一種引線框架的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種引線框架，包括引線框架基島，所述引線框架基島上涂覆有基島絕緣鍍層，所述基島絕緣鍍層設(shè)置有絕緣裝片膠，所述絕緣裝片膠上封裝有通過引線與所述引線框架基島連接的芯片。本實用新型在引線框架基島上鍍一層絕緣層，可以保證芯片底部與引線框架的基島不會因為絕緣裝片膠過薄導(dǎo)致芯片與框架基島發(fā)生短路，具有良好的絕緣性能，提高了產(chǎn)品的良率和可靠性。
【專利說明】
一種引線框架
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及一種引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)在常用集成電路封裝結(jié)構(gòu)中，引線框架包括引線框架基島、基島銀鍍層、絕緣裝片膠和芯片。芯片通過絕緣裝片膠與引線框架基島粘連。
[0003]在引線框架基島上設(shè)置絕緣裝片膠，然后將芯片放置在絕緣裝片膠上，芯片通過引線與集成電路外引腳進(jìn)行連接。當(dāng)需要芯片與引線框架基島之間絕緣時，通常會使用絕緣裝片膠來粘連芯片與引線框架基島。由于現(xiàn)有框架基島的鍍層多為鍍銀等導(dǎo)電金屬，框架基島鍍層表面不夠平整，當(dāng)絕緣裝片膠的厚度過薄時，引線框架基島上的鍍層顆?？赡芘c芯片發(fā)生短路，從而出現(xiàn)漏電流。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型目的是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種引線框架。
[0005]本實用新型為實現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種引線框架，包括引線框架基島，所述引線框架基島上涂覆有基島絕緣鍍層，所述基島絕緣鍍層設(shè)置有絕緣裝片膠，所述絕緣裝片膠上封裝有通過引線與所述引線框架基島連接的芯片。
[0006]進(jìn)一步的，所述基島絕緣鍍層的厚度在2_3mm之間。
[0007]本實用新型的有益效果:本實用新型在引線框架基島上鍍一層絕緣層，可以保證芯片底部與引線框架的基島不會因為絕緣裝片膠過薄導(dǎo)致芯片與框架基島發(fā)生短路，具有良好的絕緣性能，提尚了廣品的良率和可靠性。
【附圖說明】
[0008]圖1本實用新型的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0009]圖1所示，為本實用新型的一種引線框架，包括引線框架基島I，所述引線框架基島I上涂覆有基島絕緣鍍層22，所述基島絕緣鍍層22設(shè)置有絕緣裝片膠3，所述絕緣裝片膠3上封裝有通過引線41與所述引線框架基島I連接的芯片4。這樣芯片4底部與引線框架基島I就不會因為絕緣裝片膠3過薄導(dǎo)致芯片4與引線框架基島I之間發(fā)生短路了。其中，為了達(dá)到最好效果，可將所述基島絕緣鍍層22的厚度設(shè)置在2-3_之間。
[0010]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種引線框架，其特征在于，包括引線框架基島，所述引線框架基島上涂覆有基島絕緣鍍層，所述基島絕緣鍍層設(shè)置有絕緣裝片膠，所述絕緣裝片膠上封裝有通過引線與所述引線框架基島連接的芯片。2.如權(quán)利要求1所述的一種引線框架，其特征在于，所述基島絕緣鍍層的厚度在2-3mm之間。
【文檔編號】H01L23/495GK205452272SQ201520869749
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年11月3日
【發(fā)明人】馬丙乾, 劉桂芝, 付強, 段世峰
【申請人】無錫麟力科技有限公司