改善框架表面與塑封體分層的引線框架及封裝體的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種改善框架表面與塑封體分層的引線框架及封裝體，用于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，所述引線框架包括至少一基島，所述基島包括鎖膜區(qū)及用于設(shè)置芯片的芯片區(qū)，在所述鎖膜區(qū)表面設(shè)置有多個朝向所述引線框架凹陷的凹槽，多個所述凹槽圍成閉合圖形。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，在鎖膜區(qū)設(shè)置凹槽，增大了引線框架表面與模膠的鎖膜接觸面積，且所述凹槽形成閉合結(jié)構(gòu)，該閉合結(jié)構(gòu)以爪型的形式“抓住”所述模膠，進(jìn)一步增強(qiáng)了后續(xù)封裝中凹槽對模膠的抓力，加強(qiáng)模膠與引線框架的結(jié)合強(qiáng)度，提高鎖模區(qū)的鎖膜強(qiáng)度，解決分層的問題，提高可靠性。
【專利說明】
改善框架表面與塑封體分層的引線框架及封裝體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種改善框架表面與塑封體分層的引線框架及封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。
[0003]圖1是現(xiàn)有的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1及圖2，在引線框架I的基島2上可焊接芯片3，焊接芯片3并打線后再采用模膠進(jìn)行塑封，所述封裝線在圖中采用虛線標(biāo)示。由于引線框架與模膠結(jié)合力不夠會導(dǎo)致模膠與引線框架未設(shè)置芯片的表面分離，發(fā)生分層的現(xiàn)象，影響產(chǎn)品的可靠性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種改善框架表面與塑封體分層的引線框架及封裝體。
[0005]為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種改善框架表面與塑封體分層的引線框架，包括至少一基島，所述基島包括鎖膜區(qū)及用于設(shè)置芯片的芯片區(qū)，在所述鎖膜區(qū)表面設(shè)置有多個朝向所述引線框架凹陷的凹槽，多個所述凹槽圍成閉合圖形。
[0006]進(jìn)一步，多個所述凹槽圍成一個或多個回型閉合圖形。
[0007]進(jìn)一步，所述凹槽的截面為V型、矩形或燕尾型。
[0008]進(jìn)一步，所述凹槽的截面為V型時，所述V型開口角度為30°?120°。
[0009]進(jìn)一步，所述凹槽的截面為V型時，所述凹槽的深度為0.01?0.038mm。
[0010]進(jìn)一步，所述凹槽的截面為矩形或燕尾型時，所述凹槽的深度為所述引線框架厚度的30%?80%。
[0011]進(jìn)一步，多個所述凹槽間隔設(shè)置并圍成一閉合圖形。
[0012]進(jìn)一步，相鄰兩個所述凹槽的間隔距離為0.1?0.5mm。
[0013]進(jìn)一步，所述鎖模區(qū)設(shè)置在所述芯片區(qū)四周或所述芯片區(qū)相鄰的兩側(cè)。
[0014]本實(shí)用新型還提供一種封裝體，包括塑封體及封裝在所述塑封體內(nèi)的引線框架，所述引線框架為上述的引線框架。
[0015]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，在鎖膜區(qū)設(shè)置凹槽，增大了引線框架表面與模膠的鎖膜接觸面積，且所述凹槽形成閉合結(jié)構(gòu)，該閉合結(jié)構(gòu)以爪型的形式“抓住”所述模膠，進(jìn)一步增強(qiáng)了后續(xù)封裝中凹槽對模膠的抓力，加強(qiáng)模膠與引線框架的結(jié)合強(qiáng)度，提高鎖模區(qū)的鎖膜強(qiáng)度，解決分層的問題，提高可靠性。
【附圖說明】

[0016]圖1是現(xiàn)有的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型改善框架表面與塑封體分層的引線框架的第一【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是圖2中A-A部位的截面示意圖；
[0019]圖4及圖5是本實(shí)用新型改善框架表面與塑封體分層的引線框架第二【具體實(shí)施方式】中的凹槽的截面示意圖；
[0020]圖6是本實(shí)用新型改善框架表面與塑封體分層的引線框架的第二【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖7是本實(shí)用新型改善框架表面與塑封體分層的引線框架的第三【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖8是本實(shí)用新型封裝體的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型提供的改善框架表面與塑封體分層的引線框架及封裝體的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)說明。在本實(shí)用新型中，為了更加清楚地說明本實(shí)用新型引線框架的結(jié)構(gòu)，在附圖中僅示意性地標(biāo)示出基島的結(jié)構(gòu)示意圖，引線框架的其他部分結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的引線框架的結(jié)構(gòu)相同。
[0024]參見圖2及圖3，在本實(shí)用新型改善框架表面與塑封體分層的引線框架的第一【具體實(shí)施方式】中，所述引線框架包括至少一基島30，所述基島30包括鎖膜區(qū)31及用于設(shè)置芯片的芯片區(qū)32。所述鎖膜區(qū)31指的是所述基島30除芯片區(qū)32之外的表面區(qū)域，在圖3中采用虛線示意性地標(biāo)示出所述鎖膜區(qū)31及芯片區(qū)32。進(jìn)一步，所述鎖模區(qū)31設(shè)置在所述芯片區(qū)32四周或所述芯片區(qū)32相鄰的兩側(cè)，在本【具體實(shí)施方式】中，所述鎖模區(qū)31設(shè)置在所述芯片區(qū)32相鄰的兩側(cè)，參見圖8，在本實(shí)用新型第三【具體實(shí)施方式】中，所述鎖膜區(qū)31設(shè)置在所述芯片區(qū)32的四周。
