芯片13采用平方線弧焊接，形成第二鍵合線22，鍵合線22方向由第一芯片12至第二芯片13 ;用相同的順序和方法進(jìn)行第一基島4上IC芯片和第三基島6上IC芯片之間的焊線連接，用相同的順序和方法進(jìn)行第二基島5上IC芯片和第三基島6上IC芯片之間的焊線連接。完成第一框架單元2上的焊線焊接，接著進(jìn)行第二框架單元3上的焊線焊接，依次進(jìn)行整條框架所有框架單元內(nèi)IC芯片的焊接，直至整批產(chǎn)品所有框架焊接完畢；
[0048]壓焊設(shè)備選用精度較高的KS/ESEC/ASM等球焊設(shè)備，參數(shù)設(shè)置根據(jù)焊線材質(zhì)及IC芯片焊窗結(jié)構(gòu)特點(diǎn)綜合選擇。
[0049]步驟5:塑封:
[0050]采用膨脹系數(shù)(a I ( 1)、吸水率0.30%)的符合環(huán)保技術(shù)要求的樹(shù)脂；使用MGP塑封模具，采用本公司多段注塑工藝進(jìn)行塑封，注塑壓力1000?1800pa1、注塑時(shí)間7?15s、模具溫度160?180°C、合模壓力8?20MPa、包封固化時(shí)間120?150s ；
[0051]包封后在175?180°C的溫度下固化5小時(shí)；
[0052]步驟6:打印工藝同普通DIP塑料封裝集成電路生產(chǎn)的打印工藝，采用激光鐳射印字；
[0053]步驟7:采用高速線電鍍方式:先將塑封后的產(chǎn)品送高速電鍍線電鍍，自動(dòng)上料槽中上料，去膠體周邊廢膠料和電鍍烘烤在一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)完成，鍍液溫度35?45°C，電鍍電流95±5A / 槽，鍍層厚度 7.0?20.32μπι;
[0054]步驟8:采用自動(dòng)切筋成型系統(tǒng)切筋成型，自動(dòng)進(jìn)料，自動(dòng)入管；
[0055]步驟9:在高倍顯微鏡下(40Χ-100Χ)，檢查塑封體有無(wú)裂紋，引腳有無(wú)變形，并檢測(cè)外觀尺寸，剔除不合格品；
[0056]步驟10:采用同DIP產(chǎn)品的測(cè)試方法對(duì)合格品進(jìn)行測(cè)試，挑出不良品，良品為制得的封裝件。
[0057]采用防潮濕、防靜電包裝工藝包裝制得的封裝件，出貨。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于DIP多基島的引線框架，包括框架本體(1)，框架本體(I)上設(shè)有多列第一框架單元組和多列第二框架單元組，第一框架單元組和第二框架單元組間隔設(shè)置，所有第一框架單元組中第一框架單元(2)的數(shù)量相同；所有第二框架單元組中第二框架單元(3)的數(shù)量相同，其特征在于，第一框架單元(2)上、沿引腳的排列方向設(shè)有第一基島(4)和第三基島(6)，第一基島(4)和第三基島(6)通過(guò)柵條(11)與第一框架單元(2)的四個(gè)內(nèi)引腳相連接，第一框架單元(2)上還設(shè)有第二基島(5)，第一基島(4)和第三基島(6)位于柵條(11)與第二基島(5)之間，第一框架單元(2)的另外四個(gè)內(nèi)引腳與第二基島(5)相鄰設(shè)置；第二框架單元(3)上、沿引腳的排列方向?qū)ΨQ設(shè)有第四基島(7)和第六基島(9)，第四基島(7)與第六基島(9)通過(guò)另一條柵條(11)與第二框架單元(3)的四個(gè)內(nèi)引腳相連接，第二框架單元(3)上設(shè)有第五基島(8)，第四基島(7)和第六基島(9)位于另一條柵條(11)與第五基島(8)之間，第二框架單元(3)的另外四個(gè)內(nèi)引腳與第五基島(8)相鄰設(shè)置；第五基島(8)和第二基島(5)均通過(guò)連接條(10)與框架本體(I)的邊框相連接；一個(gè)框架單元中朝向相鄰框架單元的內(nèi)引腳與該相鄰框架單元朝向該框架單元的內(nèi)引腳交錯(cuò)設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于DIP多基島的引線框架，其特征在于，所述第一框架單元組中的第一框架單元(2)與相鄰的第二框架單元組中的第二框架單元(3)平行設(shè)置，且第二框架單元(3)與框架本體(I)邊框之間的距離小于第一框架單元(2)與框架本體(I)邊框之間的距離，該第一框架單元(2)和該第二框架單元(3)相對(duì)設(shè)置的引腳交錯(cuò)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于DIP多基島的引線框架，其特征在于，相鄰框架單元在X方向的步距為13.716mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于DIP多基島的引線框架，其特征在于，所有基島的背面均設(shè)有矩陣式的凹坑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于DIP多基島的引線框架，其特征在于，所有與柵條(11)相連接的基島朝向柵條(11)的一端均加工有穿通該基島的至少兩個(gè)小孔，每個(gè)基島上的至少兩個(gè)小孔沿框架單元引腳的排列方向設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、4或5所述的基于DIP多基島的引線框架，其特征在于，相鄰基島之間的間距^ 0.30mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種基于DIP多基島的引線框架，引線框架包括設(shè)有多列第一框架單元組和多列第二框架單元組的框架本體，兩種框架單元組間隔設(shè)置，框架單元設(shè)有三個(gè)基島，其中兩個(gè)基島通過(guò)柵條與該框架單元的四個(gè)內(nèi)引腳相連，且該兩個(gè)基島位于第三個(gè)基島和柵條之間；該第三個(gè)基島通過(guò)連接條連接框架本體邊框；框架單元中朝向相鄰框架單元的內(nèi)引腳與該相鄰框架單元朝向該框架單元的內(nèi)引腳交錯(cuò)設(shè)置。本引線框架有助于增加產(chǎn)品功能的集成，提升產(chǎn)品的封裝成品率、質(zhì)量及可靠性。并且可延伸到更多排矩陣式封裝，不局限于DIP封裝形式。
【IPC分類(lèi)】H01L23-495
【公開(kāi)號(hào)】CN204596785
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520285680
【發(fā)明人】牛社強(qiáng), 孫亞麗
【申請(qǐng)人】天水華天科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年5月4日