[0025]在所述鎖膜區(qū)31表面設(shè)置有多個朝向所述引線框架凹陷的凹槽33，多個所述凹槽33圍成閉合圖形，在本【具體實(shí)施方式】中，多個凹槽33首尾相連形成一個閉合圖形。形成所述閉合圖形能夠提高后續(xù)封裝中凹槽33對模膠的抓力，加強(qiáng)模膠與引線框架的結(jié)合強(qiáng)度，提高鎖模區(qū)31的鎖膜強(qiáng)度，解決分層的問題，提高可靠性，且在該閉合圖形中心還存在沒有形成凹槽33的引線框架的表面，從而避免鎖模區(qū)的引線框架全部被形成凹槽33，能夠保持引線框架的穩(wěn)定性。優(yōu)選地，多個所述凹槽33圍成一個或多個回型閉合圖形。
[0026]參見圖3，在本【具體實(shí)施方式】中，所述凹槽33的截面為V型。優(yōu)選地，所述V型的開口角度Θ為30° ?120°，具體可以為30°、40。、50。、60。、70。、80。、50°、100°、110°、120°，所述凹槽的深度為0.01 ?0.038mm，具體可以為0.01mm、0.015mm、0.020mm、0.025mm、0.030mm、
0.035mm、0.038mm J型的凹槽33可采用半蝕刻或沖壓的方法形成。
[0027]參見圖4及圖5，在本實(shí)用新型第二【具體實(shí)施方式】中，所述凹槽33的截面為矩形(參見圖5)或燕尾型(參見圖6)。矩形的凹槽或燕尾型的凹槽可采用沖壓的方式形成，加強(qiáng)模膠與引線框架的結(jié)合強(qiáng)度，解決鎖膜問題，取得更好的可靠性。優(yōu)選地，在本【具體實(shí)施方式】中，所述凹槽33的深度為所述引線框架厚度的30%?80%，以在提高鎖膜強(qiáng)度的同時保持引線框架的穩(wěn)定性。參見圖6，多個所述凹槽33間隔設(shè)置并圍成一閉合圖形。相鄰兩個所述凹槽31的間隔距離為0.1?0.5mm，即從一個凹槽33的中心至相鄰的另一個凹槽33的中心的距離為0.1?0.5mm，具體可以為0.1 mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mmn
[0028]優(yōu)選地，所述V型截面的凹槽33與所述矩形或燕尾型截面的凹槽33可混合搭配設(shè)計。參見圖7，在本實(shí)用新型第三【具體實(shí)施方式】中，在所述鎖模區(qū)31內(nèi)，所述矩形或燕尾型截面的凹槽33設(shè)置在所述V型截面的凹槽33的外圍，進(jìn)一步增強(qiáng)了鎖膜強(qiáng)度。在本【具體實(shí)施方式】中，所有所述凹槽33圍成一閉合圖形，而不是具有相同截面的凹槽圍成一閉合圖形。在本實(shí)用新型其他【具體實(shí)施方式】中，可以是具有相同截面的凹槽圍成一閉合圖形。
[0029]參見圖8，本實(shí)用新型還提供一種封裝體，所述封裝體包括塑封體100及封裝在所述塑封體100內(nèi)的引線框架101、設(shè)置在所述引線框架101的基島30上的芯片102。圖中采用虛線標(biāo)示出所述塑封體100，所述引線框架101的結(jié)構(gòu)與上述的引線框架的結(jié)構(gòu)相同。在本實(shí)用新型中，采用模膠塑封所述引線框架101，所述模膠固化后形成塑封體100。由于所述引線框架101的鎖模區(qū)31設(shè)置有凹槽33，加強(qiáng)了模膠與引線框架101的結(jié)合強(qiáng)度，解決了分層問題，使得封裝體具有更好的可靠性。
[0030]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種改善框架表面與塑封體分層的引線框架，包括至少一基島，其特征在于，所述基島包括鎖膜區(qū)及用于設(shè)置芯片的芯片區(qū)，在所述鎖膜區(qū)表面設(shè)置有多個朝向所述引線框架凹陷的凹槽，多個所述凹槽圍成閉合圖形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，多個所述凹槽圍成一個或多個回型閉合圖形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述凹槽的截面為V型、矩形或燕尾型。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其特征在于，所述凹槽的截面為V型時，所述V型開口角度為30°?120°。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其特征在于，所述凹槽的截面為V型時，所述凹槽的深度為0.01?0.038mm。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其特征在于，所述凹槽的截面為矩形或燕尾型時，所述凹槽的深度為所述引線框架厚度的30%?80%。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，多個所述凹槽間隔設(shè)置并圍成一閉合圖形。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其特征在于，相鄰兩個所述凹槽的間隔距離為0.1?0.5mmο9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述鎖模區(qū)設(shè)置在所述芯片區(qū)四周或所述芯片區(qū)相鄰的兩側(cè)。10.一種封裝體，包括塑封體及封裝在所述塑封體內(nèi)的引線框架，其特征在于，所述引線框架為權(quán)利要求1?9任意一項所述的引線框架。
【文檔編號】H01L23/495GK205723524SQ201620570603
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月14日
【發(fā)明人】陽小芮, 蔣慜佶
【申請人】上海凱虹科技電子有限公司